采用射频等离子辅助蒸发法,在玻璃衬底上制备InN薄膜.采用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对样品的结构和形貌进行表征,使用分光光度计、拉曼光谱仪和霍尔测量系统检测薄膜的光电特性.结果表明:制备的InN薄膜沿非极性晶面择优生长,薄膜表面由不规则晶粒紧密堆积而成;InN晶体的对称性存在一定缺陷,出现B1振动模式峰;室温下背景电子浓度为1.48×1023 cm-3,电子迁移率为2.36×10-1cm2/(V·s);薄膜在近红外波段的透过率高达60％;室温光致发光谱中存在中心波长为573nm的发光峰.
等离子体辅助蒸发 氮化铟 光电性能 禁带宽度