利用等离子体增强化学气相沉积技术、以SiCl4/H2为源气体可以低温快速沉积高质量的多晶硅薄膜.采用加热可调谐Lang?muir探针技术,研究了薄膜沉积过程中参与空间气相反应的电子特性——电子能量分布函数、电子平均能量和电子密度,并系统分析了影响多晶硅薄膜沉积的各工艺参数——射频功率、反应压强、氢流量和氢稀释度对电子特性的影响,并对实验结果进行了分析和讨论.
Langmuir探针 电子特性 SiCl4/H2等离子体 沉积速率