为了揭示低能带电粒子核反应中电子屏蔽效应与温度之间的关系,在德国鲁尔大学实验室的100kV加速器上系统测量了T=200℃时元素周期表中第三、四族以及镧系元素氘化靶中d(d,p)t反应的电子屏蔽效应.由于氘在介质中的溶度(介质对氘的吸附能力)随温度升高而迅速下降,该温度下金属表面不能形成氘化物,导致金属性增强,因而观测到了比常温下更显著的电子屏蔽效应.这一测量结果可以用德拜模型来解释.为了进一步验证德拜模型,还测量了不同温度下氘化Co和Pt靶中d(d,p)t反应的电子屏蔽效应,得到了电子屏蔽效应和温度相关性的曲线.实验结果与德拜模型的预言相符.
电子屏蔽效应 温度相关性 德拜模型