采用水热法合成了尺寸为50～100 nm的二硫化锡纳米片,并首次以二硫化锡作为阻变层材料的阻变存储器(Cu/PMMA/SnS2/Ag,PMMA=聚甲基丙烯酸甲酯),对其阻变性能进行了研究.结果 表明:Cu/PMMA/SnS2/Ag阻变存储器的开关比约105,耐受性2.7×103.在上述2项性能指标达到较优水平的同时,开态与关态电压分别仅约为0.28与-0.19 V.
阻变存储器 二硫化锡 低操作电压