用CO2红外激光诱导化学气相沉积的方法制备纳米Si,激光强度越大,则SiH4受热温度越高,纳米Si的成核率越高,纳米Si核的密度越大,每一个核生长所吸收的Si原子数目越少,从而所得的纳米Si粒小而均匀.当激光强度减小到一个低限阈值,则SiH4温度太低,不能裂解.SiH4的流速越快,则纳米Si成核后生长期越短,纳米Si粒也小而均匀.当SiH4流速快到一个高限阈值,则SiH4受热时间太短,升不到裂解所需的高温.以上2个产生纳米Si的阈值正相关.纳米Si制取后退火脱H,3440cm-1光谱带红移并增强,2150cm-1光谱带形状变化,1100cm-1光谱带由低频处蓝移而来并展宽.这都表明含O键在纳米Si很大的表面上出现.为了减轻含O键出现,纳米Si应在Ar气氛中而不是在空气中,从低于300℃的温度开始退火.
LiCVD法 纳米Si 制备参数 退火 红外吸收光谱