为了快速制备具有优良场发射性能的ZnO纳米线,对ZnO纳米线的生长机理及场发射性能进行研究.首先采用优化的两步法制备出高长径比的ZnO纳米线,其次采用SEM对ZnO的微观形貌进行表征,然后,在分析形貌特点的基础上,说明了强碱体系下ZnO纳米线薄膜的快速生长机理.最后,对典型样品的场发射性能进行了测试.测试果表明,优化后的两步法,只需3 h即可获得直径为40～50nm,长度为2.2～2.7μm,长径比高达54的纳米线.薄膜的开启电场为3.6 V/μm,阈值场强为9.1 V/um,场增强因子 β 高达3391.研究表明,高pH值溶液可以加快ZnO纳米线沿C轴方向的择优生长,获得高长径比的ZnO纳米线,进而获得优良的场发射性能.
ZnO 纳米线 生长机理 场发射