在IGBT关断过程中,过大的du/dt和di/dt将会引起器件的过电流和过电压,从而损坏器件.为了控制IGBT的开关特性,通常在栅极串联电阻,其大小与du/ dt和di/dt有直接关系.传统观点通常误认为串联电阻越大,关断过程中du/dt和di dt越小.针对此问题,基于IGBT器件关断过程的物理机理对栅极串联电阻与du/dt和di/dt的关系进行了分析,认为对于高电压等级的IGBT器件,随着栅极电阻的增大,其di/dt变化趋势反而会增大.通过对不同电压等级的IGBT器件进行测试,发现测试结果与理论分析一致.因此,选取合适的串联电阻对IGBT的安全使用至关重要,否则有可能因为过大的du/dt或di/dt而导致器件失效.
晶体管 栅极电阻 电压变化率 电流变化率