采用Au催化的固-液-气(VLS)方法制备了单晶Bi2 Se3和Bi2(TexSe1-x)3纳米线,研究了单根纳米线器件的输运性质.在对单根Bi2(TexSe1.x)3(x=0.26)纳米线的低温磁输运测试中观察到反弱局域效应,说明样品中存在较强的自旋-轨道耦合.结果表明,Te掺杂可以有效抑制体电导对输运过程的影响.通过对不同温度下的磁电导曲线进行拟合,得到了电子的退相干长度l(ψ),l(ψ)从1.5K时的389 nm减小至20 K时的39 nm,遵循l(ψ)∞ T-0.96指数变化规律.分析表明,在Te掺杂样品的输运过程中,电子-电子散射和电子-声子散射均起到了十分重要的作用.
拓扑绝缘体 Bi2Se3纳米线 反弱局域 退相干长度