利用三步共蒸法工艺在10cm×10cm玻璃衬底上生长出电池吸收层CuIn0.7Ga0.3Se2薄膜.通过XRF和XRD谱,分析了不同预置层(Precursor)(In0.7Ga0.3)2Se3生长温度下CuIn0.7Ga0.3Se2薄膜的结构特性.预置层生长温度分别为300、340和400℃时,所制备的集成组件的转换效率对应为4.23%、5.16%和7.03%(测试条件为:AM1.5,1000W/cm2).其组件效率的提高,归因于在预置层生长温度为400℃时所制备的CuIn0.7Ga0.3Se2薄膜具有良好的结构特性和组份均匀性.
CuIn0.7Ga0.3Se2薄膜 预置层(In0.7Ga0.3)2Se3 集成组件