利用陶瓷烧结基本理论以及高压烧结的特点对高压下ZnO晶粒快速生长的现象进行了分析,并结合拉曼光谱对高压下得到的ZnO晶体进行了研究.结果表明:ZnO在高压下烧结时,其晶粒生长速率大大提高,在900 ℃时约为常压下晶粒生长速率的960倍;高压下ZnO晶粒快速生长的原因可能是由于高压下ZnO中间隙锌离子浓度大大增加所致;通过Raman光谱分析表明高压下生长得到ZnO晶体质量随着温度的升高而有所提高.
ZnO单晶 高压烧结 拉曼光谱