研究了两种具有埋界面漏的槽型技术(Trench)功率金属氧化层半导体场效晶体管(MOSFET).利用埋于整个界面的漏n+层缩短开态时载流子在高电阻率n-漂移区的运动路径,从而降低器件比导通电阻,缓解功率MOSFET器件比导通电阻与击穿电压之间的矛盾.详细研究了器件结构参数对比导通电阻和击穿电压的影响.器件1为50～70 V级器件;器件2利用p型硅条增强降低表面电场(RESURF)效应及优化体内电场分布,使得器件性能进一步提高,在133 V的击穿电压时获得0.85 mΩ· cm2的低比导通电阻.
金属氧化层半导体场效晶体管 击穿电压 比导通电阻