采用直流反应磁控溅射法在氧化铟锡(ITO)玻璃上溅射一层掺氧含量为30％的氧化钨薄膜(WOx),并在此基础上溅射了掺氧含量不同的氧化钽薄膜(TaOx).利用X射线衍射仪以及能谱仪对氧化钽薄膜的物相结构以及元素的相对变化量进行了分析,使用扫描电子显微分析了薄膜的表面形貌,采用紫外分光光度计与电化学工作站配合测量薄膜的透射率,对薄膜的电致变色性能进行了研究.结果表明:所溅射的氧化钽薄膜均为非晶态结构,随着掺氧含量的增加,薄膜氧含量越接近71.4％,薄膜对氧化钨的保护性能呈现下降趋势,并在氧含量为70.08％时得到对氧化钨的最优保护性能,此时电致变色薄膜着色响应时间为21 s.添加氧化钽薄膜减少了电致变色薄膜的开关峰值电流与泄漏电流,使得器件的充电容量保持稳定,循环稳定性能得到提升.
磁控溅射 透射率 电致变色 响应时间 泄漏电流