采用MOCVD方法在InP衬底上制备了高质量的四元合金Gao4In0.6As0.85P0.15和InP外延层,用椭圆偏光仪测得Gao4In0.6As0.85P0.15和InP外延层的折射率.由这两种具有不同折射率的半导体材料交替生长构成不同周期的分布布喇格反射镜(DBR).研究了不同周期的DBR结构的反射率与波长及反射率与DBR结构周期数的关系.根据多层膜增反原理,当中心波长为1.55 μm时,反射率随周期数增加迅速增加,周期数为23时,反射率可达99.97%.利用MOCVD技术,通过Ga0.4In0.6As0.85P0.15/InP的交替生长,成功地获得周期数分别为3,4,7,11,15,19,23的分布布喇格反射镜(DBR).实验结果表明,已获得表面如镜面状的二元InP外延层,而组分x,y分别为0.4,0.85的四元合金,因其处于混溶隙,外延层表面较粗糙,未获得镜面状表面.反射率的测量结果表明,反射镜的反射率随周期数的增加而升高,当DBR的周期数为23时,反射率为54.44%,与理论结果尚存在一定差距.
金属有机化学气相沉积 分布布喇格反射镜 反射率