以高纯五氧化二钒(V<,2>O<,5>)粉末(纯度≥99.99%)为原料,采用真空蒸发--还原工艺制备出VO<,2>(A)型薄膜(A表示发生热致相变的薄膜).讨论退火温度对VO<,2>(A)型薄膜表面形貌的影响,并进一步研究表面形貌与薄膜光电性质的相关性.结果显示:当退火温度从500℃升高到540℃,VO<,2>(A)型薄膜中层状特征减弱并消失,山峰状颗粒出现并增大,当退火温度继续升高,VO<,2>(A)型薄膜中山峰状颗粒是先减小再增大,但是其尺寸趋于一致,约为50 nm;随着VO<,2>(A)型薄膜形貌的改变,相变温度点、数量级、热滞回线宽度等相变性能参数也会改变;CO<,2>(A)型薄膜相变温度点降低,其在所测波段的透过率会降低,但只有在中红外波段,薄膜在相变前后透过率的改变量与电阻变化的数量级有关.
VO2(A)型薄膜 退火温度 表面形貌