本文针对底栅结构非晶铟锌氧化物薄膜晶体管的低频噪声特性开展实验与理论研究.由实验结果可知：受铟锌氧化物与二氧化硅界面处缺陷态俘获与释放载流子效应的影响，器件沟道电流噪声功率谱密度随频率的变化遵循1/fγ(γ≈0.75)的变化规律；此外，器件沟道电流归一化噪声功率谱密度随沟道长度与沟道宽度的增加而减小，证明器件低频噪声来源于沟道的闪烁噪声，可忽略源漏结接触及寄生电阻对器件低频噪声的影响.最后，基于载流子数涨落及迁移率涨落模型，提取γ因子与平均Hooge因子，为评价材料及器件特性奠定基础.
非晶铟锌氧化物 薄膜晶体管 低频噪声