辐射干扰问题是制约电源产品高频化、小型化的因素之一.基于场路耦合的仿真思路,建立MOSFET的电磁场有限元模型和高频变压器的等效高频电路模型.结合从SIwave电磁仿真软件中提取的PCB网络参数,对一款5W输出的反激变换器的板级辐射干扰进行联合仿真,并对比了两种高频变压器模型对远场仿真结果的影响.实验结果表明,在230 MHz以内的频段3 m远场仿真超标频点与实测吻合,验证了该仿真方法的正确性,且简化的变压器二电容模型具有更宽频带的适用性;所得到的近场电磁场分布表明MOSFET和变压器副边的整流二极管是主要的辐射源.
开关电源 反激变换器 辐射干扰 场路耦合