采用磁控溅射技术,以N2作为p型掺杂源,制备p型N掺杂ZnO薄膜,着重研究了不同掺杂量的N掺杂ZnO薄膜的光学特性.结果表明,掺杂ZnO薄膜在360 nm、380 nm处出现主荧光峰,409 nm、440 nm处出现次荧光峰,而且随着N掺杂量的不同,主、次荧光峰-峰位和强度都会发生变化.当O2:N2的体积流量比为15:5时,薄膜中N含量最大,荧光谱中发光峰强度最佳,霍尔效应检测薄膜具有明显的p型导电特征.
p型掺杂 光致发光(PL)谱 磁控溅射 受主杂质 缺陷浓度 红移 蓝移