分析讨论了共源共栅级联结构GaN晶体管的工作机理,研究了影响开关速度的主要因素,提出了驱动电路的设计方法.分析了级联GaN HEMT反向恢复电荷的产生和影响因素,并与SiC二极管进行比较.通过器件开关特性测试平台,分别将级联GaN HEMT与CoolMOS进行开关特性对比分析,与SiC二极管进行反向恢复特性对比分析,定量比较了GaN HEMT与CoolMOS和SiC二极管在无桥PFC中的性能.分析验证了器件封装技术对GaN开关性能的影响,指出了高速器件封装技术的发展方向.
晶体管 开关特性 反向恢复 封装