碳化硅（SiC）单晶多采用物理气相传输（PVT）法及籽晶顶置工艺生长，典型的生长界面包括略凹、近平微凸、略凸三种生长界面，在100 mm（4英寸）掺钒（V）半绝缘4H-SiC单晶生长过程中，需要研究不同生长界面对SiC单晶电阻率的影响，得到合适的生长界面。在近似的生长条件下，采用略凹、近平微凸、略凸三种生长界面生长出100 mm掺V半绝缘4H-SiC单晶，加工后进行了电阻率测试、应力等测试，结果表明近平微凸生长界面易于调整掺杂浓度，晶体缺陷少，适合生长电阻率均匀的掺V半绝缘4H-SiC单晶，且晶体出片率高。
掺钒半绝缘 4H-SiC 电阻率 应力