类石墨烯过渡金属碳化物(MXene)是一类新兴的导电二维材料,具有很好的电化学储能性能.MXene自支撑膜中二维片层的二次堆积会影响离子传输,降低其比电容.MnO2是一种优良的赝电容材料.两者复合有望提高MXene的比电容.首先对制备的二氧化锰(MnO2)纳米线进行改性处理后与Ti3C2Tx(MXene)混合,真空辅助抽滤得到复合薄膜.然后对复合薄膜进行结构表征及电化学性能测试.研究了MnO2的参杂量对电极材料的质量比电容的影响,并对质量比电容提高的机理进行了分析.实验结果表明,MnO2重量比为16.6％时,与纯MXene膜相比,复合薄膜的比电容增加到116F/g,增加了70％,MnO2纳米线的加入显著提高了复合薄膜的电化学储能性能.