研究了纳米SiC粉体和纳米SiC(N)复相粉体在8.2～12.4 GHz频率范围的介电特性及其与微波的作用机理,发现纳米SiC(N)复相粉体介电常数的实部(ε′)和虚部(ε′′)在8.2～12.4 GHz范围内随频率增大而减小,介电损耗(tgδ=ε′′/ε′)较高,是较为理想的微波吸收材料.纳米SiC粉体的ε′、ε′′和tgδ明显小于纳米SiC(N)复相粉体的,对微波的吸收不理想.提出了纳米SiC(N)复相粉体对微波的吸收机理.纳米SiC(N)复相粉体中的SiC微晶固溶了大量的N原子,在纳米SiC(N)复相粉体中形成大量的带电缺陷,这些带电缺陷在电磁波交变电场作用下产生极化耗散电流,强烈的极化弛豫过程导致大的介电损耗.
纳米SiC(N)复相粉体 纳米SiC粉体 微波介电特性 作用机理