选取了双层二硫化钼纳米带交错构型(MoS2)、双层二硫化钼交错结构插层横向苯分子(MoS2@αC6 H6)和双层二硫化钼交错结构插层纵向苯分子(MoS2@βC6 H6)三种结构进行研究.计算过程采用密度泛函理论(DFT)和非平衡格林函数(NEGF)相结合的第一性原理方法,研究了MoS2、MoS2@αC6 H6和MoS2@βC6 H6的输运性质.由能带和态密度结果可以发现,由于插层分子在原始的二硫化钼层间交错结构能带的费米能级附近产生了新的能带,插层功能化之后的结构由原来的半导体性转变为金属性,导带与价带重叠,所以输运能力得到增强.由I-V曲线图可以看出,三种结构的电流大小为MoS2@βC6 H6>MoS2@αC6 H6>MoS2,对二硫化钼纳米带进行功能化确实增加了结构的输运能力.由透射光谱图可以看到,功能化之后的纳米带在偏压窗口中的透射峰面积明显大于原始的二硫化钼纳米带的峰面积.