通过对Weigandt模型进行噪声分析,采用一种改进的差分延迟单元结构,成功设计了一个稳定输出1 GHz的环形压控振荡器.同时,采用SMIC 0.18 μm标准CMOS工艺流片,在输出端增加钳位管和正反馈管使输出电位能够快速转变为给定值,已达到高速振荡频率和较低噪声比的效果.流片后测试结果表明,当控制电压为30μV～ 800 mV时,输出频率可达740 MHz～1.3 GHz,并与输入电压之间呈现良好的线性性；在中心振荡频率为1 GHz时,噪声电压与信号电压的比满足设计要求.
压控振荡器 锁相环 抖动比 CMOS工艺