直流放电等离子法制备纳米GaN颗粒中的氮缺乏可导致空位形成.在电子显微观察的电子辐照条件下,这些N 空位将进一步凝聚,形成一个a= 2 209nm,b= 3 826nm, c=1 037nm,α=β=γ=90°的调制结构.随着电子辐照剂量增加,纳米颗粒中心将出现空洞,同时使该区的金属镓离子迁移到颗粒的表面.电子显微分析及分子力学理论计算表明,这种新的调制结构系空位的有序排列所致.在此基础上,进一步研究了InGaN/AlGaN 的双异质结薄膜结构中直径约为50nm的空洞存在与发光失效的关系,讨论了N 空位的聚集与空洞形成的关系.
纳米Ga N 调制结构 高分辨透射电子显微术 选区电子衍射 分子力学