为了研究拉速对?400 mm直拉硅单晶中空洞演变的影响，应用 CGSim 软件模拟了3种拉速下晶体中空洞演变过程。模拟结果表明，(1)3种拉晶速度下具有相同的空洞分布规律，即随着径向半径增加，晶体心部的空洞密度增大而平均直径减小，该变化趋势随轴向位置远离固液界面而减弱；晶体边缘的空洞密度和平均直径随径向半径增加而减小，直至形成无空洞区，无空洞区域随轴向位置远离固液界面而缩小；(2)随着拉晶速度加快，晶体心部的空洞密度及其平均尺寸相应增大，对应的变化区域基本上向边缘整体平移。
直拉法 硅单晶 空洞 拉速 数值模拟