利用直流磁控溅射,在镍锌铁氧体基片上制作的TaN薄膜电阻器,受到铁氧体表面及内部结构特性差且导热系数低的影响,功率密度只能达到0.91 W/mm2.利用射频磁控溅射,在铁氧体基片与薄膜电阻器间镀上1.5 μm厚的A1N薄膜缓冲层,可有效改善基片的表面特性及散热能力.带A1N薄膜缓冲层的TaN薄膜电阻器的功率密度可达3.76 W/mm2.
磁控溅射 镍锌铁氧体基片 AlN薄膜缓冲层 TaN薄膜电阻器 功率密度