基于南京电子器件研究所0.25 μm GaN HEMT工艺平台,设计了一款0.3～2.0 GHz 100 W GaN超宽带功率放大器.GaN HEMT器件的射频参数由负载牵引系统测定,包括最大功率匹配阻抗和最大效率匹配阻抗.放大器用同轴巴伦结构实现超宽带匹配,用高介电常数介质板材制作匹配电路,实现放大器的小型化.放大器偏置电压28 V,偏置电流0.5A.测试结果显示,在0.3～2 GHz带宽内,放大器小信号增益平坦度小于±1.3 dB.典型输出功率大于100 W,最小输出功率90 W,饱和功率增益大于9 dB,功率平坦度小于±1.2 dB,漏极效率大于50％.
GaN高电子迁移率器件晶体管 超宽带匹配 负载牵引