基于0.15μm GaAs PHEMT低噪声工艺,采用二种不同的电路结构——分布式和负反馈,研制了两种超宽带低噪声放大器芯片,两种芯片都达到了2～20 GHz的超宽带要求.两款芯片均使用单电源+5V自偏置供电.分布式低噪声放大器芯片的典型增益为17 dB,典型噪声系数为2.5 dB,输入驻波≤1.6,输出驻波≤1.9,1 dB增益压缩输出功率≥14 dBm,电流≤75 mA;负反馈低噪声放大器芯片的典型增益≥20 dB,典型噪声系数≤3.0dB,输入输出驻波≤2.1,1 dB增益压缩输出功率≥14 dBm,电流≤60 mA.用探索到的杂谱抑制理念,设计的两种放大器在全频带、全温(-55～+125℃)、大小信号输入下均未见到杂波,成功解决了国外同类产品HMC462在低温(-55℃)下存在杂散的严重问题.
微波单片集成电路 超宽带 低噪声放大器 赝配高电子迁移率晶体管 分布式结构 负反馈 杂波抑制