利用Bandsolve软件分别优化计算得到GaAs、Si、Ge三种材料的二维介质圆柱型光子晶体完全禁带与晶格结构、填充比、介电常数比三个主要影响因素之间的关系.研究发现,当填充比(r/a)介于0.1～0.5时,对于六边形晶格,三种材料都不存在完全禁带;四边形晶格,Ge存在较窄的完全禁带,GaAs和Si不存在完全禁带.对于蜂窝形晶格,当填充比介于0.18～0.5时,三种材料均存在较大的完全禁带,而且,介电常数比越大,完全禁带宽度越大.所得结果对二维介质圆柱型光子晶体的制作和进一步应用研究奠定了理论依据.
二维光子晶体 完全禁带 填充比 晶格 介电常数比