分析了MOSFET静电损伤的机理,发现在静电应力期间,随着应力次数的增加,在SiO2体内和Si/SiO2界面同时产生潜在损伤积累.Si/SiO2界面较SiO2层体内更容易产生缺陷,而且缺陷浓度更大.用逾渗理论模拟了MOSFET中1/f噪声与边界陷阱浓度的关系,得出了与实验相一致的定性结果,为MOSFET静电潜在损伤的沟道漏源电流1/f噪声检测方法提供了理论依据.
静电 潜在损伤 无损检测 1/f噪声 逾渗