在实验室HPGe探测器测量分析氙气样品过程中需要用到相对方法进行分析，然而由于放射性氙同位素半衰期较短，制作相应的标准气体比较难，给谱仪系统刻度带来困难。针对该问题，提出使用混合面源模拟刻度四种氙同位素气体源的效率，并提出将积分中值定理应用到面源刻度实验过程，大大简化了中间流程，提高了测量的准确性。利用氙分离纯化系统在高氡环境下采集样品，获得了天然放射性133Xe气体γ谱，通过计算得到其活度浓度。积分中值位置处的混合面源刻度结果和气体源刻度结果一致，说明本文提出的面源刻度技术及积分中值定理的思想在HPGe探测器效率刻度测量分析中是有效可行的。
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