采用普通固相合成法制备了Bi1-xGdxNbO4微波介质陶瓷,研究了N2烧结气氛下,Gd部分取代BiNbO4陶瓷中的Bi对其烧结性能及微波介电性能的影响.结果表明,不同Gd掺杂量的样品,相结构差别不大,均以低温斜方相为主晶相.随着Gd含量的增加,陶瓷样品的烧结温度升高,表观密度和相对介电常数均略有减小, 品质因数与频率之积(Q×f)值也会发生变化.当x(Gd)＝0.008时,900 ℃烧结的Bi0.992Gd0.008NbO4陶瓷样品具有较好的介电性能:介电常数εr＝43.6(4.3 GHz),Q×f＝14 288 GHz(4.3 GHz),谐振频率温度系数τf≈0 .
Bi1-xGdxNbO4 微波介质陶瓷 气氛烧结