采用射频等离子体增强化学气相沉积技术，制备了具有一定晶化率不同Ge 含量的氢化微晶硅锗(μc-Si1?xGex：H)薄膜.通过X射线荧光谱、拉曼光谱、X射线衍射谱、傅里叶红外谱、吸收系数谱和电导率的测试，表征了μc-Si1?xGex：H的材料微结构随Ge含量的演变.研究表明：提高Ge含量可以增强μc-Si1?xGex：H薄膜的吸收系数.将其应用到硅基薄膜太阳电池的本征层中可以有效提高电池的短路电流密度(Jsc ).特别是在电池厚度较薄或陷光不充分的情况下，长波响应的提高会更为显著.应用ZnO衬底后，在Ge含量分别为9%和27%时，μc-Si1?xGex：H太阳电池的转换效率均超过了7%.最后，将μc-Si1?xGex：H太阳电池应用在双结叠层太阳电池的底电池中，发现μc-Si0.73 Ge0.27：H底电池在厚度为800 nm时即可得到比1700 nm 厚微晶硅(μc-Si：H)底电池更高的长波响应.以上结果体现了μc-Si1?x Gex：H太阳电池作为高效近红外光吸收层，在硅基薄膜太阳电池中应用的前景.
氢化微晶硅锗 近红外响应 硅基薄膜太阳电池 等离子体增强化学气相沉积