采用0.18 μm RF CMOS工艺结合EPC C1 G2协议和ETSI规范要求,实现了一种应用于CMOS超高频射频识别阅读器中的低噪声△Σ小数频率综合器.基于三位三阶误差反馈型△∑解调器,采用系数重配技术,有效提高频率综合器中频段噪声性能;关键电路VCO的设计过程中采用低压差调压器技术为VCO提供稳定偏压,提高了VCO相位噪声性能.多电源供电模式下全芯片偏置电流为9.6 mA,测得在中心频率频偏200 kHz、1 MHz处,相处噪声分别为-108 dBc/Hz和-129.8 dBc/HZ.
超高频射频识别 相位噪声 频率综合器 Σ调制器