研究了稀土氧化物Ce2O3、Gd2O3、La2O3、Y2O3对ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷晶粒尺寸和电气性能的影响,结果表明,稀土氧化物可有效地抑制ZnO晶粒的生长,掺杂Ce2O3、Gd2O3、La2O3、Y2O3后,晶粒的主要分布分别为O～18μm、0～14μm、0～11μm、0～16μm;平均晶粒尺寸下降,其中掺杂Gd2O3,后晶粒尺寸最小,为6.2μm.ZnO晶粒分布的标准方差明显下降,改善了晶粒尺寸分布的均匀性.掺杂稀土氧化物后,电位梯度显著提高,ElmA达到了427.5V/mm,改善了ZnO压敏陶瓷的电气性能.
ZnO压敏陶瓷 稀土氧化物 晶粒尺寸 电气性能