采用同步辐射X光衍射技术研究了α-Al2O3(0001)衬底上横向外延GaN的结构特征.发现横向生长区的GaN(0001)晶面与窗口区的GaN(0001)晶面在垂直掩模方向上存在取向差.ω/2θ联动扫描发现横向生长区的GaN的衍射峰半高宽约为窗口区GaN的一半,这表明横向外延生长技术在降低GaN穿透位错密度的同时,还能大幅度提高GaN的晶粒尺寸.
GaN 横向外延生长 晶面倾斜 晶粒度 同步辐射X光衍射