从第一性原理出发,在局域密度近似下,采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势计算方法系统地研究了高压对BaHfO3电子结构与光学性质的影响.能带结构分析表明:无压强和施加正压强作用时,BaHfO3为直接带隙绝缘体,而施加负压强时,BaHfO3则转变为间接带隙半导体；BaHfO3的带隙随压强增加而减小,且具有明显的非线性关系.对光学性质的分析发现:施加正压强后,光学吸收带边产生蓝移；负压强作用时介电函数虚部尖峰减少,光学吸收带边产生红移；施加压强后BaHfO3的静态介电常数和静态折射率均增大.上述研究表明施加高压有效调制了BaHfO3的电子结构和光学性质,计算结果为BaHfO3光电材料的设计与应用提供了理论依据.
BaHfO3 第一性原理 压强 电子结构 光学性质