基于华虹0.18 μm SiGe BiCMOS工艺设计了一款低杂散、低相噪的电荷泵锁相环频率合成器芯片,其最高工作频率为400 MHz,射频输入频率范围为5～400 MHz,输入参考信号频率范围为20～300 MHz.本设计通过外接低通滤波器、压控振荡器,可实现完整的锁相环,如果把R/N分频都设置为"1",芯片也可以单独当作电荷泵和鉴频鉴相器.芯片测试结果为:归一化相位噪声基底(噪声优值)为-228 dBc/Hz,电流源与电流沉失配小于2％,参考杂散为-107.6dBc,带内噪声为-115dBc/Hz@10kHz.
锁相环 电荷泵 低相噪 低杂散