通过透射电子显微学方法研究纳米材料内部结构有助于理解界面与缺陷对纳米材料性能的影响.在碳化硼五次孪晶纳米线体系中,为了缓解5°角度过剩引起的五次孪晶轴心区域的弹性应变能,在纳米线内部会产生一些结构缺陷.本文通过系列电子衍射分析结合暗场成像技术揭示了碳化硼五次循环孪晶纳米线中的一种结构弛豫模式.孪晶轴向纳米线边缘偏移从而导致其中2片单晶结构单元的缺失,形成仅具有3个单晶结构单元的非完整循环孪晶结构.统计分析发现此类结构弛豫现象少量存在于1100C固相烧结合成的碳化硼五次孪晶纳米线中,从能量角度定性分析表明这可能与该结构弛豫发生过程中会产生具有较高能量的界面及表面有关.
五次孪晶结构 碳化硼纳米线 结构弛豫