以SnCl2·2H2O、HF为原料,采用共沉淀法合成了掺氟二氧化锡FTO (SnO2:F)纳米粉.在氧化的过程中进行掺杂,使F原子更容易取代O原子,在400 ℃低温下蒸发得到了低电阻率的FTO纳米粉.应用SEM、XRD、EDS和压片测电阻等方法,对所获粉体进行了表征.结果表明,F的掺杂明显降低了SnO2的电阻率.当r (Sn:F)为10:3时,FTO纳米粉的电阻率最低,为57.2Ω/cm.
半导体技术 掺氟二氧化锡 纳米粉 低电阻率 共沉淀法