基于砷化镓(GaAs)赝晶型高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一款25～45GHz宽带单片微波集成电路(MMIC)低噪声放大器.该放大器采用三级级联的双电源结构,前两级在确保良好的输入回波损耗的同时优化了放大器的噪声;末级采用最大增益的匹配方式,保证了良好的增益平坦度、输出端口回波损耗以及输出功率.此外还对源电感和宽带匹配都进行了优化,实现了低噪声下的宽带输出.在片测试表明,在栅、漏偏置电压分别为-0.38 V和3 V,电流为60 mA的工作条件下,该放大器在25～45 GHz频带内噪声系数小于2 dB,增益为(22±1.5)dB,输入、输出电压驻波比典型值为2:1,1 dB增益压缩输出功率(P-1 dB)典型值为10 dBm.该低噪声放大器可以用于宽带毫米波收发系统.
砷化镓 赝晶型高电子迁移率晶体管 单片微波集成电路 宽带 低噪声放大器