探讨了GaN MOSFET的几种实现方法及其原理,采用标准的光刻剥离工艺,成功设计并制作出了3种不同结构的GaN MOSFET,最后对其沟道迁移率及界面态密度等进行了表征,并对实验结果中出现的一些现象进行了分析.实验结果表明,采用掺杂AlGaN异质结结构的GaN MOSFET,其沟道迁移率达到151.1 cm2·V-1·s-1,界面态密度达1.31×1011个/(cm2·eV),是一种较理想的GaN MOSFET结构.
金属氧化层半导体场效应晶体管 结构 表征