研制了用于激光印痕研究的Si平面薄膜和刻蚀膜。膜制备的主要工艺采用氧化、扩散、光刻等现代半导体技术，并结合自截止腐蚀技术。Si平面膜厚度为3～4μm，表面粗糙度为几十nm。采用离子束刻蚀工艺，在Si膜表面引入25μm×25μm的网格图形或线宽为5μm的条状图形，获得了相应图形的Si刻蚀膜。探讨了扩散、氧化、腐蚀工艺对自支撑Si平面薄膜的表面粗糙度的影响，研究了离子束刻蚀参数对刻蚀图形形貌的影响。
激光印痕靶 自截止腐蚀 离子束刻蚀