本工作对铈离子掺杂多晶硅酸镥(LSO:Ce)闪烁材料的制备方法进行了系统研究.将 LSO:Ce 前驱体溶胶喷雾干燥后得到了球形LSO:Ce前驱粉体, 该前驱粉体在1000℃和1100℃的温度下煅烧后分别得到了不同晶型的的单相LSO : Ce球形粉体.显微结构观察显示: 粉体颗粒的平均直径约为2 μm, 是由几十纳米大小的LSO:Ce纳米晶粒堆积而成.A型球形LSO:Ce粉体经1200℃/80MPa的放电等离子体烧结(SPS)后获得了平均晶粒尺寸为1.3 μm,相对密度高达99.7%的LSO:Ce闪烁陶瓷.由A型球形LSO:Ce粉体压制的素坯在1650℃的空气气氛下烧结4 h后可获得相对密度达98.6%, 平均晶粒尺寸为1.6 μm的LSO:Ce陶瓷.该陶瓷经1650℃/150 MPa的热等静压(HIP)处理1 h后, 获得了相对密度为99.9%的半透明LSO:Ce闪烁陶瓷, 其平均晶粒尺寸为1.7 μm, 晶界干净.该LSO:Ce陶瓷的光产额可达28600 photons/MeV, 发光衰减时间为25 ns.
硅酸镥 制备 SPS HIP 闪烁陶瓷