MgB2超导材料由于其优异的超导性能和电学参数,是制作超导集成电路的理想材料之一.制备基于MgB2超导薄膜的高质量约瑟夫森结是超导电子学应用的关键.以聚酰亚胺(PI)为抗蚀层,在MgB2超导薄膜上实现微米量级的图形线条制作,以此工艺为基础,结合MgB2超导薄膜的气相化学沉积和晶型B介质层沉积方法,制作了基于MgB2超导材料的约瑟夫森纵向结阵列,并测试了相应结的约瑟夫森效应.
PI薄膜 MgB2 约瑟夫森结 超导集成电路