主要采用电子束蒸发与电阻蒸发复合镀膜系统制备 Zr-Cu 二元非晶薄膜，衬底基板无冷却装置。通过X 射线衍射仪(XRD)、场发射透射电子显微镜(FE-TEM)、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)、微控四探针测量仪等仪器，系统地研究了样品沉积时间对薄膜厚度、微观结构、表面形貌以及电学性能的影响，另外还分析了与磁控溅射制备的 Zr-Cu 非晶样品的区别。结果显示，该复合镀膜技术制备的 Zrx Cu100-x 非晶薄膜玻璃形成成分范围为 x =30~85；薄膜的结构与性能对沉积时间比较敏感。样品随沉积时间的延长从非晶结构逐渐向非晶纳米晶复合结构转变；相比磁控溅射制备的薄膜样品，复合蒸发法制备的薄膜表面呈现较大尺寸的“团簇”形貌；样品的电阻率和方块电阻随沉积时间的延长逐渐减小。
Zr-Cu 非晶薄膜 复合蒸发 沉积时间