用动电位伏安法对含镍量10％、30％和50％的铜镍合金以及含钴量5.1％、9.7％、15％、25％和40％的铜钴合金电极在硼砂-硼酸缓冲溶液（pH8.5）中的光电化学行为进行了研究.铜镍合金和铜钴合金均显示p-型光响应，铜镍合金的光响应来自Cu2O，铜钴合金的光响应来自Cu2O和氧化钴.含镍量10％和30％的铜镍合金电极以及含钴量5.1％铜钴合金电极的最大光电流iph，max均大于纯铜电极，含钴量15％、25％和40％的铜钴合金电极以及含镍量50％的铜镍合金电极由于电极表面相当一部分面积分别被氧化钴和氧化镍所占有，iph，max小于纯铜电极.铜镍合金电极的φv值（电位负向扫描过程中电极表面完全还原为Cu时的电位）负于纯铜电极，而铜钴合金电极的φv值与纯铜电极大致相等，NiO的存在致使铜镍合金表面Cu2O膜具有更大的稳定性.从光电化学角度通过φv和iph，max反映铜合金的耐腐蚀性能与交流阻抗法测得的结果相符.
铜镍合金 铜钴合金 光电化学 交流阻抗 腐蚀