作为集成电路的电阻单元，掺硼的多晶硅电阻在千欧级的范围内存在阻值不稳定性，尤其在金属连线下更为严重．分析了不同工艺条件下制作的多晶硅电阻电特性和晶格特性．结果表明，阻值的不稳定性主要由载流子迁移率改变引起．通过测试和运用Seto’s模型计算进一步发现，在铝连线底下势垒高度和俘获的电荷密度均有降低．电荷的俘获／反俘获在多晶硅晶粒边界发生引起势垒高度的变化，从而导致阻值不稳定．然后，借助于补偿的离子注入制作了高稳定的、阻值在千欧级的多晶硅电阻．该方法使得多晶硅晶粒边界电荷的俘获／反俘获对氢退火不敏感．
多晶硅 互连