用C6型电子束真空镀膜仪,在不同沉积束流、不同基片温度下制备Ni80 Fe20薄膜,并对室温沉积的薄膜样品在不同温度下进行真空退火处理,用来研究不同束流对薄膜厚度的影响和不同束流对薄膜各向异性电阻率的影响以及不同退火温度对AMR的影响.实验结果表明在高真空,电子束蒸发制备的Ni80Fe20在恒定温度下薄膜的厚度是随着束流的增大线性增加的,且在60～100mA的区问内束流越大膜的AMR越大.恒温下,沉积速流速率与束流大小是成正比关系的.退火可以有效增加薄膜的各向异性电阻率,平均每提高100℃各向异性电阻率增加12.5%.而在突变退火区,AMR并不是完全随退火温度鳗形增加的,而是呈现出一定的波动性,目前推测影响薄膜AMR的因素是晶体形状的各向异性、薄膜的内禀力和磁晶各向异性的共同作用结果.
Ni80 Fe20薄膜 电子束蒸发 各向异性电阻率AMR 束流 退火