针对传统单结GaN基高电子迁移率晶体管器件性能受电流崩塌效应和自加热效应限制的困境，对新型A1GaN／GaN／InGaN／GaN双异质结高电子迁移率晶体管的直流性质展开了系统研究．采用基于热电子效应和自加热效应的流体动力模型，研究了器件在不同偏压下电流崩塌和负微分电导效应与GaN沟道层厚度的相关．研究发现具有高势垒双异质的沟道层能更好地将电子限制在沟道中，显著减小高电场下热电子从沟道层向GaN缓冲层的穿透能力．提高GaN沟道层厚度可以有效抑制电流崩塌和和负微分输出电导，进而提高器件在高场作用下的性能．所得结果为进一步优化双异质结高电子迁移率晶体管结构提供了新思路，可促进新型GaN高电子迁移率晶体管器件在高功率、高频和高温等无线通讯领域内的广泛应用．
双异质结高电子迁移率晶体管 电流崩塌 热电子效应 自加热效应