为了提高电阻层析成像正问题计算精度，以有限元模型次最外层半径为变量，以敏感场均匀分布时模型均方根值的倒数为适应度函数，利用求解低维多峰值函数优化问题的改进遗传算法，优化模拟敏感场内电流线分布密度与分布形式的新型拓扑结构有限元模型，最后以各峰值点对应的中心流模型均方根值为误差函数，选择新型拓扑结构有限元模型次最外层半径的最优值．仿真实验结果表明，相同实验条件下，相比优化前新型拓扑结构有限元模型、传统按等间隔原理剖分的有限元模型及其改进模型，优化后有限元模型在敏感场均匀分布时模型均方根值分别降低了32.0025%、83.3958%和44.7605%，有效提高了电阻层析成像正问题计算精度与图像重建质量．