利用共晶炉,采用Au80Sn20共晶焊片对GaAs微波芯片与MoCu载体进行了共晶焊接.利用推拉力测试仪、X射线衍射仪对焊接样品的焊接强度和孔洞率进行了测试.采用正交试验法分析了焊料尺寸、焊接压力及温度曲线等工艺参数对共晶焊接的影响.研究发现:各因素影响主次顺序为焊接压力、焊接曲线、焊片大小;当焊料尺寸为70％,焊接压力为0.001 N/mm2,选用优化的温度曲线时,共晶焊接效果最优,孔洞率小于1％,剪切强度大于50 N,满足GJB 548B的要求.
微波芯片 Au80Sn20焊片 共晶焊接