采用射频磁控溅射技术制备了Ge，Nb共掺杂的锐钛矿结构TiO。薄膜，详细探讨了薄膜的结构、电阻率及光学带隙等性质随Ge，Nb掺杂量、溅射功率和热处理温度等参数的变化，发现Ge，Nb共掺杂可以同时调节Ti02薄膜的光学带隙和电阻率．体积分数约为6％Nb和20％Ge的共掺杂TiO2薄膜电阻率由10^4Ω／cm减小至10^-1Ω／cm，光学带隙由3．2eV减小至1．9eV．退火后掺杂Ti02薄膜不仅显示更低的电阻率，还表现出更强的可见．红外光吸收．结果表明，改变Ge，Nb的掺杂量和退火条件能够制备出电阻率和带隙都可调的TiO2薄膜．
Ge．Nb—TiO2薄膜 电阻率 光学带隙 磁控溅射