碳化硅和氮化镓是最有发展前途的半导体材料,可用于电力半导体器件的制造.与硅半导体电力电子器件相比,其优点是:标定阻断电压较高,功率损耗较低,工作温度较高,因此给这种器件增加了与硅器件竞争的活力.至于其发展水平,SiC肖特基二极管的标定阻断电压达1.2kV、电流20A,并已投入生产;SiC大功率二极管的研制水平,标定阻断电压达12.3kV,正向电流密度达100 A/cm2.预期在数年内,SiC与GaN器件将在因节能而著称的电力电子设备中得到广泛采用.
碳化硅 氮化镓 肖特基二极管 电力电子器件