采用CVD法合成了SiC(N)纳米粉体.在NH3流量为0～480ml/min范围内,合成了氮原子百分含量随NH3流量逐渐增大的一系列SiC(N)纳米粉体.研究了SiC(N)纳米粉体的介电常数和介电损耗角正切与粉体组成的关系.发现介电常数的实部、虚部和介电损耗角正切均随粉体中氮原子摩尔分数的升高而降低.依据粉体的介电常数设计了双层吸波涂层,涂层的吸波效果随粉体氮含量的升高而降低.N原子取代SiC晶格中C产生的带电缺陷在电磁场作用下的极化弛豫是SiC(N)纳米粉体吸波的主要机理.
SiC(N)纳米粉体 介电常数 反射率 吸波机理