制备了带平台的DD403合金变截面单晶铸件,分析了不同抽拉速率下平台区域的枝晶生长和取向演化.结果 表明,平台底面由3种类型的区间构成:叶身区、二次枝晶区、平台边缘枝晶的“回路式”生长区.在平台边缘枝晶的“回路式”生长区与二次枝晶区之间的枝晶汇聚界面上,两侧枝晶的取向差由一侧向另一侧逐渐增大.随着抽拉速率的增大,枝晶汇聚界面上的取向差增大,其成为大角度晶界的倾向性增强,且枝晶偏转是枝晶汇聚界面上大角度晶界形成的主要原因.与晶粒间大角度晶界和亚晶粒间小角度晶界上恒定的取向差不同,枝晶汇聚界面上大角度晶界与小角度晶界的取向差是变化的.
单晶高温合金 枝晶生长 枝晶偏转 取向演化 大角度晶界