CIElab颜色空间坐标是氮化锆薄膜非常关键的技术指标,而氮分压对氮化锆薄膜颜色坐标有较大的影响.应用中频反应磁控溅射技术沉积氮化锆薄膜,通过对炉内分压强和氮化锆薄膜颜色的测量,绘制了氮分压对CIE颜色坐标L*,a*,b*值的影响曲线.发现随炉内氮分压的增大,薄膜颜色坐标a*,b*值呈环形曲线、L*值呈单调下降的变化趋势.并使用金属自由电子气模型对颜色变化趋势进行了理论分析.发现颜色坐标的变化是由于随氮分压增加,自由电子浓度降低引起等离子体频率降低造成的.对薄膜的X射线衍射谱(XRD)以及电阻率测量结果的分析表明,在氮分压较大时,颜色坐标L*的明显下降变化是由于Zr3N4等的禁带宽度小于可见光谱的极限造成的.
薄膜光学 颜色 磁控溅射 金属自由电子气模型