利用Silvaco TCAD仿真软件对p+n-n+结构二极管在反向击穿情况下的电场分布进行了仿真分析,雪崩载流子浓度的升高改变了耗尽区的电荷密度,因此电场分布形状发生改变,当雪崩击穿电流达到一定值时,在nn+结处出现第二个电场尖峰,从而引发双雪崩现象.双雪崩会导致负微分电阻现象发生,以致形成电流丝,造成器件损坏.为抑制nn+结的电场尖峰的出现,在n区n+区之间引入缓冲层,缓冲层能起到延缓nn+结的电场尖峰的出现,从而提高二极管的雪崩击穿耐量.
双雪崩 电流丝 缓冲层 雪崩击穿耐量