采用密度泛函理论(DFT)和周期性平板模型,考察 NO 在 Ir(110)表面上的吸附、解离及 N2生成机理。计算结果表明：NO 以 N 端向下在顶位吸附为最稳定的吸附方式,其次是短桥位,空位吸附最不稳定；顶位吸附的 NO 在表面存在2条解离通道：1)直接解离通道；2)由初始态扩散到短桥位,继而发生 N—O 键断裂生成 N 原子和 O 原子,是 NO 在表面解离的主要通道；解离后的 N 原子经联短桥位共吸附态发生 N—N 聚合反应生成 N2,在表面共存的 O 原子促进了 N2的生成,与实验结果相符。
密度泛函理论 NO 解离 N2 生成 Ir(1 10)表面 过渡态