采用甚高频等离子体辅助化学气相沉积技术(VHF-PECVD)分别对薄膜沉积参数进行了功率密度-沉积气压和硅烷浓度-气体总流量两因素优化.主要研究沉积参数对薄膜沉积速率和结晶状况的影响,结果表明:高沉积压强下,功率密度的提高对微晶硅薄膜(μc-Si∶H)沉积速率的影响减弱,硅烷浓度和气体总流量影响作用相对增强,高硅烷浓度有利于材料的利用,最终在高压强(600Pa)条件下,使微晶硅薄膜的沉积速率提升到2.1nm·s-1.同时,利用分步沉积法对薄膜的纵向结构均匀性进行了初步研究.
μc-Si:H VHF-PECVD 生长速率 晶化率 孵化层 分步沉积