把1×1016/cm2的200 kev Mn离子注入p型Si单晶(100)片中,在N2气氛下进行600℃、700℃、800℃和900℃退火,制得SixMn1-x稀磁半导体.用同步辐射X射线衍射技术研究样品结构,发现Mn的注入和退火导致了Si结晶颗粒的产生,随退火温度升高,间隙位的Mn原子逐渐减少,替代位的Mn原子增加,同时晶格发生膨胀.间隙位和替代位Mn原子间的相互作用导致样品的铁磁性增强.
稀磁半导体 离子注入 X射线衍射