由于一维半导体纳米材料独特的物理、化学性质,其在透明电极、光电子器件、气敏传感器、逻辑电路和太阳能电池等诸多领域呈现出广阔的应用前景,成为了近些年来纳米科技研究的热点之一.本文利用热蒸发法在镀金的硅(100)衬底上生长了纯净的In2O3纳米线.通过扫描电子显微镜(SEM),可以看到最终样品为In2O3纳米线;X射线衍射(XRD)分析证实所制备的材料为立方结构;由X射线能谱仪(EDX)可以看到,纳米线由In和O两种元素组成,为所要的纯净In2O3纳米线.
一维In2O3 In2O3纳米线 制备 表征