设计了一种多频带可调谐的太赫兹超材料吸收器.在超材料吸收器的结构中,引入光敏半导体硅材料,设计特殊的顶层金属谐振器,分析开口长度、线宽、介质层厚度等参数尺寸对太赫兹超材料吸收器的吸收光谱特性影响.根据光照与光敏半导体硅电导率之间的关系,研究太赫兹超材料吸收器的频率调谐特性.仿真结果得到太赫兹波段的12个吸收频率调制,其中有10处吸收峰的吸收率超过90％近完美吸收,且有6处吸收率达到99％的完美吸收,而且吸收率调制深度和相对带宽分别达到85.9％和85.5％,具有很强的可调谐特性.设计的光激励太赫兹超材料吸收器结构简单,具有多频带可调谐和完美吸收特性,扩大了吸收器的应用范围.
太赫兹吸收器 超材料 光激励 多频带可调谐