基于第一性原理计算，研究了Li掺杂的少层(1—3层) MoS2的电荷分布，并与石墨片和BN片的电荷分布特征进行了比较。与石墨片和BN片相同的是：电荷转移的大部分只发生在Li与最靠近Li的第一层MoS2之间。然而，第二层和第三层MoS2也能获得10%的转移电荷，而石墨片和BN片的第二层和第三层得不到2%的电荷。结合静电能和功函数的分析可知， MoS2、石墨片和BN片的电荷分布主要由层间的静电相互作用和功函数来决定。这些研究结果对于揭示具有多层结构的电荷分布特征及其电子器件的设计提供了理论支持。