采用传统固相法制备(NaBi)0.5–x(KCe)xBi2Ta2O9(NBTO–x,0≤x≤0.15)无铅压电陶瓷,研究K/Ce离子含量对NBTO陶瓷结构和电学性能的影响.结果表明:所有陶瓷样品均生成了m=2的铋层状结构化合物,且未发现其他明显杂峰;随着K/Ce离子含量的增加,样品的Curie温度TC逐渐降低;K/Ce离子掺杂提高了样品的压电性能,压电常数d33随掺杂量提高呈现出先升高后降低趋势,当x=0.075时,样品的综合性能达到最佳:d33=19.0 pC/N,Curie温度TC=735℃,介电损耗tanδ=0.137％,体积密度ρ=9.113 g?cm–3;NBTO(x=0.075)陶瓷在600℃退火2 h,其d33仍高达17.8 pC/N,约为初始值(d33=19.0 pC/N)的93.7％,表现出良好的温度稳定性.
铋层状 高温压电陶瓷 电学性能