通过物理气相传输（PVT）法成功地生长出直径大于7.62 cm的掺钒半绝缘4H-SiC晶体。抛光后的掺钒半绝缘4H-SiC晶片在真空且温度1600℃～2000℃条件下进行退火处理，利用高分辨 X-ray 衍射仪、显微拉曼光谱仪、非接触电阻率测试仪和应力仪对退火前后的晶片进行了测试与分析，研究了退火工艺对掺钒半绝缘4H-SiC晶片应力的影响，并且得到了合适的退火工艺。结果表明：合适的退火处理有利于进一步提高晶片的质量。
掺钒半绝缘4H-SiC 物理气相传输法 退火 应力