ADP晶体点状籽晶生长实验结果表明:生长温度处于20～40℃,相变驱动力介于0.005 KT/ω_s～0.03 KT/ω_s之间时,籽晶(100)晶面的生长速率随过饱和度的增加而线性增加;在相变驱动力一定时,晶面生长速率随温度的升高而呈指数增加;晶面的生长动力学规律与体扩散输运机制下的螺位错生长机制相符;相变驱动力低于临界驱动力时,晶体生长存在着热力学因素造成的死区.相变驱动力介于相变驱动力介于0.05 KT/ω_s～0.11 KT/ω_s之间时,(100)晶面的生长速率随过饱和度的增加而呈非线性增加,晶面生长趋近于多二维核生长,但同时也有其它生长机制并存.
ADP晶体 相变驱动力 点状籽晶 生长速率 生长机制