研究了研削工艺中磨轮目数对被减薄碳化硅(SiC)表面和欧姆接触的影响,并基于减薄工艺和激光退火工艺成功制备出170 μm薄片SiC肖特基二极管.先后经过2 000目和7 000目磨轮减薄,衬底厚度从346 μm降至170 μm,晶圆减薄后表面粗糙度为5.4 nm.采用激光退火技术制备被减薄SiC样品背面欧姆接触,比接触电阻率达2.28×10-5 Q·cm2.在正向压降为1.5V时,未减薄SiC肖特基二极管正向导通电流密度为488 A/cm2,170μm薄片SiC肖特基二极管正向导通电流密度为638 A/cm2,电流密度提升了30.7％,意味着通态损耗降低了30.7％,减薄后通态电阻降低了23.58％.同时,两种SiC肖特基二极管的反向特性、肖特基结电容、雪崩电流等电学特性几乎一致,说明减薄和激光退火工艺未对其他电学特性带来负面影响.
碳化硅(SiC) 晶圆减薄 肖特基二极管 激光退火 通态电阻 通态损耗