ಮೈಸೂರು ವಿಶ್ವವಿದ್ಯಾನಿಲಯ ವಿಶ್ವಕೋಶ/ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿ
ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿ: ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ಗಳ ನೆರವಿನಿಂದ ಸೂಕ್ಷ್ಮವಸ್ತುಗಳ ಬಹು ವಿಸ್ತೃತವಾದ ಛಾಯಾಚಿತ್ರಗಳನ್ನು ಪಡೆಯಲು ಉಪಯೋಗಿಸುವ ಉಪಕರಣ (ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಮೈಕ್ರೊಸ್ಕೋಪ್). ದ್ಯುತಿಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿಯ ರಚನೆ ಮತ್ತು ಉಪಯೋಗದಲ್ಲಿ ಸುಮಾರು 300 ವರ್ಷಗಳ 

ಅವಧಿಯಲ್ಲಿ ನಡೆದ ಸುಧಾರಣೆಯನ್ನು ಮೀರಿಸುವಂಥವನ್ನು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿ ಕೇವಲ 15 ವರ್ಷಗಳಲ್ಲೆ ಸಾಧಿಸಿತು. ಇಷ್ಟು ತ್ವರಿತಗತಿಯಿಂದ ನಡೆದ ಸಂಶೋಧನೆಯೇ ಈ ಉಪಕರಣದ ವೈಜ್ಞಾನಿಕ ಪ್ರಾಮುಖ್ಯಕ್ಕೆ ಹಿಡಿದ ಕನ್ನಡಿ.
ಇತಿಹಾಸ: ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳು ತರಂಗಗಳಂತೆ ವರ್ತಿಸುತ್ತವೆಂದು ಲೂಯಿ ಡಿಬ್ರಾವಿ ಸೈದ್ಧಾಂತಿಕವಾಗಿ ತೋರಿಸಿದ (1924). ಆ ಸಿದ್ಧಾಂತದಂತೆ  ವಿಭವಾಂತರದಿಂದ ವೇಗೋತ್ಕರ್ಷಗೊಂಡ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳ ತರಂಗಾಂತರ 0.05. ಇದು 1/100,000 ಪಾಲು ಮಾತ್ರ. 

ಇದರಿಂದ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳು ಮೂಡಿಸುವ ಛಾಯಾಚಿತ್ರಗಳಲ್ಲಿ 10ಅಂತರವುಳ್ಳ ಸೂಕ್ಷ್ಮ ರಚನೆ ಕೂಡ ಪ್ರಕಟವಾಗುವ ಸಾಧ್ಯತೆಯನ್ನು ಸ್ಪಷ್ಟವಾಗಿ ಕಾಣಬಹುದು. 
ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಕಿರಣಗಳನ್ನು ಬೆಳಕಿನಂತೆ ಉಪಯೋಗಿಸಲು ತಕ್ಕ ಮಸೂರಗಳು ಬೇಕು. ಗಾಜಿನ ಮಸೂರಗಳು ಬೆಳಕಿನ ಕಿರಣಗಳನ್ನು ಕೇಂದ್ರೀಕರಿಸುವಂತೆ ಅಕ್ಷಸಮವಿರುವ ಸ್ಥಿರ ವಿದ್ಯುತ್ ಮತ್ತು ಕಾಂತಕ್ಷೇತ್ರಗಳು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳನ್ನು ಕೇಂದ್ರೀಕರಿಸುತ್ತವೆಂದು ಬುಷ್ 

ತೋರಿಸಿದ್ದಾನೆ. 1932ರಲ್ಲಿ ಅರ್ನೆಸ್ಟ್‌ ಬ್ರೂಕ್ ಮತ್ತು ಎಚ್.ಜೊಹಾನ್ಸನ್ ಅವರು 300ವೋಲ್ಟ್‌ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಕಿರಣಗಳಿಂದ ಕಾದ ಕ್ಯಾಥೋಡಿನ ಛಾಯಾಚಿತ್ರವನ್ನು ತೆಗೆದರು. ಅದೇ ವರ್ಷ ಎಂ. ನಾಲ್ ಮತ್ತು ಅರ್ನೆಸ್ಟ್‌ ರುಸ್ಕ ಅವರು ತುಂಡು ಕಾಂತ ಮಸೂರಗಳನ್ನು 

ಅಳವಡಿಸಿ ನಿರ್ಮಿಸಿದ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಸೂಕ್ಷ್ಮ ದರ್ಶಿಯಿಂದ ವಿಸರ್ಜನ ಕೊಳವೆಯ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಆಕರಗಳ ಛಾಯಾಚಿತ್ರವನ್ನು ತೆಗೆದರು. ಅವರು ಭರ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಕಿರಣಗಳನ್ನು ಉಪಯೋಗಿಸುವ ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿಯ ವಿಘಟನ ಸಾಮಥರ್ಯ್‌ ದ್ಯುತಿಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿಗಳ 

ವಿಘಟನಸಾಮಥರ್ಯ್‌ಕ್ಕಿಂತ ಬಹಳಷ್ಟು ಹೆಚ್ಚಾಗಿರುತ್ತದೆಂದು ಸಾರಿದರು. ಪ್ರೇಷಣ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳಿಂದ ಉತ್ಕೃಷ್ಟವಾದ ಛಾಯಾಚಿತ್ರಗಳನ್ನು ಪಡೆಯಲು ಅನುಕೂಲವಾದ ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿಂiÀಸು ರಚನೆಯನ್ನು 1934ರಲ್ಲಿ ರುಸ್ಕ ವಿವರಿಸಿದ. ಇದಾದ ತರುಣದಲ್ಲೇ 

ಬೆಲ್ಜಿಯಮಿನಲ್ಲಿ ಮಾರ್ಟನ್ ಎಂಬಾತ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿಯನ್ನು ಜೀವವಿಜ್ಞಾನ ಸಂಶೋಧನೆಗೆ ಉಪಯೋಗಿಸಿದ.
ಈ ಯಾವ ಮುಂಚಿನ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿಗಳೂ ದ್ಯುತಿಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿಗಳಿಗಿಂತ ಉತ್ತಮವಾಗಿರಲಿಲ್ಲ. 1935ರಲ್ಲಿ ಡ್ರೀಸ್ಟ್‌ ಮತ್ತು ಮುಲ್ಲರ್ ಅವರು ರುಸ್ಕನ ಸಲಹೆಯಂತೆ ತಮ್ಮ ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿಯಲ್ಲಿ ಮಾರ್ಪಾಡುಮಾಡಿ ಮೊದಲಬಾರಿಗೆ ದ್ಯುತಿಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿಯ ವಿಘಟನ 

ಸಾಮಥರ್ಯ್‌ವನ್ನು ಮೀರಿ ಮುಂದೆ ಹೋದರು. ಕ್ರೌಸ್ ಎಂಬಾತ ರುಸ್ಕನ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿಯಿಂದ ವಿವಿಧ ವಸ್ತುಗಳ ಛಾಯಾಚಿತ್ರಗಳನ್ನು ತೆಗೆದ. ಅತಿ ತೆಳುವಾದ ಮಾದರಿಗಳು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಆಘಾತಕ್ಕೆ ಸಿಕ್ಕಿ ಛಿದ್ರವಾಗಿಬಿಡಬಹುದೆಂಬ ಹಿಂದಿನ ಭೀತಿ ಕ್ರೌಸನ 

ಸಂಶೋಧನೆಗಳ ಫಲವಾಗಿ ದೂರವಾಯಿತು.
1938ರಲ್ಲಿ ವಾನ್ ಬೋರಿಸ್ ಮತ್ತು ರುಸ್ಕ ಅವರು ಜರ್ಮನಿಯ ಸೀಮನ್ ಮತ್ತು ಹಲ್ಸ್‌ಕೆ ಕಂಪನಿಯವರಿಗಾಗಿ ಪ್ರಯೋಗಶಾಲೆಯಲ್ಲಿ ಉಪಯೋಗಿಸಬಹುದಾದ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿಯ ರಚನೆಯನ್ನು ಸಿದ್ಧಪಡಿಸಿದರು. ಈ ಕಂಪನಿ ತಯಾರಿಸಿದ ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿಗಳ 

ವಿಘಟನಸಾಮಥರ್ಯ್‌ 100 ಆಗಿತ್ತು. 1939ರಲ್ಲಿ ಪ್ರಿಬಸ್ ಮತ್ತು ಹಿಲಿಯರ್ ಅವರು ಟೊರೊಂಟೋದಲ್ಲಿ ಸ್ವತಂತ್ರವಾಗಿ ಕಾಂತ ಮಸೂರಗಳನ್ನುಳ್ಳ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿಯನ್ನು ನಿರ್ಮಿಸಿದರು.
ಈ ಪ್ರಾರಂಭಿಕ ಸಂಶೋಧನೆಗಳಾದ ಅನಂತರ ಬಹುಬೇಗ ಪರಿಷ್ಕೃತ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿಗಳು ಮಾರುಕಟ್ಟೆಗೆ ಬಂದುವು. ಹಾನ್ಸ್‌ ವ್ಹುಲ್ ಎಂಬಾತ ಜರ್ಮನಿಯ ಬೇರೊಂದು ಕಂಪನಿಗಾಗಿ ಸ್ಥಿರ ವಿದ್ಯುತ್ ಮಸೂರಗಳುಳ್ಳ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿಯನ್ನು ನಿರ್ಮಿಸಿದ. 

ವಾನ್ಸ್‌ ಎಂಬಾತ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ವಿಧಾನಗಳಿಂದ ನಿಯಂತ್ರಣಗೊಂಡ ವಿದ್ಯುತ್ ಶಕ್ತಿ ಮೂಲಗಳನ್ನು (ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕಲಿ ಕಂಟ್ರೋಲ್ಡ್‌ ಪವರ್ ಸಪ್ಲೈ) ಬಳಸಿದ ಕಾಂತ ಉಪಕರಣವನ್ನು ಅಮೆರಿಕದ ರೇಡಿಯೋ ಕಾರ್ಪೊರೇಷನ್ನಿಗಾಗಿ ಸಿದ್ಧಪಡಿಸಿದ. 1940ರಲ್ಲಿ ಅದೇ ಕಂಪನಿ 

(ಖಅಂ) 24 ವಿಘಟನ ಸಾಮಥರ್ಯ್‌ವಿರುವ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿಯನ್ನು ಮಾರುಕಟ್ಟೆಗೆ ತಂದಿತು. ರುಸ್ಕ ಮತ್ತು ಬೋರಿಸ್ ಅವರು ಸುಧಾರಿಸಿದ ಸೀಮನ್ ಕಂಪೆನಿಯ ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿ 22 ವಿಘಟನ ಸಾಮಥರ್ಯ್‌ವನ್ನು ಸಾಧಿಸಿತ್ತು. ಅಮೆರಿಕ, ಇಂಗ್ಲೆಂಡ್ ಮತ್ತು 

ರಷ್ಯಗಳಲ್ಲಿ ಈಗ ಉತ್ಪಾದನೆಗೊಳ್ಳುತ್ತಿರುವ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿಗಳು ಸೈದ್ದಾಂತಿಕ ಮಿತಿಯನ್ನೇ ಮುಟ್ಟಿವೆ.
ವಿಘಟನಸಾಮಥರ್ಯ್‌: ಬರಿಕಣ್ಣಿನಿಂದ 0.2 ಮಿಮೀ ಗಿಂತ ಕಡಿಮೆ ಅಂತರದಲ್ಲಿರುವ ಎರಡು ಬಿಂದುಗಳನ್ನು ಪ್ರತ್ಯೇಕ ಬಿಂದುಗಳಂತೆ ಕಾಣುವುದಕ್ಕಾಗುವುದಿಲ್ಲ. ಈ ಅಂತರಕ್ಕಿಂತ ಇನ್ನೂ ಕಡಿಮೆ ದೂರದಲ್ಲಿರುವ ಸೂಕ್ಷ್ಮವಸ್ತುಗಳನ್ನು ಅವುಗಳ ರಚನೆಗೆ ಕುಂದು 

