硅穿孔
矽穿孔（英語：Through Silicon Via, 常簡寫為 TSV，也稱做矽通孔）是一種穿透矽晶圓或晶片的垂直互連。
TSV 是一種讓 3D IC 封裝遵循摩爾定律（Moore's Law）的互連技術，TSV 可堆疊多片晶片，其設計概念來自於印刷電路板（PCB）, 在晶片鑽出小洞（製程又可分為先鑽孔及後鑽孔兩種，Via First, Via Last），從底部填充入金屬，矽晶圓上以蝕刻或雷射方式鑽孔（via），再以導電材料如銅、多晶矽、鎢等物質填滿。此一技術能夠以更低的成本有效提高系統的整合度與效能。
TSV 技術在三維封裝和三維積體電路中具有重要應用，對於跨入 3D IC 相當具有優勢。2006 年 4 月，韓國三星表示已成功將 TSV 技術應用在「晶圓級堆疊封裝」（Wafer level process stack package, WSP）NAND Flash 堆疊的技術堆疊八個 2Gb NAND Flash 晶片，以雷射鑽孔打造出 TSV 製程，高度是 0.56mm。2007 年 4 月三星公佈其以 WSP 技術應用在 DRAM 的產品，共堆疊了 4 顆 512Mb 的 DRAM 晶片。到目前為止，晶片商採用矽穿孔技術的商業行為有限，僅有 CMOS（CIS）影像感測器、MEMS 等少數幾種。