因不含Cd、Pb、Te等有毒元素, 且具有在可见光至近红外光波段可调的发光性能, 铜铟硫(CuInS2)量子点作为一种新型的I-III-VI型三元半导体材料, 广泛应用于分析检测和生物成像等领域.本研究采用一种低毒低温的方法快速合成 CuInS2量子点及其 ZnS 核壳结构量子点, 不仅利用 ZnS 带隙较宽且表面缺陷少的特点, 弥补了CuInS2量子点的劣势, 提高了CuInS2量子点的发光性能; 同时由于低毒性ZnS壳层的包覆, 进一步降低生物毒性.当Cu:In摩尔比为1:1时, CuInS2量子点于530 nm处出现明显的发射峰, 且随着In含量的增加, 发光峰逐渐红移.包覆ZnS壳层后, CuInS2量子点的发光强度明显增大, 且谱峰明显红移.当Cu:Zn比为1:1, 回流时间为45 min时, 合成的CuInS2/ZnS量子点发光性能最优.该合成方法节省能源、生产效率高、绿色环保, 具有较大的应用前景.
CuInS2 CuInS2/ZnS 核壳结构 水相制备