采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)系统 ,以乙硅烷和氢气为气源 ,普通钠钙玻璃为衬底制备了氢化非晶硅(a-S i:H )薄膜 ,研究了沉积压力对非晶硅薄膜的沉积速率、光学带隙以及结构因子的影响.采用台阶仪、紫外可见分光光度计、傅里叶变换红外光谱仪和扫描电子显微镜等手段分别表征了a-Si: H薄膜的沉积速率 ,光学带隙、结构因子和表面形貌.结果表明 :随着沉积压力的增加 ,沉积速率呈现先上升后下降的趋势 ,光学带隙不断下降.当沉积压力小于210 Pa时 ,以SiH键存在的 H原子较多 ,而以SiH2 或SiH3 等形式存在的 H较少 ;当沉积压力大于210 Pa时 ,以SiH2 ,(SiH2 )n 或SiH3 等形式存在的 H较多.通过结构因子的计算 ,发现沉积压力在110~210 Pa的范围内沉积的薄膜质量较好.
PECVD 沉积压力 沉积速率 光学带隙 结构因子