介绍了一种串联电容式RF MEMS开关的设计与制造.所设计的串联电容式RF MEMS开关利用薄膜淀积中产生的内应力使MEMS桥膜向上发生翘曲,从而提高所设计的开关的隔离度,克服了串联电容式RF MEMS开关通常只有在1 GHz以下才能获得较高隔离度的缺点.其工艺与并联电容式RF MEMS开关完全相同,解决了并联电容式RF MEMS开关不能应用于低频段(<10 GHz)的问题.其插入损耗为-0.88 dB@3 GHz,在6 GHz以上,插入损耗为-0.5 dB;隔离度为-33.5 dB@900 MHz、-24 dB@3 GH和-20 dB@5 GHz,适合于3～5 GHz频段的应用.
射频 微电子机械系统 串联电容式RF MEMS开关 串联电容式 内应力