以反射延迟器代替1/4波片构成的反射式横向调制光学电压传感器结构紧凑，便于实际应用。对Bi4Ge3O12(BGO)晶体反射式横向调制光学电压传感器进行理论分析，分析表明：将待测电压加于BGO晶体<001>方向，且使光沿晶体?110?方向通过时，光学电压传感器具有较好的双光路温度互补特性，传感器具有最优性能。对2种不同结构的光学电压传感器进行温度试验，试验结果验证了理论分析的正确性。
光学电压传感器 Bi4Ge3O12晶体 Pockels效应 双光路