采用OMMIC 0.18 μm GaAs pHEMT工艺,研制了两级和三级2种毫米波单片低噪声放大器.以最小噪声度量为设计依据,通过适当提高偏置电流的方法改善毫米波频段的增益,使得放大器在保持噪声系数较小的同时获得较高的增益.两级低噪声放大器采用串联负反馈结合并联负反馈的结构,可以获得比较平坦的增益;三级低噪声放大器采用三级相似的串联负反馈结构级联,可以紧凑结构、在相同的芯片尺寸下获得较高的增益,2种低噪声放大器芯片的尺寸均为1.5 mm×1.0 mm.测试结果表明,在28～40 GHz频段内,两级低噪声放大器增益最大为15.4dB、噪声系数最小为3.2 dB;三级低噪声放大器增益最大为24.8 dB、噪声系数最小为2.73 dB,达到预期目标.
低噪声放大器 砷化镓 毫米波 噪声系数