透明导电氧化物材料(TCO)是一种重要的半导体材料,主要有以下四个特点:一是较大的禁带宽度(＞3.0 eV);二是较低的电阻率(10-5～10-4Ω·cm);三是在红外区反射率较高,四是可见光区域(400nm ～ 800 rnm)透过率较高(＞80％).透明导电薄膜的制备主要分物理气相沉积(PVD)及化学气相沉积(CVD),前者包括真空蒸发、电子束蒸发、磁控溅射、离子束溅射、喷涂法、脉冲激光沉积法等;后者包括分子束外延、原子层外延、离子注入、喷涂热分解、溶胶-凝胶法等本文将重点描述几种常见的TCO薄膜的制备技术并对比各种镀膜技术的优缺点.