采用基于密度泛函理论的第一性原理研究了4H-SiC(001)定位掺杂 Ni的磁性,结果表明相对于掺杂前表面悬挂键的存在使体系具有弱磁性,Ni定位取代 Si位置后得到的体系更加稳定.对比分析了 Ni 定位取代不同数量的 C与 Si原子后,得出取代C原子比取代 Si原子得到的磁矩大,而且奇数倍的取代较偶数倍取代得到的磁矩大.定位取代一个 C与一个 Si比单独取代一种原子得到的磁矩大,因此从稳定性与磁性方面考虑C与 Si同时取代是最好的掺杂选择.在导电性方面,随着 Ni掺杂原子数量增加光电导相应增加.