采用提拉法生长了双掺杂钕离子(Nd3+)和铟离子(In3+)的同成分LiTaO3单晶.测量了该单晶的紫外-可见光吸收光谱,分析了该晶体的缺陷结构,得到了铟离子的掺杂浓度阈值.当铟离子掺杂浓度达到该阈值时,In∶Nd∶LiTaO3晶体的抗光损伤能力显著增强.铟离子取代晶体中的反位TaLi4+,使晶体光电导增大,减弱了光折变效应.In∶ Nd∶ LiTaO3晶体在光波长0.808 μm处的吸收峰的半峰全宽为15 nm,吸收截面为5.26×10-21cm2.采用0.808 μm半导体激光作为抽运源,钕离子在光波长1.06 μm处出现强烈的荧光带.这些研究结果表明,In∶ Nd∶ LiTaO3作为多功能晶体可以应用于高功率的光子学或光电子学器件中.
材料 钽酸锂晶体 缺陷结构 光损伤 荧光特性