设计了一款基于MMIC工艺的宽带GaN大功率单刀双掷开关芯片,该款GaN开关芯片电路采用一个串管两并管的结构.在小信号开关芯片设计的基础上,利用了功率开关容量的理论公式,并结合电路仿真以及电磁场仿真,辅之以DOE(Design of experiment)方法设计.开关芯片实测结果表明:在DC-12 GHz频带内,插入损耗＜1.2 dB,隔离度＞40 dB,P-0.1＞44 dBm,体积仅为1.8 mm×1.0 mm×0.1 mm.
宽带 氮化镓 大功率 开关