以SiC二极管和中子转换材料6LiF为基础,研制了SiC基中子探测器,并用241Am源与临界装置分别研究了SiC基中子探测器的α粒子响应、热中子响应.结果表明:SiC基中子探测器能够满足241Am源α粒子的计数测量,但由于SiC二极管灵敏区薄,故不能用于5.48 MeV的α粒子能谱测量；SiC基中子探测器对 热中子响应良好,不同功率下,脉冲幅度谱中可清晰看到由6Li(n,α)3H的反应产物α粒子、3H粒子形成的双峰；脉冲幅度甄别法可将γ射线及电子学噪声甄别掉；在直接测量与符合测量中,SiC基中子探测器的计数率均与临界装置功率成线性关系,且直接测量的线性度比符合测量的线性度好,最好可达0.999 97.研究表明:降低肖特基接触金属的厚度、增加其外延层厚度、提高其外延层品质,可将SiC二极管用于带电粒子能谱测量.
SiC二极管 α粒子探测 中子探测 半导体探测器