采用射频磁控溅射法在单晶SrTiO3 (STO)衬底和硅(Si)衬底上制备出不同取向的SrRuO3 (SRO)薄膜,对薄膜的残余应力进行了分析,并研究了应力对不同取向SRO薄膜磁学性能与电输运特性的影响.根据X射线衍射(XRD)结果分析可知,Si基SRO薄膜为多晶单轴取向薄膜,且应力来源主要为热失配拉应力;STO基SRO薄膜为外延薄膜,其应力主要为热失配压应力和外延压应力;磁学性能测试表明,(001)取向SRO薄膜比(110)取向薄膜拥有更高的居里温度TC;压应力提高了(001)取向SRO薄膜的TC,却降低了(110)取向薄膜的TC.电阻性能测试表明,对于在同种类型衬底上沉积的SRO薄膜,(001)取向的薄膜的剩余表面电阻比(RRR)高于(110)取向的薄膜.另外,拉应力引起了薄膜微结构的无序度增加,弱化了表面电阻率的温度依赖性,提高了金属绝缘体转变温度(TMI).
钌酸锶 取向 残余应力 磁学性能 电输运特性