采用反应直流磁控溅射法在镍锌铁氧体基片上制备的TaN薄膜电阻器,由于镍锌铁氧体基片表面平整性差,散热性能低,制得的电阻器功率为1W.通过制作CaO-Al2O3-SiO2(CAS)玻璃釉,以丝网印刷的方式对基片表面进行处理,再经过850℃烧结处理,得到具有一定表面平整性的基片.基于处理后的铁氧体基片制作的TaN薄膜功率电阻器的功率显著提高,从1W提升到了2.5W.
镍锌铁氧体基片 TaN薄膜电阻器 CAS玻璃釉 功率