SiC@SiO2纳米电缆作为一种新型的功能性纳米复合材料,以其优异的性能和广泛的应用前景受到了广泛关注.因此,开发一种有效、经济、方便,SiC@SiO2纳米电缆的制备方法具有重要意义.本研究采用无催化剂的碳热还原法在1500℃的Ar气氛下,通过加热硅粉和硅溶胶混合物从而快速高效地制备了SiC@SiO2纳米电缆.该核壳的纳米电缆是由单晶 β-SiC核心和无定形SiO2壳组成,其长度达几百微米,直径为60～80 nm,而且通过调节保温时间可以调控核壳的尺寸.结合实验数据并依据气–固(VS)机理解释了SiC@SiO2纳米电缆的形成过程,同时也进一步丰富了该生长机制,为其工业化生产提供了参考.
碳化硅 纳米电缆 碳热还原 无催化剂