为获得更高性能晶体管,传统的体硅衬底材料逐渐被绝缘体上硅(SOI)衬底取代.主要讨论SOI器件中栅氧化层完整性(GOI)的相关问题,并针对SOI器件设计专用的栅氧可靠性测试结构.由于体硅与SOI的差异导致GOI的性能也有较大差异,在同样工艺条件下SOI器件GOI特性表现更差.经大量实验数据验证,给出了较好的解决方案,通过多晶硅栅刻蚀后的修复工艺优化,在不影响器件特性前提下提升了GOI性能.
晶体管 栅氧化层完整性 可靠性测试结构 工艺改善