利用自主搭建的瞬态电致发光测量系统，连续施加两个电压相同的矩形脉冲作为器件驱动电压并且两个矩形脉冲之间存在一定的时间间隔，通过测量器件的瞬态 EL和瞬态电流，从而分析研究器件内部电荷存储行为和发光过程。之前的研究发现了 m-MTDATA∶3TPYMB 混合发光层是激基复合物的发光，并且发现了其较长延迟发光是因为空穴传输层和电子传输层内储存的电荷再复合造成的。制备了以 m-MT-DATA∶3TPYMB(1∶1)混合层作为发光层、m-MTDATA 作为空穴传输层、3TPYMB 作为电子传输层的一组器件，通过对器件瞬态 EL的分析，发现在第二个脉冲驱动下器件的 EL强度稳定值比第一驱动驱动下的 EL强度稳定值大，且第二脉冲的 EL强度稳定值与第一脉冲 EL强度稳定值的比值随通过器件的电流增大而减小，实验还发现第二脉冲撤销时的延迟发光衰减速度要比第一脉冲撤销时的快，这是由于第二脉冲撤销时发光层内极化子(电荷)对激子的猝灭(TPQ)比较严重。
OLED 瞬态电致发光 TPQ