采用沟槽栅结构、软穿通(SPT)技术和载流子存储层技术研制出一款增强型沟槽栅型(TMOS+)3 300 V IGBT芯片,其具有更低通态压降、更高功率密度和更优的关断安全工作区性能.高温(Tj=150℃)工况下,芯片的通态压降比相同电压等级增强型平面栅型(DMOS+) IGBT的约低25％,并能安全关断11倍额定电流;同等外形尺寸条件下,TMOS+型IGBT模块的电流等级(1800A)比DMOS+型的提升了20％,可满足更高功率容量的应用需求.
绝缘栅双极晶体管(IGBT) 增强型沟槽栅 通态压降 关断安全工作区 功率密度