石墨烯晶体管因其超高响应频率和超小的体积成为新一代半导体基础器件的发展趋势.针对不同结构的石墨烯晶体管在电学特性上存在差异,通过化学气相沉积法(CVD)在铜箔上生长石墨烯薄膜,转移石墨烯薄膜到Si/SiO2基底上,经过光刻、等离子体刻蚀、电子束蒸发和ALD等工艺制备出顶栅结构的石墨烯晶体管和背栅结构的石墨烯晶体管,通过测试两种结构的石墨烯晶体管,比较了顶栅结构的晶体管和背栅结构的晶体管的栅调制效果和开关比.分析得到,顶栅结构的石墨烯晶体管的栅调制效果和开关比好于背栅结构的石墨烯晶体管.
石墨烯 晶体管 氧等离子体刻蚀 狄拉克点 开关比 栅调制