利用超高真空扫描隧道显微镜研究了室温至610℃的条件下锰在Si(111)-7×7表面的反应生长情况,制备出了锰纳米团簇和几种锰硅化物.实验结果表明:温度低于260℃时,生成了占据在衬底7×7结构亚单胞上大小统一的锰纳米团簇;温度高于500℃时,生成的锰硅化物可分为三类:纳米线、平板状的岛和三维不规则的岛.除此以外,390℃至610℃锰硅化物岛的成核密度符合传统成核理论.
扫描隧道显微镜 Si(111)-7×7重构表面 纳米团簇 锰硅化物 传统成核理论