ಬಾರದಂತೆ ತೋರಿಸುವ ಕೆಲಸ ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿಯದು. ದ್ಯುತಿ ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿಗಳು 1000Åಗಿಂತ ಕಡಿಮೆ ಅಂತರವುಳ್ಳ ರಚನಾ ವಿವರಗಳನ್ನು ತೋರಿಸಲಾರವು. (1=10-8 ಸೆಂ.ಮೀ.) ಅಂದರೆ ಯಾವುದೇ ವಸ್ತುವಿನ ಪ್ರತಿಬಿಂಬವನ್ನು 2000ಕ್ಕಿಂತ ಹೆಚ್ಚು ದೊಡ್ಡದಾಗಿ 

ತೋರಿಸಲು ಅವುಗಳಿಂದ ಆಗುವುದಿಲ್ಲ. ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿಗಳಾದರೋ 2,00,000ದಷ್ಟು ಲಂಬನವನ್ನು ಸಾಧಿಸಬಲ್ಲವು. 1970ರಲ್ಲಿ ಚಿಕಾಗೊ ವಿಶ್ವವಿದ್ಯಾಲಯದ ಆಲ್ಬರ್ಟ್ ಕ್ರಿವ್ ಎಂಬಾತ ಮೊದಲಬಾರಿಗೆ ಅಣುಗಳಲ್ಲಿರುವ ಪರಮಾಣುಗಳ (ಯುರೇನಿಯಂ 

ಮತ್ತು ಪಲೋನಿಯಂ) ಛಾಯಾಚಿತ್ರವನ್ನು ತೆಗೆಯಲು ಸಮರ್ಥನಾದ. ಈತ ಉಪಯೋಗಿಸಿದ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿಯ ಲಂಬನಸಾಮಥರ್ಯ್‌ 5,000,000.
ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿಯ ವಿಘಟನಸಾಮಥರ್ಯ್‌ ಅದರ ದ್ಯುತಿಕೊರತೆಯನ್ನೇ (ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ಇಂಪರ್ಫೆಕ್ಷನ್) ಅವಲಂಬಿಸಿರುವುದಿಲ್ಲ. ಇದನ್ನು ಗ್ರಹಿಸಲು ಸ್ವಪ್ರಕಾಶಿಯಾದ ಒಂದು ಬಿಂದುವಿನ ಪ್ರತಿಬಿಂಬವನ್ನು ನೋಡಬೇಕು. ಪ್ರತಿಬಿಂಬ ವಿಸ್ತೃತವಾದ ಒಂದು ಬಿಂದು ಮಾತ್ರ ಆಗಿಲ್ಲ. 

ಅದರ ಸುತ್ತ ಪ್ರಭಾವಲಯಗಳಿವೆ. ಇದಕ್ಕೆ ಕಾರಣ ಬೆಳಕಿನ ನಮನ (ಆiಜಿಜಿಡಿಚಿಛಿಣioಟಿ). ಬೆಳಕಿನ ನಮನದಿಂದ ಮೂಡಿರುವ ಪ್ರತಿಬಿಂಬ ರಚನೆಯನ್ನು ಚಿತ್ರದಲ್ಲಿ ನೋಡಬಹುದು. ನಮನ ರಚನೆಯ ಮೊದಲ ಕನಿಷ್ಟ ಕಿಂಡಿಯ ಬಳಿ ತೋರಿಸುವ ಕೋನ ್ಲ ಆದರೆ 
                                             .....(1)
ಎಂದು ಬರೆಯಬಹುದು.  ಪ್ರತಿಬಿಂಬ ಕ್ಷೇತ್ರದಲ್ಲಿ ಬೆಳಕಿನ ತರಂಗಾಂತರ ಮತ್ತು ಡಿ ಕಿಂಡಿಯ ತ್ರಿಜ್ಯ. ಈಗ ಚಿತ್ರವನ್ನು ನೋಡಿ         
                                            .....(2)
ಎಂದು ಬರೆಯಬಹುದು.  ಲಂಬವಾದರೆ ಗೆ ಸಂಬಂಧಿಸಿದ ಬಿಂದುವಿನ ತ್ರಿಜ್ಯ  ವಸ್ತುಬಿಂದುವಿನ ತ್ರಿಜ್ಯ  ಗಿಂತ ಕಡಿಮೆಯಾದರೂ ಅದರ ಪ್ರಮುಖ ಪ್ರತಿಬಿಂಬದ ತ್ರಿಜ್ಯ  ಆಗುತ್ತದೆ. ಅನಂತರ ಆಬೆ ಸೈನ್ ನಿರ್ಬಂಧವನ್ನು ಉಪಯೋಗಿಸಿ 
                                    ......(3)
ಎಂದು ತೋರಿಸಬಹುದು.  ಸರಿಸುಮಾರಾಗಿ 1 ಕ್ಕೆ ಸಮ. ವಸ್ತು ಕ್ಷೇತ್ರದ ವಕ್ರೀಭವನ ಸೂಚ್ಯಂಕ.  ಯನ್ನೆ ಉಪಕರಣದ ವಿಘಟನ ಎಂದು ತಿಳಿಯಬಹುದು. ಈ ಉಪಕರಣದಿಂದ  ಗಿಂತ ಕಡಿಮೆ ಅಂತರದಲ್ಲಿರುವ ರಚನಾ ವಿವರಣೆಯನ್ನು ತಿಳಿಯುವುದು ಸಾಧ್ಯವಿಲ್ಲ.  ಯನ್ನು 

ಸಂಖ್ಯಾಕಿಂಡಿ (ನ್ಯೂಮರಿಕಲ್ ಅಪೆರ್ಚರ್) ಎನ್ನುತ್ತಾರೆ.  ಯನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಲು ಸಂಖ್ಯಾಕಿಂಡಿಯನ್ನು ಹೆಚ್ಚು ಮಾಡಬೇಕು ಮತ್ತು  ಯನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಬೇಕು. ದ್ಯುತಿ ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿಯಲ್ಲಿ ಸಂಖ್ಯಾಕಿಂಡಿಯನ್ನು 1.4 ಕ್ಕಿಂತ ಹೆಚ್ಚು ಮಾಡುವುದು ಅಸಾಧ್ಯ. ಅತಿ ಕಡಿಮೆ 

ತರಂಗಾಂತರದ ಕಿರಣಗಳು ಎಂದರೆ ಅತಿನೇರಳೆ ಕಿರಣಗಳು. ಎಕ್ಸ್‌ಕಿರಣಗಳ ತರಂಗಾಂತರ ಇನ್ನೂ ಕಡಿಮೆಯಾಗಿದ್ದರೂ ಅವನ್ನು ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿಯಲ್ಲಿ ಉಪಯೋಗಿಸಲು ಅನುಕೂಲವಾಗುವಂಥ ಮಸೂರಗಳಿಲ್ಲ. ಈ ಕಾರಣಗಳಿಂದ ದ್ಯುತಿ ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿಗಳಲ್ಲಿ  ಒಂದು 

ಸಾವಿರ ಆಂಗ್ಸ್ಟ್ರಾಮ್ ಏಕಮಾನಗಳಿಗಿಂತ ಕಡಿಮೆಯಾಗುವುದು ಸಾಧ್ಯವಿಲ್ಲ.
ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿನ ಜಡಮಾನ ಮತ್ತು ವೇಗ ಕ್ರಮವಾಗಿ  ಮತ್ತು  ಆದರೆ ಅದರ ತರಂಗಾಂತರ
                                       ....(4)
ಎಂದು ತೋರಿಸಬಹುದು.  ಪ್ಲಾಂಕನ ನಿಯತಾಂಕ. ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳು  ವೋಲ್ಟುಗಳು ವಿಭವಾಂತರದ ಮೂಲಕ ವೇಗೋತ್ಕರ್ಷಗೊಂಡಿದ್ದರೆ   
                                             .....(5)
ಎಂದೂ ಬರೆಯಬಹುದು. ಈ ಸಮೀಕರಣ ಗಿ< 20,000 ವೋಲ್ಟ್‌ ಆಗಿದ್ದರೆ ಮಾತ್ರ ಸರಿ. ಇದಕ್ಕೂ ಹೆಚ್ಚಾದರೆ
                             ....(6)
ಎಂದು ಬರೆಯಬೇಕಾಗುತ್ತದೆ. ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಮಸೂರಗಳಲ್ಲಿ  ಯನ್ನು 10-100 ಗಳ ವರೆಗೆ ವ್ಯತ್ಯಾಸ ಮಾಡಬಹುದು. ಅಂದರೆ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳ ತರಂಗಾಂತರವನ್ನು 0.123¯0.0537 ವರೆಗೆ ವ್ಯತ್ಯಾಸಮಾಡಬಹುದೆಂದಾಯಿತು. ಇದರಿಂದ  ಯನ್ನು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ 

ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿಯಲ್ಲಿ ಬೇಕಾದ ಹಾಗೆ ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಬಹುದೆನಿಸುತ್ತದೆ. ಆದರೆ  ಯನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸುವುದಕ್ಕಾಗುವುದಿಲ್ಲ. ಇದು ಹೆಚ್ಚಾದರೆ ಗೋಳವಿಪಥನ ಹೆಚ್ಚುತ್ತದೆ. ಈ ದೋಷವೇ ಮುಖ್ಯವಾಗಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿಯ ವಿಘಟನಸಾಮಥರ್ಯ್‌ವನ್ನು ಸೀಮಿತಗೊಳಿಸುವ 

ಅಂಶ. ಇದಕ್ಕೆ ಸಂಬಂಧಪಟ್ಟಂತೆ  ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿಯ ವಿಘಟನವಾದರೆ 
                                           ......(7) 
ಎಂದು ತೋರಿಸಬಹುದು. ಗೋಳ ವಿಪಥನ ಸೂಚಿ. ಸಮೀಕರಣ (3)ರಿಂದ 
                                           ......(8)
ಎಂದು ಬರೆದು  ಎಂದು ತಿಳಿಯಬಹುದು. ಇಲಿಸರಿಸುಮಾರಾಗಿ 1ಕ್ಕೆ ಸಮ.
ಮತ್ತು . ಅನಂತರ ಸಮೀಕರಣ (7)ರಿಂದ
                                       ....(9)    
ಎಂದು ತೋರಿಸಬಹುದು. ನಿಯಂತಾಂಕ ಂ ಸರಿ ಸುಮಾರಾಗಿ 0.6-0.7,ಅs=3.3 ಮಿ.ಮೀ. ಇರುವ ಮಸೂರವನ್ನು ಉಪಯೋಗಿಸುವ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿಯ ವಿಘಟನೆ 6.5. ಇಲ್ಲಿ ಉಪಕರಣದ ವ್ಯವಸ್ಥೆಯಲ್ಲಿರಬಹುದಾದ ಲೋಪದೋಷಗಳನ್ನು ಗಣನೆಗೆ 

ತೆಗೆದುಕೊಂಡಿಲ್ಲ. ಆದ್ದರಿಂದ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿಯ ವಿಘಟನ 8-10. ಎಂದುಕೊಳ್ಳಬಹುದು. ಗೋಳವಿಪಥನವನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುವುದು ಮತ್ತು ಇನ್ನೂ ಹೆಚ್ಚು ವೇಗದ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳನ್ನು ಉಪಯೋಗಿಸಬಹುದು ಆಗುವುದೇ ಇಲ್ಲವೆನ್ನುವುದು ಸರಿಯಾದುದಲ್ಲ. 

