电弧离子镀沉积膜层具有放电温度高、离化率高和沉积速率快等特点, 可以在较低温度下促进Si—C成键, 是获得含Si—C键膜层的一种经济实惠的方法.本文使用Ti—Si合金靶, 在Ar和C2H2气体环境下, 在铝合金衬底上制备了Ti—Si—C膜层, 并分析和研究了不同弧流下沉积膜层的相组成、磨损和腐蚀性能.结果显示, 不同弧流下沉积的膜层是由B1型Ti C相、立方结构的Si C相和金属Ti相组成的复合结构;大弧流由于放电温度高, 有利于膜层中Si—C键的形成.弧流增加, 靶材蒸发速率加快, 沉积膜层的厚度增加, 同时, 由于靶材附近单位时间内气化和离化的Si和Ti数量增加, 沉积膜层中Si和Ti含量和增加而C含量降低.弧流增加, 膜层中碳化物总含量减少, 造成膜层摩擦系数逐渐增加而耐磨性降低, 但膜层的耐腐蚀性能增加.适当弧流下的沉积膜层可获得优异的磨损和腐蚀综合性能.
Ti—Si—C复合膜层 SiC和TiC相 电弧离子镀 磨损性能 腐蚀性能