采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法在Si(111)基底上制备a-C:H薄膜,利用原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)对a-C:H薄膜的表面形貌与表面粗糙度进行表征,并从动力学标度法角度出发讨论a-C:H薄膜表面粗糙度的演变机理.研究结果表明:a-C:H薄膜表面微观形貌为自仿射分形表面,可用分形维数来评价薄膜的表面粗糙度;随着H2流量的增加,薄膜表面粗糙度先减小后增大,在T2B与H2流量比为0.2/6时,a-C:H薄膜的表面粗糙度Rq为2.2 nm,相对于其他条件下生长的薄膜的表面粗糙度低,薄膜表面较光滑,致密性良好.
a-C:H薄膜 表面粗糙度 分形维数 原子力显微镜 扫描电子显微镜