介绍了近年来半导体脉冲功率开关的发展和应用情况,具体包括反向开关晶体管(RSD)、半导体断路开关(SOS)、脉冲晶闸管、功率MOSFET、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和SiC-JFET.描述了专门用于脉冲功率领域的RSD和SOS开关的结构和工作原理,报道了国内外在脉冲晶闸管方面的工程研究及达到的参数,介绍了基于常见电力电子开关功率MOSFET和IGBT制成的脉冲功率装置,并简介了基于宽禁带半导体材料SiC制成的JFET器件的高温封装技术.
半导体 开关 脉冲功率 重复频率