用扫描电子显微镜(SEM)和扫描隧道显微镜(STM)对遭受斜入射O+2离子束轰击的InP表面形貌变化进行了研究.结果表明:波纹状的表面形貌从0.4μm的溅射深度开始形成.在溅射深度为0.4μm～20μm范围,波纹状表面形貌的波长以及无序性均随溅射深度的增加而增加 .波长与溅射深度有关而与溅射速率无关.研究结果证实由O+2离子束轰击导致的InP表面波纹形貌能够通过在轰击期间旋转样品得到有效抑制.
InP O+2离子束轰击 表面形貌