在同时考虑磁场和高温高压的情况下,应用么正变换和线性组合算符法,研究了电子自旋对弱耦合二维磁极化子自陷能的影响.对InAs半导体所作的数值计算结果表明,不同方向的电子自旋使弱耦合二维磁极化子的自陷能分裂为二.分裂的程度随磁场的加强而加剧.随着磁场或温度的增加,磁极化子的自陷能减小而电子自旋能量与磁极化子自陷能之比增大.当磁场足够强或温度足够高时,电子自旋能量与磁极化子自陷能之比是很大的.
弱耦合 自旋 自陷能 磁场效应 高温高压效应