用500和800℃,在氧气下,对掺Bi钨酸镉晶体进行热退火处理,测定了处理后晶体的吸收光谱与发射光谱.随退火处理温度的升高晶体的吸收强度降低,吸收边带发生蓝移.在373与980 nm的光激发下,分别观察到发光中心为528 nm的CdWO4晶体本征发光与发光中心为1078 mm的Bi5+发光.晶体样品通过高温氧气处理,发光中心为528 nm的荧光带强度增强,但发光中心为1078 nm的荧光带强度变弱.这可能是由于氧退火使Bi5+转化成Bi3+所致.经退火处理后,晶体的颜色逐渐变浅,透光率明显提高,这是由于晶体中氧空位减少所致.经γ射线辐照处理后,528 nm处的发光增强,而1078 nm处的发光减弱,这可能是由于γ射线辐照后导致Bi5+变成Bi3+.
O2退火 γ射线 光谱 Bi离子