辐射损伤等效性系数是评价不同中子能谱对样品的实验损伤差异的关键.利用晶体管直流增益的倒数与中子注量呈线性关系这一特点,采用参数一致性好的硅双极晶体管3DG121C作为位移损伤探测器,通过在线监测晶体管直流增益随累积中子注量的变化,分别获得了CFBR-Ⅱ堆两个特定位置的损伤常数,推导出了不同中子能谱间的辐射损伤等效系数.结果表明,CFBR-Ⅱ不同位置的辐射损伤没有显著差异.
辐射效应 损伤常数 等效性系数 硅双极晶体管 快中子临界装置