报道了用MBE方法生长掺In的n型HgCdTe材料的研究结果.发现In 作为n型施主在HgCdTe中电学激活率接近100%,其施主电离激活能至少小于0.6meV.确认了在制备红外焦平面探测器时有必要将掺杂浓度控制在～3×1015cm-3水平.比较了高温退火前后In在HgCdTe中的扩散行为,得出在400℃温度下In的扩散系数约为10-14cm2/s,并确认了In原子作为HgCdTe材料的n型掺杂剂的可用性和有效性.
分子束外延 HgCdTe In掺杂