ಮೈಸೂರು ವಿಶ್ವವಿದ್ಯಾನಿಲಯ ವಿಶ್ವಕೋಶ/ಪ್ಲಾಸ್ಮ ಭೌತವಿಜ್ಞಾನ
ಪ್ಲಾಸ್ಮ ಭೌತವಿಜ್ಞಾನ

	ಕೂಲಂಬ್ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಗೆ ಬದ್ಧವಾದ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಮತ್ತು ಅಯಾನ್ ವ್ಯವಸ್ಥೆಯ ಅಧ್ಯಯನ.  ಈ ವ್ಯವಸ್ಥೆಗೆ ಪ್ಲಾಸ್ಮ ಎಂದು ಹೆಸರು.  ಇದರಲ್ಲಿ ಸಾಧಾರಣವಾಗಿ ಋಣ ಮತ್ತು ಧನ ವಿದ್ಯುದಾವೇಶಗಳು ಸರಿ ಸಮವಾಗಿರುತ್ತವೆ.  ಪ್ಲಾಸ್ಮ ಸ್ಥಿತಿಯಲ್ಲಿರುವ ದ್ರವ್ಯ ಇತರ ತ್ರಿಸ್ಥಿತಿಗಳಲ್ಲಿರುವ ದ್ರವಕ್ಕಿಂತ ಭಿನ್ನ.  ಎಂದೇ ಪ್ಲಾಸ್ಮವನ್ನು ದ್ರವ್ಯದ ಚತುರ್ಥಸ್ಥಿತಿ ಎನ್ನುವುದಾಗಿದೆ.

	ಘನವಸ್ತುವಿನ ಪರಮಾಣುಗಳು ಒಂದಕ್ಕೊಂದು ನಿಕಟವಾಗಿ ಬಂಧಿತವಾಗಿದ್ದು ಸಮತೋಲನ ಸ್ಥಾನಗಳ ಸುತ್ತ ಕಂಪಿಸಲು ಮತ್ತು ಪರಿಭ್ರಮಿಸಲು ಅನುವು ಪಡೆದಿರುತ್ತವೆ.  ಅವುಗಳ ಸರಾಸರಿ ಚಲನಶಕ್ತಿ W1 ಎಂಬುದು ಬಂಧನಶಕ್ತಿ U1 ಎಂಬುದಕ್ಕಿಂತ ಜಾಸ್ತಿ ಆದಾಗ ವಸ್ತು ಘನಸ್ಥಿತಿಯಿಂದ ದ್ರವಸ್ಥಿತಿಗೆ ಮಾರ್ಪಾಡು ಹೊಂದುತ್ತದೆ.  ಈ ಸ್ಥಿತಿಯಲ್ಲಿ ಪರಮಾಣುಗಳಿಗೆ ಅಧಿಕ ಚಲನಸ್ವಾತಂತ್ರ್ಯ ಉಂಟು.  ಇಲ್ಲಿಯೂ ಅವುಗಳ ಸರಾಸರಿ ಚಲನಶಕ್ತಿ W2 ಎಂಬುದು ಬಂಧನಶಕ್ತಿ U2 ಎಂಬುದುಕ್ಕಿಂತ ಜಾಸ್ತಿ ಆದರೆ-ಅಂದರೆ ವಾಂಡರ್‍ವಾಲ್ ಬಲಬಂಧನಗಳನ್ನು ಮುರಿಯುವಷ್ಟಾದರೆ-ವಸ್ತು ದ್ರವಸ್ಥಿತಿಯಿಂದ ಅನಿಲಸ್ಥಿತಿಗೆ ಮಾರ್ಪಾಡು ಹೊಂದುತ್ತದೆ.  ಕೆಲವು ಘನವಸ್ತುಗಳು ನೇರವಾಗಿ ಅನಿಲಸ್ಥಿತಿಗೆ ಮಾರ್ಪಾಡು ಹೊಂದುವುದೂ ಉಂಟು.

	ಅನಿಲ ಸ್ಥಿತಿಯಲ್ಲಿ ಪರಮಾಣುಗಳು ಅಡ್ಡಾದಿಡ್ಡಿ ಚಲಿಸುತ್ತ ಒಂದಕ್ಕೊಂದು ಡಿಕ್ಕಿ ಹೊಡೆಯುತ್ತಿರುತ್ತವೆ.  ಅವುಗಳ ಸರಾಸರಿ ಚಲನಶಕ್ತಿ W3 ಎಂಬುದು ಅಯಾನೀಕರಣ ವಿಭವಕ್ಕಿಂತ ಹೆಚ್ಚು ಆಗಿದ್ದರೆ ಒಂದಕ್ಕೊಂದು ಡಿಕ್ಕಿ ಹೊಡೆದಾಗ ಅವು ಅಯಾನುಗಳಾಗುತ್ತವೆ.  ಅಂದರೆ ಪರಮಾಣುಗಳು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳನ್ನು ಕಳೆದುಕೊಳ್ಳುತ್ತವೆ.  ಪ್ಲಾಸ್ಮದಲ್ಲೇ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಮತ್ತು ಅಯಾನುಗಳೊಂದಿಗೆ ತಟಸ್ಥಕಣಗಳೂ ಇರಬಹುದು.  ತಟಸ್ಥಕಣಗಳಿಲ್ಲದೆ ಬರಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಮತ್ತು ಅಯಾನುಗಳೂ ಇರಬಹುದು.  ಅಂಥ ಪ್ಲಾಸ್ಮಕ್ಕೆ ಸಂಪೂರ್ಣವಾಗಿ ಅಯಾನೀಕರಣ ಹೊಂದಿದ ಪ್ಲಾಸ್ಮ ಎಂದು ಹೆಸರು.

