采用真空热压烧结工艺在580℃下制备了35％（体积分数） SiCp/2024铝基复合材料，利用透射电镜（ TEM）、能谱（ EDS）、高分辨透射电镜（ HRTEM）对复合材料中SiC/Al，合金相/Al的界面结构进行了表征，研究了增强体SiC和基体Al以及热处理前后合金相与基体Al的界面类型，取向结合机制。结果表明，SiC/Al界面清晰平滑，无界面反应物和颗粒溶解现象，也无空洞缺陷。 SiC/Al界面类型包括非晶层界面和干净界面。干净界面中SiC和Al之间没有固定或优先的取向关系，取向结合机制为紧密的原子匹配形成的半共格界面。热压烧结所得复合材料中的合金相以Al4 Cu9为主，与基体Al的界面为不共格界面，热处理后，合金相Al2 Cu弥散分布于基体中，与基体Al的界面为错配度较小的半共格界面。
SiCp/Al基复合材料 HREM 界面 位向关系