基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,研究了掺杂利非掺杂AIN体系的晶格参数、能带结构、总体态密度、分波态密度、差分电荷分布及电荷集居数.计算结果表明：Be掺杂A1N晶体能够在能隙中形成深受主能级,空穴载流子局域于价带顶,而引入了激活施主O原子的Be,O共掺杂方法,能使受主能带变宽、非局域化特征明显.同时,受主能级向低能方向移动,形成了浅受主能级,从而提高了Be原子的掺杂浓度和系统的稳定性.Be,O共掺杂更有利于获得P型A1N.
第一性原理 电子结构 Be掺杂AlN Be-O共掺杂AIN