报道了一款采用0.25 μm GaN HEMT工艺研制的1～8 GHz超宽带分布式功率放大器芯片.通过在芯片的输出端设计超宽带巴伦结构,来实现负载阻抗变换,以提高分布式电路的输出功率和效率特性.为了提高电路的增益,设计了一种两级非均匀式的电路拓扑结构.该芯片在1～8 GHz频率范围内,漏压28 V连续波条件下,线性增益大于25.8 dB,功率增益大于23.2 dB,典型饱和输出功率为10 W,功率附加效率大于28.8％.芯片面积为3.5 mm×3.3 mm.
超宽带 巴伦 高效率 分布式功率放大器