本文较为详细地讨论了GaAs异质结材料BOA型光开关的特性；并应用转移矩阵理论和有效折射率法计算和分析了电极结构与器件半波电压和串音度的关系.结果表明：通过优化设计电极的宽度可以获得BOA型光开关最小的半波电压；电极位置的对称性对器件串音度起决定性的影响.采用自对准工艺技术可以比较准确的控制电极的位置.分析表明：要得到＜－40dB的串音度，电极位置偏差必须小于0.3μm.
BOA 转移矩阵理论 自对准工艺 异质结