采用提拉法生长了质量优异的Yb:Ca5(PO4)3F(Yb:FAP)晶体.运用化学腐蚀,光学显微镜、扫描电子显微镜以及能量散射光谱仪观察了该晶体中的生长条纹和包裹物等宏观缺陷,以及晶体的位错腐蚀形貌、位错密度及其分布情况,同时观察了晶体中亚晶界的形态.由晶体中位错的径向变化以及生长条纹可知:晶体在生长过程中为微凸界面生长.高温下CaF2的挥发造成了在晶体生长后期熔体中组分偏离化学计量比,出现组分过冷,形成包裹物,且位错密度显著增加.Yb:FAP晶体的各向异性使得晶体在(10 ˉ10)面的位错蚀坑形状、大小以及深度不同,而(0001)面的位错蚀坑呈规则的六边形;这也是晶体中形成亚晶界结构的主要原因.讨论了减少晶体中缺陷的一些方法.
掺镱氟磷酸钙晶体 提拉法晶体生长 晶体缺陷 位错 激光晶体