采用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波赝势方法，研究了双轴拉应变下单层二硫化钼晶体的电子结构性质．本文的计算结果表明对单层二硫化钼晶体施加一个很小的应变（0．5％）时，其能带结构由直接带隙转变为间接带隙．随着应变的增加，能带仍然保持间接带隙的特征，且禁带宽度呈现线性下降的趋势．通过对单层二硫化钼晶体态密度和投影电荷密度的进一步分析，揭示了单层二硫化钼晶体能带变化的原因．
二硫化钼 应变 能带 第一性原理