基于C2M系列SPICE模型,对碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)静动态特性进行分析.结果表明该模型在工作结温较低时,与数据手册提供的静态特性曲线较吻合,但工作结温较高时对SiCMOSFET静态特性模拟效果较差,于是在该模型基础上增加一个温控电压源,以补偿工作结温上升带来的影响.之后,通过双脉冲测试,对比分析该模型对SiC MOSFET动态特性的模拟效果.经过上述静、动特性的分析,发现该模型可较为准确地反映低结温时器件的真实工作特性,增加温控电压源后也适用于高结温工作状态.
晶体管 静动态特性 温控电压源