基于涨落耗散定理研究了不同温度下超导离子芯片中近场热噪声引起的离子加热效应,通过电场格林函数和多层介质反射系数得到了不同情况下电场涨落谱密度的近似式.对于净铌电极,当温度T为295 K时,近场热噪声谱密度与电极厚度成反比;T为4K时,近场热噪声谱密度与电极厚度无关,且通过计算发现其近场热噪声相较于室温下降了十几个数量级.分析了铌电极表面存在Nb2O5薄膜的情况,结果表明Nb2O5层薄膜引起的电场涨落占据主要地位,噪声谱密度与Nb2O5厚度成正比,芯片温度降至4K时其热噪声下降5～6个量级.
量子光学 近场热噪声 涨落耗散定理 超导离子芯片