阐述了一种简化4T像素结构的设计.较普通4T像素结构而言,该简化结构像素内部去掉了行选通管,从而提高了像素的填充因子,简化了内部电路设计,减小了版图的面积,消除了行选通管引入的随机噪声.该像素结构采用0.11 μm CIS工艺,成功应用于一款像素阵列为640×480的CMOS图像传感器芯片,经过流片测试,芯片整体性能达到了预期的设计目标.
互补金属氧化物半导体图像传感器 简化4T像素结构 填充因子 灵敏度