在不同条件下采用LB技术制备了金纳米粒子单层膜,并利用SEM对所得到的薄膜的表面形貌进行表征.结果表明决定薄膜质量的关键因素是表面压.将表面压控制在22～26 mN/m的范围内以较慢的拉膜速度在Si(100)基底上进行拉膜,可以得到大面积金纳米粒子的均匀致密单层膜.在室温下测量两点之间单层膜的I-V特性,得到了非欧姆特性,这是由电子在电场作用下发生隧穿产生的.
电子技术 金纳米粒子 LB技术 扫描电子显微镜(SEM) I-V曲线