采用原子层沉积技术（atomic layer deposition ）在 InP衬底上生长ZnO薄膜，并在不同温度下（500和700℃）进行热退火处理，将P掺杂进入ZnO ，得到p型ZnO薄膜。样品的光学特性通过光致发光光谱（photoluminescence ，PL）来测定，得出热退火温度是影响P扩散掺杂的重要因素，低温 PL光谱中，700℃热退火1 h样品的光谱展现出四个与受主相关的发射峰：3.351，3.311，3.246和3.177 eV ，分别来自受主束缚激子的辐射复合（A°X）、自由电子到受主的发射（FA）、施主受主对的发射（DAP）以及施主受主对的第一纵向声子伴线（DAP‐1LO），计算得到受主束缚能为122 meV ，与理论计算结果一致。通过热扩散方式实现了ZnO薄膜的p型掺杂，解决了制约ZnO基光电器件发展的主要问题，对ZnO基半导体材料及其光电器件的发展有重要意义。
扩散掺杂 p型ZnO P掺杂 原子层沉积 光致发光