传统的一、三模纵向耦合谐振滤波器在频率响应的高端部分有一个固有的隆起,严重地影响了器件的性能,限制了该器件的应用范围.为了改进器件的性能,利用单端对谐振器的反谐振峰将其作为陷波器用以抑制传统的一、三模纵向耦合谐振滤波器的高端边瓣.首先,利用COM理论,在42°Y-XLiTaO3基片上,分析了单端对谐振器以及一、三模纵向耦合谐振滤波器与之串联的频率特性.然后,优化了单端对谐振器以及一、三模纵向耦合谐振滤波器的结构,并在42°Y-X LiTaO3基片上对改进前后的结构进行了实验.理论和实验结果一致表明,通过改进,传统的一、三模纵向耦合谐振滤波器的高端边瓣得到了有效的抑制.进一步在实验上将两个相同器件级联,获得了接近40 dB的高频边瓣抑制,比改进前的器件提高了8～10 dB的高端边瓣抑制量.