导体微缺陷的存在会导致局部电场畸变,产生的微放电严重影响输电设备的绝缘安全.探索了一种使用等离子体表面改性技术,通过在导体表面沉积薄膜来抑制局部微放电的方法.利用高频高压电源激励的大气压低温等离子体射流对金属Cu表面进行改性,使用四氯化钛作为钛源在Cu表面进行化学气相沉积TiO2薄膜.探讨了改性过程中空气的加入和基板温度对放电特性及沉积薄膜质量的影响.实验结果表明,加入空气后,正半周期放电电流从一个脉冲变为两个脉冲,且电流幅值变小;通入40sccm空气,且基底加热至100℃为最优处理条件,此时沉积得到的薄膜Ti元素和O元素含量最高,分别为18.6％和43.5％,薄膜表面微观结构更均匀,结合更紧密,沉积2min时,薄膜厚度达到349 nm.薄膜功函数测试表明,沉积后Cu表面功函数有所提升,从未处理的4.65eV,提高至平均4.87eV.缺陷处电场分布模拟实验结果显示,沉积薄膜后,缺陷处的最大场强由未处理时的1.4×106 V/m降为9.89×105 V/m,对电场畸变情况有一定的改善作用.
大气压等离子体射流 表面改性 四氯化钛 二氧化钛薄膜 微放电