采用二维粒子模拟方法研究了霍尔推进器通道中电子温度对等离子体鞘层特性的影响，讨论了不同电子温度下电子数密度、鞘层电势、电场及二次电子发射系数的变化规律。结果表明：当电子温度较低时，鞘层中电子数密度沿径向方向呈指数下降，在近壁处达到最小值，鞘层电势降和电场径向分量变化均较大，壁面电势维持一稳定值不变，鞘层稳定性好；当电子温度较高时，鞘层区内与鞘层边界处电子数密度基本相等，而在近壁面窄区域内迅速增加，壁面处达到最大值，鞘层电势变化缓慢，电势降和电场径向分量变化均较小，壁面电势近似维持等幅振荡，鞘层稳定性降低；电子温度对电场轴向分量影响较小；随电子温度的增大，壁面二次电子发射系数先增大后减少。
霍尔推进器 等离子体鞘层 电子温度 粒子模拟