在GaN薄膜制备中,薄膜表面缺陷密度提取是改进质量的重要依据.文章通过对若干幅GaN薄膜缺陷图像的分析,提出一种GaN薄膜缺陷密度的提取方法.该方法首先采用阈值分割法二值化背影复杂的GaN薄膜表面图像:然后基于数学形态学方法提取出薄膜表面缺陷的密度;最后给出了薄膜表面缺陷粒径的分布模型.实验结果表明此方法使GaN薄膜表面缺陷提取简单且易于测量,为分析缺陷原因提高薄膜质量起到重要的指导作用.
氮化镓薄膜 缺陷 密度提取 二值化 数学形态学