碳化硅(SiC)材料在高温、高压、大功率等器件领域有着广阔的应用前景。结终端技术(junction terminal technology，JTT)直接影响着高压SiC肖特基势垒二极管(Schottky barrier diodes，SBD)的耐压性能，而刻蚀技术又是制备结终端结构的关键技术。研究通过使用SF6/O2/Ar、BCl3/Cl2/Ar、CF4/O2/Ar等不同刻蚀气体体系对SiC材料进行刻蚀，经过一系列的技术优化，最终开发出硬掩蔽倾斜结合CF4/O2/Ar气体干法刻蚀SiC的结终端技术。该技术在改善SiC肖特基势垒二极管击穿电压方面有着积极的作用。
SiC 肖特基势垒二极管 结终端技术 耐压性能