为了获得高均匀性、低热释电的钽酸锂(LT)晶片,采用粉末掩埋法对42°Y-LT晶片进行了还原处理.结果表明,还原处理后的晶片电阻率为3.98×1010Ω·cm;在365 nm处透过率约为36.5％,透过率均匀性为1.15;热导率为2.66 W/(m·K),热膨胀系数为2.79×10-6 K-1,满足器件使用要求.通过声表面波器件验证实验表明,晶片抗静电能力效果明显,器件成品率较高,一致性好.
钽酸锂 还原处理 电阻率 均匀性 晶片