采用化学气相沉积(CVD)法,在Zn-Se-H2-Ar体系中生长了用于红外光学窗口的ZnSe透明多晶体.测定了ZnSe样品的XRD谱和红外透过光谱,用光学显微镜观察了样品的显微形貌;讨论了CVD工艺中生长参数对ZnSe晶体质量的影响.研究结果表明:通过优化的生长工艺,生长温度在500～750 ℃,压力在100～1 500 Pa的范围内,可以制备出高质量ZnSe多晶体;在8～12μm波段范围内,其红外透过率达70%以上.
硒化锌 化学气相沉积法 红外晶体