用投掷法和有限元差分法计算了单周期调制掺杂GaAs/AlGaAs双量子阱的能带结构,得到基态能级与第一激发态的能级差为43.3 meV,并由此推算得到产生载流子横向转移效应的电场强度为1.2 ～1.8 kV/cm之间.采用MBE技术生长了所涉及的双量子阱结构,通过优化退火条件,获得了较理想的金属—半导体接触条件.在此基础上,测得在电场强度为1.5 kV/cm时,电流—电压曲线呈现出负阻特性.该电场强度区别于GaAs耿氏效应的电场强度,由此判定,产生微分负阻的机理是电子由高迁移率导电层到低迁移率导电层的横向转移所致,即实空间转移.
GaAs/AlGaAs 微分负阻效应 实空间转移