用磁控溅射方法在玻璃基底上制备了a-Si/SiO2 超晶格.利用TEM和X射线衍射技术对其结构进行了分析,并采用多种光谱测量手段,如Raman光谱、吸收光谱和光致发光谱,对该结构的光学性质进行了研究.结果表明,随纳米Si层厚度的减小,Raman峰发生展宽,吸收边以及光荧光峰发生蓝移.用单光束Z扫描技术研究了a-Si/SiO2 超晶格结构的非线性光学性质.这一结果较多孔硅的相应值大两个量级.还对影响非线性效应增强的因素进行了讨论.