用化学法在Ni-5％W基底上制备Gd掺杂CeO2膜.以乙酸铈((CH3CO2)3Ce(Ⅲ))、硝酸钆(GdN3O9)为起始原料,按照阳离子Ce3+:Gd3+为4:1的比例溶解于丙酸(C2H5COOH)中制成前驱液.将前驱液旋涂在Ni-5％W基底上,在4％H2/Ar气氛下进行1100℃热处理,形成立方织构的Gd掺杂CeO2膜.采用XRD和SEM对不同旋涂转速工艺制备的CeO2膜进行晶体结构和微观形貌的检测和分析.以总阳离子浓度为1.2 mol/L前驱液经过3000 r/min,60 s的涂覆工艺,经过二次涂覆和1100℃热处理的CeO2膜结晶程度高,无裂纹,有立方织构.Ce3+在4％H2/Ar还原性气氛里可以转变为Ce4+.
化学法 Ni-5 W基底 掺杂 CeO2