利用激光诱导电流技术研究了InGaAs台面探测器的相邻探测器间的串音和光敏感区.用分子束外延方法生长掺杂InGaAs的PIN InP/InGaAs/InP外延材料,制备了256×1正照射台面InGaAs线列探测器.测试结果表明,InGaAs线列探测器相邻探测器间没有串音,虽然台面结构周围吸收层已被腐蚀,但因为少数载流子的侧向收集,扩大了有效光敏感区.
激光诱导电流技术 InGaAs 探测器 串音 光敏感区