应用HP4192A低频阻抗分析仪测量了低压ZnO压敏陶瓷的复电容曲线,研究了烧结温度对复电容曲线压低角的影响规律,探讨了晶粒边界耗尽层中电子陷阱的种类和起因,并对电子陷阱的特征参数进行了表征.实验发现:在低压ZnO压敏陶瓷中存在两种非理想的Debye弛豫现象,对于每一种弛豫,其复电容曲线存在压低现象,且其压低角随着烧结温度的升高而迅速减小.在低压ZnO压敏陶瓷的耗尽层区域内存在两种电子陷阱,它们分别位于导带底0.209和0.342eV处,其中0.209eV处的陷阱能级对应于本征施主的二次电离,而0.342eV处的陷阱能级对应于氧空位Vo的一次电离.
低压ZnO压敏陶瓷 晶粒边界 陷阱态 复电容