介绍一个应用于第二代(2G)与第三代(3G)移动通讯的多频多模磷化镓铟/砷化镓异质结双极型晶体管(InGaP/GaAs HBT)功率放大模块,模块主要由单片微波集成电路(MMIC)、射频基板与贴片电容(SMD)组成.该模块包含两个功率放大器,工作在824～915 MHz的低频段时,功率放大模块支持2G的GSM850与GSM900频段;工作在1 710～2 025 MHz的高频段时,功率放大器模块支持2G的DCS1800、PCS1900频段与3G的TD-SCD-MA频段.文中引入一种由二极管、电容和电阻组成的负反馈增益控制电路,用于改变放大器的功率增益大小与增益平坦度.利用射频基板与芯片封装技术,提出了一种易于实现且可调性很大的谐波抑制结构.
功率放大器 多模多频 谐波抑制 磷化镓铟/砷化镓异质结双极型晶体管 单片微波集成电路