采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术在低压力的条件下,以SiH4、NH3和H2为反应气体,通过改变氨气流量来研究富硅氮化硅薄膜材料.通过Fourier变换红外吸收(FTIR)光谱检测样品中各键的键合结构演变,发现Si-N键和N-H键随着氨气流量改变向高波数方向移动,说明逐渐形成氮化硅薄膜.通过紫外-可见光透射光谱测量薄膜材料的透射光谱,计算得出薄膜相应的带隙宽度以及带尾能量,发现氨气流量的增加,光学带隙明显展宽,确定形成的薄膜为富硅氮化硅薄膜.
富硅氮化硅薄膜 化学气相沉积 键合结构