采用射频磁控溅射方法在ITO基片上外延掺Ag的ZnO薄膜,分别用XRD、SEM和紫外可见光分光光度计表征外延薄膜结构、形貌和光学性质.ZnO:Ag/ITO薄膜伏安特性的研究表明,ZnO:Ag与ITO形成异质结.在紫外光波长365nm、负偏压15V情况下异质结暗电流为11.2hA,光电流为198hA,灵敏度(光电流与暗电流之比)为17.7.此异质结的紫外光响应上升时间为700ms,下降时间为1.5s.
ZnO掺Ag 射频磁控溅射 异质结 响应时间