研究了p型InN的光电导效应.利用分子束外延技术(MBE)法生长出高质量的InN薄膜,在此基础上利用Mg掺杂获得了p-InN.原位反射高能电子衍射(RHEED)表明样品在生长过程中保持二维生长模式,原子力显微镜(AFM)测试结果显示台阶流的生长模式.实验发现,p型InN的光电导灵敏度随温度的升高而降低.其主要原因是当温度升高时,光生载流子浓度降低和样品背景浓度升高共同造成的.
分子束外延 原位反射高能电子衍射 Mg掺杂p-InN 光电导灵敏度