集成电路工艺尺寸减小至纳米级时,尺寸效应的出现会导致SRAM读写可靠性下降.针对传统六管SRAM单元,采用蝶形曲线法对尺寸效应进行了分析,对不同工艺尺寸(90 nm～7nm)的静态噪声容限进行了研究.分析了漏极致势垒降低效应、反向短沟道效应、正/负偏压温度不稳定性效应等物理效应,据此拟合出一个静态噪声容限经验公式.最后,对SRAM单元尺寸效应进行了优化,提高了SRAM单元的稳定性.
尺寸效应 蝶形曲线 静态噪声容限 SRAM单元