采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法计算优化了Ag原子在硅惯习面Si（111）和Si（220）晶面的最佳吸附位置，并计算了Ag/Si（111）和Ag/Si（220）体系的表面吸附能和表面态电子结构．研究表明：Si基表面Ag原子的最稳定吸附居于Si（220）晶面的穴位，此时的吸附能最低，其值为5.2569 eV，属于强化学吸附；同时由于在Ag/Si（220）体系中，Ag-4d轨道和表面态Si-3s、3p轨道电子的强相互作用，以及Ag-4p轨道的电子云强偏向于Si-3s、3p轨道使得体系的能隙宽度变窄，导电性急剧增大．