制备了GaN基金属-绝缘层-半导体(MIS)结构紫外探测器,并测量了其暗电流和光谱响应.通过分析其暗电流,发现在反偏情况下,其主要电流输运机制为隧穿复合机制；在正偏情况下,随着偏压的增大,电流输运机制从隧穿机制变为空间电荷限制电流机制.光谱响应测试结果显示,该探测器在-SV的偏压下,在315 nm处获得了最大响应度170 mA/W,探测度为2.3×1012 cm·Hz1/2·W-1.此外,还研究了不同厚度1层对器件光电压的影响,结果表明,光电压受隧穿机制与漏电流机制的共同制约.
氮化镓 氮化硅 探测器 电流输运机制