Cs2 LiLaBr6:Ce(CLLB:Ce)晶体n/γ双读出闪烁性能优异,其实用化瓶颈在于大尺寸、高光学质量晶体的生长.本研究采用非化学计量比配比,避开CLLB:Ce非一致熔融组分区域,通过改进研制坩埚下降法晶体生长炉,并优化温度场和降低坩埚下降速度等晶体生长工艺,从而克服组分过冷,保持生长界面稳定,得到了直径1英寸(1英寸=2.54 cm)的CLLB:Ce晶体毛坯,等径透明部分长度达40 mm,单晶比例由52％提高至79％,可见光区光学透过率达到70％以上.在137 Cs激发下能量分辨率达3.7％,在252 Cf激发下晶体的品质因子达到1.42,可以很好地甄别中子和γ射线.
CLLB:Ce 闪烁晶体 坩埚下降法 组分过冷 光学透过率 中子探测