用混合物理化学气相沉积(Hybrid physical-chemical vapor deposition简称为HPCVD)法在Mg衬底上原位制备出MgB2超导薄膜样品.超导起始转变温度Tc(onset)＝39.5 K,SEM(Scanning Electron Microscopy)图显示晶型结构为六方形,晶粒生长较为致密.样品的X射线衍射分析表明,MgB2薄膜是多晶的,没有择优方向.晶粒大小约为400nm～1μm.结果表明HPCVD技术在Mg表面直接沉积MgB2薄膜是可行的,对Mg原料的节约和MgB2线材的制备具有一定优势.
MgB2薄膜 M-T曲线 X射线衍射图 SEM图 EDX成分分析