由于碳化硅(SiC)外延材料中缺陷的影响,目前SiC结势垒肖特基(JBS)二极管实际性能仍低于理论预期.通过4H-SiC外延材料生长和表征、4H-SiC JBS二极管制作和器件特性测试分析,研究了表面缺陷对4H-SiCJBS二极管反向特性的影响.结果 表明,当金属接触区或场限环区有彗星形缺陷或彗核存在时,器件击穿电压较低.胡萝卜缺陷会造成反向偏压较低时器件漏电流的增大,对器件的击穿电压影响不大.生长坑对器件的击穿电压和漏电流影响相对较小.三角形缺陷的存在会导致反向击穿电压降低约50％,漏电流增大4个数量级,对器件的反向特性有较严重的影响.分析认为,表面缺陷所导致的4H-SiC JBS二极管肖特基势垒高度的降低和缺陷处局部电场的增大是产生上述实验现象的主要原因.
结势垒肖特基二极管 碳化硅 表面缺陷