高纯AgGa1-xInxSe2多晶料, 是进行单晶生长的关键和前提. 本文以合成AgGa0.8In0.2Se2为例, 对影响AgGa0.8In0.2Se2多晶合成质量的因素进行研究. 发现借鉴Ag2Se-Ga2Se3赝二元相图, 采用同成分点配料方式合成AgGa0.8In0.2Se2多晶, 比采用化学计量比配料合成的多晶质量更高. 通过对比实验, 发现采用机械和温度振荡相结合的方法能有效减少多晶料块中空洞的产生, 将上下振荡温度从900℃和800℃提高到1060℃和900℃时, 得到的多晶料块更致密.
硒铟镓银 多晶合成 相图 X射线衍射