直流断路器是高压直流输电系统换流站的主要电气设备之一.作为直流断路器中关键部件,压接型IGBT(insulated gate bipolar transistor)的电学性能及可靠性尤为重要.基于直流断路器的特性需求,开发出一款具有高关断能力的3 300V压接式IGBT芯片.该芯片具有良好的开关特性、短路特性及坚固性,可通过8倍额定电流关断测试,且与自主研制的FRD芯片有良好的匹配性;基于此芯片研制的高关断压接型IGBT模块已通过仿工况关断能力测试.