采用离子注入方式对Li4 SiO4陶瓷进行了25,35,45,55 keV四种不同能量的氘离子辐照,利用高温热解吸系统模拟研究了其中的氘释放行为.实验结果表明,D+辐照Li4 SiO4陶瓷离子投影射程深度随注入能量的增大呈线性增加趋势,引入的平均离位损伤程度呈减小趋势;不同注氘能量Li4 SiO4样品的高温热解吸谱中,分子氘的热解吸过程主要分布在低温区域(300～550℃)及高温区域(550～750℃),氘化水释放温度集中在高温区域600～780℃;D2O为主要释放形式;注氘样品表面存在密度不均匀的类圆形泡状、坑状缺陷、孔洞状结构;热解吸后样品表面发生了重构.
氚增殖剂 离子注入 离位损伤 高温热解吸