ಇತ್ತೀಚಿನ ಬೆಳೆವಣಿಗೆಗಳು ಅಂಥ ಸಾಧ್ಯತೆಯನ್ನು ತೋರಿಸಿವೆ. ವಸ್ತುಗಳನ್ನು ಮಾಲಿಸಿ ಬೆಳಗುವುದರಿಂದ ವಿಘಟನ ಮಿತಿಯನ್ನು 2.06.ಗಳಿಗೆ ತರಬಹುದು. ಚಿತ್ರದಲ್ಲಿ ಜಪಾನಿನ ಹಿಟಾಚಿ ಕಂಪೆನಿಯ ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿಯಿಂದ ತೆಗೆದ ಛಾಯಾಚಿತ್ರದಲ್ಲಿ 2.06. ಅಂತರದಲ್ಲಿರುವ 

ಚಿನ್ನದ ಪರಮಾಣುಗಳ ಸಾಲುಗಳನ್ನು ನೋಡಬಹುದು.
ಕಾಂತ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿಗಳು : ಕಾಂತ ಮಸೂರಗಳನ್ನು ಅಳವಡಿಸಿರುವ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿಗಳು ಹೆಚ್ಚು ಸಂಖ್ಯೆಯಲ್ಲಿವೆ. ಇಂಥ ಒಂದು ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿಯನ್ನು ಚಿತ್ರದಲ್ಲಿ ಚಿತ್ರಿಸಿದೆ. ವಿದ್ಯುತ್ ಪ್ರವಾಹದಿಂದ ಕಾದ ತಲೆಪಿನ್ನಿನ ಆಕಾರದಲ್ಲಿರುವ ಟಂಗ್ಸ್ಟನ್ ತಂತು 

ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳ ಆಕರ. ಇದು ರಕ್ಷಾಕವಚದೊಂದಿಗೆ 40-100.ಋಣ ವಿಭವದಲ್ಲಿರುತ್ತದೆ. ರಕ್ಷಾಕವಚದಲ್ಲಿರುವ ಕಿಂಡಿ ಸ್ಥಿರ ವಿದ್ಯುತ್ ಮಸೂರದಂತೆ ವರ್ತಿಸಿ ಆನೋಡಿನ ಹಿಂದೆ ಕಡಿಮೆ ವ್ಯಾಸವಿರುವ ಕ್ರಾಸ್ ಓವರನ್ನು ಮೂಡಿಸುತ್ತದೆ. ಆ್ಯನೋಡಿನಿಂದ ಮುಂದೆ ಹೋಗುವ 

ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ ಬಲು ಕಡಿಮೆ.
ಸಂಕ್ಷಿಪ್ತಕ ಮಸೂರದಲ್ಲಿ ವಿದ್ಯುತ್ ಪ್ರವಾಹವನ್ನು ನಿಯಂತ್ರಿಸುವುದರ ಮೂಲಕ ವಸ್ತುವಿನ ಮೇಲೆ ಬೀಳುವ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳ ಸಾಂದ್ರತೆಯನ್ನು ಬೇಕಾದ ಹಾಗೆ ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಬಹುದು. ಇಲ್ಲಿ ಕಿಂಡಿಯ ವಿಸ್ತಾರ 0.1-0.5ಮಿಮೀ ನಷ್ಟು ಇರುವುದು ಸಾಮಾನ್ಯ. ವಸ್ತುವಿನ 

ಮೂಲಕ ಹಾಯುವ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳಲ್ಲಿ ಕೆಲವು ಚದರಿಕೆಯ ಅಸಮತೆಯಿಂದಲೆ ಪ್ರತಿಬಿಂಬದಲ್ಲಿ ವ್ಯತ್ಯಾಸ ಕಾಣಿಸಿಕೊಳ್ಳುವುದು. ಹೆಚ್ಚು ಜಡಮಾನವಿರುವ ಕಡೆಯಲ್ಲಿ ಹೆಚ್ಚು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳು ಚದರುತ್ತವೆ. ಇದಕ್ಕೆ ಸರಿಯಾಗಿ ಬಿಂಬಗ್ರಾಹಿತಟ್ಟೆಯ (ಫೋಟೋಗ್ರಫಿಕ್ ಪ್ಲೇಟ್) 

ಮೇಲೆ ಬೀಳುವ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ ಕಡಿಮೆಯಾಗುತ್ತದೆ. ಆದ್ದರಿಂದ ವಸ್ತು ರಚನೆಗೆ ವಿರುದ್ದವಾದ ಗುಪ್ತ ಪ್ರತಿಬಿಂಬ (ಲೇಟೆಂಟ್ ಇಮೇಜ್) ಬಿಂಬಗ್ರಾಹಿತಟ್ಟೆಯಲ್ಲಿ ಮೂಡುತ್ತದೆ.
ವಸ್ತು ಮಸೂರದ ಕಿಂಡಿ 10-100್ಸ ಗಳ(1್ಸ=10-6 ಮೀ)ವರೆಗಿದೆ. ಆದ್ದರಿಂದ ಚದರಿದ ಹೆಚ್ಚು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳು ಮುಂದೆ ಹೋಗುವುದಿಲ್ಲ. ವಸ್ತು ಮಸೂರ ಪ್ರತಿಬಿಂಬದ ಲಂಬನವನ್ನು 100x ನಿಂದ 300x ವರೆಗೆ ಹೆಚ್ಚಿಸಬಹುದು. ಮಧ್ಯಸ್ಥ ಪ್ರತಿಬಿಂಬವನ್ನು 

ಎರಡುಸಾರಿ ಮರುಲಂಬನಗೊಳಿಸುವುದು ವಾಡಿಕೆ. ಮಧ್ಯಸ್ಥ ಹಾಗೂ ಅಂತಿಮ ಪ್ರತಿಬಿಂಬಗಳನ್ನು ಕಣ್ಣಿನಿಂದ ನೋಡಲು ಅನುಕೂಲವಾಗುವಂತೆ ಪ್ರತಿದೀಪ್ತಶೀಲ (ಫ್ಲೂರಸೆಂಟ್) ತೆರೆಗಳಿವೆ. ಇದರಿಂದ ಪ್ರತಿಬಿಂಬದಲ್ಲಿ ಕಾಣುವ ಅನೇಕ ದೋಷಗಳನ್ನು ನಿವಾರಿಸಲು 

ಸಹಾಯವಾಗುತ್ತದೆ. 
ತಲೆಪಿನ್ನಿನಿಂದ ಸಂಕ್ಷಿಪ್ತಕ ಮಸೂರಕ್ಕೆ 15 ಸೆಂಮೀ ಅಲ್ಲಿಂದ ವಸ್ತು ಮಸೂರಕ್ಕೆ ಸುಮಾರು ಅಷ್ಟೆ ದೂರವಿರುವುದು ಸಾಮಾನ್ಯ.  ವಸ್ತು ಮಸೂರದಿಂದ ಬಿಂಬಗ್ರಾಹಿತಟ್ಟೆಗೆ 100 ಸೆಂಮೀ ಇರುತ್ತದೆ. ಇವೆಲ್ಲ ಇರುವ ಕೋಣೆಯಲ್ಲಿ ಗಾಳಿಯ ಒತ್ತಡ 10-4 ಮಿಮೀ 

ಹೆಚ್ಚಾಗಿರಬಾರದು. ಹೆಚ್ಚಾಗಿದ್ದರೆ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳು ಗಾಳಿಯ ಅಣುಗಳಿಗೆ ತಾಗಿ ನಷ್ಟವಾಗುತ್ತವೆ.
ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿಯ ಬಹುಮುಖ್ಯಭಾಗ ವಸ್ತು ಮಸೂರ. ಇದೇ ವಿಘಟನ ಮತ್ತು ಪ್ರತಿಬಿಂಬದ ವ್ಯತ್ಯಾಸವನ್ನು ನಿರ್ಣಯಿಸುವ ಸಾಧನ. ವಸ್ತು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಧ್ರುವ ತುಂಡುಗಳ ರಂಧ್ರಕ್ಕಿಂತ ದೊಡ್ಡದಾಗಿರುತ್ತದೆ. ಇದನ್ನು ಚಿತ್ರದಲ್ಲಿ ನೋಡಬಹುದು. ವಸ್ತುವನ್ನು 

ಅಥವಾ ಯಲ್ಲಿ ಬೇಕಾದ ಹಾಗೆ ಇಡಬಹುದು. ಎರಡು ಜಾಗಗಳಲ್ಲಿಯೂ ಕೆಲವು ಅನುಕೂಲ ಮತ್ತು ಪ್ರತಿಕೂಲಗಳಿವೆ. 
ಕಾಂತ ಗುಣವಿರುವ ವಸ್ತುವಾದರೆ ಅದನ್ನು ಯಲ್ಲಿ ಇಡುವುದು ಉತ್ತಮ. ಆಗ ಮಸೂರದ ಕಾಂತಕ್ಷೇತ್ರ ಅದರ ಮೇಲೆ ಹೆಚ್ಚು ಪ್ರಭಾವವನ್ನು ಬೀರುವುದಿಲ್ಲ. ಯಲ್ಲಿ ವಸ್ತುವನ್ನು ಇಡುವುದು ಸುಲಭ. ನೂಕು ತೊಲೆಯ (ಪುಶ್ ರಾಡ್) ಮೇಲೆ ಅದನ್ನಿಟ್ಟು ಸರಿಯಾದ ಜಾಗಕ್ಕೆ 

ಸರಿಸಬಹುದು. ಇದಲ್ಲದೆ ಇನ್ನೂ ಒಂದು ಅನುಕೂಲವಿದೆ. ಹೆಚ್ಚು ವಿಘಟನೆ ಬೇಕಾದರೆ ಕಡಿಮೆ ಇರಬೇಕು. ಕಡಿಮೆ ಆಗಬೇಕಾದರೆ ನಾಭಿದೂರ ಕಡಿಮೆ ಆಗಬೇಕು. ವಸ್ತುವನ್ನು ಯಲ್ಲಿಟ್ಟರೆ ನಾಭಿದೂರವನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸಬೇಕಾಗುತ್ತದೆ. ನಾಭಿದೂರ ಹೆಚ್ಚಾದರೂ ಪ್ರಯೋಜನವಿದೆ. 

ಆಗ ಪ್ರತಿಬಿಂಬದ ವಿಬೇಧ ಚೆನ್ನಾಗಿರುತ್ತದೆ.
ವಸ್ತು ಮೊದಲ ನಾಭಿ ಬಿಂದುವಿನ ಹಿಂದೆ ಅತಿ ಸಮೀಪದಲ್ಲೇ ಇರುತ್ತದೆ. ಆದ್ದರಿಂದ ಅದರ ಪ್ರತಿಬಿಂಬ ಮುಂದೆ ಹೆಚ್ಚು ದೂರದಲ್ಲಿ ಮೂಡುವುದು. ಪ್ರತಿಬಿಂಬಕ್ಕೆ ಕಾರಣವಾದ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳು ಅಕ್ಷಕ್ಕೆ ಸಮಾನಾಂತರವಾಗಿಯೇ ಚಲಿಸುತ್ತವೆ. ಚದರಿದ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳು ವಸ್ತು 

ಕಿಂಡಿ ತಡೆಯುತ್ತದೆ. ಈ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳನ್ನು ತಡೆಯದೆ ಹೋದರೆ ಅವು ಬಿಂಬಗ್ರಾಹಿತಟ್ಟೆಯ ಮೇಲೆ ವಸ್ತುವಿನ ಪ್ರತಿಬಿಂಬಕ್ಕೆ ಸಂಬಂಧವಿಲ್ಲದ ಕಡೆ ಬೀಳುತ್ತವೆ. ಆಗ ಪ್ರತಿಬಿಂಬ ಮಸುಕಾ ಗುತ್ತದೆ. 2 ಅಥವಾ 3ಮಿಮೀ ನಾಭಿದೂರ ವಿರುವ ಮಸೂರಗಳಲ್ಲಿ 25-50್ಸ 

ವಿಸ್ತಾರವಿರುವ ಕಿಂಡಿಗಳಿರುತ್ತವೆ. ಈ ಕಿಂಡಿ ಸ್ವಚ್ಛವಾಗಿರಬೇಕು. ಹಾಗಿಲ್ಲದಿದ್ದರೆ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳ ಘರ್ಷಣೆಗೆ ಗುರಿಯಾಗಿ ಅಯಾನೀಕರಣಗೊಂಡು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳ ಪಥವನ್ನು ಹಾಳುಮಾಡುತ್ತದೆ.
ವಸ್ತುಮಸೂರದಲ್ಲಿ ಕಾಂತಕ್ಷೇತ್ರ ಅಕ್ಷಸಮತೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿಲ್ಲದಿದ್ದರೆ ಪ್ರತಿಬಿಂಬದಲ್ಲಿ ದೋಷ ಕಾಣಿಸಿಕೊಳ್ಳುತ್ತದೆ. ಕಾಂತಕ್ಷೇತ್ರದ ಅಕ್ಷಸಮತೆಯನ್ನು ಕಾಪಾಡಲು ಕಬ್ಬಿಣದ ಸ್ಕ್ರೂಗಳನ್ನು ಉಪಯೋಗಿಸುತ್ತಾರೆ. ಈ ಸ್ಕ್ರೂಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ, ಜಾಗ ಮತ್ತು ಗಾತ್ರಗಳನ್ನು ಬೇಕಾದ 

