通过模型构建、数值计算和软件模拟, 对绝缘衬底上的硅 (SOI) 基栅控横向P-I-N (通用结构) 蓝紫光探测器在-25～75℃的电流-电压 (I-V) 特性进行研究.构建温度对栅极电压影响的解析模型, 通过数值计算与软件模拟, 验证模型的有效性.利用SILVACO软件中的ATLAS模块对不同温度下的沟道表面电子浓度、光电流、暗电流、信噪比 (SNR) 等特性进行模拟仿真.结果表明, 沟道表面电子浓度和暗电流随温度的升高而增大, 温度对光电流的影响不明显, 信噪比随温度的升高而减小, 在温度T=-25℃, 栅极电压为1.44V时, SNR达到最大值6.11×105;在T=75℃, 栅极电压为2V时, SNR达到最小值为1.064×103.
温度特性 信噪比 栅极电压 光探测器