用脉冲激光沉积方法在Al2O3(0001)衬底上制备了Zn薄膜,并在空气中氧化得到了ZnO薄膜.利用Raman光谱测量了氧化法制备的薄膜,并与ZnO单晶材料进行比较,证实了ZnO薄膜的形成.采用慢正电子束技术对ZnO薄膜的微观结构进行了研究,发现在薄膜中存在大量的空位型缺陷.当氧化后的薄膜在高温下退火后,缺陷浓度逐渐降低,在达到900 ℃时,所制备的ZnO薄膜中缺陷基本得到消除.
氧化锌 氧化法 缺陷 慢正电子束