介绍了在干氧和氢氧合成两种不同工艺和不同栅氧层厚度情况下,CMOS运算放大器电路的电离辐照响应规律.并通过对其单管特性及内部单元电路辐照变化的分析比较,探讨了栅氧层厚度的变化与运放电路辐照损伤之间的相互依赖关系.结果显示,适当地减薄栅氧层厚度,可相应地减少辐照感生氧化物电荷和界面态引起的跨导衰降,从而使CMOS运放电路的抗辐射特性得到明显的改善.
CMOS运算放大器 跨导 栅氧层 氧化物电荷 界面态