基于密度泛函理论第一性原理,研究Zn、Nb、O间隙原子对ZnNb2 O6体系光电特性的影响.分析显示:间隙原子对体系晶格畸变的影响与间隙原子几何尺寸有关.缺陷结构中,由于间隙原子电负性存在差异,也是产生晶格畸变的因素.光电特性分析显示:含有Zn、Nb间隙原子的体系表现为n型简并半导体.且Nbi表现出较强的介电效应,主要与Nb的离子势与电离能有关.Oi表现为p型简并半导体,对光电效应贡献较小.结果表明Nbi体系有良好的光电特性,在实际应用中具有较大潜力.
ZnNb2O6 间隙原子 光电性能 第一性原理