对一种制备YBCO薄膜的光辅助MOCVD反应器内的流动现象进行了三维数值模拟研究.在模拟计算中,分别改变基座与进口的相对角度(Φ)、反应器顶壁倾斜角度(Ψ),得出反应器中流场的相应变化.根据对模拟结果的分析,发现当基座平面与进气口轴线之间的夹角Φ=22.5°及反应器顶壁倾角ψ=30°时,基片表面气流速度大小合适,分布均匀,且回流涡旋得到抑制,反应器内的流场较适合YBCO薄膜生长.
MOCVD YBCO 反应器 流场 数值模拟