采用在多孔载体上预投分子筛晶种,再用水热晶化的二次生长的成膜方法合成X型分子筛膜.通过三次晶化操作,SEM显示多孔载体上负载生长的分子筛膜厚约15 μm.分子筛膜的He和N2的渗透率下降为载体渗透率的1%以下,纯三丁胺与全氟三丁胺的渗透率之比为21(350℃).但表征结果显示,膜层内存在缺陷.本研究采用了化学沉积与积炭处理相结合的二步修饰法来消除缺陷.结果表明,经二步修饰后,X型分子筛膜用三丁胺和全氟三丁胺的蒸气测试其渗透率,发现渗透侧全氟三丁胺几乎收集不到,比未修饰的膜的渗透率有很大提高,说明修饰对X型分子筛膜的非沸石孔道的消除很明显.
分子筛 膜 制备 沉积 积炭 渗透性