ZnO是一种直接带半导体材料,在光电领域中和GaN一样受到关注.ZnO不仅有与GaN相似的晶体结构,而且它的激子结合能高达60meV,是GaN的2.4倍.采用射频(RF)磁控溅射法在n-Si(001)衬底上生长ZnO薄膜,XRD谱测量显示出氧压对ZnO薄膜的晶体结构有显著影响.用波长为325nm的激光激发,观察到在445 nm处有一强的光致发光峰,它来自于氧空位浅施主能级上的电子跃迁到价带,分析了发光峰与氧压的关系以及退火对它的影响.
ZnO薄膜 射频磁控溅射 光致发光 氧压