用非真空Bridgman方法制备了掺有Tb杂质的氟化铅(PbF2∶Tb)晶体,掺杂浓度从0.008at.%至0.6at.%.在室温下测量了该晶体的吸收和发射光谱,发现该晶体在X-射线和紫外线激发下均能够发出比较强的荧光.PbF2∶Tb晶体的光吸收起源于Tb3+离子的4f-4f跃迁,而其光发射则源于Tb3+离子的电子分别从其激发态5D3和5D4能级跃迁到基态7FJ(J=6,5,4,3,2).荧光强度随掺杂浓度的提高而提高,当Tb3+离子浓度较低时,以5D3→7FJ跃迁发射为主,当Tb3+离子浓度较高时,则以5D4→7FJ跃迁发射为主.在同一晶体中,发光强度随中心所占晶格位置的改变而改变,反映出Tb3+离子在PbF2晶体中的分布具有分凝系数大于1的特征.推测Tb3+离子在PbF2晶体中占据Pb格位,同时产生间隙F-离子缺陷来平衡电价.
氟化铅 Tb离子 掺杂 发光