采用磁控溅射(Ag/Cu/CoPt)n多层膜先驱体结合真空退火的方法制备了一系列CoPtCu/Ag纳米复合薄膜,通过优化薄膜中Ag以及Cu的含量,成功制备出了低相变温度垂直取向的CoPtCu/Ag纳米复合膜,该膜在450℃退火即可发生相变,该温度比目前所报导的CoPtAg纳米复合膜的相变温度降低了150℃.实验结果表明,薄膜中一定含量的Ag元素能够有效诱导薄膜的(001)取向,Cu元素的加入能有效降低薄膜的有序化温度.对于特定组分为Co40Pt36Cu8Ag16的薄膜,经500℃退火后已经显示了明显的(001)取向,垂直于膜面方向上的矫顽力为5.0×105 A/m,并且薄膜中晶粒尺寸仅为4-5 nm,为将来CoPt-L10有序相合金薄膜用于超高密度垂直磁记录介质打下了基础.
磁记录材料 CoPt 纳米复合膜