研究了低能电子入射单电离He原子的二重微分截面(DDCS),通过对散射电子三重微分截面在全空间的角度积分得到敲出电子的DDCS.分别用DS3C模型和BBK模型计算了入射能为26.3,28.3,30.3,32.5,34.3,36.5和40.7 eV时,低能电子入射电离He原子的DDCS;研究表明:DS3C的计算结果,除在低入射能(比如26.3 eV)和小敲出角之外,均能与绝对测量的实验结果较好地符合.此外,对直接和交换效应也进行了研究,给出了交换效应对截面的贡献.
二重微分截面 低能入射电子 交换效应