基于GaAs衬底增强/耗尽型赝(E/D)工艺设计了K波段幅相控制多功能MMIC.该芯片对接收增益波动大采取了2bit微调数控衰减器的改善措施,同时内部集成放大器,数控衰减器,数控移相器等常用功能.测试结果表明:接收支路增益≥3dB,输出1dB压缩点≥1dBm;发射支路增益≥5dB,输出1dB压缩点≥4dBm;移相RMS≤5°,衰减RMS≤0.6dB.
增强/耗尽型pHEMT 幅相控制多功能 数控移相器 单刀双掷开关 数控衰减器