构造了由电单负材料A和磁单负材料B组成的(AB)N(BA)N型一维光子晶体,利用传输矩阵法进行了数值计算.结果表明:其带隙中出现了一隧穿模.此隧穿模具有如下特征:入射角θ增加,隧穿模向短波方向移动,且其半峰全宽变窄,入射角越大,变化越明显；介质层的几何厚增加,隧穿模向长波方向移动,且移动量和介质厚度的增量间存在线性关系；A介质的介电常数εA或B介质的磁导率μB增加,隧穿模向长波方向移动,移动量与εA或μB的增量呈非线性关系,但εA越大或μB越小,隧穿模的半峰全宽度越窄.上述参数变化时,隧穿模的透射率始终保持为1.
光子晶体 单负材料 隧穿模 透射率