提出了一种快速开启的低触发改进型DTSCR(MDTSCR).该MDTSCR是在传统DTSCR基础上加入电流增益放大模块,大幅提升了寄生双极型晶体管的电流增益,降低触发电压,提高了器件的开启速度.实验结果表明,在28 nm CMOS工艺下,与传统DTSCR相比,该MDTSCR的开启时间缩短了52％,触发电压从5.5 V下降到4.5 V.该MDTSCR通过调整二极管数目适应28 nm CMOS工艺不同的设计窗口,获得了最优的防护性能.