GaAs基980 nm半导体激光器在材料加工、通信和医疗等领域有着重要应用.应变量子阱结构的出现提高了GaAs基半导体激光器的转换效率、输出功率和可靠性.本文综述了高功率GaAs基量子阱激光器历史发展,介绍了高功率半导体激光器的外延结构、芯片结构和封装结构设计,重点阐述了影响高功率GaAs基量子阱激光器光电性能、散热和实际应用的问题.针对以上问题讨论了相应解决方案及研究成果,并指出了各个方案的不足之处和改进方向.最后,总结了高功率半导体激光器的发展现状,对高功率半导体激光器发展方向进行了展望.
GaAs基 高功率 980nm半导体激光器 应变量子阱结构 转换效率 光电性能