基于工业碳化硅(SiC)微粉,采用化学改性法将铜负载于SiC原粉表面,使用扫描电子显微镜(SEM)、X-射线粉末衍射仪(XRD)和X-射线光电子能谱(XPS)等表征测试方法,分别考察了pH值、Cu负载量、分散介质等因素对改性实验的影响.结果显示:经高温煅烧后,Cu离子以CuO和Cu2O的氧化态形式负载于SiC表面;不同的分散介质、pH值和Cu离子负载量影响以氧化态形式负载到SiC表面的Cu离子分布.
碳化硅 负载 铜离子