利用在金刚石压砧上集成的微电路,原位测量了CdSe多晶粉末在温度为300～450 K、压力达到23 GPa时电阻率随温度和压力的变化关系.实验结果表明:在加压过程中,电阻率在2.6 GPa压力时出现的异常改变,对应着CdSe从纤锌矿向岩盐矿结构的转变,而在6.0、9.8、17.0 GPa等压力处出现的电阻率异常,则是由CdSe中的电子结构的变化所引起的;在卸压过程中,只在约14.0和3.0 GPa压力下观察到了两个电阻率异常点.通过对电阻率随压力变化曲线的模拟,得出了CdSe高压相的带隙随压力的变化关系,据此预测CdSe金属化的压力应在70～100 GPa之间.变温实验结果表明,在实验的温度和压力范围内,CdSe的电阻率均随温度的增加而升高.