讨论了 SiC 材料 p+/p-(n-)/n+型二极管的集总电荷模型，利用 Matlab 编程数值仿真了 p-(n-)型基区器件的反向恢复过程。分析了器件的反向恢复时间、反向恢复最大电流与基区的少子寿命、载流子浓度、载流子迁移率、宽度、温度等参数的关系。结果表明，用4H-SiC 设计的 p-型基区二极管的反向恢复性能最优。若基区的少子寿命越短、载流子浓度越高、温度越低，则器件的反向恢复时间越短，反向恢复最大电流越小。本文可作为 SiC 功率二极管优化设计及其反向恢复特性仿真的教学案例。
SiC p+/p-(n-)/n+型二极管 反向恢复 数值模拟