大功率晶体管深度饱和以降低功率损耗与管子快速关断之间的矛盾并非不可调和.文中针对通常的抗饱和驱动,提出了一种新型驱动电路,很好地解决了这个矛盾.一方面在功率管饱和导通时,比例驱动管子工作于深饱和状态,使功率管的损耗达到最小;另一方面在功率管关断时,驱动电路通过低阻抗抽流回路及高反压辅助抽流的引入,在功率管的基极提供很强的基极反抽电流,使管子快速关断.实验表明与通常的抗饱和驱动相比,本方案由于功率管深度饱和,从而使管子的通态饱和压降降低了0.5 V,损耗亦降低了63.4 W;另一方面由于关断时基极反抽电流增大了三倍,存储时间增加仅0.1 μs,实现了大功率晶体管的最佳驱动.
大功率晶体管 驱动电路 饱和压降 存储时间