采用TSMC 0.18 μm CMOS工艺,设计了一种电源电压为3V、基准输出为1.25 V的高电源抑制比、低温度系数的带隙基准电压源电路.Cadence Spectre仿真结果表明,该基准源具有较好的温度特性,在-40～125℃温度范围内,温度系数为3.5×10-6·℃-1；电源电压在2.7～3.6V范围内波动时,电源电压调整率为72 μV·V-1;具有良好的电源电压抑制特性,最高抑制比可达89 dB,在10 kHz处可实现45 dB的电源电压抑制比.