从器件表面势机理出发，考虑载流子浓度升高时费米势的变化，首次在二维泊松方程中引入新的费米势近似式，重构表面势源头方程，提出了一种直接基于表面势建立氮化镓高电子迁移率晶体管（GaNHEMT）器件模型的方法，建立了包括积累区和过渡区的物理基集约内核模型。表面势引入模型突破了现有的建模技术，给集约模型的建立提供可信的内核模型方程和理论基础。模型采用解析近似求解获得表面势，Pao—Sah模型验证可行性，I—V、C—V特性曲线与TCAD软件仿真的结果有很好的拟合，能准确描述各种偏置条件下GaNHEMT的电流、电荷特性。
表面势 集约内核模型 费米势 氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)