采用金属辅助化学腐蚀法制备了多晶黑硅,并研究了极低浓度NaOH溶液对扩孔后黑硅结构的圆化作用及其对多晶黑硅太阳电池性能的影响.用扫描电镜(Scanning electron microscope,SEM)和量子效率(Quantum efficiency,QE)测试仪对黑硅表面形貌及黑硅电池性能进行了表征.结果表明,利用极低浓度的NaOH圆化扩孔后黑硅的尖端及棱角可以减少表面复合的影响.处理后的黑硅表面孔洞均匀且平滑,黑硅太阳电池400～900 nm可见光波段平均反射率为4.15％,批量生产的电池平均转换效率达到17.94％,比常规酸制绒工艺制备的电池平均转换效率提高了0.35％.
黑硅 微结构 圆化处理 反射率 太阳电池