采用扫描电声显微镜（SEAM）和电子背散射衍射（EBSD）对异质外延在Al2O3衬底上GaN界面区域成像测试分析。异质外延失配应力导致在Al2O3和GaN界面附近的微区晶格畸变在SEAM的声成像中可以清楚看到,而且受应力影响集中区域的微区衬度差异明显。利用EBSD色带图及质量参数分析了失配应力变化,晶格应变和弹性形变在200nm内可以得到释放。
GaN 扫描电声显微镜(SEAM) 电子背散射衍射(EBSD) 扫描电子显微镜(SEM)