利用热丝化学气相沉积法(HFCVD),在硅片衬底上进行微米级(＞1 μm)及亚微米级(＜1 μm)单晶金刚石的沉积研究.微米级金刚石是以高温高压法(HPHT)制备的1μm金刚石颗粒为籽晶,通过甩胶布晶的方法,在衬底上均匀分布晶种,并通过合理控制沉积工艺参数,在衬底上形成晶形完好的单晶金刚石.在沉积2h后,可消除原HPHT籽晶缺陷,沉积6h后,生长出晶形良好的立方八面体金刚石颗粒(约4 μm)；对于亚微米级单晶金刚石,是直接在衬底上进行合成,通过调控沉积参数(如衬底预处理方法,偏流大小,沉积时间)对单晶金刚石的分布密度和颗粒度进行控制,经过2h的沉积,最终获得了0.7μm的二十面体单晶金刚石.
热丝化学气相沉积法 微米级单晶金刚石沉积参数