提出一种新型氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)结构改善器件的电流崩塌效应,对新结构器件的电流崩塌效应改善机制和有效性进行研究.靠近漏端的电场峰值是引起HEMT电流崩塌的关键因素,新结构中耗尽区扩展,承担了一部分原来集中在漏端的电场,将该处的高电场峰值分解为两个较低电场峰值,沟道电子从电场获得能量减小,跃迁出沟道被缓冲层陷阱俘获的概率降低,电流崩塌效应得到改善.与常规结构HEMT相比,新结构器件电流崩塌量从13.6％降低为3.3％.对凹槽场板结构参数进行优化分析,场板长度为1 μm、场板下钝化层厚度为15 nm时,器件特性较优.
高电子迁移率晶体管 氮化镓 电流崩塌效应