本文提出了一种基于砷化镓(GaAs)材料且具有全方位光管理能力的纳米方形光阱结构.通过光学模拟可知,该结构在较大结构参数范围内具有优异的全向光管理能力.当该结构的有效厚度为407 nm时,在AM1.5G光照下,其光电流密度可达29.51 mA/cm2,而在同样条件下,2000 nm厚的平面GaAs结构只能产生19.80 mA/cm2的光电流密度.由光电模拟可知,为了获得合理的高光电转换效率,应使少数载流子寿命大于等于1.0×10-7 s,表面复合速率小于等于100 s/cm.
光管理 全方位陷光结构 时域有限差分法 光电器件