在薄膜晶体管液晶显示器件(TFT-LCD)的制作过程中,Mura 是一种常见的不良现象,它可以直接影响到产品的画面品质.本文结合生产工艺的实际情况,采用宏观微观检查设备 Macro/Micro(M/M)、扫描电子显微镜(SEM)、聚焦离子束测试仪(FIB)等设备进行检测分析,研究了产品开发过程中出现的 Sand Mura 问题.实验结果表明,Sand Mura发生的主要原因是像素电极 ITO 在刻蚀过程中由于过刻发生断裂,导致在通电时该处液晶分子偏转发生异常,进而阻挡了光的透过而形成暗点；通过变更 ITO 薄膜的厚度及刻蚀时间等一系列措施,防止了像素电极在 PVX 过孔处因过刻引起的断裂,不良发生率降至0．3％,产品质量得到了很大的提高.此外,过孔设计优化方案有助于新产品开发阶段避免该不良的发生,为以后相关问题的研究奠定了一些理论基础.
TFT-LCD Sand Mura 过刻 厚度 刻蚀时间