利用磁控溅射法,制备了一种上钉扎的标准自旋阀结构:Ta(6nm)/Ni81Fe19/Co90Fe10(1nm)/Cu(1.8nm)/Co90Fe10(3.5nm)/Ir20Mn80(8nm)/Ta(6nm),并研究了自旋阀结构中Ni81Fe19层厚度对自旋阀巨磁电阻变化率的影响,发现:巨磁电阻变化率对于Ni81Fe19层厚度具有强烈的依赖性.当Ni81Fe19层厚度位于2～6nm和7～12nm两个范围时,巨磁电阻变化率分别维持在较高(约8.34%)和较低(约3.34%)的两个水平,而当Ni81Fe19层厚度从6nm增加到7nm时,巨磁电阻变化率急剧降低,达5%.由此可见,为了得到高磁阻变化率,此类自旋阀结构中的Ni81Fe19层厚度不能超过6nm.
磁控溅射 标准自旋阀 巨磁电阻 Ni81Fe19