为获得高频、高性能金刚石声表面波器件的多层结构,在金刚石/Si衬底使用磁控溅射方法优化ZnO与SiO2薄膜沉积工艺参数,制备了具有正负温度系数组合的SiO2/ZnO/金刚石/Si多层结构,并对多层结构进行表征.结果 表明:随着氩氧比增加,ZnO薄膜的沉积速率不断加快,薄膜的表面粗糙度不断增大;ZnO薄膜中的原子摩尔分数比随O2输入量的减少而逐渐接近理想的1∶1.不同氩氧比下制备的ZnO薄膜均呈(002)面择优取向生长,其中在氩氧比7∶1时,获得了具有细小柱状晶特征、C轴择优取向程度较高的ZnO薄膜.采用最优的ZnO和SiO2薄膜沉积工艺,在金刚石/Si衬底获得了具有清晰界面的SiO2/ZnO/金刚石/Si多层结构.
金刚石膜 磁控溅射 SiO2/ZnO/金刚石/硅多层结构 声表面波器件