利用马吕斯定律,通过自建实验平台精确研究了GaN基半导体激光器的偏振特性.实验结果表明:激射阈值之后(30 mA以上),GaN基半导体激光器的发光具有较高的偏振度,其偏振度接近于1;远低于阈值的5 mA处,其偏振度接近于0.70,在阈值前的27 mA处,其偏振度已经接近0.93.这表明在远低于激射阈值的电流区间,GaN基半导体激光器的发光中不仅存在不具有偏振度的自发辐射发光,而且还存在具有和阈值后同偏振方向的线偏振光,且线偏振光的占比较大.
马吕斯定律 偏振 激光二极管(LD) GaN 激射阈值