提出一种利用三根载荷金属杆来实现在芯片表面陷俘冷极性分子的静电阱.给出空间静电场等高线分布.通过调节电极电压操控阱中心距离芯片表面的高度.用经典的蒙特卡罗方法模拟冷分子被装载和囚禁的动力学过程.方案对中心速度为11 m·s-1的冷分子束,最大装载效率可以达到40％,阱中分子的温度大约为25 mK.方案可以进一步微型化/集成化,形成一维和二维静电微阱阵列,在量子计算/低维物理等方面有应用价值.
冷极性分子 静电表面阱 微阱阵列 蒙特卡罗(MonteCarlo)模拟