设计了一款GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)单片微波集成正电压控制开关.该电路设计采用片上集成隔直电容,对传统负电压控制开关的拓扑结构进行改进.针对PHEMT开关低频(0.1 GHz)下1 dB压缩点输入功率(Pi(1dB))陡降问题进行分析,提出了改进栅极输入阻抗的方法,有效提高了PHEMT开关低频下的Pi(1dB).采用中国电子科技集团公司第十三研究所0.25 μm GaAs PHEMT工艺进行了仿真和流片,芯片的面积为1.0 rmm×1.0 mm.测试结果表明,在频率为0.1～4 GHz内,插入损耗小于0.8 dB,隔离度大于42 dB,Pi(1dB)大于15 dBm.控制电压为0 V/5 V.该款GaAs PHEMT微波单片集成正电压控制开关设计全部达到了预期性能,并实现了改善低频下的Pi(1dB)的目标.
砷化镓(GaAs) 单片微波集成电路(MMIC) 单刀双掷(SPDT)开关 正电压控制开关 功率压缩