ZnO是具有纤锌矿晶体结构的多功能半导体材料, 它具有3.37 eV的禁带宽度和高达60 meV的激子束缚能, 是很有希望的紫外发光材料. 由于具有c轴的择优取向性, 因此目前人们的注意力主要集中在对c轴取向ZnO薄膜的特性研究上[1～3]. 但其它取向的ZnO薄膜也可在某些衬底的特定面上, 通过特定的条件进行生长, 如〈110〉取向的ZnO薄膜可在特定的条件下生长在蓝宝石R面衬底上[4～7]. 由于(110)面的ZnO薄膜具有一些c轴取向薄膜所不具备或无法比拟的特性, 如: 机电耦合系数高达6%(C面薄膜的机电耦合系数却不足1%), 且在(110)平面上可激发出高次Rayleigh波(如Sezawa波), 因而在研制高频、低损耗ZnO薄膜式声表面波器件(SAWF)方面具有较大的潜力[8].
蓝宝石 声表面波器件(SAWF) ZnO XRD AFM PL