以光热法合成了花状纳米结构的NiIn2S4粒子,并考察了添加不同表面活性剂条件下对NiIn2S4晶形、形貌、孔径分布、光学性质及催化性能的影响.表征和催化结果表明:NiIn2S4粒子在可见光区具有较强的吸收能力,带隙能估计为0.24-0.96 eV.在可见光照射下,研究了花状NiIn2S4对Cr (Ⅵ)的光催化还原反应.其中,十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)辅助NiIn2S4样品对Cr(Ⅵ)的去除率(～94％)较高,光催化稳定性好.其主要的光催化活性是由于其大的比表面积,在可见光区强吸收和优良的电荷分离特性.
NiIn2S4 纳米花 光催化还原 表面活性剂