提出一种成本低、简单易行的碳纳米管图形阵列制备技术.首先在硅基底上采用热解工艺生长碳纳米管(CNT)阴极,再用光刻腐蚀法制备阴极图形阵列.研究了掩模精度及腐蚀液的浓度对图形阵列的影响,对所得到的图形样品进行XPS分析表明,图形腐蚀彻底、图形边沿轮廓清晰;以二极管结构FED测试场发射性能知:该阴极开启场1.5 V/μm;在电场强度为2.0 V/μm下,电流密度为58 mA/mm2,发光亮度高达450 cd/m2.
碳纳米管 图形阵列 场致发射显示器