采用坩埚下降法生长了Dy3+掺杂浓度分别为0.1 mol％、0.2mol％、0.3mol％、2mol％、3mo1％和4mol％的Bi4Si3O12(BSO)晶体.发现高浓度(2mol％以上)掺杂能够显著改变BSO晶体的析晶行为,晶体表面析出物完全消失,顶部呈现光滑结晶面;低浓度(低于0.3mol％)掺杂能够显著提高晶体的光输出,最高可达纯BSO的145％.晶体热释光谱测试结果表明:少量Dy3+掺杂虽然热释光峰略有增强,但有利于晶体光产额的提高;高浓度掺杂则容易引起晶格畸变,甚至产生新的缺陷,降低晶体的光产额.
硅酸铋 晶体生长 Dy3+掺杂 热释光 光产额