针对已有的晶体硅太阳电池基区少数载流子的扩散长度测量模型和测试方法中存在的不足,建立利用光谱响应研究硅太阳电池基区少数载流子的扩散长度的模型,该模型考虑了n+pp+型晶体硅太阳电池背面高低结势垒的影响,对基区少数载流子扩散长度的测量模型进行修正.根据硅太阳电池在900～950 nm的长波光谱响应测试结果,并利用该修正模型得到少数载流子在基区的扩散长度.所得结果与PC1 D模拟结果进行比较,两者相近.
太阳电池 光谱响应 少数载流子 扩散长度 基区