根据单电子系统半经典模型,采用蒙特卡罗法单电子模拟程序对电容耦合的类CMOS单电子逻辑单元在不同参数条件下的转移特性进行数值模拟.这种模拟器的物理内涵是通过建立n沟单电子晶体管(SET)开关单元、p沟SET开关单元以及互补型SET开关单元的电容电压电荷方程,然后根据隧穿前后系统自由能的变化来确定系统的隧穿率,建立电流-电压方程来决定开关特性而得到的.
单电子晶体管 纳米隧道结 库仑阻塞 单电子隧道效应