ಹಾಗೆ ವ್ಯತ್ಯಾಸ ಮಾಡುವುದರಿಂದ ಕಾಂತಕ್ಷೇತ್ರದ ಅಕ್ಷಸಮತೆಯನ್ನು ಸ್ಥಾಪಿಸಬಹುದು.
ಸ್ಥಿರವಿದ್ಯುತ್ ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿ: ಸ್ಥಿರವಿದ್ಯುತ್ ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿ ರಚನೆ ಮತ್ತು ಪ್ರತಿಬಿಂಬೀಕರಣದಲ್ಲಿ ಕಾಂತ ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿಯನ್ನೇ ಹೋಲುತ್ತದೆ. ರಕ್ಷಾಕವಚದ ವಿಭವ ತಂತುವಿಗೆ ಸಂಬಂಧಪಟ್ಟಂತೆ 200 ವೋಲ್ಟ್‌ ಋಣಮೌಲ್ಯದಲ್ಲಿರುತ್ತದೆ. ವಸ್ತುಮಸೂರ ಮತ್ತು 

ಪ್ರೊಜೆಕ್ಟರುಗಳೆರಡೂ ಏಕವಿಭವ ಮಸೂರಗಳು. ಇವುಗಳಲ್ಲಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಡುಗಳು ಪರಸ್ಪರ ಹತ್ತಿರವಿರುವುದರಿಂದ ವಿದ್ಯುತ್ಕುಸಿತ ಸಂಭವಿಸುವುದು ಸಾಮಾನ್ಯ. ಇದನ್ನು ತಪ್ಪಿಸಬೇಕಾದರೆ ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಡುಗಳು ಮೊನಚಾದ ಭಾಗಗಳಿಲ್ಲದ ಸ್ವಚ್ಚವಾಗಿರಬೇಕು. ಮಸೂರ 

ಕ್ರೋಮ್-ನಿಕ್ಕಲ್ ಉಕ್ಕಿನದಾಗಿದ್ದರೆ ಒಂದು ಸೆಂಮೀಗೆ 275  ವಿಭವಾಂತರವಿದ್ದರೂ ಕುಸಿತ ಸಂಭವಿಸುವುದಿಲ್ಲ. ಅಲ್ಯೂಮಿನಿಯಂ ಮತ್ತು ಹಿತ್ತಾಳೆಯನ್ನು ಉಪಯೋಗಿಸಿದರೆ ಈ ಸಂಖ್ಯೆ ಕ್ರಮವಾಗಿ 163 ಮತ್ತು 110  ಗಳಿಗಿಳಿಯುತ್ತದೆ. ವಸ್ತುಮಸೂರಗಳ ನಾಭಿದೂರ 3-5 

ಮಿಮೀ ಇರುವುದು ಸಾಮಾನ್ಯ. ಆನೋಡ್ ಮತ್ತು ಉಳಿದೆರಡು ಮಸೂರಗಳ ಹೊರ ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಡುಗಳ ವಿಭವ ಸೊನ್ನೆ ಆಗಿರುತ್ತದೆ. ತಂತು ಮತ್ತು ಉಳಿದೆರಡು ಮಧ್ಯ ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಡುಗಳ ಒಂದೇ ಋಣವಿಭವದಲ್ಲಿರುತ್ತವೆ.
ಸ್ಥಿರವಿದ್ಯುತ್ ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿಗಳೊಂದಿಗೆ ಕೆಲಸ ಮಾಡುವುದು ಸುಲಭ. ಇಲ್ಲಿ ಒಂದು ವಿಭವವನ್ನು ಸ್ಥಾಪಿಸಿದರೆ ಸಾಕು. ಕಾಂತ ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿಯಲ್ಲಾದರೆ ಪ್ರತಿ ಮಸೂರಗಳ ಸುರಳಿಯಲ್ಲಿ ಪ್ರವಹಿಸುವ ವಿದ್ಯುತ್ತನ್ನು ನಿಯಂತ್ರಿಸಬೇಕು. ಮತ್ತೆ ಸ್ಥಿರವಿದ್ಯುತ್ ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿಯಲ್ಲಿ 

ಪ್ರತಿಬಿಂಬ ತಿರುಗುವುದಿಲ್ಲ.
ಸ್ಫುರಣ ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿ: ಚಾರಿತ್ರಿಕವಾಗಿ ನೋಡುವುದಾದರೆ ಸ್ಫುರಣ ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿಯೇ ಮೊದಲು ನಿರ್ಮಾಣವಾದ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿ. ಬ್ರೂಕೆ ಮತ್ತು ಜೊಹಾನ್ಸನ್ ಅವರು ಕಾದ ಕ್ಯಾಥೋಡಿನ ಛಾಯಾಚಿತ್ರವನ್ನು ತೆಗೆದುದು ಇಂಥ ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿಯ ನೆರವಿನಿಂದಲೇ. ಈ 

ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿಯ ವಿಘಟನ ಸಾಮಥರ್ಯ್‌ ಕಡಿಮೆ. ಆದರೂ ಇವುಗಳ ಉಪಯೋಗವನ್ನು ಅಲ್ಲಗಳೆಯುವಂತಿಲ್ಲ. ಪ್ರತಿಬಿಂಬವನ್ನು ತೆಗೆಯಬೇಕಾದ ಪ್ರದೇಶವನ್ನು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಘಟ್ಟಣೆಯಿಂದ ಕಾಯಿಸುತ್ತಾರೆ. 2000o ಸೆ. ಗಿಂತ ಹೆಚ್ಚು ಉಷ್ಣತೆಯವರೆಗೂ 

ಹೋಗಬಹುದಾದ ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿಗಳಿವೆ.
ಪ್ರತಿಫಲನ ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿ: ದಪ್ಪವಾದ ಮತ್ತು ಅಪಾರದರ್ಶನ ವಸ್ತುಗಳ ಸೂಕ್ಷ್ಮರಚನೆಯನ್ನು ಪರೀಕ್ಷಿಸಲು ಪ್ರತಿಫಲನ ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿಯನ್ನು ಉಪಯೋಗಿಸುತ್ತಾರೆ. ಚಿತ್ರದಲ್ಲಿ ಪ್ರತಿಫಲನ ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿಯ ಬಿಂಬೀಕರಣ ಕ್ರಿಯೆಯ ನಿರೂಪಣೆಯಿದೆ. ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳು 

ಪತನಗೊಳ್ಳುವ ಓರೆಕೋನ್ ಕಡಿಮೆಯಾಗಿದ್ದರೆ ಒಳ್ಳೆಯ ಸೂಕ್ಷ್ಮಚಿತ್ರಣ ದೊರೆಯುತ್ತದೆ. ಲೋಹಗಳ ಮೇಲ್ಮೈ ಪರೀಕ್ಷೆಗೆ ಇದು ಉಪಯುಕ್ತವಾದ ಉಪಕರಣ. ಅಲೋಹಗಳ ಮೇಲ್ಮೈ ಪರೀಕ್ಷೆಗೆ ಇದು ಉಪಯುಕ್ತವಾದುದಲ್ಲ. ಪಡಿಯಚ್ಚಿನ ವಿಧಾನ (ರೆಪ್ಲಿಕ ಮೆಥೆಡ್) ರೂಢಿಗೆ 

ಬಂದ ಮೇಲೆ ಈ ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿಯ ಬಳಕೆ ತಗ್ಗಿದೆ.
ಅಯಾನು ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿಗಳು: ಸ್ಥಿರವಿದ್ಯುತ್ ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿಯಲ್ಲಿ ವಿಭವಗಳ ಚಿಹ್ನೆಯನ್ನು ಬದಲಾಯಿಸಿದರೆ ಅಯಾನುಗಳನ್ನೇ ವಸ್ತುಗಳ ಸೂಕ್ಷ್ಮ ರಚನೆಯ ಪರೀಕ್ಷೆಗೆ ಉಪಯೋಗಿಸಬಹುದು. ಅಯಾನುಗಳ ಡಿಬ್ರಾಯಿ ತರಂಗಾಂತರ ಬಹಳಷ್ಟು ಕಡಿಮೆಯಾಗಬಲ್ಲದು ಆದ್ದರಿಂದ 

ಅಯಾನು ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿಯ ವಿಘಟನಸಾಮಥರ್ಯ್‌ 1Å  ಗಿಂತ ಕಡಿಮೆಯಾಗಬಹುದು. ಚಿತ್ರದಲ್ಲಿ ಲಿಥಿಯಂ ಅಯಾನು ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿಯಲ್ಲಿ  ಸ್ಫಟಿಕಗಳ ಛಾಯಚಿತ್ರವನ್ನು ನೋಡಬಹುದು. ಇಲ್ಲಿ ಸಾಧಿಸಿರುವ ವಿಘಟನೆ 500Å. ಅಯಾನು ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿಯ 

ವಿಘಟನಸಾಮಥರ್ಯ್‌ ಸೈದ್ಧಾಂತಿಕವಾಗಿ ಬಹಳ ಆಶಾದಾಯಕವಾಗಿದ್ದರೂ ವಾಸ್ತವ ರಚನೆ ಆ ಮಿತಿಯನ್ನು ಮುಟ್ಟಿಲ್ಲ. ಪ್ರೋಟಾನುಗಳ ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿಯ ವಾಸ್ತವ ವಿಘಟನೆ 300Åಗಳನ್ನು ದಾಟಿಲ್ಲ.  ಭರಪ್ರೋಟಾನುಗಳು ಬೀಜಕ್ರಿಯೆ (ನ್ಯೂಕ್ಲಿಯರ್ ಆಕ್ಷನ್) ಯನ್ನು 

ಉಂಟುಮಾಡುವುದೂ ಅವುಗಳು ಉಪಯೋಗಕ್ಕೆ ಅಡ್ಡಿಯಾಗುತ್ತದೆ.
ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿಯ ಉಪಯೋಗದಲ್ಲಿ ಬಳಸುವ ತಂತ್ರಗಳು: ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿಯ ಉಪಯೋಗದ ಬಗ್ಗೆ ಕೆಲವು ಕಾಲ ತೀವ್ರತರವಾದ ಸಂಶಯಗಳೇ ಇದ್ದುವು. ನಿರ್ವಾತ ಜಲಶೋಷಣೆ (ಡೆಸಿಕೇಶನ್) ಮತ್ತು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಘರ್ಷಣೆಯಿಂದ 

ಸಂಭವಿಸಬಹುದಾದ ತೊಂದರೆಗಳ ಕಲ್ಪನೆಯಲ್ಲಿ ಜೀವವಿಜ್ಞಾನ ವಿಜ್ಞಾನಿಗಳಿಗೆ ಮತ್ತು ಪ್ರತಿಫಲನಗೊಂಡ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳಿಂದ ಪ್ರತಿಬಿಂಬಗಳನ್ನು ಮೂಡಿಸುವುದರಲ್ಲಿರುವ ತೊಂದರೆಗಳಿಂದ ಭೌತವಿಜ್ಞಾನಿಗಳಿಗೆ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿಯಿಂದ ಯಾವ ಪ್ರಯೋಜನವೂ 

ಆಗದಿರಬಹುದೆಂಬ ನಿರಾಶೆಯಿತ್ತು. ಪಡಿಯಚ್ಚು ವಿಧಾನ ಘನವಸ್ತುಗಳ ಮೇಲ್ಮೈ ಪರೀಕ್ಷೆಗೆ ಸಹಕಾರಿಯಾಗಿರುವುದರಿಂದ ಪ್ರತಿಫಲನ ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿಯ ಸಮಸ್ಯೆಗಳು ಎದುರಾಗಲೇ ಇಲ್ಲ. ಕಡಿಮೆ ಚದುರಿಕೆ ಸಾಮಥರ್ಯ್‌ವಿರುವ ವಸ್ತುಗಳ ವಿಭೇದದ ಮಿತಿಯನ್ನು 

