建立了一种应用于等离子显示器(PDP)显示单元的碳纳米管(CNT)辅助电极制备工艺方法,创新性提出了场发射作为PDP平板显示的辅助性应用,并对制备的CNT辅助电极样片进行了性能评价.文章通过三维轮廓和SEM微观形貌测试手段,表征工艺过程中CNT辅助电极的宏观尺度和微观形貌.通过拉曼光谱、傅里叶红外光谱、粒径分布和ZETA电位表征与其性能直接相关的体系分散性.通过对荷电盐浓度、电泳电压、电泳时间和阴阳极板间距的系统分析和优化,获得优化电泳参数.通过关键参数对比确定了前后处理工艺及其效果.对CNT辅助电极的场发射性能进行测试,初步评价其辅助性能并考察其与PDP单元制备流程的兼容性.优化工艺制备的CNT辅助电极场发射开启电压在10 μA/cm2的电流密度时低至1.2 V/μm.虽然在MgO保护层制备后增大至1.6 V/μm,但仍可保证其作为PDP辅助电极的典型功能.所建立的CNT辅助电极制备方法具备与PDP显示单元制备工艺有良好兼容性.
等离子体显示单元 碳纳米管 辅助电极 场发射