针对谐振隧穿二极管(RTD)在通用电路应用中的局限性,提出并设计了自对准栅型谐振隧穿晶体管结构,进行了材料的分子束外延,采用传统湿法腐蚀、金属剥离、台面隔离和空气桥互连工艺,初步研制出具有较明显栅控能力的谐振隧穿晶体管(RTT)单管,其峰值电流密度高达80.8 kA/cm2,峰谷电流比为3.6,负阻阻值在20Ω左右.研究还发现,器件的峰值电流随栅压增大而减小,谷值电流随栅压增大而增大,而且出现零点分离.这些现象与栅的纵向位置控制不当有关,可以通过减小栅间发射极宽度,缩短栅与势垒层距离,和减小发射层掺杂浓度得到改善.
谐振隧穿晶体管(RTT) 负阻 自对准工艺