针对25 nm商用Flash存储器,利用中国科学院新疆理化技术研究所的60Co γ射线源和兰州重离子加速器先后进行了总剂量效应和单粒子效应实验.实验中器件先辐照30 krad(Si)的γ射线,然后再辐照不同线性能量转移(Linear Energy Transfer,LET)的重离子,得到了不同条件下Flash存储器浮栅单元错误的退火特性.实验结果表明与只进行重离子辐照相比,总剂量和重离子协同作用下器件浮栅单元错误消失的比例会发生变化,且在不同LET离子的辐照下表现出相异的趋势.分析认为辐照总剂量会引起浮栅单元电荷丢失和电荷俘获,影响浮栅单元的错误退火特性.
Flash存储器 重离子 γ射线 退火