在考虑材料吸收的基础上,利用转移矩阵法计算一维掺杂声子晶体的透射率,研究材料的衰减系数对声子晶体禁带和缺陷模的影响.结果表明:材料的吸收不影响禁带的中心位置和宽度,也不影响缺陷模的中心位置;由于材料的吸收,禁带两侧边缘的透射率减小(均小于1);禁带两侧边缘的透射率和缺陷模的透射率随材料衰减系数的增加而减小,而缺陷模的半高宽随衰减系数的增加而增大;介质的吸收比杂质的吸收对禁带的影响显著,杂质的吸收比介质的吸收对缺陷模的影响显著.
声子晶体 衰减系数 禁带 缺陷模