利用正电子湮没寿命谱(PAT)和X光电子能谱(XPS)的测试手段,对不同化学配比钨酸铅晶体中缺陷进行研究,结果表明丰w样品增加晶体中铅空位(Vpb)浓度(物质的量比)、而丰Pb样品则减少晶体中Vpb浓度这一结论对大尺寸钨酸铅晶体生长过程中关于温度梯度、生长速度和加温制度的有效选取具有一定的参考作用并结合发射谱的测试,提出钨酸铅晶体中的绿发光很可能产生于由Vpb引起的WO3+O-.
钨酸铅晶体 发射光谱 正电子湮没寿命谱 X光电子能谱