ನೆರಳುಎರಕ (ಶ್ಯಾಡೊ ಕ್ಯಾಸ್ಟಿಂಗ್) ಮತ್ತು ಅಭಿರಂಜನ (ಸ್ಟೇನಿಂಗ್) ತಂತ್ರಗಳು ನಿವಾರಿಸಿವೆ. ಪಡಿಯಚ್ಚು ವಿಧಾನ ನೀರಿರುವ ವಸ್ತುಗಳ ಸೂಕ್ಷ್ಮರಚನೆಯ ಪರೀಕ್ಷೆಗೂ ಸಹಕಾರಿಯಾಗುತ್ತದೆ. ್ಸ/20ರಷ್ಟು ತೆಳುವಾದ ಪೊರೆಗಳನ್ನು ಕತ್ತರಿಸಿ ತೆಗೆಯುವುದು 

ಸಾಧ್ಯವಿದೆಯಾಗಿ ಈಗ ಹಿಂದಿನ ಕಷ್ಟಗಳಿಲ್ಲ.
ನಿರ್ವಾತ ಬಾಷ್ಪೀಕರಣ (ವ್ಯಾಕೂಂ ಎವಾಪೊರೇಷನ್) : ಈ ಕ್ರಿಯೆಗೆ ಉಪಯೋಗಿಸುವ ಉಪಕರಣದ ಚಿತ್ರದಲ್ಲಿ ತೋರಿಸಿದೆ. ವಸ್ತುಗಳನ್ನು ನಿರ್ವಾತದಲ್ಲಿ ಬಾಷ್ಪೀಕರಿಸುವ ಸಂದರ್ಭಗಳು ಅನೇಕಸಾರಿ ಬಂದೊದುಗುತ್ತವೆ. ನಿರ್ವಾತವನ್ನುಂಟು ಮಾಡಲು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ 

ರೋಟರಿ ಪೆಂಪಿನಿಂದ ಬೆಂಬಲ ಗೊಂಡ ವಿಸರಣ ಪಂಪನ್ನು ಉಪಯೋಗಿಸುತ್ತಾರೆ. ಗಂಟಾಪಾತ್ರೆಯೊಳಗಿನ ಒತ್ತಡ ಬಾಷ್ಪೀಕರಣಗೊಂಡ ಪರಮಾಣುಗಳ ಸರಾಸರಿ ಸ್ವಚ್ಛಂದ ದಾರಿ (ಮೀನ್ ಫ್ರೀ ಪಾತ್) ಅವುಗಳು ಹಾಯಬೇಕಾದ ದೂರಕ್ಕಿಂತ ಹೆಚ್ಚಾಗಲು 

ಅನುವಾಗುವಂತಿರ ಬೇಕು. 10-4  ಮಿಮೀ ಪಾದರಸ ನಿರ್ವಾತವಿದ್ದರೆ ಇದು ಸಾಧ್ಯ. ಚಿನ್ನ, ಪೆಲೇಡಿಯಂ ಮುಂತಾದ ಧಾತುಗಳ ತುಣುಕುಗಳನ್ನು ಶಂಖದ ಆಕಾರದಲ್ಲಿರುವ ಟಂಗ್ಸ್ಟನ್ ಸುರುಳಿಯಲ್ಲಿಟ್ಟು ಕಾಯಿಸಿ ಬಾಷ್ಪೀಕರಣಗೊಳಿಸಬಹುದು. ಪ್ಲಾಟಿನಂ 

ಟಂಗ್ಸ್ಟನ್ನಿನೊಂದಿಗೆ ಬೆರೆತು ಅದನ್ನು ಕತ್ತರಿಸುತ್ತದೆ. ಆದ್ದರಿಂದ ಪ್ಲಾಟಿನಮನ್ನು ಬಾಷ್ಪೀಕರಿಸುವಾಗ ತೀರ ತೆಳುವಾದ ಅದರ ತಂತಿಯನ್ನು ಟಂಗ್ಸ್ಟನ್ ತಂತಿಯಮೇಲೆ ಸುತ್ತಿ ಕಾಯಿಸಬೇಕಾಗುತ್ತದೆ. ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿಯ ಉಪಯೋಗಕ್ಕಾಗಿ ಹೀಗೆ ಬಾಷ್ಪೀಕರಣ 

ಮಾಡಬೇಕಾದ ವಸ್ತುಗಳ ಪ್ರಮಾಣ 5 ಮಿಗ್ರಾಂ ಗಿಂತ ಹೆಚ್ಚಾಗಿರುವುದಿಲ್ಲ.
ಬಾಷ್ಪೀಕರಣಗೊಂಡ ಪರಮಾಣುಗಳು ನೇರವಾಗಿ ಚಲಿಸುತ್ತ ಅವಕ್ಕೆ ಅಡ್ಡವಾದ ಪ್ರದೇಶದ ಮೇಲೆ ಬಿದ್ದು ತೆಳುವಾದ ಪೊರೆಗಳನ್ನು ಸ್ಪಷ್ಟಿಸುತ್ತವೆ. ಇಂಥ ಪೊರೆಗಳು ಗಂಟಾಪಾತ್ರೆಯ ಒಳಮೈಮೇಲೂ ಬೆಳೆಯುತ್ತವೆ. ಗಂಟಾಪಾತ್ರೆಯನ್ನು ತೆಗೆದಮೇಲೆ ಈ ಪೊರೆಗಳು 

ಒಳಮೈನಿಂದ ಬೇರ್ಪಟ್ಟು ಗಾಳಿಯಲ್ಲಿ ತೇಲುತ್ತವೆ. ಅವು ಶ್ವಾಸಕೋಶಗಳಿಗೆ ಹೋಗಿ ಅಪಾಯವನ್ನು ಉಂಟುಮಾಡುವ ಸಾಧ್ಯತೆಯಿರುವುದರಿಂದ ನಿರ್ವಾತ ಬಾಷ್ಪೀಕರಣದಲ್ಲಿ ತೊಡಗಿರುವ ಜನ ಎಚ್ಚರಿಕೆ ವಹಿಸುವುದು ತೀರ ಆವಶ್ಯಕ.
ಮಾದರಿಯ ಆಧಾರಗಳು: ಚಿತ್ರದಲ್ಲಿ ವಿದ್ಯುತ್ ಗಿಲಾವಿನ ನಿಕ್ಕಲ್ ಅಥವಾ ತಾಮ್ರದ ಜಾಲಂದ್ರವನ್ನು ನೋಡಬಹುದು. 3% ರಷ್ಟು ಕಲೋಡಿಯನ್ ಇರುವ ಅಮೈಲ್ ಅಸಿಟೇಟನ್ನು ನೀರಿನ ಮೇಲೆ ಹಾಕಿದರೆ ಅದು ತೆಳುವಾದ ಪೊರೆಯಂತೆ ಹರಡಿಕೊಳ್ಳುತ್ತದೆ. ಈ ಪೊರೆಯನ್ನು 

ಜಾಲಂದ್ರಕ್ಕೆ ಹೊದಿಸಿ ಅದನ್ನು ಮಾದರಿಯ ಮೌಂಟ್ ಆಗಿ ಉಪಯೋಗಿಸುತ್ತಾರೆ. ಒಮ್ಮೊಮ್ಮೆ ದೃಢವಾದ ಪೊರೆಗಳು ಬೇಕಾಗುತ್ತವೆ. ಸಿಲಿಕಾನ್ ಆಕ್ಸೈಡ್ ಅಥವಾ ಇಂಗಾಲವನ್ನು ನಿರ್ವಾತ ಗಂಟಾಪಾತ್ರೆಯಲ್ಲಿ ಬಾಷ್ಪೀಕರಿಸಿ ಅದು ಕಲೋಡಿಯನ್ ಪೊರೆಯಮೇಲೆ 

ಶೇಖರವಾಗುವಂತೆ ಮಾಡುವುದರಿಂದ ದೃಡವಾದ ಪೊರೆಗಳನ್ನು ಸಿದ್ಧಪಡಿಸಿಕೊಳ್ಳಬಹುದು. ಕಲೋಡಿಯನ್ ಪೊರೆ ಹಾಗೇ ಇದ್ದರೂ ಬಾಧಕವಿಲ್ಲ. ಅದು ಬೇಕಿಲ್ಲವೆಂದಾಗ ಜಾಲಂದ್ರವನ್ನು ಅಸಿಟೋನಿನಲ್ಲಿ ಅದ್ದಿ ಅದನ್ನು ಕರಗಿಸಬಹುದು.
ಸಾಮಾನ್ಯ ಮಾದರಿಗಳ ತಯಾರಿಕೆ: ಕಣಗಳ ರೂಪದಲ್ಲಿರುವ ವಸ್ತುಗಳನ್ನು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿಯಲ್ಲಿ ನೋಡಬೇಕಾದರೆ ಅವನ್ನು ನೀರಿನಲ್ಲಿ ಕದಡಬೇಕು. ಅನಂತರ ಒಂದು ತೊಟ್ಟು ಈ ಕಲಾಯಿಡಲ್ ದ್ರಾವಣವನ್ನು ಪೊರೆ ಜಾಲಂಧ್ರದ ಮೇಲೆ ಹರಡಿ ಒದಗಿಸಬೇಕು. 

ಒಮ್ಮೊಮ್ಮೆ ಮಾದರಿಗಳನ್ನು ರಾಸಾಯಿನಿಕ ಶುದ್ದಿಗೂ ಒಳಪಡಿಸಬೇಕಾಗುತ್ತದೆ. ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿಯಲ್ಲಿ ಉಪಯೋಗಿಸಲು ಯೋಗ್ಯ ವಾದ ಮಾದರಿಯನ್ನು ಒಂದೇ ಪ್ರಯತ್ನದಲ್ಲಿ ಸಿದ್ಧಿಪಡಿಸುವುದು ಕಷ್ಟ.
ಮೆಗ್ನೀಸಿಯಂ, ಕ್ಯಾಡ್ಮಿಯಂ, ಸತು ಮತ್ತು ಮಾಲಿಬ್ಡಿನಂ ಧಾತುಗಳ ಆಕ್ಸೈಡ್ ಹೊಗೆಯನ್ನು ಪೊರೆಯಿಲ್ಲದ ಜಾಲಂದ್ರದ ಮೇಲೆ ಹಿಡಿಯಬಹುದು. ಕಣಗಳು ತಂತಿಗೆ ಅಂಟಿಕೊಂಡು ಹೊರಚಾಚಿರುತ್ತವೆ. ಇವನ್ನು ನೇರವಾಗಿ ಛಾಯಾಚಿತ್ರೀಕರಿಸ ಬಹುದು.
ಲೋಹದ ತೆಳುವಾದ ಪೊರೆಗಳನ್ನು ತಯಾರಿಸಲು ರಾಸಾಯನಿಕ ಕಡೆತ (ಕೆಮಿಕಲ್ ಎಚ್ಚಿಂಗ್) ಮತ್ತು ವಿದ್ಯುದ್ವಿಭಜನ ಮಾರ್ಗಗಳನ್ನು ಆಶ್ರಯಿಸಬೇಕಾಗುತ್ತದೆ.
ನೆರಳು ಎರಕ (ಶ್ಯಾಡೋ ಕ್ಯಾಸಿಂಗ್): ಇದನ್ನು ಮಾಡುವ ವಿಧಾನವನ್ನು ಚಿತ್ರದಲ್ಲಿ ನೋಡಬಹುದು. ವಿದ್ಯುತ್ ಪ್ರವಾಹದಿಂದ ಕಾದ ತಂತಿಯ ಸುರುಳಿಯಲ್ಲಿರುವ ಲೋಹ ಬಾಷ್ಪೀಕರಣಗೊಂಡು ದೂರದಲ್ಲಿರುವ ಮಾದರಿಯ ಮೇಲೆ ಬೀಳುತ್ತದೆ. ಚಿತ್ರದ 

ಜ್ಯಾಮಿತಿಯನ್ನನುಸರಿಸಿ  
                                    . . . . . . (10)
                                    . . . . . . .(11)
                                 . . . . . . .(12)
ಎಂದು ಬರೆಯಬಹುದು. ಇಲ್ಲಿ  ಬಾಷ್ಪೀಕರಣಗೊಂಡ ಲೋಹದ ಒಟ್ಟು ಜಡಮಾನ ಮತ್ತು ಡಿ ಅದರ ಸಾಂದ್ರತೆ. ಈ ಸಮೀಕರಣಗಳನ್ನು ನೇರವಾಗಿ ಲೆಕ್ಕಾಚಾರಕ್ಕಾಗಿ ಉಪಯೋಗಿಸುವುದು ಸರಿಯಲ್ಲ. ಸಮಯಕ್ಕೆ ತಕ್ಕಂಥ ಮಾರ್ಪಾಟುಗಳನ್ನು ಮಾಡಿಕೊಳ್ಳಬೇಕಾಗುತ್ತದೆ. 

