使用低介电常数基板和高电导率、高抗电迁移的金属Cu进行布线,可以提高高密度电子封装的传输速度和可靠性.采用乙酰丙酮铜作为前驱体, 在常压下利用化学气相沉积技术对玻璃陶瓷基板进行Cu薄膜金属化.利用热重分析、 X射线衍射和扫描电子显微镜等技术对前驱体、 Cu薄膜进行分析观察.结果表明: 影响Cu导体的电阻的主要因素是沉积温度.在温度为290～310 ℃, N2气流量为200～350 mL/min和H2气流量为450～600 mL/min的条件下, 获得了致密的Cu薄膜, Cu导体方块电阻为25 mΩ.
混合集成电路 膜集成电路 铜薄膜 化学气相沉积 玻璃陶瓷