在氧等离子体辅助的MBE系统中,以1 nm厚的Au薄膜为催化剂,基于气-液-固(VLS)机制实现了低温ZnO纳米线阵列在Si(111)衬底表面的生长.通过场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)可以观察到,ZnO纳米线阵列垂直生长在衬底上,直径为20～30 nm.X射线衍射(XRD)和高分辨透射电镜(HRTEM)结果表明:ZnO纳米线为六方纤锌矿结构,具有沿c轴方向的择优取向.光致发光(PL)谱显示在380 nm附近有强烈ZnO本征发射峰,475～650 nm可见光区域有较强的缺陷导致的发射峰.
ZnO 纳米线 分子束外延 VLS