给出了一个适用于万兆以太网IEEE802.3ae 10GBASE-X的高线性度全集成单片环形压控振荡器电路.该压控振荡器采用TSMC 0.18 μm CMOS混合信号工艺设计制造,由四级差分延时单元和输出驱动电路组成,芯片总面积为0.3×0.4 mm2.芯片采用1.8 V单电源供电,测得带直接耦合差分50 Ω负载时的总功耗为78 mW,单端输出功率为10.2 dBm,振荡频率在2.8～4.0 GHz有非常好的压控线性度,在振荡器中心频率为3.125 GHz时的单边带相位噪声为-96 dBc/Hz·10 MHz.
压控振荡器 万兆以太网 模拟电路 互补金属氧化物半导体工艺