在10～300 K 的温度范围内,测量了用液封直拉法(LEC)生长的n-InP经高温退火后形成的未掺杂SI-InP 晶体的正电子寿命谱. 用PATFIT和MELT两种技术分析了正电子寿命谱. 常温下的结果表明,SI-InP中存在铟空位VIn或与杂质的复合体缺陷. 观察到在10～220 K之间正电子的平均寿命τm随温度的升高而减小,表明上述缺陷是带负电荷的铟空位VIn的氢复合体;但是在低温下还存在正电子浅捕获态,浅捕获中心很可能是反位缺陷In2-P,因此在220～300 K范围内平均寿命τm随温度的升高而略有上升.
未掺杂SI-InP 正电子寿命 空位-杂质复合体