通过MBE外延系统生长了1.3μm的GaAs基InAs量子点激光器.为了获得更好的器件性能,InAs量子点的最优生长温度被标定为520℃,并且在有源区中引入Be掺杂.制备了脊宽100μm,腔长2 mm的激光器单管器件,在未镀膜的情况下,达到了峰值功率1.008 W的室温连续工作,阈值电流密度为110 A/cm-2,在80℃下仍然可以实现连续工作,在50℃以下范围内,特征温度达到405 K.
量子点激光器 分子束外延 特征温度 中红外