普通晶闸管反并联结构广泛应用于高压软启动装置、电气驱动装置和静态无功功率补偿装置中,但对体积和重量要求较高的应用场合并不适用.文章针对晶闸管反并联应用需求,依托TCAD半导体芯片设计仿真平台,对双向晶闸管芯片结构和器件封装结构开展仿真分析,通过提高短基区浓度、优化设计短路点并采用PNP横向隔离结构,提升了芯片抗干扰能力,成功研制出全压接式高压四端双向晶闸管,简化了反并联组件结构,降低了组件的体积、重量和成本.