以纯度为99.9％的陶瓷靶(w(ZnO)=98％,w(Al2O3)=2％)为溅射靶材,采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上沉积制备了Al2O3掺杂的ZnO(AZO)薄膜.采用X射线衍射(XRD)仪、扫描电子显微镜(SEM)、紫外可见光谱(UV-Vis)仪等仪器,对AZO薄膜的形貌结构、光电学性能进行了测试,从薄膜生长方式和缺陷散射角度分析了衬底温度对AZO薄膜的影响.结果表明:当衬底温度在室温至300℃温度区间内时,其对AZO薄膜性能的影响显著.衬底温度为200℃时制得的薄膜具有良好的结晶度和光电性能,其可见光透过率为85％,电阻率为2.67×10-3Ω·cm.
AZO 磁控溅射法 衬底温度 透明导电薄膜