氢同位素在材料中的扩散、捕获和滞留等行为可通过热脱附谱实验方法进行研究.为实现对同时含有氘氦的钨材料进行热脱附测量并研究钨中氘氦滞留行为,搭建了1套基于高分辨四极质谱仪的热脱附实验系统 HiTDS.HiTDS实现了1.2×10－6Pa的高本底真空度,速率为1 K/s的精确线性升温,最高加热温度达1 423 K,能准确测量样品中气体元素的脱附速率和脱附量.通过配备高分辨四极质谱仪,HiTDS可快速分辨氘氦元素并测量其脱附速率.HiTDS经过调谐校准、标定系数标定后,对氘氦等离子体辐照钨样品进行了热脱附测量.测得的氘氦热脱附谱显示,纯氘脱附量与剂量正相关,而氦的引入显著抑制氘滞留并使其趋于饱和.热脱附实验结果与类似辐照条件的其他研究成果基本一致,检验了该实验方法的有效性.
氘 氦 热脱附 高分辨