随着材料科学的进步,碳化硅(SiC)-金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)已可以实现高压、高功率运行.相比于传统硅(Si)材料,SiC材料具备低开关损耗、低导通电阻、宽禁带及高热导率.使用SiC-MOSFET代替传统Si-绝缘栅双极型晶体管(IGBT)功率器件,可降低地铁牵引逆变器(INV-BOX)的体积、重量,实现更高的功率密度.通过对SiC-MOSFET模型的分析,着重解决SiC-MOSFET器件的高频驱动问题及在高功率运行过程中产生的电磁干扰问题,为下一步SiC-MOSFET的批量运用提供技术积累.