制备了基于反应溅射SiOx绝缘层的InGaZnO-TFT,并系统地研究了InGaZnO-TFT在白光照射下的稳定性,主要涉及到光照、负偏压、正偏压、光照负偏压和光照正偏压5种情况.结果表明,器件在光照和负偏压光照下的阈值偏移较大,而在正偏压光照情况下的阈值偏移几乎可以忽略.采用C-V方法证明阈值电压漂移是源于绝缘层/有源层附近及界面处的缺陷.另外,采用指数模式计算了缺陷态的弛豫时间.本研究的目的就是揭示InGaZnO-TFT在白光照射和偏压下的不稳定的原因.
薄膜晶体管 稳定性 反应溅射SiOx