高功率半导体激光器是固体激光器和光纤激光器的主要泵浦源.激光泵浦源性能的大幅提升直接促进了固体激光器、光纤激光器等激光器的发展.主要介绍了8xx nm和9xx nm系列半导体激光泵浦源的最新研究进展,8xx nm单管输出功率已达18.8 W@95μm,巴条输出功率已达1.8 kW(QCW),9xx nm单管输出功率已达35 W@100μm,巴条输出功率已达1.98 kW(QCW).谱宽<1 nm的窄谱宽半导体激光器输出功率可达14 W.展望了未来半导体激光器泵浦源的发展趋势.