介绍了一种毫米波RF-MEMS单片集成反射型0/Π移相器的设计、制造和测试.实测性能与设计结果吻合较好,达到的电性能指标为:在35GHz-38GHz频率范围内,电压驻波比小于1.8,参考态插入损耗为3.5±1.0dB,相移态插入损耗为2.0±0.6dB,相移为180°±6°.芯片尺寸:2.6mm×2.1mm×0.2mm.满足了插损低并具有电路拓扑的要求.
毫米波 射频微电子机械系统 单片集成 移相器