低温沉积 α-Al2O3薄膜是拓展其实际工程应用的关键.本研究以Al、α-Al2O3和Al+15wt％ α-Al2O3为靶材,用射频磁控溅射在Si(100)基体上沉积氧化铝薄膜.用掠入射X射线衍射(GIXRD)、透射电子显微镜(TEM)、能谱仪(EDS)对所沉积薄膜的相结构和元素含量进行研究,用纳米压痕技术测量薄膜硬度.结果表明,在550℃的基体温度下,反应射频磁控溅射Al+α-Al2O3靶可获得单相 α-Al2O3薄膜.靶中的 α-Al2O3溅射至基片表面能优先形成α-Al2O3晶核,在550℃及以上的基体温度下可抑制 γ 相形核,促进 α-Al2O3晶核同质外延生长,并最终形成单相α-Al2O3薄膜.
α-Al2O3 反应溅射 复合靶 低温沉积 纳米压痕