本文主要研究了用VHF-PECVD方法制备的不同辉光功率条件下系列硅薄膜样品.喇曼测试结果显示:在不同硅烷浓度(SC)条件下,非晶到微晶的过渡区发生在不同的功率点;暗电导随晶化率也体现出不同的变化,此结果表明不同SC、不同功率制备样品的结构特性和电学特性的内在规律是不同的;另外,扫描电子显微镜的测试结果表明样品的表面呈"菜花"状和剖面为柱状的结构特征.
甚高频等离子体增强化学气相沉积 过渡区 微区喇曼光谱 扫描电子显微镜