在HI-13串列加速器上,为满足单粒子效应研究对更大的线性能量转移(LET)值的要求,发展了高剥离态离子的加速与引出技术,及0°束-Q3D磁谱仪焦面辐照方法.已得到的LET值为86.7MeV/mg/cm2(45°倾斜入射,在Si中射程R～20μm),束斑在Φ10到Φ50和注量率从几十到5×104·sec-1·cm-2之间可调.论文详述了这一特殊方法成功应用于MOSFET功率管的单离子烧毁效应实验.
串列加速器 高剥离态 抗辐射加固 磁谱仪 烧毁效应