在有效质量近似下采用变分法计算了InGaAsP/InP量子阱内不同In组分下的激子结合能，分析了结合能随阱宽和In组分的变化情况，并且讨论了外加电场对激子结合能的影响。结果表明：激子结合能是阱宽的一个非单调函数，随阱宽的变化呈现先增加后减小的趋势；随着In组分增大，激子结合能达到最大值的阱宽相应变小，这与材料的带隙改变有关；在一定范围内电场的存在对激子结合能的影响很小，但电场强度较大时会破坏激子效应。
激子 InGaAsP/InP量子阱 结合能 电场