采用射频磁控溅射法制备了多组SiC薄膜样品.用Alpha-Step IQ台阶仪测量了SiC薄膜的厚度,用MHT-4显微硬度仪测量了维氏硬度,用AFM分析了薄膜的表面形貌.结果表明,溅射功率影响薄膜的硬度;适当加大溅射功率,有利于SiC薄膜的生长;存在一个薄膜生长最优化功率窗口;超过功率窗口后继续加大功率,导致沉积层的反溅射率增大,影响薄膜的良好生长.针对薄膜中的应力存在问题提出了相应的解决方法,并用原子力显微镜(AFM)观察薄膜表面形貌,从形貌方面来分析溅射功率对硬度的影响.
SiC薄膜 射频磁控溅射 力学性能 应力 薄膜硬度