室温下采用射频磁控溅射法,在硅衬底上制备了Y2O3-TiO2氧化物复合薄膜.利用XRD(X-ray diffraction)和AFM(atomic force microscopy)分析观察了退火前后样品的物相、形貌等变化,讨论了致密薄膜的生长机理.实验发现,溅射功率越大,薄膜的平整度和致密度越好.对热处理前后样品的结晶结构和表面形貌的分析结果显示,在本实验参数范围内,随着溅射功率的增大,更多的Y2O3填入TiO2周围的孔隙、抑制了TiO2大颗粒的形成,改善了薄膜的平整度和致密度.热处理后的XRD测试结果还表明,Y2O3的掺入还抑制了TiO2锐钛矿晶粒的形成,有利于制备以金红石为主相的高介电常数薄膜.
Y2O3-TiO2薄膜 表面形貌 原子力显微镜 磁控溅射