采用磁控溅射、紫外光刻、化学气相沉积等微机电加工技术，制备了基于Schottky结二极管和p‑n结二极管的两种单触发开关，分析了无负载时它们的放电特性，两种开关在0.22 μF/1500 V、0.22 μF/1200 V下达至2000 A左右的峰值电流。研究了触发电容容值、触发电压、主电压、绝缘层厚度和双二极管并联结构对导通性能的影响，发现随着触发电容容值的增加，最小触发电压逐渐降低；减小绝缘层厚度、提高触发电压和主电压，均有利于峰值电流的升高；双二极管并联作为触发元件时，峰值电流比基于单个二极管的单触发开关更高，上升时间更短。根据单触发开关的放电特性曲线，将其作用过程划分为二极管电爆炸、绝缘介质层击穿和脉冲大电流上升三个阶段，阐明了各阶段的作用机制，建立了相应的电阻模型，结果表明单触发开关的电阻可以视为常数，并且阻值在毫欧级。
高压开关 单次触发 二极管电爆炸 导通机理 电阻模型 微机电系统加工技术