ಉದಾಹರಣೆಗೆ, ಸಮೀಕರಣ (2)ರಿಂದ ಬಲಭಾಗವನ್ನು ವಿಲಿಯಂ ಮತ್ತು ಬಾಕಸ್ ಅವರಂತೆ  ¾ ರಿಂದ ಗುಣಿಸಬೇಕಾಗುತ್ತದೆ.
ನೆರಳು ಎರಕ ಮಾದರಿಗಳ ಧನಮುದ್ರಿಕೆಗಳಲ್ಲಿ ನೆರಳು ಬೆಳಕಾಗಿಯೂ ಲೋಹವಿರುವ ಜಾಗ ಕಪ್ಪಾಗಿಯೂ ಕಾಣುತ್ತವೆ. ಇದು ಸಾಮಾನ್ಯವಾದ ಸ್ಥಿತಿಗೆ ವ್ಯತಿರಿಕ್ತವಾದುದು. ಆದ್ದರಿಂದ ಇಂಥ ಸೂಕ್ಷ್ಮಚಿತ್ರಣಗಳನ್ನು ಮಾಧ್ಯಮಿಕ ಧನ ಪಾರದರ್ಶಗಳಿಂದ ಋಣ 

ಮುದ್ರಿಕೆಗಳಂತೆ ಅಚ್ಚು ಹಾಕುತ್ತಾರೆ. ಚಿತ್ರದಲ್ಲಿ ಮೊಟ್ಟೆಯ ಆಲ್ಬುಮಿನ್ ಲೇಪನಗೊಂಡ ಕಲೋಡಿಯನ್ ಪೊರೆಯ ಮೇಲಿರುವ ಇಂಗಾಲದ ಕಣಗಳ ಧನ ಮತ್ತು ಋಣಮುದ್ರಿಕೆ ಗಳನ್ನು ಕಾಣಬಹುದು. ನೆರಳಿನ ಹೊರಗಿರುವ ಜಾಗದಲ್ಲಿ ಆಲ್ಬುಮಿನ್ ಅಣುಗಳ ಗುಂಪುಗಳನ್ನು 

ಗುರುತಿಸಬಹುದು. 
ನೆರಳು ಎರಕಕ್ಕೆ ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಕ್ರೋಮಿಯಮ್, ನಿಕ್ಕಲ್, ಜರ್ಮೇನಿಯಂ ಮ್ಯಾಂಗನೀಸ್, ಪೆಲೇಡಿಯಂ, ಪ್ಲಾಟಿನಂ ಮತ್ತು ಯುರೇನಿಯಮ್ ಲೋಹಗಳನ್ನು ಉಪಯೋಗಿಸುತ್ತಾರೆ.
ಮೇಲ್ಮೈ ಪಡಿಯಚ್ಚುಗಳು : ಪ್ರತಿಫಲನ ಮತ್ತು ಪ್ರೇಷಕ ತಂತ್ರದಿಂದ ಪರೀಕ್ಷಿಸಲು ಸಾಧ್ಯವಿಲ್ಲದ ದಪ್ಪ ಮಾದರಿಗಳ ಪಡಿಯಚ್ಚಿನ ಸೂಕ್ಷ್ಮಚಿತ್ರಣ ತೆಗೆಯುವುದು ಸುಲಭ. ನಿರ್ವಾತದಲ್ಲಿ ನಿಜಸ್ಥಿತಿಯನ್ನು ಕಳೆದುಕೊಳ್ಳುವ ವಸ್ತುಗಳ ಉಪಯೋಗಕ್ಕೆ ಬಂದ ಮೊದಲ ದಶಕದಲ್ಲಿ 

ಲೋಹಗಳ ಕಡೆದ (ಎಚ್ಡ್‌) ಮೇಲ್ಮೈ ಪರೀಕ್ಷೆಗೆ ಇದು ಅತಿ ಮುಖ್ಯವಾದ ವಿಧಾನವಾಗಿತ್ತು.
ಋಣ ಪಡಿಯಚ್ಚುಗಳು (ನೆಗೆಟಿವ್ ರೆಪ್ಲಿಕಾಸ್): ಋಣ ಪಡಿಯಚ್ಚುಗಳಲ್ಲಿ ಮಾದರಿಯ ಉಬ್ಬು ತಗ್ಗುಗಳಿಗೆ ಬದಲಾಗಿ ತಗ್ಗು ಉಬ್ಬುಗಳಿರುತ್ತವೆ. ಮಂದವಾದ ಫಾರ್ಮ್‌ವಾರ್ ಅಥವಾ ಕಲೋಡಿಯನ್ ದ್ರಾವಣವನ್ನು ಮಾದರಿಗೆ ಸವರಿ ಅದು ಒಣಗಿದ ಮೇಲೆ ಪೊರೆಯನ್ನು 

ಎಬ್ಬಿದರೆ ಋಣ ಪಡಿಯಚ್ಚು ಸಿದ್ಧವಾಗುತ್ತದೆ. ಈ ಕೆಲಸದ ನಿರೂಪಣೆಯನ್ನು ಚಿತ್ರದಲ್ಲಿ ನೋಡಬಹದು. ಋಣಪಡಿಯಚ್ಚನ್ನು ಜಾಲಂದ್ರದ ಮೇಲಿಟ್ಟು ಸೂಕ್ಷ್ಮಚಿತ್ರಣ ತೆಗೆಯುತ್ತಾರೆ.
ಧನಪಡಿಯಚ್ಚು: ಧನಪಡಿಯಚ್ಚು ವಸ್ತುವಿನ ಮೇಲ್ಮೈನಂತೆಯೇ ಇರುತ್ತದೆ. ಮೊದಲು ಋಣಪಡಿಯಚ್ಚನ್ನು ತೆಗೆದು ಅನಂತರ ಅದರಿಂದ ಧನಪಡಿಯಚ್ಚನ್ನು ಪಡೆಯುತ್ತಾರೆ. ಈ ತಂತ್ರದ ನಿರೂಪಣೆಯನ್ನು ಚಿತ್ರದಲ್ಲಿ ಕಾಣಬಹುದು. ಋಣಪಡಿಯಚ್ಚನ್ನು ಕರಗಿಸಿ 

ಧನಪಡಿಯಚ್ಚನ್ನು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿಯಲ್ಲಿ ಉಪಯೋಗಿಸಬಹುದು.
ಬಾಷ್ಪೀಕೃತ ಪಡಿಯಚ್ಚುಗಳು: ತೆಳುವಾದ ಪಾಲಿಥೀನ್ ಹಾಳೆಯನ್ನು ಕಾಯಿಸಿ ಮಾದರಿಯ ಮೇಲೆ ಮೋಲ್ಡ್‌ ಮಾಡಿ ಋಣಪಡಿಯಚ್ಚನ್ನು ಪಡೆಯಬೇಕು. ಅದರ ಮೇಲೆ ನಿರ್ವಾತ ಗಂಟಾಪಾತ್ರೆಯಲ್ಲಿ ಸಿಲಿಕವನ್ನು ಬಾಷ್ಪೀಕರಿಸಿ ಹಾಯಿಸಿದರೆ ಧನಪಡಿಯಚ್ಚು ದೊರೆಯುತ್ತದೆ. 

ಈ ವಿಧಾನ ಲೋಹ, ಹಲ್ಲು ಮತ್ತು ತಂತುಗಳ ಪರೀಕ್ಷಣಕ್ಕೆ ಬಲು ಸಹಕಾರಿಯಾಗಿದೆ. 
ಅಭಿರಂಜನತಂತ್ರ (ಸ್ಟೇನಿಂಗ್ ಟೆಕ್ನೀಕ್): ಚದರಿಕೆ ಸಾಮಥರ್ಯ್‌ ಕಡಿಮೆ ಇರುವ ಕಡಿಮೆ ತೂಕದ ಮತ್ತು ಪರಮಾಣುಗಳಿಂದ ರಚಿತವಾದ ವಸ್ತುಗಳ ಸೂಕ್ಷ್ಮಚಿತ್ರಣದಲ್ಲಿ ವಿಭೇದವನ್ನು (ಕಾಂಟ್ರಾಸ್ಟ್‌) ಹೆಚ್ಚಿಸಲು ಕೆಲವು ರಾಸಾಯನಿಕ ವಸ್ತುಗಳನ್ನು ಉಪಯೋಗಿಸುತ್ತಾರೆ. 

ಇವುಗಳ ಚದರಿಕೆ ಸಾಮಥರ್ಯ್‌ ಹೆಚ್ಚು. ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಇವು ಭಾರವಾದ ಲೋಹಗಳ ಸಂಯುಕ್ತಲವಣಗಳು. ಇವನ್ನು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಅಭಿರಂಜಕಗಳೆಂದು ಕರೆಯುತ್ತಾರೆ. ಅಭಿರಂಜಕಗಳಲ್ಲಿ ಎರಡು ವಿಧ. ಧನಾಭಿರಂಜಕ ಮತ್ತು ಋಣಾಭಿರಂಜಕ.
ಧನಾಭಿರಂಜಕ: ಧನಾಭಿರಂಜಕಗಳು ರಾಸಾಯನಿಕವಾಗಿ ಅಂಟಿಕೊಳ್ಳುತ್ತವೆ. ವಿಶೇಷವಾಗಿ ಉಪಯೋಗದಲ್ಲಿರುವ ಧನಾಭಿರಂಜಕ ಫಾಸ್ಫೊಟಂಗ್ಸ್ಟಿಕ್ ಆಮ್ಲ ಮತ್ತು ಅದರ ಲವಣಗಳು. ಪ್ರೋಟೀನ್ ಪ್ಯಾರಮಿಯೋಸಿನ್ ಎಕ್ಸ್‌ಕಿರಣಗಳ ನಮನ ನಮೂನೆಯನ್ನು 

ಅರ್ಥಮಾಡಿಕೊಳ್ಳಲು ಅದರ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಸೂಕ್ಷ್ಮಚಿತ್ರಣ ತೆಗೆದಾಗ ಯಾವ ಅಭಿರಂಜಕವನ್ನು ಉಪಯೋಗಿಸಿದ ಮೇಲೆ ಆಂತರಿಕರಚನೆ ಸ್ಪಷ್ಟವಾಗಿ ಕಾಣಿಸಿತು. ಇದನ್ನು ಚಿತ್ರದಲ್ಲಿ ನೋಡಬಹುದು. ಯುರಾನಿಲ್ ಅಸಿಟೇಟ್, ನ್ಯೂಕ್ಲಿಯಿಕ್ ಆಮ್ಲ, ಆಸ್ಮಯಮ್ ಟೆಟ್ರಾಕ್ಸೈಡ್ 

