采用完全自主的薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器设计、工艺技术,制备了S波段FBAR滤波器芯片.该FBAR滤波器的电路结构为梯形结构,采用一维Mason模型进行了仿真、优化.在工艺上采用空气隙型结构,突破了高c轴取向AlN压电薄膜淀积、精密空气腔制作等关键工艺技术,制备的4节FBAR滤波器中心频率为2 340 MHz,3 dB带宽为25 MHz,中心插损为3.8 dB,矩形系数达2.24∶1,输入、输出阻抗均为50 Ω,芯片体积仅为1 mm×1 mm×0.3 mm,该性能与同频率、同带宽的介质滤波器性能进行了对比,体积可缩小几千倍,矩形系数优于介质滤波器.
薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器 一维Mason模型 AlN压电薄膜 空气腔