瞬态电子碰撞激发机制因其能产生高增益系数、具有高重复频率和实验器件的小型化成为目前研究的热点[1],实验和模拟表明,类氖锗19.6 nm x光激光的峰值增益系数出现在基频光临界面附近,即电子密度为～1×1021cm-3,我们知道增益系数与电子密度的平方成正比,所以高的电子密度,应该能够得到高的增益系数,设计了一系列的实验模型并对其进行了数值模拟,研究了瞬态电子碰撞激发类氖锗19.6 nm x光激光在基频光临界密度(1×1021cm-3)以上区域中产生增益系数的特点,并与我们以前模拟的基频光临界面附近的结果（暂称为模型I）相比较.
瞬态电子碰撞激发 类氖锗 x光激光 增益