给出了InP DHBT器件在片测试用到的开路和短路结构的等效电路模型.模型拓扑结构基于物理结构建立,并对其在亚毫米波段的高频寄生进行相对完整的考虑.模型的容性和阻性寄生采用解析提取技术,从开路结构低频测试数据中获取.模型的高频趋肤效应采用传统物理公式计算初值,并结合短路测试结构的低频解析提取结果对计算公式进行修正,使其适用于实际测试结构建模.模型拓扑结构和参数提取方法,采用0.5 μm InP DHBT工艺上设计所得开路、短路测试结构进行验证.模型仿真和测试所得S参数在0.1 ～ 325 GHz频段内吻合地很好.
在片测试结构 等效电路模型 参数提取 太赫兹