在(0001)蓝宝石衬底上分别用金属有机化学气相沉积技术外延生长了InGaN/GaN,InGaN/InGaN,InGaN/AlInGaN多量子阱激光器结构,并分别制作了脊形波导GaN基激光器.同步辐射X射线衍射,电注入受激发射光谱测试及光功率-电流(L-D)测试证明,相对于GaN垒材料,InGaN垒材料,AlInGaN四元合金垒材料更能改善多量子阱的晶体质量,提高量子阱的最子效率及降低激光器阈值电流.相关的机制为:组分调节合适的四元合金垒层中Al的掺入使得量子阱势垒高度增加,阱区收集载流子的能力增强;In的掺入能更多地补偿应力,减少了由于缺陷和位错所产生的非辐射复合中心密度;In的掺人还减小了量子阱中应力引致的压电场,电子空穴波函数空间交叠得以加强,使得辐射复合增加.
CaN基激光器 多量子阱(MQWs) AlInGaN 垒材料