研究了势垒层掺杂的GaN基HEMT结构上的帽子层对该器件电学特性的影响.并对i-AlGaN,i-GaN,i-InGaN 3种不同材料的帽子层进行比较.从模拟结果可知,i-AlGaN帽子层虽然提高了GaN基HEMT的阈值电压,但同时也提高了跨导和最大漏源饱和电流,在GaN基HEMT器件设计和工艺制造过程中选取i-AlGaN作为帽子层对于提高器件的电学性能来说具有-定的指导意义.
AlGaN/GaN HEMT 器件模拟 输出特性 转移特性