为了对传感器设计与制造中的刻蚀过程进行研究,本文利用等离子体～硅表面交互作用的动力学机制和算法的优化,建立了一种时空归一化的等离子体刻蚀硅片二维模型,并利用该模型,从固定结构尺寸的角度对等离子体刻蚀中的重要现象--Lag效应进行了揭示,证明在固定宽度结构的刻蚀中存在刻蚀速率随时间变小的现象.同时还对刻蚀算法中的时间步长选择问题进行了讨论,从数值计算的角度提出了最优时间步长的概念并加以验证.为工艺过程的数值模拟及实验提供参考和指导.
等离子体刻蚀 Lag效应 时间步长 数值模拟