采用化学浴沉积法(CBD)在硫酸镉、硫脲、氨水、氯化铵溶液体系中制备了CdS薄膜,研究了水浴温度对CdS薄膜的生长过程和物理性能的影响.试验表明,CdS薄膜的生长速率随着水浴温度提高而显著增加,薄膜从疏松变的致密,但是过高的水浴温度会导致表面晶粒变的粗糙;薄膜的结晶程度随着水浴温度提高而增强,择优取向明显;制得的CdS薄膜均有较高的光透过率,随着水浴温度的提高,薄膜厚度增加,透过率在波长560 nm处出现峰值;所得薄膜均是富Cd的,且随着水浴温度的提高Cd含量也增加;薄膜的暗电导率约为10-5～10-4 Ω-1cm-1,比光电导率小2～3个数量级,电导率与水浴温度没有明显对应关系.
CdS薄膜 化学浴沉积(CBD) 水浴温度