功率变换器在高速开通与关断的过程中产生的电磁干扰影响系统的正常运行，提出一种基于绝缘栅双极晶体管（ insulated-gate bipolar transistor，IGBT）开关模块的功率变换器电磁干扰（ elec-tromagnetic interference，EMI）噪声源建模方法，可以精确的预测整个传导干扰频段内的EMI噪声。分析去耦电容对电路的影响，基于IGBT模块等效电磁干扰噪声源模型来预测功率变换器产生的过电压，通过对过电压的分析选择去耦电容的参数，整个分析体现如何应用该模型进行参数选择的过程。最后，仿真和实验表明参数选择的正确性。
绝缘栅双极晶体管开关模块 电磁干扰 预测 过电压 去耦电容 参数选择