根据质量作用定律，测定了铜膜在静态腐蚀和化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing，CMP）两种反应条件下的化学反应速率常数；通过 Arrhenius 方程，测定了铜膜在两种反应条件下的化学反应活化能．结果表明：当抛光液温度为298．15 K，工作压力为13780 Pa 时，静态腐蚀条件下体系化学反应速率常数是114．80 s－1，而 CMP 条件下体系的化学反应速率常数是412．11 s－1，同时，CMP 条件下的反应活化能为4849．80 J，静态腐蚀条件下的反应活化能为31870．30 J，由此得出，反应活化能的降低是 CMP 过程中的机械摩擦作用所致．因此，根据 CMP过程中铜膜和抛光垫各自克服滑动摩擦力所作的系统功，推导出 CMP 过程中活化能降低值的系统功表达式，并通过改变工作压力和转速来验证该表达式的适用性．
质量作用定律 Arrhenius 方程 化学反应 活化能 机械摩擦作用