利用XAFS技术研究溶胶-凝胶法制备的Zn1-xCoxO稀磁半导体材料结构随Co含量(x)的变化.结果表明在低含量的Co掺杂ZnO(x=0.02,0.05)时Co2+离子完全进入ZnO晶格中,替代了Zn2+离子,并且造成了Co2+离子周围局域结构的膨胀.当Co的含量x增加到0.10或更高时,只有一部分的Co2+离子进入晶格,剩余的Co2+和Co3+析出晶格形成Co3O4相.
XAFS Zn1-xCoxO稀磁半导体 溶胶-凝胶法