本文是负电子亲和势光电阴极发现50周年的纪念文章，简要回顾了过去的成绩，现在的困难及今后的展望。经过近30年的努力，我国 MOCVD 生长的反射式 GaAs 光电阴极的积分灵敏度已达到3516μA/lm，目前存在的困难是光电阴极寿命问题，寿命问题解决了，高性能微光像增强器以及EBAPS 数字器件可以缩短与西方的差距。如果高灵敏度长寿命的 GaAs：O-Cs 光电阴极真正取代了目前大科学装置中的铜阴极，基于我国大科学装置的基础研究才会迎来真正的科学春天。
光电阴极 像增强器 能带结构 光源 EBAPS