以Cr/Ag/Cr金属膜系为电极,电子束蒸发镁橄榄石(2MgO·SiO2)膜为绝缘介质,在陶瓷基片(表面较粗糙)上制备了MIM结构无机集成薄膜电容.光学显微镜和扫描电镜分析显示,电容的绝缘强度和介电性能主要取决于介质膜致密程度.沉积后适当的热处理有助于改善电容性能,但过度的热处理却可能导致由晶化和扩散引起的负面作用.所得电容击穿场强达到了107 V/m以上,5 MHz频率tan δ为0.01.
电子技术 薄膜电容 绝缘强度 介电性能