针对双边LCC谐振式无线充电的逆变器金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)死区时间设置影响传输功率及效率的问题,提出了一种适用于其拓扑结构的死区优化设计方法.首先建立了双边LCC谐振式无线充电系统的数学描述,并简述其运行模态,推导出次级侧补偿电容与输入感性阻抗的量化规律.然后据此提出了一种死区时间优化设计方法,以实现与无线充电系统特性密切相关的逆变器软开关.最后,搭建了一套实验平台,实验结果表明,此优化设计方法可确保逆变器运行完全实现软开关,提高了无线电能传输功率及效率.
逆变器 死区时间 软开关 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 谐振式无线充电