评述了国外 YBCO涂层导体的最新进展. IBAD和 RABiTS的 YBCO涂层导体的研制已取得骄人的成绩.在 RABiTS方法中有一种 SOE法比其他方法更优越. SOE法制备的最好的 YBCO膜,其开始转变温度 91 k,零电阻温度 87 k, 77 k的电场下 Jc值为 3× 105 A/cm.化学溶液沉积( CSD)由于技术简便,成本低而得到广泛的青睐.一种称为"氟化钡"的新方法也正在一些实验室研究,这种方法可与 RABiTS和 IBAD两种工艺媲美.由于事先沉积了前驱物的基带可批量生产,氟化钡工艺完全可以在规模化生产中采用.