常规的实验用磁控溅射设备，其固定的靶基工况，导致膜层均匀性区域有限，只能用于较小基片上膜层的沉积。提出一种新的方法，将靶材固定，基片自转或公自转工位变更为靶材可移动，基片自转的方式，并控制靶材的移动及基片自转速率的调节，可以用较小的靶材在较大平面上沉积膜层，所制备膜层具有良好的膜厚均匀性；建立了计算模型，分析了小靶材实现大平面基片均匀性膜层沉积的途径；在Φ260 mm的平片上进行了Ge膜的实际制备，证实了上述思路的可行性。
薄膜 磁控溅射 小靶材 大平面基片 均匀性