针对氮化铝异质薄膜的制备，构建了两种AlN/Al 2 O 3(0001)材料生长模型，采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法，对α-Al 2 O 3(0001)表面吸附AlN进行了模拟计算。分析了AlN在表面的吸附位置及其表面界面结构，发现AlN相对具有氧六角对称结构的最近邻的表面Al-O键发生了30°的偏转，稳定的化学吸附消除了吸附前表面Al-O层的驰豫，从而有利于AlN薄膜的铅锌矿结构的形成。
AlN/Al2O3薄膜 计算机模拟 吸附生长 表面界面