采用GaN FET正反激高增益DC/DC电路以实现微型逆变器高效率、高升压比、减小变压器体积的目标.首先介绍GaN FET器件的结构及其特性;其次分析正反激高增益DC/DC电路的工作原理及其软开关特性,并给出该拓扑理论损耗分析;最后搭建200WGaN FET正反激高增益DC/DC电路的仿真及实验验证,理论和实验结果证明该拓扑适用于高效率的微型逆变器前级变换器.
微型逆变器 两级 GaN FET 高增益 正反激