本文利用基于密度泛函理论的第一性原理方法,从理论角度研究了Mn2+/Eu3+共掺杂对Zn2 GeO4长余辉基质材料光学性能调制的机理.根据相关文献实验结果,我们构建了Mn2+/Eu3+共掺杂Zn2 GeO4晶体结构模型.研究结果表明,Mn2+掺杂使Zn2 GeO4晶体结构更加稳定,同时会引起晶体中的电荷离域化,从而使Mn2+离子成为发光中心;Eu离子在Zn2GeO4晶体以+3价存在,成为陷阱中心.在此基础上,我们构建了Mn2+/Eu3+共掺杂Zn2GeO4晶体长余辉发光机制模型.
第一性原理方法 长余辉基质材料 发光机理 发光中心 陷阱中心