以ZnO为靶材,采用射频磁控溅射技术,在制备有叉指换能器(IDT)的LiNbO衬底上制备了具有ZnO波导层的Love器件.在制备过程中,溅射室真空度为4.0×10-4 Pa,溅射气压为5.4 Pa,溅射时间为400 min,溅射温度150℃.使用X线衍射仪对ZnO波导层的晶向和微观结构进行分析,并用网络分析仪对以ZnO为波导层的Love波器件进行响应特性分析.测试结果表明,制备的ZnO波导层具有高度(002)择优取向,平均晶粒尺寸为50.99nm,内应力较小.以该ZnO为波导层的Love器件的中心频率为101.764MHz,插入损耗为-21.2 dB,具有较好的响应特性.
Love波器件 磁控溅射 波导层 ZnO 微观结构 晶粒尺寸