基于“U”形增强型双扩散金属氧化物半导体(DMOS+)平面元胞、增强型受控缓冲层(CPT+)技术及结终端扩展(JTE)终端结构,通过引入载流子存储层、优化背面缓冲层及背面集电极结构,开发出低导通损耗、高关断能力及宽短路安全工作区的4500 V IGBT芯片.高温测试(Tj=125℃)结果表明,该4500 V IGBT的导通压降(Vceon)为3V,能够关断6.75倍额定电流,并通过了Vceon=21.5 V、tsc=15μs的极限短路测试;4500 V/1200 AIGBT模块的最高工作结温Tj达150℃.
“U”形增强型双扩散金属氧化物半导体 增强型受控缓冲层 低导通损耗 高关断能力 宽短路安全工作区