实现了一种可用于单片集成光接收机前端的GaAs基ImP/InGaAs HBT.借助超薄低温InP缓冲层在GaAs衬底上生长出了高质量的InP外延层.在此基础上,只利用超薄低温InP缓冲层技术就在半绝缘GaAs衬底上成功制备出了InP/InGaAs HBT,器件的电流截止频率达到4.4 GHz,开启电压0.4 V,反向击穿电压大于4 V,直流放大倍数约为20.该HBT器件和GaAs基长波长、可调谐Inp光探测器单片集成为实现适用于WDM光纤通信系统的高性能、集成化光接收机前端提供了一种新的解决方法.
异质外延 低温InP缓冲层 异质结舣极晶体管(HBT) 集成光接收机前端