采用直流反应磁控溅射法、利用ScAl合金靶(含Sc质量分数10％)制备了一系列不同衬底温度的Sc掺杂AlN(ScAlN)薄膜.利用X线衍射仪、原子力显微镜和铁电测试仪的电流-电压(I-V)模块研究了衬底温度对薄膜微观结构、表面形貌及电阻率的影响.结果表明,随着衬底温度升高,薄膜的(002)择优取向愈发明显,在650℃时达到最佳;薄膜的表面粗糙度随着衬底温度的升高而减小,在650℃、700℃时分别达到3.064 nm和2.804 nm,但当温度达到700℃时,薄膜表面局部开裂,因此,650℃为获得最佳结晶质量薄膜的适当温度.ScAlN薄膜电阻率随制备时衬底温度呈先增大后减小的趋势.
ScAlN薄膜 磁控溅射 微观结构 表面形貌 电阻率