基于高频压电阻抗方法,利用粘贴于HTPB固体推进剂的压电主动激励传感器对HTPB固体推进剂老化损伤进行实验研究.介绍了EMI检测HTPB推进剂老化的意义,进一步阐述了压电阻抗方法表征老化损伤的原理,制备了热老化推进剂试件,搭建EMI试验平台,得出了不同热老化时间的导纳频谱曲线及变化规律,计算了能表征老化损伤程度的均方根偏差损伤指标.结果表明,高频压电阻抗方法可通过识别热老化HTPB推进剂试件上的压电片的导纳变化而检测其老化损伤;一定频率范围内导纳的实部比虚部能够更好地反映出老化特性,并且随着推进剂热老化时间的增长,导纳实部的共振峰值下降,共振频率向更低频偏移.通过RMSD定义的老化损伤指标能够更好地衡量推进剂的老化程度.
HTPB固体推进剂 老化损伤 压电阻抗方法 均方根偏差