采用无电化学刻蚀技术,通过优化AgNO3浓度、刻蚀温度和刻蚀时间,研究在125 mm×125 mm多晶硅片表面制备均匀分布硅纳米线阵列的方法,获得了硅纳米线织构的多晶硅在宽光谱范围内(300～1000 nm)平均反射率约为8％.成功制备了表面具有硅纳米线织构的多晶硅太阳电池,并通过两种改进方法提高太阳电池效率:1)优化硅纳米线阵列的长度(约1.5 μm),并利用PECVD方法在硅纳米线阵列表面生长70 nm Si3N4薄膜进行表面钝化,纳米线织构的多晶硅太阳电池效率从8.95％提高到了11.41％.2)使用HNO3和HF混合溶液去除硅衬底背表面的硅纳米线阵列,使铝背电极与多晶硅紧密接触,太阳电池效率进一步提高到13.99％.研究表明:所采用的改进方法能有效提高纳米线织构多晶硅太阳电池的效率.
硅纳米线阵列 太阳电池 陷光结构 表面复合