首次对半超结RC-TIGBT与传统RC-TIGBT的正向导通机理进行了比较研究.通过Silvaco TCAD软件仿真,模拟研究了Ydrift值、P-集电区宽度与N+短路区宽度等关键参数对Snapback效应的影响.结果 表明,回退电压点随着Ydrift的减小而减小,且与Ydrift呈线性关系.对于底部集电极尺寸而言,回退电压点与P-集电区宽度有关,与N+短路区宽度基本无关.基于仿真结果,给出半超结RC-TIGBT的等效电路,并详细分析了半超结技术能抑制Snapback效应的原因.最后,对半超结RC-TIGBT的结构参数进行设计,提出一种能减小Snapback效应的有效方法.
逆导IGBT 超结 负阻效应 集电极尺寸