为评估鳍式场效应晶体管(FinFET)的本征抗辐射能力,本文通过三维工艺计算机辅助设计(TCAD)仿真研究了14 nm FinFET工艺的单粒子瞬态(SET)特性.研究结果表明,在不同的线性能量传输(LET)值及不同的入射位置下,FinFET器件具有不同的单粒子敏感性.SET脉冲宽度随LET值的增大而展宽.此外,SET特性与粒子轰击位置的关系呈现出复杂性.对于低LET值(LET≤1 MeV·cm2/mg),SET特性与重离子的入射位置具有很强的依赖性;对于高LET值(LET＞10 MeV· cm2/mg),由于加强了衬底的电荷收集,SET特性与粒子轰击位置的依赖性减弱.
单粒子瞬态 鳍式场效应晶体管 重离子 线性能量传输 工艺计算机辅助设计