碳化硅(SiC)由于其高度的共价键结合特性而具有高硬度、耐磨性和高化学稳定性等优异性能而成为热机、高温环境和化学化工等领域的研究应用对象. 碳化硅材料的无压烧结最早是由Prochazka[1]实现的.20世纪80年代初期,Omori[2]通过采用氧化物(Al2O3,Y2O3和稀土氧化物等)添加剂的手段大大降低了无压烧结的温度.这些氧化物具有较低的共熔点,在高温下易形成液相,从而促进了碳化硅的晶粒重排和晶体生长.
碳化硅 氮化反应 纳米尺寸微晶 液相烧结