基于第一性原理方法系统研究了化学有序结构AlxGa1-xN合金的结构特征和电子性质.结果表明:随着组分x的增大,化学有序结构AlxGa1-xN合金的晶格常数逐渐减小,而结构稳定性变强.计算的电子结构揭示:化学有序结构AlxGa1-xN合金是直接带隙半导体,其带隙随着x的增大而变宽.化学有序化对带隙变化的影响可能源于量子阱的局域化,且化学有序结构AlxGa1-xN的化学键是包含明显离子特性的共价键.
AlxGa1-xN 化学有序 能带结构 第一性原理 半导体