本文系统研究了氧离子注入剂量和退火温度对含有 Si-V 发光中心的微晶金刚石薄膜的微结构和光电性能的影响。结果表明，氧离子注入并在较高温度退火有利于提高薄膜中 Si-V 中心的发光强度。当氧离子注入剂量从1014 cm?2增加到1015 cm?2时，薄膜中 Si-V 发光强度增强。 Hall 效应测试结果表明退火后薄膜的面电阻率降低。不同温度退火时，氧离子注入薄膜的 Si-V 发光强度较强时，薄膜的面电阻率增加，说明 Si-V 发光中心不利于提高薄膜的导电性能。 Raman 光谱测试结果表明，薄膜中缺陷数量的增多会增强 Si-V 的发光强度，而降低薄膜的导电性能。
金刚石薄膜 氧离子注入 电学性能 Si-V 缺陷