铯注入可显著降低射频负离子源等离子体电极(Plasma Grid,PG)金属表面逸出功,促进H?离子的表面产生,是提高射频负离子源H?离子产额的有效手段.依托强流射频负离子源综合测试平台,以H?离子表面产生机制、铯注入作用机制为理论基础,以H?离子引出电流、电子引出电流及铯852 nm特征谱线相对强度等数据为依据;通过控制PG板温度和铯注入速率,本实验探究在铯注入条件下,PG板温度和铯注入速率对射频负离子源H?离子产额的影响作用.实验结果表明:铯注入可有效提高H?离子产额,且在当前实验条件下,PG温度在180～200℃范围时,H?离子转换速率最大;在铯注入温度为250℃/270℃时,约162 min后,H?离子转换速率达到动态平衡.
射频负离子源 表面产生 铯注入 恒温控制