采用水平区熔法对由两温区气相输运法制备的InI多晶进行提纯,探索高纯、单相InI多晶的制备工艺。通过 X 射线粉末衍射仪、扫描电子显微镜以及电感耦合等离子体原子发射光谱仪对水平区熔提纯前后的 InI 多晶的晶格结构、形貌组分以及杂质浓度进行了表征。结果表明,经过水平区熔提纯后的InI多晶晶格结构完整,质量较高,晶格参数为a=0.476 nm,b=1.278 nm,c=0.491 nm,与理论值十分接近； In、I化学配比得到了有效调节,其化学配比接近理论化学配比1：1；中间产物含量及杂质浓度显著降低。以提纯后InI多晶为原料,用提拉法生长出的InI单晶电阻率达到1010?·cm。
碘化铟 多晶合成 气相输运 区域熔融 提纯