用旋涂法实现了多孔硅(PS)与有机发光材料聚乙烯咔唑(PVK)和八羟基喹啉(Alq3)的复合,研究了PS/(PVK,Alq3)复合体系的光学性能和电学性能.PL谱的测试发现,PS/PVK复合体系的PL同时具有PS和PVK的峰;在485 nm的位置出现了1个新峰,讨论了这个峰的来源.研究了n型单晶Si制备的PS与PVK复合(n-PS/p-PVK)和p型单晶Si制备的Alq3复合(p-PS/n-Alq3)后的I-V特性.测试表明,这两个复合体系的I-V曲线都显示了良好的整流特性.结果表明,PS/(PVK,Alq3)复合体系适合用来制备PS基的发光二极管.最后借助无机半导体的能带理论对此进行了分析.
多孔硅(PS) 发光 I-V特性 聚乙烯咔唑(PVK) 八羟基喹啉(Alq3)