采用标准0.18μm CMOS工艺,设计了一种应用于超外差接收机的高线性度、低噪声系数下变频混频器.基于经典基尔伯特混频器架构,该混频器采用共栅结构跨导级提高线性度,引入电容交叉耦合技术增加跨导增益及降低噪声系数,并通过电流注入技术同时降低开关级和跨导级的噪声贡献.在1.8 V电源电压下,后仿真结果显示,该混频器消耗功耗12 mW,取得噪声系数10.75 dB,输入1 dB压缩点-1.45 dBm,达到了预期的高线性度、低噪声系数性能要求.该混频器占用面积为650μm×655μm.
混频器 线性度 噪声系数 电容交叉耦合 电流注入