在显示器件薄膜晶体管(thin film transistor,TFT)以及半导体制造工艺过程中,各个环节都有可能产生静电放电(electrostatic discharge,ESD)现象,引起器件性能下降,甚至破坏器件.本文结合生产工艺的实际情况,采用统计方法首先对某工艺环节的ESD现象进行定位,在此基础上结合聚焦离子束(focus ion bond,FIB)等试验结果,对其机理进行认真的分析研究,从设计和工艺改善两个方面出发,提出解决方案,收到了良好的改善效果,取得巨大的经济效益.
薄膜晶体管工艺过程 静电放电 聚焦离子束