采用射频磁控溅射技术和快速热退火方法在Si(100)衬底上制备多层Ge/ZnO纳米晶薄膜.Ge纳米晶的大小随着退火温度的增加,从2.9 nm增加到5.3 nm.光致发光谱测试发现两个发光峰,分别位于1.48,1.60 eV左右.研究发现:位于1.48 eV处的发光峰来源于ZnO相关的氧空位或富锌结构的缺陷发光,位于1.60 eV处的发光峰随着退火温度的增大向短波长移动,该发光峰应该来源于GeO发光中心.
纳米晶 Ge/ZnO多层薄膜 硅衬底 光致发光 射频磁控溅射 快速热退火