薄膜体声波器件具有体积小,成本低,品质因数(Q)高,功率承受能力强,频率高且与IC技术兼容等特点,适合于工作在1～10 GHz的RF系统应用,有望在未来的无线通讯系统中取代传统的声表面波(SAW)器件和微波陶瓷器件.该文综合阐述了薄膜体声波技术的基本原理、最新发展及应用.分析了FBAR器件的三种结构及其制作方法.还简要讨论了薄膜体声波技术的未来发展趋势及面临的挑战.
薄膜体声波谐振器 Q值 功率承受能力 高频应用 IC技术