氮团簇离子N+10注入单晶硅直接诱发其表层转化为纳米晶结构,导致光学性质发生显著变化.在250-320 nm波段的紫外光激励下,在330-500 nm光区出现明显的光发射带,并在360 nm附近产生强度极高、单色性良好的发射峰,其强度达到N+注入试样或基底的5倍,是N+2注入试样的1.5倍.在可见光区的730 nm附近和近红外区的830 nm附近也出现发光带.所有上述发光都非常稳定,可长时间保持其发光效率不变.这表明注入层已形成一种品质优良的光致发光材料.
光致发光 团簇离子注入 硅单晶 纳米晶结构