电子倍增型GaAs光阴极是利用雪崩倍增效应的一种新型光阴极组件，通过在常规GaAs光阴极中引入雪崩电子倍增层制备了GaAs光阴极/电子倍增器一体化组件，研究了该组件的热清洗温度、电子增益等性能．对组件热清洗工艺前后的 I-V特性进行了对比测试，结果表明，该组件可以承受580℃的热清洗温度，并获得了12.6倍的电子增益；880nm处的探测灵敏度≥3.87mA/w ；暗电流密度≤6.79×10-5 mA/cm2．
砷化镓 光阴极 雪崩倍增 电子增益 负电子亲和势