Ti-85wt.％Si合金熔体通过定向凝固后成功地实现了Si相的分离和TiSi2晶体的定向生长,研究发现,定向凝固下拉速度为15 μm/s时,铸锭的分离界面呈包裹式分布,而3μm/s时铸锭的分离界面横向分布在铸锭的中下部;当下拉速度为3 μm/s时,TiSi2晶粒出现层状结构并且沿某一确定方向生长,并且随着定向凝固的进行,富集层厚度逐渐增加,导致铸锭底部散热能力比侧壁散热能力弱,导致沿铸锭侧壁温度梯度大于沿铸锭底部的梯度,此时TiSi2将在侧壁形核并沿纵向温度生长,由于侧壁晶粒生长速度大于底部晶粒生长速度,使得分离界面出现弧形结构.当下拉速为3 μm/s时获得铸锭的富Si层中Si的质量分数最大,为79.9％.
Ti-85wt. Si合金 真空定向凝固 晶体生长 相分离