采用Pechini方法,在Pt/Ti/SiO2/Si(100)基板上沉积了均质Ca(Mg1/3Ta2/3)O3(CMT),CaTiO3(CT)和堆叠次序不同以及摩尔比不同的异质Ca(Mg1/3Ta2/3)O3/CaTiO3(CMT/CT)薄膜.结果表明:以CT为底层的异质CMT/CT薄膜可以形成单一的钙钛矿结构,以CMT为底层的异质薄膜则有杂相产生.对于以CT为底层的不同摩尔比的异质CMT/CT薄膜,随着CMT含量的增加,异质薄膜中CT的衍射峰逐渐减小至消失,而CMT的结晶度变得更强,这说明以CT为缓冲层将有助于上层的CMT形成钙钛矿相.介电性能研究表明:异质CMT/CT薄膜的介电常数高度依赖于CMT的含量,而介电损耗不但与CMT含量有关,还与异质薄膜中界面数有关.当n(CMT):n(CT)=1:1(摩尔比)时,异质的CMT/CT薄膜的介电常数和损耗分别为56和0.038.
薄膜 异质界面 微观结构 介电性能