在氧气和氩气的混合气体中，在没有额外加热的条件下用反应射频（RF）溅射硅靶制备了非晶氧化硅(a-SiO2)薄膜，并测试分析了薄膜的结构和电特性与O2/Ar流量比的关系。当固定氩气流量，改变氧气流量时，薄膜沉积速率先急剧减少，再增大，然后又减少。当O2/Ar≥0.075时，得到满足化学配比的氧化硅薄膜。并且，随着O2/Ar流量比的增大，薄膜的电阻、电场击穿强度都有所增大，而在HF缓冲溶液(BHF)中的腐蚀速率下降。所有的样品中无明显的H-OH水分子的红外吸收峰。比较发现反应射频（RF）磁控溅射法制备的a-SiO2薄膜具有良好的致密性和绝缘性。
反应RF磁控溅射 a-SiO2薄膜 BHF腐蚀速度 电阻率