许多实验对用CsI(Tl)闪烁晶体作为探测器来寻找和探测暗物质的可行性进行了研究. 本工作利用8MeV单能中子轰击CsI(Tl)晶体探测器来研究Cs核和I核的Quenching Factor. 在数据处理中,运用脉冲形状甄别(PSD)方法来分辨反冲核信号和本底信号. 实验结果表明,在7keV到132keV的能区中,Quenching Factor随着反冲核能量的减少而增加. 在探测暗物质的实验中,这一性质对于CsI(Tl)晶体探测器获得较低的能量阈值是很有利的.
CsI(Tl)晶体 中子弹性散射 暗物质 脉冲形状甄别