通过分析高k栅介质SOI LDMOS管沟道与埋氧层的关系，建立了SOI LDMOS管的阈特性模型。研究了器件主要结构参数对阈特性及小尺寸效应的影响，分析了阈值电压与高k栅介质的介电常数和应变Si层的掺杂浓度的关系。通过软件ISE TCAD进行模拟仿真。结果表明，在不同的tSi和NA条件下，阈值电压的模型计算与数值模拟值吻合率为94.8%，最大差值为0.012 V，不同沟道长度SOI LDMOS的阈值电压漂移率为3.52%，最大漂移电压为0.008 V，模型计算值与数值模拟结果基本吻合。