为配合6H-SiC中化学无序对其导电性能影响的研究,本研究运用经典分子动力学方法,采用LAMMPS软件对6H-SiC的线性级联碰撞过程进行了模拟,给出了在不同能量、不同种类PKA(Primary Knock-on Atom)的情况下,6H-SiC单次线性级联碰撞和多次线性级联碰撞过程中主要点缺陷的演化过程,并统计了多次级联碰撞后化学无序的演化和六种点缺陷各自最终所占的比例.结果表明,级联碰撞产生的Si-Si键比C-C键更易形成且更加稳定,Si-Si键主要由SiC反位缺陷形成,C-C键主要由C间隙原子聚集形成,PKA的种类及初始能量影响点缺陷的产额和化学无序的程度,但不影响六种点缺陷各自的占比.