设计并模拟计算了延伸波长至2.6 μm的复合盖层材料PIN结构In0.82Ga0.18As红外探测器,即PNN型盖层、PIN结构的In0.82Ga0.18As红外探测器.研究了不同厚度及载流子浓度的PNN盖层对探测器性能的影响.研究结果表明:在In0.82Al0.18As厚度为200 nm且载流子浓度为2E18、InAs0.6 P0.4厚度为50 nm且载流子浓度为2E17、In0.82Ga0.18As厚度为50 nm且载流子浓度为2E16时,探测器表现出最佳的性能.与传统PIN结构探测器相比,其相对光谱响应度仅降低10％,暗电流降低了1个数量级.计算分析了不同工作温度下的暗电流,结果显示:在120～250 K时,暗电流主要为缺陷隧穿电流;在250～ 300 K时,暗电流主要为带间隧穿电流;当温度大于300 K时,暗电流主要为产生-复合电流和扩散电流.
红外探测器 APSYS 盖层 光谱响应度 暗电流