使用微波等离子体技术（microwave plasma chemical vapor deposition，MPCVD）对膜厚100 μm的（100）和（111）晶面金刚石膜进行刻蚀处理，研究其抗氧等离子体的行为。结果表明：（100）晶面刻蚀首先发生在晶棱晶界处，而（111）晶面金刚石的刻蚀首先发生在晶面处；30 min刻蚀后，（100）面金刚石有明显晶面显现，（111）面金刚石膜晶面不明显；60 min刻蚀后，（100）和（111）晶面金刚石膜的择优取向消失；（100）晶面金刚石特征峰的半高宽值（full width at the half maximum，FWHM）由刻蚀前的8.51 cm–1上升至刻蚀后的12.48 cm–1，（111）晶面金刚石FWHM值由8.74 cm–1上升至148.49 cm–1；（100）晶面金刚石膜刻蚀速率在40 min时为0.35 μm/min，60 min时上升至1.34 μm/min；刻蚀前期，（100）晶面金刚石膜具有更好的抗氧等离子体刻蚀能力，刻蚀后期其抗刻蚀能力与（111）晶面金刚石膜相似。
金刚石膜 (100)晶面 (111)晶面 氧等离子体 刻蚀