采用金属有机分解法(MOD)在P型Si(111)衬底上制备了Pb0.85Sm0.1TiO3(PST)薄膜.用X-射线衍射技术研究了退火温度对薄膜的结构和结晶性的影响.同时还研究了薄膜的介电、铁电和绝缘性能.结果发现在600℃下退火1 h的PST薄膜呈钙钛矿结构;在0～16 V范围内,薄膜的漏电流小于1.17×10-7A;在土10 V的偏压范围内,电容-电压(C-V)记忆窗口宽度为4.5 V;在室温10 kHz下,其介电常数为37.25,介电损耗为0.042.
金属有机分解法 Pb0.85Sm0.1TiO3 铁电薄膜