采用射频磁控溅射法,在普通玻璃基片上成功制备了SiO<,2>/VO<,x>多层复合薄膜.采用X射线衍射仪(XRD)、傅立叶变换红外光谱仪(FTIR),紫外可见光分光光度计(UV-Vis)和X射线光电子能谱仪(XPS)研究了薄膜的物相、热致相变特性及V的价态.结果表明,薄膜中VO<,2>晶体具有(110)择优取向生长;SiO<,2>底膜有助于多层复合薄膜中VO<,2>相结晶度的提高,可使V<,4+>摩尔分数由53.9%提高至66.0%;同时.SiO<,2>增透膜的增透效果明显,增透膜沉积时间为60 min时,可使SiO<,2>/VO<,x>/SiO<,2>多层复合薄膜可见光透过率提高至51%:制得的SiO<,2>/VO<,x>/SiO<,2>多层复合薄膜具有较好的热致相变特性.
氧化钒薄膜 二氧化硅薄膜 多层复合薄膜 射频磁控溅射