对CuO、V2O5掺杂的(1-x) BiNbO4-xZnTaO6(x=0.05～0.15)陶瓷体系结构和介电性能进行了研究.试验结果表明,940℃以下,体系为斜方BiNbO4和斜方ZnTaO6的复相结构;掺杂CuO、V2O5使得体系在较低温度下即可烧结成瓷,随着(1-x) BiNbO4-xZnTaO6体系中x的增加,陶瓷表观密度上升,εr下降,温度系数、损耗则呈增加趋势.x=0.05,910℃烧结保温2 h有较好的微波性能,εr约为40,Q·f值达25 000 GHz.
无机非金属材料 微波介质陶瓷 介电性能 低温烧结 复相