利用Ge与不同衬底形成的不同晶格失配度来调节有盖层的张应变Ge量子点的光电特性.通过有限元方法模拟并获得张应变Ge量子点内的应变分布,而后通过形变势理论和有效质量近似计算得到量子点的电子结构.与无盖层张应变Ge量子点相比,有盖层Ge量子点能保持更大的应变量.另外,随着量子点尺寸和晶格失配度的增大,导带Γ谷与导带L谷的能量差缩减,最终使Ge转变为直接带隙材料.直接带隙能量随着量子点尺寸的增大而减小.该研究结果表明张应变Ge量子点是制备包含激光器在内的Si基光源的理想材料,在未来光电子应用中有巨大潜力.
张应变Ge 量子点 有限元 有效质量法 直接带隙