基于原子力显微镜（ AFM）在硅（ Si）表面进行局域阳极氧化的技术，以其成本低、易加工等优势被广泛应用于各种纳米元器件的制造．本文基于AFM在Si表面进行局域阳极氧化来制作纳米计量标准样板，首先分别在接触模式和轻敲模式下进行实验，定量分析了偏置电压、移动速率和刻蚀方向等主要参数对所得纳米线尺寸的影响，从而得到标准样板制作的最佳加工参数：在探针针尖电压为－7 V、移动速率为0.3μm／s、Z Distance值为－45 nm时，可以产生稳定的标准样板结构；同时两种模式下对纳米氧化线的影响趋势相同．最后在此最佳参数下，利用AFM在Si表面进行局域阳极氧化，加工得到了一维线光栅、二维光栅和圆形光栅结构．
原子力显微镜 阳极氧化 标准样板 光栅