建立了 CP4研抛晶片时,晶片上任一点相对于研抛盘的运动方程。通过对其运动轨迹的分析,建立了工件材料研抛非均匀系数的函数模型和相对研抛材料去除速率的函数模型。运用 Matlab 软件,模拟分析了各个参数变化对研抛非均匀系数和相对研抛效率的影响。结果表明：对材料去除效率影响最大的参数是偏心距 e 的大小,其次是从动系数λ1；对晶片非均匀性影响最大参数是从动系数λ1,其次是偏心距 e ；当λ1=1,λ2>0.3,e 取工艺允许的最大值时,工件研抛的均匀性最好。
研抛 非均匀性 相对材料去除速率