对两种大容量静态存储器(SRAM)HM628128、HM628512进行了同一字节多位翻转(SMU)实验研究.HI-13串列加速器提供的F、Cl及Br离子轰击样品时,采用网络控制的6116-628512全系列SRAM单粒子效应测试系统进行动态检测,得到了两种器件的单粒子翻转(SEU)以及SMU的σ-LET曲线,分析了LET值以及测试图形对截面的影响.研究结果将为航天器抗辐射加固设计以及轨道翻转率预示提供重要依据.
静态存储器 单粒子翻转 同一字节多位翻转 测试图形