对光致发光谱中无黄光和有强黄光的两组GaN样品作了Si离子注入,研究了Si离子注入及退火温度对其黄光的影响.当退火温度升高时,不管是哪一组样品,其黄光强度和黄光强度与带边发光带强度之比都是增强的.无黄光的GaN样品在注入Si离子并经退火后出现明显的黄光;而有强黄光的GaN样品经相同处理后,其黄光强度较原生样品大大降低.实验结果表明离子注入加上适当退火会在GaN中引入与黄光有关的深受主缺陷从而使黄光强度增加,此外,在离子注入过程中GaN表面不仅可以吸附离子注入引入的点缺陷,而且还能够吸附GaN中原有的与黄光有关的点缺陷,这种吸附作用随离子注入剂量增加而变强.
GaN 离子注入 光致发光谱 黄光