为了表征CMOS反相器的可靠性，从其负载电流和输出电压的特性入手，详细推导了一种基于载流子波动理论的低频噪声模型，并由实验数据验证了模型的准确性。由实验结果可知，负载电流功率谱密度随频率的增加而减小，遵循1／f噪声的变化规律；得到了负载电流归一化噪声功率谱密度与器件尺寸的关系。通过深入研究1／f噪声与界面态陷阱密度的关系，验证了1／f噪声可用于表征CMOS反相器的可靠性，证明了噪声幅值越大，器件可靠性越差，失效率显著增大，为评价CMOS反相器的靠性提供了一种可行及有效的方法。
COMS反相器 低频噪声 可靠性 缺陷