文章简单回顾了氮化镓基雪崩光电二极管的发展现状,从制作高响应率、低漏电流的雪崩器件出发,详细阐明了制作氮化镓基雪崩光电二极管的工艺过程,特别考虑了干法刻蚀带来的物理损伤以及后续的消除损伤处理.由于雪崩器件对于材料的质量具有较苛刻的要求,因此特别对材料进行了必要的筛选.通过一系列工艺上的改进,成功地制作出国内第一只氮化镓基雪崩光电二极管,器件的光敏面直径是40μm;并对其进行了光电性能测试.测试结果表明,当反向偏压是58V时,漏电流大约是1.18×10-7 A,雪崩增益是3.
氮化镓 雪崩光电二极管 漏电流