分析了InAs/GaInSb应变层超晶格、AlGaN/GaN量子阱和超晶格红外光电薄膜材料的界面结合类型及其对材料界面结构和光电性能的影响.描述了在超晶格界面处的原子置换和扩散现象.阐述了分子束外延生长过程中控制量子阱超晶格界面结构的工艺方法.试验结果表明,调节组元的束流和采用表面迁移增强外延技术可以有效控制界面处的原子交换过程,从而提高薄膜材料的生长质量.
应变超晶格 量子阱 界面结构 光电性能 原子置换