采用热注入法制备了粒径为7.9 nm的Cu12 Sb4 S13量子点(CAS QDs),并利用旋涂法在室温下制备了结构为FTO/CAS QDs/Au(其中FTO为导电玻璃)的阻变存储器(RRAM).在光照条件下,该三明治结构的RRAM呈现典型的双极性阻变开关特征,具有-0.38 V/0.42 V的低工作电压和105的高阻变开关比,并表现出优异的数据保持性和耐久性.在持续工作1.4×106 s和经过104次快速读取后,器件阻变性能变化率小于0.1％.在光照和电场共同作用下,S2-导电通道的形成与破坏和FTO/CAS QDs界面肖特基势垒高度的调制是FTO/CAS QDs/Au在高阻态与低阻态之间转变的原因.
光照 全无机Cu12Sb4S13量子点 阻变性能 阻变存储器