分析了三模冗余(TMR)型D触发器和双互锁存储单元(DICE)型D触发器各自的优点和缺点,基于三模冗余和双互锁存储单元技术的(TMR&DICE)相融合方法,设计实现了基于双互锁存储单元技术的三模冗余D触发器.从电路级研究了TMR&DICE型D触发器抗单粒子翻转的性能,与其他传统类型电路结构的D触发器进行了抗单粒子翻转性能比较,并通过电路仿真和辐照实验进行了验证.仿真结果表明,TMR&DICE型D触发器的抗单粒子翻转性能明显优于传统的普通D触发器、TMR型D触发器和DICE型D触发器.辐照实验结果表明,TMR&DICE型D触发器具有最小的翻转截面.
抗单粒子翻转(SEU) 三模冗余(TMR) 双互锁存储单元(DICE) 触发器 辐照实验