在纳米工艺下,为了更好地抵抗工艺波动的影响,减小位于标准单元边界处的MOS管沟道长度随聚焦误差引起的变化,提出在现有版图基础上在两相邻标准单元间填充最优辅助多晶硅图形的版图优化方式以提高芯片的参数成品率.通过修改所填充的辅助多晶硅图形的线宽、线间距以及线条数的特征属性,利用光刻仿真得到针对不同多晶硅特征图形的最优辅助多晶硅图形,由此构建一个查表模型.在现有版图基础上,对位于标准单元边界处的各个MOS管提取出其相应的多晶硅特征图形,并利用所提取出的特征图形查找查表模型分别得到最优的辅助多晶硅图形,根据版图设计规则将辅助多晶硅图形填充至两相邻标准单元之间.分别对测试版图优化前后进行光刻仿真分析,结果表明:采用所提出的版图优化方法在不影响位于标准单元内的MOS管的多晶硅线宽变化前提下,位于标准单元边界的MOS管的多晶硅线宽变化量从版图优化前的10.58 nm降低至4.79 nm.
参数成品率 聚焦误差 光刻仿真 版图优化 工艺波动