基于HfNx:Zn薄膜材料制备了阻变式随机存储器,获得了良好的阻变可靠性,并观察到负微分电阻现象.Au/HfNx:Zn/Pt器件表现出快速的擦写速度(<150 ns)、优异的循环耐受性(>103)、长时间保持性(85℃时>105 s)、较小的开启/关闭电压波动性(3.5％/8.5％)和较低的高阻/低阻波动性(13.5％/10.1％).Zn元素的掺入为薄膜引入了大量的N空位缺陷态,根据器件运行的I-V拟合曲线,得知器件阻变机制与N空位缺陷的存在有直接的关系.
阻变存储器 氮化铪薄膜 氮空位缺陷 负微分电阻