采用甚高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)的方法制备了硅烷浓度分别为6%和7%,随激发频率变化(40-70MHz)的氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜材料.研究了材料的电学特性、结构特性、沉积速率与激发频率之间的关系.结果发现材料的光敏性随频率的增加先降低后提高,晶化率和沉积速率的变化趋势与之相反;在晶化率最高点,材料在(220)的晶向衍射峰最高.并从光发射谱的角度研究了材料结构和沉积速率随频率变化的原因.
甚高频等离子增强化学气相沉积 本征微晶硅 激发频率