在介质阻挡放电(DBD)研究中,人们认为阻挡材料对放电有重要影响,但相关机理研究较少.为此,以6个不同电晕表面改性时间(0h、14 h、24 h、48 h、96 h和120 h)的硅橡胶作为阻挡介质材料,研究了低气压(0.5～52kPa)下的介质阻挡放电现象.发现维持均匀放电的气压范围与硅橡胶材料有关,硅橡胶电晕表面改性时间越长,形成均匀放电的气压范围越宽,电晕表面改性120 h的试样均匀放电的气压范围达到了46 kPa,较未表面改性时(35 kPa)提高了30%.另外,利用扫描电镜分析和热刺激电流法,测量了6个试样的陷阱特性.结果表明:电晕表面改性时间越长,峰值电流越大,陷阱电荷量越大,陷阱能级越大但数值都≤1 eV.该工作结果说明阻挡介质材料表面的浅陷阱对均匀放电具有重要影响.
介质阻挡放电 电晕老化 硅橡胶 均匀放电 低气压 浅陷阱