在Mn:Fe:LiNbO3(Mn:Fe:LN)中掺进不同摩尔分数In2O3,用提拉法生长In:Mn:Fe:LN晶体.测试了晶体的红外光谱,发现:3%In:Mn:Fe:LN晶体OH-吸收峰位置移到3 506 cm-1.用光斑畸变法测试晶体抗光致散射能力表明:In:Mn:Fe:LN晶体抗光致散射能力比Mn:Fe:LN晶体提高1～2个数量级.探讨了In:Mn:Fe:LN晶体OH吸收峰移动和抗光致散射能力增强的机理.以He-Ne激光作记录光,高压汞灯紫外光作开关光,In:Mn:Fe:LN晶体中一种杂质Fe充当较浅能级,另一种杂质Mn充当较深能级,以Mn:Fe:LN和1%In:Mn:Fe:LN晶体作为存储介质实现非挥发性存储.用双光子固定法测量了In:Mn:Fe:LN晶体的二波耦合衍射效率.研究了In:Mn:Fe:LN晶体的双光子全息存储机理.
掺铟锰铁铌酸锂晶体 非挥发性存储 红外光谱 提拉法晶体生长