由于铍薄膜极易被X射线穿透，传统的几何模式下很难获得有效的X射线衍射应力分析结果。本文采用掠入射侧倾法分析SiO2基底上Be薄膜残余应力，相比其他衍射几何方法，提高了衍射的信噪比，获得的薄膜应力拟合曲线线形较好。对Be薄膜的不同晶面分析，残余应力结果相同，表明其力学性质各向同性；利用不同掠入射角下X射线的穿透深度不同，获得应力在深度方向上的分布；由薄膜面内不同方向的残余应力相同，确定薄膜处于等双轴应力状态。