采用两步气相沉积法制备了大尺寸(150 μm左右)高质量的MAPbI3单晶,并通过对衬底表面修饰来调控晶体的成核位置.从衬底温度、栽气流速、时间效应等方面系统探究了影响PbI2晶体生长的因素.结果表明:该晶体生长的最优条件分别对应为350℃、20 sccm、20 min.将MAPbI3单晶放置在空气中50天后,其X衍射特征峰没有明显变化.最后分析该器件的光电特性,发现其开关比高达104,响应度为3.8×104 A/W,且具有较快的响应速度(上升时间:0.03 s;下降时间:0.15 s).该MAPbI3单晶光电探测器将在光电学领域有非常良好的应用.
甲胺基碘化铅单晶 大尺寸 高质量 光电探测器 响应度