在高能激光系统中,反射膜的损伤生长特性和初始损伤一样重要.对薄膜损伤生长特性的研究将有助于探究反射膜损伤机制,从而进一步有效地提高其抗激光损伤能力.使用电子束蒸发(EB)和离子束辅助(IAD)两种工艺制备了1064 nm波长下的HfO2/SiO2反射膜,利用四种尺寸的单分散的SiO2小球形成人工节瘤,来研究薄膜镀制工艺和节瘤尺寸对节瘤损伤生长特性的影响.激光损伤测试结果表明:节瘤损伤生长阈值基本随节瘤尺寸的增加而减小.EB工艺制备的反射膜中,四种尺寸节瘤的损伤生长阈值都高于其初始损伤阈值,而IAD工艺制备的反射膜中结果则相反.另外,IAD工艺要比EB工艺制备的反射膜中的节瘤在发生初始损伤后更易于损伤生长,说明薄膜镀制工艺对节瘤的损伤生长速度有一定的影响.
人工节瘤 激光损伤 损伤生长 镀制工艺