本文用光致发光(PL)光谱对Si0.87Ge0.13/Si异质结的缺陷进行了研究.对PL光谱中与SiGe外延层应变驰豫产生的失配位错相关的D-Band进行了分析,发现应变驰豫同时在SiGe层和Si衬底中诱生了位错.由于在PL光谱中观察到了D1而没有观察到D2,因此D1,D2很可能并不对应于相同的位错.通过进一步的分析,我们推测引起SiGe/Si异质结的PL光谱中D-Band的位错的微观结构很可能和Si-Si相关.
SiGe/Si异质结 PL光谱 位错 D-Band发光