非易失性存储器具有能耗低、可扩展性强和存储密度大等优势,可替代传统静态随机存取存储器作为片上缓存,但其写操作的能耗及延迟较高,在大规模应用前需优化写性能.提出一种基于缓存块重用信息的动态旁路策略,用于优化非易失性存储器的缓存性能.分析测试程序访问最后一级缓存(LLC)时的重用特征,根据缓存块的重用信息动态预测相应的写操作是否绕过非易失性缓存,利用预测表进行旁路操作完成LLC缺失时的填充,同时采用动态路径选择进行上级缓存写回操作,通过监控模块为旁路的缓存块选择合适的上级缓存,并将重用计数较高的缓存块填充其中以减少LLC写操作次数.实验结果表明,与未采用旁路策略的缓存设计相比,该策略使4核处理器中所有SPLASH-2程序的运行时间平均减少6.6％,缓存能耗平均降低22.5％,有效提高了整体缓存性能.
非易失性存储器 多核处理器 缓存 重用信息 旁路策略 能耗