设计了一种GaAs PHEMT低噪声器件.通过电子束直写手段实现了0.15 μm Y型栅,对栅型优化以减小器件栅电阻和栅寄生电容.采用高In含量的沟道设计以改善沟道电子输运特性,采用InGaAs/GaAs复合帽层以改善欧姆接触特性,并通过低噪声工艺流程制作了4×50 μm GaAs PHEMT器件.测试结果表明,器件fT达到80 GHz,在10 GHz处最小噪声系数小于0.4dB,相关增益大于10 dB.对于0.15 μm栅长GaAs PHEMT器件来说,这是很好的结果.
砷化镓赝高电子迁移率晶体管 高铟沟道 Y型栅 复合帽层 噪声系数