针对观察到厚度为7nm的三维拓扑绝缘体Sb2Te3薄膜的圆偏振光致电流与厚度为30nm样品的符号相反这一情况,提出进一步利用原子力显微镜表征的方法.利用1064nm圆偏振激光的激发,发现30nm的样品比7nm的样品具有更大表面粗糙度,从而得到30nm样品的上表面态对圆偏振光致电流的贡献减小,使其下表面态的贡献占主导;而7nm的样品为上表面态的贡献占主导,故相比厚度为30nm的样品出现了反号这一结论.同时利用960nm激光激发样品,发现厚度为30和7nm的样品呈现相同的符号,进一步研究表明这个信号可能与InP衬底的自旋注入有关.
三维拓扑绝缘体 Sb2Te3 圆偏振光致电流光谱 表面态