采用直流磁控溅射制备了多层膜Ta/缓冲层/[Co95Fe5/Cu]×12/Co95Fe5/Ta.实验发现,多层膜的磁阻性能受到缓冲层材料、各子层厚度以及退火处理的影响.采用优化的多层膜结构:Ni65Fe15Co20缓冲层厚8 nm、CoFe层厚1.55 nm、Cu层厚2.4 nm,沉积态薄膜GMR值达到7.6%;而在外加磁场79.6×103 A/m下,250 ℃保温2 h退火处理后,多层膜的GMR值进一步提高到11.9%,磁滞从18.7×102 A/m降低到796 A/m.
多层膜 巨磁阻 缓冲层 退火