利用随机耦合模型(random coupling model,RCM)预测复杂腔体电磁效应时,通常要通过测量辐射阻抗来实现,但实验过程中满足混沌腔体以及耦合通道的腔体加工、实验过程模拟等条件要求较高,且实验步骤繁琐.为了克服上述问题,文中采用时间门方法(time gating method,TGM),通过对散射参数进行频域-时域-频域转换,结合门控函数,计算腔体辐射散射参数,并分析了门控时间对计算结果的影响.不同频段内TGM计算结果与实验结果的统计特性,验证了该方法的适用性.TGM与RCM相结合用于复杂金属屏蔽腔体电磁脉冲耦合效应的研究,可以简化原有RCM的繁琐过程.
随机耦合模型(RCM) 电磁脉冲耦合效应 辐射阻抗 时间门方法(TGM) 散射参数