采用中国电子科技集团公司第十三研究所的GaAs PHEMT低噪声工艺,设计了一款2～4 GHz微波单片集成电路低噪声放大器(MMIC LNA).该低噪声放大器采用两级级联的电路结构,第一级折中考虑了低噪声放大器的最佳噪声和最大增益,采用源极串联负反馈和输入匹配电路,实现噪声匹配和输入匹配.第二级采用串联、并联负反馈,提高电路的增益平坦度和稳定性.每一级采用自偏电路设计,实现单电源供电.MMIC芯片测试结果为:工作频率为2～4 GHz,噪声系数小于1.0dB,增益大于27.5 dB,1 dB压缩点输出功率大于18 dBm,输入、输出回波损耗小于-10 dB,芯片面积为2.2mm×1.2 mm.
低噪声放大器(LNA) 微波单片集成电路(MMIC) 砷化镓赝配高电子迁移率晶体管 负反馈 宽带