提出了一种室温条件下构筑铂覆盖硅纳米线阵列的有效方法.通过将种子生长法和化学沉积技术的有机结合,高质量的铂纳米结构被成功地构筑在硅纳米线阵列表面.采用扫描电镜、X-射线衍射和电化学方法对制备材料的形貌和性质进行了表征.结果表明:所沉积的铂膜具有多孔三维结构,展现了一个放大的电化学活性面积,是相同几何面积硅片电极的6.17倍.对于甲醇电氧化反应,这种具有独特结构的材料显示出优异的催化活性和稳定性,优于铂纳米覆盖的硅片电极.