MOSFET ESD潜在损伤的有效检测一直是一个难以解决的问题.实验对比发现,MOSFET沟道电流的1/f噪声比传统的电参数更能敏感地反映栅氧化层中ESD潜在损伤的情况.在相同的静电应力条件下,1/f噪声的变化要比常规电参数敏感的多,其功率谱幅度的相对变化量比跨导的最大相对退化量大6倍以上,因此可以作为 MOSFET ESD潜在损伤的一种敏感的检测方法.在给出实验结果的同时,对这一敏感性的机理进行了较深入的分析.
MOSFET ESD 潜在损伤 1/f噪声 检测方法