为分析梯度放大器样机中MOSFET器件的功率损耗,建立了适用于样机使用的MOSFET的器件行为模型,并通过简化实际电路的方法建立了仿真分析电路.在此基础上完成了不同工作状况下MOSFET器件及负载的功率损耗仿真分析；同时在梯度放大器样机上完成了相应工作状况的实验测量.仿真分析数据和实验结果表明了,二者对应波形吻合,且不同工作状况下功率损耗的计算结果误差在±10％以内,仿真分析可有效的应用于器件功率损耗分析.
梯度放大器 MOSFET建模 功率损耗