制作了一种基于光电流检测的分子印迹传感器，并应用于Ni2+测定。此传感器以CdTe量子点为光电材料，将量子点覆盖在导电玻璃表面，并在此层上以光聚合法制作镍-1-(2-吡啶偶氮)-2-萘酚( PAN)分子印迹膜。365 nm紫外光作为激发光源，量子点在光照下生成电子-空穴对，电子与电子受体-抗坏血酸作用形成的光电流作为检测信号，根据“门效应”进行Ni2+检测。实验中对配合物进行了红外表征，对量子点进行了紫外和荧光表征，对洗脱吸附时间和底液中抗坏血酸浓度的用量进行了优化。实验表明Ni2+浓度在5×10-11~5×10-8 mol/L的范围内与光电流大小呈线性关系，检出限达8.3×10-12 mol/L。此传感器具有较好的选择性，已用于水样分析。
分子印迹传感器 光电流型 镍-1-(2-吡啶偶氮)-2-萘酚 量子点 镍