采用基于密度泛函理论的第一性原理计算，研究了Te掺杂对单层MoS2能带结构、电子态密度和光电性质的影响。结果表明，本征单层MoS2属于直接带隙半导体材料，其禁带宽度为1.64 eV。本征单层MoS2的价带顶主要由S-3p态电子和Mo-4d态电子构成，而其导带底则主要由Mo-4d态电子和S-3p态电子共同决定；Te掺杂单层MoS2为间接带隙半导体材料，其禁带宽度为1.47 eV。同时通过Te掺杂，使单层MoS2的静态介电常数增大，禁带宽度变窄，吸收光谱产生红移，研究结果为单层MoS2在光电器件方面的应用提供了理论基础。