基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,对稀土 La掺杂 CrSi2的几何结构,电子结构和光学性质进行了计算与分析.结果表明,La 掺杂后,CrSi2的晶格常数 a,b 和 c 均增大,晶格体积增大.La掺杂导致费米面进入价带,带隙明显变窄仅为0.07 eV；在费米面附近,La原子的5 d层电子态密度只占总态密度很小的一部分,而总态密度仍然由 Si 的3 p 层和 Cr 的3 d 层电子的分波态密度决定；La掺杂后CrSi2的静态介电常数ε1(0)由28.98增大为91.69,ε2(ω)的两个介电峰均向低能方向偏移且增强,光学吸收边向低能方向移动,吸收峰减小.计算结果为CrSi2材料掺杂改性的实验研究提供了理论依据.
CrSi2 第一性原理 掺杂 电子结构 光学性质