采用低温分子束外延法(LT-MBE)制备出Ga0.946Mn0.054As稀磁半导体(DMS)薄膜.通过X射线吸收谱(XAS)研究影响Ga0.946Mn0.054As薄膜性质的主要缺陷Mn间隙原子(Mn1)和As反位原子(AsGa).实验结果表明,在较低生长温度(Ts=200℃)下Ga0.946Mn0.054As晶格中缺陷分布以As反位原子(AsGa)为主;较高生长温度(Ts>230℃)时样品中主要缺陷是Mn间隙(Mn1)原子.同时,在较高低温退火温度(250℃)下可以使样品内部Mn1向表面大量析出,减少反铁磁相,达到最高居里温度(130 K).XAS结果还表明,退火可以使得表面的AsGa缺陷脱附,驱动周围的Mn1原子填补AsGa缺陷留下的空位,提高MnGa原子浓度.
Ga0.946Mn0.054As稀磁半导体 X射线吸收谱 As反位缺陷 Mn间隙原子