采用射频磁控溅射方法,在Si\MgO衬底上制备了MgB2薄膜,通过X射线衍射图分析了不同退火温度对薄膜结构性质的影响;用直流四探针法对其阻温特性进行了研究.结果表明,由于膜中多种成分的相互渗透,造成了低温下电子的相互关联,导致薄膜的阻温特性在175.9 K时发生了金属-绝缘转变.在Mott模型和Anderson模型下对此现象进行了解释.
磁控溅射 MgB2薄膜 XRD Mott模型 Anderson模型