基于新型互补金属氧化物半导体有源像素传感器(Complementary Metal Oxide Semiconductor Active Pixel Sensor,CMOS APS)光电器件的内部结构特点,分析了重离子对CMOS APS光电器件的影响,以及CMOS APS光电器件的单粒子效应敏感性.结合CMOS APS光电器件的结构特点和辐射影响分析,形成了基于监测数据逻辑状态和图像"白点"相结合的测试方法.在此基础上,利用重离子加速器进行了单粒子效应模拟试验.试验结果表明:当重离子线性能量传输(Linear Energy Transition,LET)低于9.01 MeV·cm2·mg?1时,像素阵列没有出现扰动现象,仅是电荷在像素阵列的不断累积.同时,试验获得单粒子翻转(Single Event Upset,SEU)饱和截面对应的LET值约为42.0 MeV·cm2·mg?1.
CMOS APS 单粒子效应 单粒子翻转 单粒子瞬态 重离子