采用射频磁控溅射的方法,在溅射过程中改变沉积温度以提高铟锡氧化物(ITO)薄膜的电学和光学特性.采用扫描电镜(SEM)分析了ITO薄膜的表面形貌,发现ITO薄膜的晶粒尺寸随着衬底温度的升高而增大.经过后续退火,ITO薄膜的电学特性得到了较大的提高.在溅射条件为工作气压1 Pa、衬底温度200 ℃和输入功率200 W沉积的样品经过300 ℃真空退火2 h获得了12.8 ×10-4 Ω·cm的低电阻率和800 nm波段94%的高透过率.
铟锡氧化物(ITO) 电阻率 磁控溅射 退火