通过一种简单、低成本的方法,以竹炭为碳源,在惰性气氛条件下碳热还原二氧化硅,成功制备了念珠状碳化硅(SiC)/二氧化硅(SiO2)纳米线.采用扫描电子显微镜、X射线衍射与X射线光电子能谱对念珠状SiC/SiO2纳米线的微观形貌、物相组成和化学组成进行了表征.结果表明:SiC纳米线表面光滑,直径约为150～200 nm;1～2μm的珠状突起主要成分为SiO2,并均匀分布在SiC纳米线上.室温条件下,在X波段(8.2～12.4 GHz)测试了试样的复介电常数,并以传输线理论计算出样品在不同厚度的反射损耗.结果表明:当厚度为1.80mm时,试样的有效吸收带宽(RL<-10dB)为2.32GHz,最小RL值达到-43.58dB.
念珠状碳化硅/二氧化硅纳米线 微观结构 碳热还原 吸波性能