以MADN为空穴传输层，主-客掺杂体系[Alq3∶0.7 Wt％ rubrene]为发光兼电子传输层，构建了双层结构的高效率黄绿光O L ED器件。该器件的黄绿光由主发光体A lq3通过不完全能量转移到客发光体rubrene实现，电致发光峰值位于560 nm ，1931CIE色坐标为（0.46，0.52），最大发光效率达到了7.63 cd?A -1，比相应的NPB做空穴传输层的双层结构器件提高了30％。通过构建以MADN或NPB为空穴传输层的空穴单载流子器件并进行阻抗谱分析，结果表明M ADN可以作为一种非常有效的空穴传输层，其空穴迁移性略低于NPB ，这恰好弥补了OLED器件中空穴迁移比电子迁移快这一缺陷，为改善OLED发光层中载流子的平衡性创造了条件，从而提高了器件的发光效率。此外，MADN做空穴传输层的双层结构OLED的发光效率与传统三层结构器件（M ADN和 Alq3分别作为空穴传输层和电子传输层）基本相当，表明了这种双层结构器件在简化器件结构的同时并不以牺牲发光效率为代价，发光层[Alq3∶0.7 Wt％ rubrene]兼具有优良的电子传输性能。
OLED 阻抗谱 空穴传输