用Ta2O5纳米带模板转化法控制合成TaON纳米带,典型的纳米带长约0.5 cm,横截面积40 nm×200 nm～400 nm×5600 nm.在SiO2/Si基片上加工出TaON单根纳米带的场效应晶体管;该晶体管的电子迁移率和开关比分别为9.53×10–4cm2/(V·s)和3.4,在254～850 nm范围内显示良好的光响应.在405 nm(42 mW/cm2)的光照下,外加5.0 V的偏压时,光响应为249 mA/W,光开关比为11.因此,该器件具有良好的光探测性,TaON纳米带可作为光电子器件的候选材料.另外,实验还控制合成出Ta2O5@TaON纳米带,并加工成单根纳米带的场效应晶体管,虽然相同光照条件下的光响应弱于TaON纳米带,但仍算是一种好的光电材料.
TaON纳米带 模板合成 场效应晶体管 光探测器