基于密度泛函理论(DFT)在广义梯度(GGA)下计算了钴磷族化合物BaT2P2和BaT2As2(T=Co,Rh,Ir)的电子结构.研究发现在BaCo2P2和BaCo2As2中,由于范霍夫畸点位于费米面附近使得费米能级处的态密度非常高,从而导致由斯通纳机理引起的巡游铁磁不稳定性.在从Co到Rh然后到Ir的化合物中由于d轨道的空间扩展性增强,直接的d-d以及d-p杂化都会增强,这使得形成范霍夫畸点的d-d:σ键的反键态被推往远离费米能级之上更高的能量区间,从而使得在费米面处的态密度下降,斯通纳机理消失,从而使得Rh和Ir的化合物都稳定在非磁态.本文仔细研究并比较了这些化合物间的电子结构及其演化,计算表明自旋-轨道耦合相互作用对电子结构影响很小.
电子结构 范霍夫畸点 斯通纳不稳定性