研究退火消除直拉单晶硅中热施主的效果以及在后续热过程中热施主的再形成规律.实验结果显示,采用650℃保温40min的退火可有效消除直拉单晶硅锭肩下部形成的热施主,并使其少子寿命恢复到实际值.消除了热施主的硅锭肩下部硅片在后续的900℃/40min加热后以小于11℃/min的速率冷却,硅片的热施主会再次生成,热施主的再生成量随冷却速率增加而减少,当冷却速率达100℃/min时可避免热施主的再次生成.实验结果还显示,采用3℃/min速率慢冷至550℃再以200℃/min的速率快冷至室温的两步冷却也可避免该硅片热施主的再次生成.实验还发现,消除了热施主的硅锭肩下部硅片经900℃/40min加热后的少子寿命随冷却速率的增加而降低；经上述两步冷却与3℃/min速率一步慢冷得到的少子寿命基本相等.
直拉单晶硅 热施主 热过程