以在UHV/MBE-STM联合系统上生长的19 ML的InGaAs/GaAs样品为研究对象,先在GaAs(001)衬底上外延生长0.37μm的GaAs缓冲层,再外延生长19 ML的InGaAs,通过样品生长速率大致确定其组分为In0.14Gao.86As,通过反射式高能电子衍射(RHEED)及扫描隧道显微镜分析发现其表面主要由占大多数的4×3及少量的α2(2×4)重构混合而成,并用软件模拟RHEED对实验结果进行了验证.
反射式高能电子衍射 分子束外延 扫描隧道显微镜 InGaAs表面重构 模拟