利用0.25 μm GaAs PHEMT低噪声工艺,设计并制造了2种毫米波大动态宽带单片低噪声放大器.第1种为低增益大动态低噪声放大器,单电源+5 V工作,测得在26～40 GHz范围内,增益G=10±0.5 dB,噪声系数NF≤2.2 dB,1分贝压缩点输出功率P1dBe≥15 dBm;第2种为低压大动态低噪声放大器,工作电压为3.6 V,静态电流0.6 A(输出功率饱和时,动态直流电流约为0.9 A),在28～35 GHz范围内.测得增益G=14～17 dB,噪声系数约4.0 dB,1分贝压缩点输出功率P1dB≥24.5 dBm,最大饱和输出功率≥26.8 dBm,附加效率约10%～13.6%.结果中还给出了2种放大器直接级联的情况.
毫米波 宽带 大动态放大器 单片集成电路