采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,对未掺杂及B掺杂Mn4Si7的电子结构和光学性质进行理论计算.研究结果表明,未掺杂Mn4 Si7是间接带隙半导体,其禁带宽度为0.786 eV,B掺杂后其禁带宽度下降为0.723 eV.B掺杂Mn4 Si7是p型半导体材料.未掺杂Mn4 Si7在近红外区的吸收系数达到105 cm-1,B掺杂引起Mn4 Si7的折射率、吸收系数、反射系数及光电导率增加.
第一性原理 掺杂 高锰硅Mn4Si7 电子结构 光学性质