采用蒙特卡罗模拟方法,对低速高电荷态 Arq+离子掠射到单晶铜表面时的能损谱与表面结构的依赖关系进行研究.在能损计算中,包含了四种可能的能损机制.对于 Ar原子沿着晶列方向掠射时,发现能损谱为一两峰结构,其中在能损比较大的区间新出现一个明显的小峰结构.通过研究 Arq+以不同条件掠射到表面的能损,对观察到的沟道效应进行论述.能损谱的计算结果与实验结果吻合得比较好.
蒙特卡罗 能损 高电荷态离子 掠射