Ⅲ族氮化物是近年来半导体发光器件研究领域中的热点.由于InN,GaN,AlN及由其组成的连续变化固溶体合金所构成的半导体微结构材料,具有宽禁带宽电子漂移饱和速度高、介电常数小及导热性能好等特点,使其在制作短波长、高亮度的发光器件方面具有极其光明的前景.本文系统介绍了以氮化镓为代表的Ⅲ族氮化物基发光二极管的制造工艺.从工作原理、材料生长、掺杂和欧姆接触等各方面,介绍了各种氮化物二极管的不同器件结构和制造工艺.在介绍国际上最新制造技术的同时,对其发展前景做出了展望.
Ⅲ族氮化物 发光二极管 氮化镓 薄膜