采用 STM 以及 RHEED 技术对于 GaAs (001)的表面形貌相变过程(有序平坦→无序平坦→粗糙)进行了深入研究。通过 GaAs (001)在不同 As BEP、不同温度的表面形貌相变过程的研究发现,As BEP和温度的变化是促使表面形貌相变发生的主要原因,高温引起原子重组致使表面重构的演变是 GaAs (001)薄膜发生表面形貌相变的主要内在机制。单一表面重构或某一重构占绝对优势的表面形貌处于有序平坦状态；多种重构的非等量混合表面是无序平坦状态的主要表面形式；当表面重构难以辨别时,表面形貌也将进入岛上高岛、坑中深坑的粗糙状态。研究还观察到,当As BEP和温度足够高时,GaAs(001)表面形貌相变将不会出现无序平坦状态,表面将直接从平坦转变为粗糙状态。
STM GaAs 薄膜 形貌相变 表面重构 As BEP