为研究互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺静态随机处理内存(SRAM)脉冲中子辐射效应机理，对 SRAM 翻转效应进行了蒙特卡罗模拟。该模拟基于脉冲中子辐照下 SRAM 翻转是单粒子翻转的叠加的假设，计算了单位翻转和伪多位翻转在总翻转数中的百分比。在西安脉冲反应堆上对3种特征尺寸商用 SRAM 开展了脉冲工况实验研究，得到了单位翻转和伪2位翻转数据，结合模拟结果分析了 SRAM在脉冲中子作用下的翻转机制。
脉冲中子 单粒子翻转 伪多位翻转 静态随机存储器