利用半经验Extended Hückel分子轨道方法和格林函数方法来研究钴酞菁(CoPc)分子结的电子输运性质.计算结果表明分子结(器件)电子输运性质对分子本身的电子结构、电极不同晶向表面、分子与电极间耦合强度、其界面的几何构型,对电极表面接触分子的末端原子的种类等诸多方面都有不同程度的依赖关系.对于CoPc这类弱耦合分子结而言,可以通过测量其I-V曲线来研究分子本身的电子结构.本文的理论方法不仅可以用来描述分子器件的电子输运行为,还能用来研究扫描探针显微镜体系的伏安特性和扫描隧道谱.
电子输运 分子器件 金属酞菁 扫描探针显微镜