反向开关晶体管(RSD)的开通电压峰值直接影响器件的导通功耗.为研究开通电压峰值的影响因素,从RSD开通机理出发,在直接预充电路的基础上设计了实验方案,得到了同等预充电荷量下开通电压峰值随预充时间的变化趋势.测量结果表明,在一定预充电荷量下,随着预充时间增大,开通电压峰值先减小后增大.结合预充过程中器件内部的SRH复合和俄歇复合效应,提出了有效预充电荷量的概念并以此对实验结果作出解释.
晶体管 开通电压峰值 预充时间