电磁脉冲（ EMP ）对电子设备构成严重威胁，研究电子设备HEMP效应是电磁兼容与电子设备安全领域的迫切需求。多层金属腔体是电子设备较为常见的一种结构形式，以一种带贯通导线的双层金属腔体为研究对象，基于时域有限差分方法（ FDTD）建立计算模型，分析计算了贯通导线在高空核爆电磁脉冲（ HEMP ）入射波作用下对腔体内电路的耦合效应。仿真结果表明，贯通导线能将入射脉冲能量耦合进腔体内部，使内电路负载产生感应电流，当入射电场与贯通导线平面相互平行时影响较大，但相互垂直时仍会耦合一部分能量。所得结论可为多层腔体的电磁防护设计提供依据。