采用高温高压方法,在900K的温度条件下,成功合成出CoSb2.750TexGe0.250-x(x=0.125,0.175,0.200)n型方钴矿化合物,并考察了不同的压力对其电输运性能的影响规律.室温下对样品的电阻率(ρ),Seebeck系数(S)进行了测试分析.电学性能测试表明,方钴矿CoSb2.750TexGe0.250-x化合物的导电类型为n型,电阻率和Seebeck系数的绝对值随着压力的升高而增加,随着Te掺杂量的增加而降低.功率因子随合成压力增大而降低,随Te掺杂量的增加而升高.CoSb2.750Te0.200Ge0.050在2GPa时具有最大的功率因子为7.59μW/(cm·K2).
方钴矿 高温高压 热电材料