纳米加工技术是纳米器件研究的重要基础条件,纳米氧化结构则是纳米器件的重要组成部分.为了深化对AFM电场诱导氧化加工机理的理解,本文对Si表面的电场诱导氧化作用进行了实验研究,包括探针与样品之间实际电压的监测、不同掺杂Si材料加工门槛电压的分析及探针扫描速率对氧化物高度的影响.实验分析表明,在氧化结构的生成过程中存在的充放电过程是不同加工门槛电压的产生和氧化作用时间与氧化线高度呈非线性关系的重要影响因素.
纳米器件 电场诱导氧化 原子力显微镜 门槛电压