在玻璃/Mo衬底上采用恒电流顺序电沉积Cu-Zn金属预制层,后续在SnSex(x=1,2)气氛较低硒压条件下硒化制备CZTSe薄膜.SnSex(x=1,2)分压由Sn源温度控制,Se分压由Se源温度控制,Se源及样品温度分别为270℃和570℃.采用3种不同的硒化处理工艺对金属预制层进行硒化处理.通过SEM及EDS表征CZTSe薄膜的结构、形貌及成分.综合SEM及EDS测试结果,确定CZTSe和Mo界面处MoSe2相很薄.实验发现较低SnSex(x=1,2)气氛条件下可实现高温低Se压硒化CuZn预制层制备单相CZTSe薄膜,经工艺优化得到效率为7.6％的CZTSe太阳电池.
CZTSe 电沉积 低硒压硒化 金属预制层