使用高亮度发光二极管(HB-LED)的半导体照明技术正受到全球关注,而存在的主要问题是发光效率低.本文指出发光效率即外量子效率是内量子效率和提取效率的乘积.提高内量子效率的方法是获得高质量GaN材料的外延技术.采用四组分AlInGaN结构及在半极性面或非极性面上制作LED,提高提取效率的途径主要有倒装焊技术、表面粗化技术、芯片粘合技术、芯片成形技术以及微芯片阵列技术等.
高亮度LED 发光效率 内量子效率 提取效率