基于InGaAs纳米线的光电探测器,由于其优异的性能而受到广泛的关注和研究.综述了InGaAs纳米线光电探测器的探测机理、材料结构、器件性能和当前的研究现状.讨论了InGaAs纳米线雪崩焦平面探测器结构设计、纳米线材料精密生长、纳米线材料的界面与缺陷控制、纳米线雪崩焦平面器件制备工艺等关键技术.对发展高光子探测效率、低噪声、高增益InGaAs纳米线雪崩焦平面探测器的前景进行了展望.
传感器技术 雪崩焦平面探测器 InGaAs纳米线阵列 光电二极管 探测器