以硅烷和氨气分别做为硅源和氮源, 以高纯氮气为载气, 采用热壁式管式反应炉, 通过低压化学气相沉积(low pressure chemical vapor deposition, LPCVD)技术制备了氮化硅薄膜(SiNx).借助椭圆偏振仪研究了SiNx薄膜的生长动力学, 通过Fourier红外光谱和X光电子能谱表征了SiNx薄膜的性质, 并利用原子力显微镜观察了SiNx薄膜的微观形貌.在其它工艺条件相同的情况下, SiNx薄膜的生长速率随着工作压力的增大单调增加, 原料气中氨气与硅烷的流量之比(R)对薄膜的生长速率有相反的影响.随着反应温度的升高, 沉积速率逐渐增加, 在840 ℃附近达到最大, 随后迅速降低.当R<2时获得富Si的SiNx薄膜(x<1.33); 当R>4时获得近化学计量(x≈1.33)的SiNx薄膜.
氮化硅薄膜 生长动力学 性质 工艺