结合红外辐射理论分别建立了控制柜内部单个和多个元件过热时对壳体内表面的红外辐射模型,得到了壳体内表面总的热流密度分布,并针对受热壳体建立三维热传导模型.基于对壳体表面红外成像测温,运用共轭梯度法进行了导热反问题模拟研究,对控制柜内部元件的发热温度和方位同时进行了识别,最后分析了测量误差对计算结果的影响.得出结论:对单个故障元件的发热温度和方位同时进行反演求解,得到了精确的计算结果；对两个故障元件的发热温度和方位分开求解时,取得了较高的求解精度；对两个故障元件的发热温度和方位同时进行反演求解,也能获得准确的计算结果.测量误差较小时,对过热元件的故障诊断影响较小,故障元件的发热温度受测量误差影响更大.
导热反问题 过热元件 红外辐射 红外测温 共轭梯度法