采用近空间升华法制备了CdZnTe薄膜,并对其进行CdCl2退火,采用扫描电镜（SEM）、能谱仪（EDS）、X射线衍射仪（XRD）、紫外光谱仪、I-V测试仪等研究了退火对薄膜表面形貌、成分、结构以及光电性能的影响。结果表明,经过CdCl2退火后薄膜的晶粒尺寸明显增大,晶粒分布更加均匀;XRD分析结果显示,退火后薄膜的最强峰（111）峰的半峰宽变窄,薄膜沿（111）方向的择优取向明显增强;退火后薄膜的光学透过率降低,截止边红移,光学禁带宽度减小;薄膜的电阻率在退火后下降了两个数量级。
近空间升华 CdZnTe 薄膜 CdCl2退火 Ⅱ-Ⅵ族半导体