目前研究准弹道输运纳米MOSFET散粒噪声的抑制时，采取了完全不考虑其抑制，或只强调抑制的存在而并未给出抑制公式的方式进行研究．本文基于Navid模型推导了准弹道输运纳米MOSFET散粒噪声，并得到了其在费米作用、库仑作用和二者共同作用三种情形下的抑制因子．在此基础上，对各抑制因子随源漏电压、栅极电压、温度及源漏掺杂浓度的变化特性进行了研究．两者共同作用的抑制因子随源漏电压和栅极电压变化特性与文献中给出的实验结论相符合，从而对实验上得到两者共同作用下的抑制因子随源漏电压和栅极电压的变化特性给出了理论解释．
散粒噪声 抑制因子 纳米MOSFET