本文设计了一种新型栅控双向可控硅晶闸管(GDDSCR)防护器件,用Rx元件代替可控硅晶闸管(SCR)的触发面来模拟SCR的触发和保持行为,实现了一种用于静电放电(ESD)防护的SCR宏模型.基于0.18μm BCD工艺制造的GDDSCR器件的传输线脉冲(TLP)测试结果与模型仿真结果的触发电压误差为0.008V,维持电压误差为0.006V.实验结果表明建立的SCR宏模型能够有效地模拟SCR器件在ESD应力下的物理机制.该宏模型以直接的方式从被保护电路中使用的相同SCR结构中提取相关参数,大大提高了建模效率,消除了传统SCR模型仿真过程中存在的收敛性问题,对ESD保护电路的设计与验证具有重要意义.
静电放电防护 可控硅晶闸管 建模 宏模型