介绍了红外热成像技术的几种技术方案,重点介绍了以二极管作为红外探测器的非制冷红外热成像技术.通过理论分析和ISE-TCAD软件模拟、采用SOI Si片流片和测试,分别得到了单晶Si二极管在固定偏置电流下的电压一温度响应特性,理论分析、模拟和实测结果三者吻合很好.在1 μA的偏置电流下,单个二极管的温度灵敏度分别为1.40,1.35和1.52 mV/K,三者的差别主要是由于理论分析和ISE-TCAD软件模拟中没有考虑欧姆接触电阻和引线电阻等串联电阻.
红外热成像 红外探测器 二极管 SOI 温度灵敏度