为了满足高性能微电子器件对二硫化钼(MoS2)薄膜低层数大尺寸的需求,文中利用化学气相沉积法(CVD)制备单层MoS2,研究钼源与衬底之间的距离和衬底的放置角度对MoS2形貌、尺寸和结构的影响,制备出大尺寸、高质量的单层MoS2.采用扫描电镜、拉曼光谱和光致发光谱对其形貌和厚度进行表征.研究结果表明:衬底和钼源的距离影响MoS2薄膜的生长,随着距离增大,MoS2薄膜尺寸呈由小及大再变小的趋势,分布由密集到均匀再至稀疏.钼源距衬底9 cm处生长的MoS2薄膜尺寸可达约70μm,且分布均匀,形貌规则;衬底的放置角度也影响MoS2薄膜的生长,距钼源9 cm处正面向上倾斜约20°放置衬底制备的MoS2薄膜尺寸可达约100μm.
单层MoS2 化学气相沉积法 衬底位置 放置角度