二氧化铪基新型铁电薄膜器件等研究提出了在低衬底温度下制备高导电性和低表面粗糙度纳米超薄TiN电极薄膜的迫切需求.利用直流反应磁控溅射方法在单晶硅基片上制备TiN薄膜,衬底温度范围从室温~350 ℃,以XPS、XRD、AFM以及XRR等为主要手段对薄膜样品的成分、物相、表面粗糙度以及厚度和密度等进行了表征分析.结果表明在350 ℃的较低衬底温度下,通过减少溅射沉积时间可获得厚度<30 nm的高导电性TiN电极薄膜.
TiN 电极薄膜 衬底温度 电阻率