利用分子束外延技术,基于控制快门开关顺序的生长中断法,在GaSb衬底上生长了10周期和20周期的InAs(10 monolayer,10ML)/GaSb(10ML)Ⅱ型超晶格材料.实验中,基于软件模拟对生长参数进行调控分析,实现了As-Sb高效的置换,有效地降低了界面的应力.通过双晶X射线衍射和原子力显微镜对超晶格样品表面形貌进行测试和表征,应变分别减少到0.64％和0.56％,均方根粗糙度仅为0.81 nm和0.45 nm,为后续器件的制备提供了基础.
材料 光学材料 超晶格 生长中断法 InAs/GaSb 分子束外延