用脉冲激光沉积(PLD)法制备了钙钛矿锰氧化物La0.9Ce0.1MnO3(LCEMO)单晶薄膜.X射线衍射分析表明,薄膜具有钙钛矿赝立方结构,且沿(100)方向择优生长;电阻-温度关系给出其存在金属-绝缘体相变和庞磁电阻(CMR)效应,相变温度(TMI)为213K;在0.1T的磁场下,其磁电阻峰值为38.5%,对应的温度为153K;其电阻在低温区满足R=R0+RiT2+R2T4.5,在高温区符合小极化子输运.薄膜在绿激光(532nm,40mW)作用下TMI向低温方向移动;这主要是由于激光激励下体系的自旋发生了变化.且电阻与时间的变化曲线满足关系:R(t)=R0+Aexp(-t/τ),说明薄膜在激光作用下具有明显的与自旋相关的弛豫现象.
LCEMO薄膜 光诱导 输运特性 电子掺杂