ಮತ್ತು ಪ್ಲಾಟಿನಮ್ ಟ್ರೈಕ್ಲೋರೈಡ್ಗಳು  ಬೇರೆ ಮುಖ್ಯ ಧನಾಭಿರಂಜಕಗಳು.
ಋಣಾಭಿರಂಜಕ: ಋಣಾಭಿರಂಜಕಗಳು ರಾಸಾಯನಿಕ ಕ್ರಿಯೆಯನ್ನುಂಟು ಮಾಡುವುದಿಲ್ಲ. ಅವು ವಸ್ತು ಕಣಗಳ ಸಂದುಗಳಲ್ಲಿ ಸೇರಿ ಹೊರಮೈ ರೇಖೆ ಚೆನ್ನಾಗಿ ಕಾಣುವಂತೆ ಮಾಡುತ್ತವೆ. ಥ್ಯಾಲಿಯಂ ಕಾರ್ಬೋನೇಟ್, ಮತ್ತು ಸೋಡಿಯಂ ಟಂಗ್ಸ್ಟೇಟ್ ಮುಖ್ಯವಾದ 

ಋಣಾಭಿರಂಜಕಗಳು.
ಮಾದರಿ ಮತ್ತು ಅಭಿರಂಜಕಗಳು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳನ್ನು ಚದುರಿಸಲು ಕ್ರಮವಾಗಿ ಕಡಿಮೆ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚು ಸಾಮಥರ್ಯ್‌ವನ್ನು ಹೊಂದಿರುವುದರಿಂದ ಛಾಯಾಚಿತ್ರದಲ್ಲಿ ವಿಭೇದ ಮೂಡುತ್ತದೆ.
ಪ್ರತಿಬಿಂಬೀಕರಣ: ದೃಕ್ ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿಯ ಪ್ರತಿಬಿಂಬದಲ್ಲಿ ಉಂಟಾಗುವ ವಿಭೇದಕ್ಕೆ ಕಾರಣ ಬೆಳಕು ಮಾದರಿಯ ಮೂಲಕ ಹಾಯುವಾಗ ಸಂಭವಿಸುವ ಹೀರಿಕೆ. ಹೆಚ್ಚು ಸಾಂದ್ರತೆ ಇರುವಲ್ಲಿ ಹೀರಿಕೆ ಹೆಚ್ಚು; ಆ ಭಾಗ ಛಾಯಾಚಿತ್ರದಲ್ಲಿ ಕಪ್ಪಾಗಿ ಕಾಣುತ್ತದೆ. ಕಡಿಮೆ ಸಾಂದ್ರತೆ 

ಇರುವಲ್ಲಿ ಹೀರಿಕೆ ಕಡಿಮೆ: ಅಂಥ ಭಾಗ ಛಾಯಾಚಿತ್ರದಲ್ಲಿ ಬಿಳುಪಾಗಿ ಕಾಣುತ್ತದೆ. ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿಯ ಪ್ರತಿಬಿಂಬದಲ್ಲಿ ಉಂಟಾಗುವ ವಿಭೇದಕ್ಕೆ ಕಾರಣ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳು ಮಾದರಿಯ ಮೂಲಕ ಹಾಯುವಾಗ ಸಂಭವಿಸುವ ಚದರಿಕೆ. ಹೆಚ್ಚು ಸಾಂದ್ರತೆ ಇರುವಲ್ಲಿ 

ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳ ಚದರಿಕೆ ಹೆಚ್ಚು; ಆ ಭಾಗ ಛಾಯಾಚಿತ್ರದಲ್ಲಿ ಕಪ್ಪಾಗಿ ಕಾಣುತ್ತದೆ. ಕಡಿಮೆ ಸಾಂದ್ರತೆ ಇರುವಲ್ಲಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳ ಚದರಿಕೆ ಕಡಿಮೆ; ಅಂಥ ಭಾಗ ಛಾಯಾಚಿತ್ರದಲ್ಲಿ ಬಿಳುಪಾಗಿ ಕಾಣುತ್ತದೆ. ಚದರಿದ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳು ಬಿಂಬ ಗ್ರಾಹಿತಟ್ಟೆಯನ್ನು ತಲುಪದಂತೆ 

ಮಾಡಲು ಸಂದರ್ಭೋಚಿತವಾಗಿ ಕಿಂಡಿಗಳನ್ನು ಅಳವಡಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಕಡಿಮೆ ಕೋನದಲ್ಲಿ ಚದುರಿದ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳು ಛಾಯಾಚಿತ್ರದಲ್ಲಿ ಹಿನ್ನೆಲೆ ಮಸುಕನ್ನು ಮೂಡಿಸುತ್ತವೆ.
ರೇಖಾವಳಿ ಪರಿಣಾಮ (ಕಾಂಟೂರ್ ಫಿನಾಮಿನನ್): ಚಿಕ್ಕ ಬೆಳಗು ಕಿಂಡಿಯಿರುವ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿಯ ಛಾಯಾಚಿತ್ರಗಳಲ್ಲಿ ವಸ್ತುಮಸೂರ ನಿಜ ನಾಭಿಯಿಂದ ಹೊರಗಿದ್ದರೆ ಪ್ರೆನಲ್ ನಮನದ ಪಟ್ಟೆಗಳು ಕಾಣಿಸಿಕೊಳ್ಳುತ್ತವೆ. ಇದನ್ನು ರೇಖಾವಳಿ ಪರಿಣಾಮ ಎಂದು 

ಕರೆಯುತ್ತಾರೆ. ಚಿತ್ರ15ರಲ್ಲಿ ಕಾಣಿಸುವಂಥ ಪಟ್ಟಿಗಳು ಮೂಡುತ್ತವೆ. 
                        		         .....(13)    
ಇಲ್ಲಿ ಮತ್ತು  ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ತರಂಗಾಂತರ. ವಸ್ತುವಿನ ಅಂಚು ನಾಭಿಗೊಂಡಿದ್ದರೆ ಪ್ರೆನಲ್ ಪಟ್ಟೆಗಳು ಕಾಣಿಸುವುದಿಲ್ಲ.   
ಸಣ್ಣ ಕಣಗಳ ಇಲ್ಲವೆಕಿಂಡಿಗಳ ಸುತ್ತ ಮೂಡುವ ರೇಖಾವಳಿಗಳು ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿ ಸರಿಯಾಗಿ ನಾಭಿಗೊಂಡಿದೆಯೋ ಇಲ್ಲವೋ ಎಂಬುದನ್ನು ತಿಳಿಯಲು ಸಹಾಯಕವಾಗುತ್ತವೆ.
ಸ್ಫಟಿಕ ವಸ್ತುಗಳ ಸೂಕ್ಷ್ಮ ಚಿತ್ರದಲ್ಲಿ ಅನೇಕ ಸಾರಿ ವಸ್ತುಗಳ ಛಾಯಾಚಿತ್ರದಂತೆಯೆ ಇರುವ ಬಿಳುಪು ಪ್ರದೇಶಗಳು ಕಾಣಿಸುವುದುಂಟು. ಇವು ಬ್ರ್ಯಾಗ್ ಪ್ರತಿಫಲನದಿಂದ ಹುಟ್ಟುತ್ತವೆ. ಇಂಥ ಒಂದು ಸೂಕ್ಷ್ಮಚಿತ್ರಣವನ್ನು ಚಿತ್ರದಲ್ಲಿ ನೋಡಬಹುದು. ವಸ್ತು ಮಸೂರದಲ್ಲಿ ಬ್ರ್ಯಾಗ್ 

ಪ್ರತಿಫಲನಗೊಂಡ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳನ್ನು ತಡೆಯಲು ಸರಿಯಾದ ಕಿಂಡಿಯಿದ್ದರೆ ಬಿಳುಪುಪ್ರದೇಶಗಳು ಮೂಡುವುದಿಲ್ಲ.
ಪುನರಾವರ್ತಿತ ರಚನೆಗಳ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಪ್ರತಿಬಿಂಬಗಳು (ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಇಮೇಜಸ್ ಆಫ್ ಪೀರಿಯಾಡಿಕ್ ಸ್ಟ್ರಕ್ಚರ್ಸ್): ಹೆಚ್ಚು ವಿಘಟನ ಸಾಮಥರ್ಯ್‌ ವಿರುವ (10Å) ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿಗಳು 1955ರಲ್ಲಿ ಉಪಯೋಗಕ್ಕೆ ಸಿದ್ಧವಾಗಲಾಗಿ ಸ್ಫಟಿಕಗಳ ಪರಮಾಣು 

ರಚನೆಯನ್ನು ನೇರವಾಗಿ ನೋಡುವುದು ಸಾಧ್ಯವಾಯಿತು. ಪುನರಾವರ್ತಿತ ರಚನೆಯನ್ನು ಮೊದಲು ನೊಡಿದವ ಮೆಸ್ಟರ್.
ನೇರಕಿರಣದೊಂದಿಗೆ ಒಂದು ಅಥವಾ ಹೆಚ್ಚು ನಮನಕಿರಣಗಳು ವ್ಯತಿಕರಣ ಗೊಂಡು ಪ್ರತಿಬಿಂಬ ಮೂಡಿದರೆ ಪುನರಾವರ್ತಿತ ರಚನೆ ಕಾಣಿಸಿಕೊಳ್ಳುತ್ತದೆ. ಬೇಕಾದ ನಮನಕಿರಣಗಳನ್ನು ಮಸೂರದ ಹಿಂದಿನ ನಾಭಿತಲದಲ್ಲಿ ಸರಿಯಾದ ವ್ಯಾಸವಿರುವ ಕಿಂಡಿಯನ್ನು 

ಅಳವಡಿಸುವುದರಿಂದ ಪಡೆಯಬಹುದು. ನೇರಕಿರಣಕ್ಕೆ ಕೋನವನ್ನು ಏರ್ಪಡಿಸುವ ನಮನ ಕಿರಣವಿದ್ದರೆ ಅಂತರವುಳ್ಳ ಪಟ್ಟೆಗಳು ಮೂಡುತ್ತವೆ. ಇಲ್ಲಿ  ಸ್ಫಟಿಕತಲಗಳಿಗಿರುವ ಅಂತರ ಮತ್ತು  ತರಂಗಾಂತರ. ಸ್ಫಟಿಕತಲಗಳ ಛಾಯಾಚಿತ್ರವನ್ನು ತೆಗೆಯಬೇಕಾದರೆ 

ಆವಶ್ಯಕವಾಗಿ ಬ್ರ್ಯಾಗ್ ಪ್ರತಿಫಲನ ಆಗಬೇಕು. ಒಂದಕ್ಕಿಂತ ಹೆಚ್ಚು ನಮನಕಿರಣಗಳು ಸೇರಿದರೆ ಎರಡು ಆಯದ ಪುನರಾವರ್ತಿತ ರಚನೆ ಮೂಡುತ್ತದೆ. ಇಂಥ ರಚನೆಗಳ ವಿವರಣೆ ಕಠಿಣ.
ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿಯಲ್ಲಿ ಲೋಹಗಳಂಥ ಸಾಮಾನ್ಯ ಸ್ಫಟಿಕಗಳ ಪುನರಾವರ್ತಿತ ರಚನೆಯನ್ನು ನೋಡುವುದು ಕಷ್ಟ. ಆದರೆ ಪರೋಕ್ಷವಾಗಿ ಅದನ್ನು ಮಾಡಬಹುದೆಂದು ಹಾಷಿಮಟೊ ಮತ್ತು ಉಯೇಡ ಮತ್ತು ಪಾಷ್ಲಿ ಅವರು ತೋರಿಸಿದರು. ಒಂದರ ಮೇಲೊಂದು 

