采用Material Studio/CASTEP研究不同压强下TATB晶体结构表明:(1)当外压在0.1～10GPa时,TATB晶胞主要沿c轴方向变动;且晶体的能带结构及TATB的分子结构变化不大;(2)在几十个GPa的条件下,TATB可压缩至密度超过2.5g/cm3,而能量升高不多;(3)在0.1～100GPa条件下,TATB晶体为半导体,而过渡到导体的压力大概为几百个GPa,此时TATB分子结构已被破坏.