针对临近空间单粒子效应进行了数值模型仿真和特征尺寸为0.1 μm的反相器电路的脉冲注入模拟研究.数值仿真结果表明器件临界电荷随着工作电压的降低而减小,敏感横截面随着临界电荷的降低而逐渐增大.临近空间微电子器件的单粒子翻转概率随敏感横截面增大而上升,但其又随临近空间高度的增加而下降.此外,利用SPICE软件脉冲注入模拟观察到了反相器电路的单粒子翻转现象.所得结论有助于深入研究临近空间的单粒子效应并为器件抗辐射加固提供了理论依据.