以Si粉、SiO2粉和人造石墨为原料，在1480℃、4 kW、80 min的真空微波辐照条件下快速高效地合成SiC纳米线。利用SEM、TEM、XRD等对所得产物的微观结构解析表明，在未使用催化剂的条件下，基于气固( VS)机制可成功制备出β型SiC。根据坩埚中的部位不同，所得SiC呈现出不同的形貌。坩埚上层的产物呈亮绿色，较为纯净，主要为直径约150 nm的纳米棒，并含有部分微米级SiC晶粒，表面氧化迹象不明显。其余部分产物呈灰绿色，主要是直径为20~50 nm的SiC/SiO2同轴纳米线(表层的SiO2厚度约2 nm)，并夹杂有未反应完全的石墨和SiO2。利用波长为240 nm的激发光分别对SiC纳米棒和同轴纳米线的光致发光特性的测试表明，两者均可观察到峰位在390 nm左右的发射峰，此结果与所报道的β-SiC纳米材料的发光性能相比，蓝移程度更高。
微波法 碳化硅 纳米线 结构表征 光致发光