采用稀土金属Ce元素固溶掺杂改性LaB6以降低其电子逸出功的策略,先通过熔盐法制备出Lal-xCexB6(x=0.2,0.4,0.6,0.8)固溶体纳米粉体,后经热压烧结得到Lal-xCexB6阴极材料.利用XRD、SEM等技术表征Lal-xCexB6阴极材料的组成结构,并研究了 Ce元素固溶掺杂对LaB6阴极材料电子逸出功的影响.结果表明,所制备的Lal-xCexB6阴极材料为单相固溶体,致密度高,相对密度介于98.49％～98.98％之间.相对于未掺杂LaB6阴极材料,Lal-xCexB6阴极材料的电子逸出功更低,且随着Ce掺杂含量的增加电子逸出功先减小后增大,整体介于1.85～2.54 eV之间,其中La0.6Ce0.4B6阴极材料的电子逸出功最低,仅为1.85eV.固溶掺杂Ce是降低LaB6阴极材料电子逸出功的有效途径.
六硼化镧 固溶掺杂 电子逸出功