基于k·p微扰理论,通过引入应变哈密顿量作为微扰,建立了双轴应变Ge/Si（1-x）Gex价带色散关系模型.模型适于任意晶向弛豫Si（1-x）Gex虚衬底上的应变Ge价带结构,通过该模型可获得任意k方向应变Ge的价带结构和空穴有效质量.模型的Matlab模拟结果显示,应变Ge/Si（1-X）Gex价带带边空穴有效质量随Ge组分的增加而减小,其各向异性比弛豫Ge更加显著.本文研究成果对Si基应变Ge MOS器件及集成电路的沟道应力与晶向的设计有参考价值.