为了研究(111)衬底的特性以及实现等边三角形微腔激光器,利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)研究了(111)A InP衬底上InGaAsP外延层的表面形貌和光学特性.考虑到(111)A InP衬底的悬挂键密度比较低,在生长过程中有意提高了V/Ш比.通过扫描电子显微镜(SEM)和光荧光(PL)谱分别研究了外延层的表面形貌和光学特性.实验发现,表面形貌和光学特性随V/Ш比和温度的变化非常大.最佳V/Ш比和温度分别为400和625 ℃.
V/Ш比 表面形貌 光学特性 (111)A InGaAsP