采用溶胶-凝胶法制备了低介电常数SiO2薄膜和SiOF薄膜,F的掺入明显地降低了SiO2薄膜的介电常数.研究了F的掺杂量对薄膜介电常数的影响,测量了10～300 kHz范围内电容随频率变化的曲线,并计算了相应介电常数.二次离子质谱对薄膜深度分析的结果表明,F在薄膜中的分布是不均匀的.讨论了溶胶-凝胶法制备掺F的SiO2薄膜过程中各种因素对介电常数的影响,并用原子力显微镜观察了薄膜的表面形貌.
低介电常数 溶胶-凝胶法 掺氟SiO2薄膜