薄膜体声波谐振器(FBAR)具有体积小、工作频段高、性能强等优势,在滤波器领域有广泛的应用前景,其最核心的功能层为压电薄膜.本文采用磁控溅射方法,在6英寸硅片上制备了AlScN压电薄膜.对AlScN薄膜进行了分析表征,结果表明,AlScN压电薄膜具有良好的(002)面择优取向,摇摆曲线半峰宽为1.75°,膜厚均匀性优于0.6％,薄膜应力为10.63 MPa,薄膜应力可调.制作了基于AlScN压电薄膜的FBAR谐振器,其机电耦合系数为7.53％.在AlN中掺杂Sc能够有效提高压电薄膜的机电耦合系数,对研究FBAR滤波器的宽带化有重要意义.
压电薄膜 AlScN薄膜 磁控溅射 机电耦合系数 薄膜体声波谐振器