本文利用阴极荧光(CL)和选择性刻蚀的方法对4H-SiC同质外延材料中基面位错的发光特性进行了研究.结果表明螺型基面位错(BTSD)和混合型基面位错(BMD)分别具有绿光和蓝绿光特性,其发光峰分别在530 nm附近和480 nm附近.从测试结果中还发现BMD的发光位较BTSD有所蓝移,分析认为BTSD位错芯附近原子沿伯格斯矢量方向只受到拉应力,致使禁带宽度变窄,而BMD同时具有螺型位错的分量和刃型位错的分量,正是刃型位错中部分原子受到压应力的作用,导致禁带宽度增宽,从而使得BMD的发光波长比BTSD短.
4H-SiC 基面位错 发光特性 禁带宽度