碳化硅(SiC)光触发晶闸管(LTT)在工业和国防领域均具有重要的应用价值.在此通过理论设计与实验研究相结合的方法,对4H-SiC LTT进行了研制.所研制SiC LTT为p型长基区结构,长基区厚度为80 μm,杂质浓度为2× 1014 cm-3.为改善阳极发射结空穴注入效率低的问题,短基区设计为双层结构,其中上层轻掺杂层厚度为0.3 μm、下层厚度为1.7 μm.测试结果显示,所研制SiC LTT正向开启电压为3.1V,通态压降为4.39 V,比导通电阻约为87.8 mΩ· cm2;在100 mW/cm2,365 nm紫外(UV)光触发下,开通延迟时间约为14.9 μs,阳极电压下降时间为100 ns,阳极电流上升时间约为11.5 μs.
晶闸管 碳化硅 光触发