为了解决存储单元的亚阈值泄漏电流问题,分析了在深亚微米下静态随机存储器(SRAM) 6-T存储单元静态功耗产生的原因,提出了一种可以有效减小SRAM静态功耗浮动电源线的结构,并分析在此结构下最小与最优的单元数据保持电压;最后设计出SRAM的一款适用于此结构的高速低功耗灵敏放大器电路.仿真测试表明,使用浮动结构的SRAM的静态功耗较正常结构SRAM的静态功耗大大减小.
6-T单元 亚阈值电流 静态随机存储器 静态功耗 浮动电源线