为实现毫米波放大器芯片的宽带、高增益和高效率,基于GaAs pHEMT工艺实现高增益,采用四级级联拓扑结构拓展带宽,利用电流复用结构降低直流功耗,采用T型电抗匹配技术实现最佳输出功率和效率匹配,成功实现了一款31～38 GHz频段的毫米波宽带高效率功率放大器芯片.测试结果表明,该功率放大器芯片在31～38 GHz宽带范围内,线性增益为26～29 dB,饱和输出功率为21.5 dBm,动态电流低于100 mA,饱和效率≥37％,在32～35 GHz内最高效率达45％.
功率放大器 毫米波 砷化镓 宽带 高效率 单片集成电路