采用基于第一性原理的密度泛函理论平面波超软赝势方法计算了（2×2）GaN（0001）清洁表面的能带结构、态密度、表面能、功函数和光学性质.发现弛豫后GaN（0001）表面的能带结构发生较大变化,表面呈现金属导电特性,导带底附近存在明显的表面态,在偶极矩的作用下表面电荷发生转移,Ga端面为正极性表面;计算获得了GaN（0001）表面的表面能和功函数分别为2.1 J·m~（-2）和4.2 eV;比较分析了GaN（0001）表面和体相GaN的光学性质,发现两者存在较大差异.
GaN(0001)表面 电子结构 光学性质 功函数