ಏರಿಸಿದ ಸ್ಫಟಿಕಗಳಿಂದ ಪಡೆಯಬಹುದಾದ ಮಾಯ್ರೆ ನಮೂನೆಗಳನ್ನು ಸ್ಥಳಭ್ರಂಶ (ಡಿಸ್ಲೋಕೇಶನ್) ಮತ್ತು ಲ್ಯಾಟಿಸ್ ಕೊರತೆಗಳ (ಲ್ಯಾಟಿಸ್ ಇಂಪರ್ಫೆಕ್ಚನ್) ವಿಶ್ಲೇಷಣೆಗಾಗಿ ಉಪಯೋಗಿಸಬಹುದು.
ಮಾಯ್ರೆ ನಮೂನೆಗಳು: ಎರಡು ರೇಖಾಪಟಲಗಳನ್ನು ಒಂದರ ಮೇಲೊಂದು ಏರಿಸಿ ಒರಟು ರೇಖಾಪಟಲ ಅಥವಾ ಮಾಯ್ರೆ ನಮೂನೆಗಳನ್ನು ಪಡೆಯುವ ದೃಕ್ ತಂತ್ರವನ್ನು ಸ್ಫಟಿಕಗಳ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಸೂಕ್ಷ್ಮಚಿತ್ರಣ ತೆಗೆಯುವಾಗಲೂ ಬಳಸಬಹುದು.
ಚಿತ್ರ ಮಾಯ್ರೆ ನಮೂನೆಗಳನ್ನು ರಚಿಸುವ ಎರಡು ವಿಧಾನಗಳನ್ನು ಸೂಚಿಸುತ್ತವೆ. ಎರಡು ರೇಖಾಪಟಲಗಳನ್ನು ಸಮಾನಾಂತರವಾಗಿ ಒಂದರ ಮೇಲೊಂದು ಏರಿಸಿ ಛಾಯಾಚಿತ್ರ ತೆಗೆದರೆ ಸಮಾನಾಂತರ ಮಾಯ್ರೆ ನಮೂನೆ ಮೂಡುತ್ತದೆ. ಹಾಗಲ್ಲದೆ ಒಂದರ 

ಮೇಲೊಂದು ಓರೆಯಾಗಿ ಏರಿಸಿ ಛಾಯಾಚಿತ್ರ ತೆಗೆದರೆ ತಿರುವು ಮಾಯ್ರೆ ನಮೂನೆ ಮೂಡುತ್ತದೆ. ಇದೇ ರೀತಿಯ ಪರಿಣಾಮವನ್ನು ಎರಡು ತೆಳುವಾದ ಸ್ಫಟಿಕಗಳನ್ನು ಒಂದರ ಮೇಲೊಂದು ಏರಿಸಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಸೂಕ್ಷ್ಮಚಿತ್ರಣ ತೆಗೆದು ಪಡೆಯಬಹುದು. ಮಾಯ್ರೆ 

ನಮೂನೆಗಳನ್ನು ಬೇರೆ ಬೇರೆ ಸ್ಫಟಿಕಗಳಲ್ಲಿರುವ ಅಂತರಕ್ಕಿಂತ ಹೆಚ್ಚು ಅಂತರ ಇರುವುದರಿಂದ ಅದು ಪ್ರತಿಬಿಂಬದಲ್ಲಿ ಸ್ಪಷ್ಟವಾಗಿ ಗೋಚರಿಸುತ್ತದೆ. ಸಮಾನಾಂತರ ಮಾಯ್ರೆ ನಮೂನೆಯ ಅಂತ  .....(14)   
ಎಂದು ಕರೆಯಬಹುದು.  ಅಥವಾ . ಆಗ  ಅಥವಾ . ಮಾಯ್ರೆ ಲಂಬ  ಆದರೆ ಎಂದು ಬರೆಯಬಹುದು. ಹೀಗೆ  ಅಂತರವಿರುವ ತಲಗಳನ್ನು  ಅಂತರವಿರುವ ತಲಗಳೆಂಬಂತೆ ಛಾಯಾಚಿತ್ರ ತೆಗೆಯಬಹುದು. ತಿರುವು ಮಾಯ್ರೆ ನಮೂನೆಯ ಅಂತರ                                 

                       
                                                     .....(15)       
ಎಂದು ಬರೆಯಬಹುದು.  ಕಡಿಮೆಯಿದ್ದರೆ ಎಂದು ಬರೆಯಬಹುದು. ಇಲ್ಲಿ ಮಾಯ್ರೆ ಲಂಬನ 
ಚಿತ್ರದಲ್ಲಿ ಪೆಲೇಡಿಯಂ ಮತ್ತು ಚಿನ್ನದ (111) ದಿಗ್ವಿನ್ಯಾಸ ತಲಗಳ ಸಮಾನಾಂತರ ಮಾಯ್ರೆ ನಮೂನೆಯನ್ನು ನೋಡಬಹುದು. ಲ್ಯಾಟಿಸ್ ಕೊರತೆಯಿಲ್ಲದ ಮತ್ತು ಲ್ಯಾಟಿಸ್ ಕೊರೆತೆಯಿರುವ ಸ್ಫಟಿಕಗಳ ಮಾಯ್ರೆ ನಮೂನೆಯಲ್ಲಿ ಲ್ಯಾಟಿಸ್ ಕೊರತೆ ಲಂಬಿತವಾಗಿ ಕಾಣುತ್ತದೆ. 

ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಕಿರಣದ ತೀವ್ರತೆಯನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸಿ ಸ್ಫಟಿಕಗಳನ್ನು ಕಾಯಿಸಬಹುದಾದ್ದರಿಂದ ಲ್ಯಾಟಿಸ್ ಕೊರತೆಗಳು ಜಾರುತಲದಲ್ಲಿ ಚಲಿಸುವುದನ್ನು ನೇರವಾಗಿ ನೋಡಬಹುದು. ಇಂಥ ಪ್ರಯೋಗಗಳನ್ನು ಮೊದಲು ನಡೆಸಿದಾತ ಹಿರ್ಷ್. 
ಕಿಕೂಚಿ ಗೆರೆಗಳು ಮತ್ತು ಬ್ಯಾಂಡುಗಳು: ಅನೇಕಸಾರಿ ಏಕಸ್ಫಟಿಕಗಳ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಸೂಕ್ಷ್ಮಚಿತ್ರಣಗಳಲ್ಲಿ ಬಿಂದುಗಳ ಜೊತೆಗೆ ವಿಚಿತ್ರ ನಮೂನೆಯ ಗೆರೆಗಳೂ ಮೂಡುತ್ತವೆ. ಈ ಗೆರೆಗಳನ್ನು ಕಿಕೂಚಿ ಗೆರೆಗಳು (ಕಿಕೂಚಿ 1928) ಎಂದು ಕರೆಯುತ್ತಾರೆ. ಇವು ಸ್ಫಟಿಕದಲ್ಲಿ 

ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳು ಪುಟಿತ ಮತ್ತು ಪುಟಿತವಲ್ಲದ (ಇಲಾಸ್ಟಿಕ್ ಅಂಡ್ ಇನಿಲಾಸ್ಟಿಕ್) ಚದುರಿಕೆಯಿಂದ ಹುಟ್ಟುತ್ತವೆ. ಸ್ಫಟಿಕದ ದಿಗ್ವಿನ್ಯಾಸವನ್ನು ವ್ಯತ್ಯಾಸ ಮಾಡಿದರೆ ಬಿಂದುಗಳು ಸ್ಥಳಾಂತರಗೊಳ್ಳುವುದಿಲ್ಲ. ಕೆಲವು ಕ್ಷೀಣಿಸಿ ಕಾಣೆಯಾಗುತ್ತವೆ. ಮತ್ತೆ ಕೆಲವು ಹುಟ್ಟಿ 

ಕಾಣಿಸಿಕೊಳ್ಳುತ್ತವೆ. ಕಿಕೂಚಿ ಗೆರೆಗಳು ಸ್ಫಟಿಕಕ್ಕೆ ಭದ್ರವಾಗಿ ಅಂಟಿಕೊಂಡಿರುವಂತೆ ಚಲಿಸುತ್ತವೆ. ಈ ಚಲನೆಯನ್ನು ಅನುಸರಿಸಿ ಸ್ಫಟಿಕದ ದಿಗ್ವಿನ್ಯಾಸವನ್ನು ಗೊತ್ತುಮಾಡಬಹುದು.
ಸಾಮಾನ್ಯ ಲೆಕ್ಕಾಚಾರದಂತೆ ಕಿಕೂಚಿ ಗೆರೆಗಳು ಕಾಣಬೇಕಾದಲ್ಲಿ ಬ್ಯಾಂಡುಗಳು ಕಾಣುವುದು. ಅಪುರ್ವವೇನಲ್ಲ. ಈ ಬ್ಯಾಂಡುಗಳ ಉತ್ಪತ್ತಿಯನ್ನು ತಿಳಿಯಲು ಕಿಕೂಚಿ ಗೆರೆಗಳ ಉತ್ಪತ್ತಿಗೆ ಕೊಡುವ ಕಾರಣವನ್ನು ನಂಬಿದರೆ ಆಗುವುದಿಲ್ಲ. ಅದಕ್ಕೆ ಗತಿಸಿದ್ಧಾಂತವನ್ನು 

ಆಶ್ರಯಿಸಬೇಕು ಮತ್ತು ಸಮೀಕರಣಗಳಲ್ಲಿ ಹೀರಿಕೆಪದ (ಟರ್ಮ್‌) ಒಂದನ್ನು ಸೇರಿಸಬೇಕು. ಚಿತ್ರದಲ್ಲಿ ಕಿಕೂಚಿ ಗೆರೆ ಮತ್ತು ಬ್ಯಾಂಡುಗಳನ್ನು ನೋಡಬಹುದು.
ಪ್ರಭಾಕ್ಷೇತ್ರ ಮತ್ತು ಕಾಳಕ್ಷೇತ್ರ ಪ್ರತಿಬಿಂಬಗಳು: ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಸೂಕ್ಷ್ಮದರ್ಶಿಯ ವಸ್ತುಮಸೂರದ ಕಿಂಡಿ ಬ್ರ್ಯಾಗ್ ಪ್ರತಿಫಲನಗಳನ್ನು ತಡೆದಾಗ ಮೂಡುವ ಪ್ರತಿಬಿಂಬವನ್ನು ಪ್ರಭಾಕ್ಷೇತ್ರ ಪ್ರತಿಬಿಂಬ ಎಂದು ಕರೆಯುತ್ತಾರೆ. ಇದು ನೇರ ಕಿರಣಗಳಿಂದ ಹುಟ್ಟಿದುದು. ಕಿಂಡಿಯ 

ಜಾಗವನ್ನು ಬದಲಾಯಿಸಿಯೊ ಇಲ್ಲವೆ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಆಕಾರವನ್ನು ಬೇಕಾದ ಹಾಗೆ ಮಾಲಿಸಿಯೋ ಬರಿ ನಮನ ಕಿರಣಗಳಿಂದಲೇ ಪ್ರತಿಬಿಂಬವನ್ನು ಮೂಡಿಸಬಹುದು. ಇಂಥ ಪ್ರತಿಬಿಂಬವನ್ನು ಕಾಳಕ್ಷೇತ್ರ ಪ್ರತಿಬಿಂಬ ಎಂದು ಕರೆಯುತ್ತಾರೆ. ಕಲಾಯ್ಡಲ್ ಚಿನ್ನದ ಮುದ್ದೆಗಳ 

ಪ್ರಭಾಕ್ಷೇತ್ರ ಮತ್ತು ಕಾಳಕ್ಷೇತ್ರ ಛಾಯಾಚಿತ್ರಗಳನ್ನು ಚಿತ್ರ 20  ಮತ್ತು ಗಳಲ್ಲಿ ಕಾಣಬಹುದು. ಅಸ್ಫಟಿಕ ವಸ್ತುಗಳ ಇಂಥ ಛಾಯಾಚಿತ್ರಗಳು ಅಷ್ಟು ಉಪಯುಕ್ತವಾದುವಲ್ಲ. ಸ್ಫಟಿಕ ವಸ್ತುಗಳ ಕಾಳಕ್ಷೇತ್ರ ಪ್ರತಿಬಿಂಬಗಳು ಪ್ರಭಾಕ್ಷೇತ್ರ ಪ್ರತಿಬಿಂಬಗಳಿಗಿಂತ ವಿಶ್ಲೇಷಣೆಗೆ 

ಅನುಕೂಲವಾಗಿರುತ್ತವೆ. ಚಿತ್ರದಲ್ಲಿ ಸ್ಫಟಿಕಗಳು ಎದ್ದು ಕಾಣುವುದನ್ನು ನೋಡಬಹುದು. ಇವು ಯಲ್ಲಿ ಕಾಣುವುದಿಲ್ಲ.	(ಎಸ್.ಎ.ಎಚ್.)
ಮೈಸೂರು ವಿಶ್ವವಿದ್ಯಾನಿಲಯ ವಿಶ್ವಕೋಶ