利用蒙特卡罗方法,针对介质表面刻槽抑制二次电子倍增的实验现象,进行了数值模拟研究.给出了二次电子倍增动力学方程、刻槽边界条件、二次电子初始能量与角度分布以及发射率分布关系；讨论了槽深、槽宽对二次电子倍增的抑制效果,以及同一刻槽结构对不同微波场强度和频率的二次电子倍增抑制能力；分析了双边二次电子倍增区域.数值研究结果表明:增加槽深、缩短槽宽可以抑制二次电子倍增；同一刻槽结构,更易于抑制高频场、场强较低或较高下的二次电子倍增；刻槽尺寸的选择还应避开双边二次电子倍增区间.将数值模拟结果与相关实验现象进行了对比,吻合得较好.
高功率微波 介质表面二次电子倍增 表面刻槽 蒙特卡罗模拟