以正电子寿命为探测对象的正电子湮没寿命谱技术在研究半导体等材料的微缺陷方面得到了广泛的应用，它对晶体的结构类型、缺陷种类以及温度等十分敏感，因此，理论上正电子寿命的快速精确计算与实验数据的结合分析显得尤为重要。采用中性原子叠加模型、赝势方法和全势方法处理正电子局域势能，有限差分方法自洽求解正电子波函数，局域密度近似和广义梯度近似处理正电子电子关联势和增强因子，以体心立方结构的α-Fe、面心立方结构的Al和复式面心立方结构的Si三种单晶固体为例，分别计算了它们的正电子体寿命，计算值与相应的实验结果和其他计算结果均符合较好。同时细致分析了这几种方法在电子密度网格点精度、正电子电子关联势和增强因子等方面对正电子体寿命计算的影响，探讨了这几种方法在计算正电子体寿命方面各自的优缺点。
正电子体寿命 完美晶体 正电子电子关联势 增强因子