用传统固相烧结法获得了含A位空位的(KBi)0.5-x(LiCe)x/2x/2Bi2Nb2O9(其中为A位[KBi]空位)系列铋层陶瓷,研究了A位LiCe掺杂替代对K0.5Bi2.5Nb2O9系列陶瓷性能的影响.LiCe 掺杂改性明显提高了K0.5Bi2.5Nb2O9系列陶瓷的压电活性,(KBi)0.44(LiCe)0.030.03Bi2Nb2O9陶瓷的压电系数d33、平面机电耦合系数kp和厚度振动机电耦合系数kt分别为31 pC/N、5% 和22%.
铋层结构铁电体 平面机电耦合系数 厚度振动机电耦合系数 压电系数