分别采用Mg还原Nb2O5工艺、高能球磨工艺和Nb还原Nb2O5工艺制备了低价铌氧化物.结果表明:Mg还原Nb2O5工艺反应不易控制,产物物相复杂、粒度粗、粒形简单,以其为原料制作的阳极比容低、内阻高;高能球磨工艺制备的低价铌氧化物粒度细,比容可达107 mF·V/g,但由于引入了杂质,漏电流大;Nb还原Nb2O5工艺制备的低价铌氧化物具有优良的电性能,比容、损耗、漏电流(K值)分别达到69.5 mF·V/g、11.25%、1.8×10-4 μA/(μF·V),其电性能指标优于FTa16-300电容器钽粉国家标准.
低价铌氧化物 电解电容器阳极 电性能