采用助溶剂缓慢降温自发成核法生长钛酸铋Bi4Ti3O12(BIT)单晶,晶体呈淡黄色,尺寸达到40mm×20mm×0.4mm.BIT单晶(001)面生长速度最慢,其(001)面成为热力学上稳定存在的自然显露晶面.在光学显微镜下观察到BIT晶体中出现的两种缺陷:包裹体和枝晶,对其形成的机制进行分析并提出了减少和消除缺陷的相应措施.用光学显微镜对BIT单晶的90°电畴结构进行了较好的观察和分析.
BIT单晶 助溶剂法 生长形貌 缺陷 电畴结构