介绍了当前电子废弃物中常用的浸金方法及其优缺点，分析了电子废弃物中硫代硫酸盐法浸金的研究现状。针对这一研究现状，本文采用碱性Na2S2O3溶液中添加Cu2+的方法，对废旧IC（integrated circuit）芯片中金的浸出进行了试验研究。通过对IC样品进行机械预处理、粒度分析、解离度分析、化学预处理和浸金试验，探讨了Na2S2O3浓度、Cu2+浓度、NH3浓度、浸出温度、浸出时间和反应液固比6个因素对金浸出率的影响。试验得出最佳浸金条件为：Na2S2O3浓度0.3mol/L，Cu2+浓度0.03mol/L，NH3浓度0.5mol/L，添加3.5g/L的Na2SO3作为稳定剂，浸取温度50℃，浸取时间2.5h，液固比10∶1，在最佳浸出条件下，金的最高浸出率为92.25%。与传统方法相比，该方法具有浸出速度快、浸出液无毒、操作简单等优点，是一种具有开发潜力的电子废弃物浸金方法。
粉碎 分离 硫代硫酸钠 废旧芯片 回收 浸金