目前,刻蚀自组装在GaN薄膜上Ni纳米岛的掩模的方法是制备GaN纳米柱阵列常用手段.但是,这将对后续制备出的纳米柱产生Ni污染.除此之外,直接将GaN系的材料暴露在高温下进行Ni纳米岛掩模的制备,会对GaN材料表面产生一定的热腐蚀损伤.因此,以GaN、SiO2、Al2O3和Six Ny分别为基底,对退火自组装在这4种基底上的Ni纳米岛形貌进行了较为系统的研究.发现850℃的退火温度下,Al2O3基底上Ni薄膜形成的纳米岛的形貌最为规整,为最优化衬底.
GaN 退火 Ni纳米岛 制备