通过比较1 Mbit商用静态随机存储器(SRAM)在6种不同偏置条件下器件参数(静态和动态功耗电流)和功能参数(错误数)随辐射总剂量、退火时间的变化规律,研究了不同工作状态对辐射损伤的影响,以及不同偏置和温度(25℃和100℃)条件下的退火机制.结果表明:不同偏置对器件参数和功能退化及退火恢复有较大影响；静态和动态功耗电流为器件的敏感参数,在静态偏置条件下器件的辐射损伤最严重.
静态随机存储器 总剂量效应 功耗电流 退火效应