利用氧化、光刻、刻蚀、溅射等传统MEMS加工工艺,在绝缘衬底上的硅(SOI)基片上制作出一种厚度只有50 nm的双端固支结构的硅纳米谐振梁;在实验室条件下,针对实验中谐振粱的结构特点,提出了静电激励与感生电动势检测(EMF)的测量方法,并利用专业的Conventorware MEMS仿真软件及ANSYS有限元分析软件,定量地给出合适的静电驱动电压,同时初步估算了梁谐振时将会产生的感生电动势的大小,并对此分析结果提出了相应的测试电路,为下一步对这种超薄纳米粱的实际测试工作提供了可行性的理论参考.