介绍电制冷高纯锗探测器在宽能区探测效率曲线刻度方法,提出并验证了在无低能标准源时可采用157Gd冷中子瞬发γ源进行代替.实验中使用探测效率分段对数拟合及整体对数多项式拟合,对两种拟合方式进行对比,并使用152Eu缓发源和157Gd、35Cl冷中子瞬发γ源能量相交区域进行拟合和误差计算.实验结果表示:整体拟合的计算相对简单,但分段拟合获得数据更为准确,相关性更好.无低能标准源可用时,使用157Gd (n,γ)源效果更佳.
宽能区效率刻度 瞬发γ中子活化分析 电制冷高纯锗探测器