研究制备了La0.67Ba0.33Mn1-xFexO3(x=0,0.05,0.1)材料.结果表明:铁替换锰降低了材料的饱和磁化强度及居里温度,主要是因为Fe离子不参加双交换作用,同时Mn3+-O2--Mn4+的作用对随铁离子替代Mn3+而数量减少,材料的铁磁作用随之减弱.铁替换锰降低了金属-半导体转换峰温度,相应提高了材料的零场电阻值.值得注意的是铁掺杂提高了大磁阻材料La0.67Ba0.33Mn1-xFexO3的低温性能,5K下磁阻比[R(6T)-R(0)]/R(0)从x=0时的-40%增加到x=0.1时的-60%.本文同时利用迪尼模型对材料大磁阻效应进行了计算分析,发现理论计算曲线可以较好的反映实验上出现的金属-半导体转换峰现象,同时负的大磁阻效应现象也可从理论计算上得到证实.