结合紫外光电子能谱(UPS)、X射线光电子能谱(XPS)和原子力显微镜(AFM)等实验手段系统研究了C8-BTBT沉积在层状MoS2基底上的界面能级匹配、薄膜生长和分子取向。研究发现C8-BTBT分子竖直生长在MoS2上，生长过程中界面的真空能级( VL)、最高占据态轨道( HOMO)和电离能( IP)都出现了非常规的弯曲现象。这种能级弯曲行为可归因于直立分子从界面相到体相的转变过程中，其分子倾斜角(θ)存在一定的渐变，这种渐变会在沿表面法线方向诱导出一系列的层间电偶极，最终导致能级的弯曲。同时θ的变化也会改变薄膜的表面极化强度，引起IP的逐渐减小。能级的弯曲在界面处形成类P-N结的效应会对C8-BTBT基电子器件的性能有很大的影响。
光电子能谱 C8-BTBT 能级匹配 分子取向 薄膜生长