通过改变制备条件，研究了Ag-Si02薄膜中的缺陷对电阻翻转效应的影响．对比不同的热处理实验条件，发现在120℃退火的样品经forming过程后具有稳定的电阻转变特性；另一方面，在Ar／O2混合气氛下生长的SiO2具有比在纯Ar下生长的样品更加稳定、重复的电阻转变特性．通过实验分析，表明热处理、电场作用和样品制备气氛可以改变、调节样品中的缺陷分布（Ag填隙原子和氧空位缺陷），从而导致Ag-Si02中基于缺陷的导电通道结构的形成和湮灭，提出了提高电阻翻转稳定性的不要条件。
电阻翻转效应 缺陷 热处理