介绍了一种宽带开关耦合器芯片的研制.在GaAs pHEMT工艺平台上将宽带单刀双掷开关和兰格耦合器集成在一个芯片上,在实现二路功率分配功能的同时,还提供了在两个输出端口之间±90°相位切换的功能.该芯片频率范围覆盖6～18 GHz,在整个频带内插入损耗<3.7 dB,相位误差<14°,输入输出驻波比<1.8:1.芯片尺寸1.5 mm × 3.0 mm × 0.1 mm.详细描述了电路的设计流程,并提供最终的测试结果.该芯片具有频带宽、体积小、使用方便等特点,可应用于不同的微波系统.