基于0.5μm GaAs PHEMT标准工艺研制了850 nm单片集成光接收机前端,集成方式为PIN光探测器和跨阻放大器.论文依据已发表的文献数据为基础并借助SILVACO公司的模拟软件建立探测器模型,实验结果表明,模型和实测结果对比有较好的一致性.光接收机最高工作速率5 Gb/s,其中,探测器光敏面直径50 μm,电容0.51pF,暗电流小于30 nA.跨阻放大器-3 dB带宽接近10 GHz,跨阻增益约43 dBΩ,最小等效输入噪声电流密度约为17.6 pA/Hz1/2.
光电集成电路 PHEMT PIN 跨阻放大器 ATLAS