稀磁半导体(DMS)材料日益受到科技界和工业界的关注.本文根据ZENER模型研究稀磁半导体材料的居里温度.计算结果证明:同种基质材料掺杂不同的金属元素,低价元素掺杂形成的DMS材料居里温度较高.在考虑反铁磁性交换作用时,低价元素掺杂形成的DMS材料的居里温度与高价元素掺杂形成的DMS材料的居里温度的差别,比不考虑反铁磁性交换作用时居里温度的差别更为明显,且差别随反铁磁性交换作用相对强度的增加而增加.该研究结果可为获得具有高居里温度的DMS材料提供参考.
稀磁半导体 居里温度 掺杂浓度 反铁磁性交换作用