介绍了一种具有逆向导通能力的GaN功率开关器件逆向导通-高电子迁移率晶体管(RC-HFET).通过在栅极与漏极之间插入一个肖特基电极并与源极连接,RC-HFET获得了一个逆向导电通路,从而相当于一个功率开关与二极管反并联结构.RC -HFET正向工作的原理与传统HFET相似,导通电阻与传统HFET相近.在器件制造上,RC-HFET与传统HFET完全兼容,无需额外的光刻版及加工流程.因此,在电机驱动等需要反向续流的功率系统中,RC-HFET消除了对续流二极管的需求,提供了一种更具成本优势的方案.
晶体管 逆向导通 体二极管