台面制作工艺对1.3 μm应变补偿多量子阱SLD的器件性能有重要的影响.根据外延结构,分析比较了两种台面制作的方法,即选择性湿法腐蚀法和ICP刻蚀+湿法腐蚀法.InGaAs层ICP刻蚀避免了湿法腐蚀中的侧向钻蚀现象,Cl_2含量为30%时速率可达到420 nm/min;湿法腐蚀可有效减小ICP刻蚀引入的晶格损伤.SEM图像表明,ICP刻蚀+湿法腐蚀的台面制作方法,得到的腐蚀台面陡直,波导宽度与设计值更接近,优于选择性湿法腐蚀方法,更适合SLD台面制作.