由于加工工艺的局限性,在Nand存储器(Nand Flash)控制器设计时应具有处理存储数据出错的功能,但是还要保持一定的纠错速度.为解决该问题,在分析常用的差错控制编码(ECC)算法的基础上,提出了一种高速层进式Nand Flash纠错算法,以提高Nand Flash的读写速度;同时设计了一个可纠4位错的Nand Flash控制器.仿真结果表明,采用该编码可有效减少存储器数据纠错时间.
Nand存储器 差错控制编码 Bose-Chaudhuri-Hocquengham