	ವಿಶ್ವದಲ್ಲಿರುವ ದ್ರವ್ಯದ ಶೇಕಡಾ 99.9 ಭಾಗ ಪ್ಲಾಸ್ಮರೂಪದಲ್ಲಿದೆ.  ಭೂಮಿಯ ಮೇಲಾದರೋ ದ್ರವ್ಯ ಪ್ಲಾಸ್ಮ ರೂಪದಲ್ಲಿ ಕಾಣಿಸಿಕೊಳ್ಳುವುದು ಕೆಲವು ವಿಶೇಷ ಸಂದರ್ಭಗಳಲ್ಲಿ ಮಾತ್ರ-ಘೋರಾಗ್ನಿ, ಮಿಂಚು ಮತ್ತು ಧ್ರುವಪ್ರಭೆಗಳಲ್ಲಿ, ವಿದ್ಯುತ್ ವಿಸರ್ಜನೆಕೊಳವೆಗಳಲ್ಲಿ ಅದನ್ನು ಸೃಷ್ಟಿಸಬಹುದು.  ನಿಷ್ಕಾಸಿತ ಕೊಳವೆಗಳಲ್ಲಿರುವ ದ್ರವ್ಯ ಅದರ ಚತುರ್ಥಸ್ಥಿತಿಯಲ್ಲಿ ಇರುತ್ತದೆಂದೂ ಅದರ ಅಧ್ಯಯನ ಭೌತವಿಜ್ಞಾನದ ಬೇರೊಂದು ಶಾಖೆಯ ಬಾಗಿಲು ತೆರೆಯುತ್ತದೆಂದೂ ವಿಲಿಯಮ್ ಕ್ರೊಕ್ಸ್ (1832-1919) ತಿಳಿಸಿದ್ದ.

	ಇರ್ವಿಂಗ್ ಲಾಂಗ್‍ಮ್ಯೂರ್ (1881-1957) ಎಂಬ ವಿಜ್ಞಾನಿ ಅಯಾನೀಕರಣಗೊಂಡ ಅನಿಲ್ ಮೂಲಭೂತ ಸಿದ್ಧಾಂತವನ್ನು 1923ರ ಸುಮಾರಿಗೆ ಬೆಳೆಸಿದ ಮತ್ತು ಅಂಥ ಅನಿಲ ಮಾಧ್ಯಮಕ್ಕೆ ಪ್ಲಾಸ್ಮ ಎಂದು ಹೆಸರಿಟ್ಟ.  1923ರಿಂದ 1938ರ ಅವಧಿಯಲ್ಲಿ ಪ್ಲಾಸ್ಮ ಭೌತವಿಜ್ಞಾವನ್ನು ಬೆಳೆಸಿದವರು ಟಾಂಕ್ಸ್, ಸೀಲಿಂಗರ್, ಬೆನೆಟ್, ಪೆನ್ನಿಂಗ್, ಟೌನ್ಸೆಂಡ್ ಮತ್ತು ರೊಗೊವಿಸ್ಕಿ.  ಬಾಹ್ಯಾಕಾಶದಲ್ಲಿ ನಡೆಯುವ ಅಯಾನೀಕರಣಗೊಂಡ ಅನಿಲದ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಗಳ ಮಹತ್ತ್ವವನ್ನು ಅರಿತು ಈ ವಿಜ್ಞಾನವಿಭಾಗವನ್ನು ವೃದ್ಧಿಪಡಿಸಿದವರು ಷಾ, ಚಾಪ್‍ಮನ್, ಕೌಲಿಂಗ್, ಫೆರಾರೊ, ಚಂದ್ರಶೇಖರ್, ಸ್ವೈಟ್ಜರ್ ಮತ್ತು ವೆನ್.  1945ರ ಅನಂತರ ಬಳಕೆಗೆ ಬಂದ ಹೈಡ್ರೊಜನ್ ಬಾಂಬುಗಳ ತಯಾರಿಕೆಯ ವೇಳೆ ವಿಜ್ಞಾನಿಗಳು ಪ್ಲಾಸ್ಮ ಭೌತವಿಜ್ಞಾದ ಕಡೆಗೆ ವಿಶೇಷ ಗಮನ ಹರಿಸುವುದು ಅನಿವಾರ್ಯವಾಯಿತು.

	ಪ್ಲಾಸ್ಮ ಭೌತವಿಜ್ಞಾನ ಎರಡು ವಿವರಣಾತ್ಮಕ ಮಾರ್ಗಗಳನ್ನು ಅನುಸರಿಸುತ್ತದೆ.  ಒಂದು ಕಣವಿವರಣೆ ಮಾರ್ಗ, ಇನ್ನೊಂದು ದ್ರವ ವಿವರಣೆ ಮಾರ್ಗ.  ಇವು ಪ್ಲಾಸ್ಮದ ಗುಣವಿಶೇಷಗಳನ್ನು ಅರಿಯಲು ನೆರವಾಗುತ್ತವೆ.  ಇವನ್ನು ತಿಳಿದ ಬಳಿಕ ಸಂಲಯನ ಶಕ್ತಿಯ ಉತ್ಪಾದನ ಮಾರ್ಗದಲ್ಲಿ ಆಗಿರುವ ಬೆಳೆವಣಿಗೆಯನ್ನು ಗ್ರಹಿಸುವುದು ಸುಲಭ. ಭೂಮಿಯಿಂದ ಮೇಲೆ ಮತ್ತು ಹೊರಗೆ ಇರುವ ಪ್ಲಾಸ್ಮದ ಗುಣಪರೀಕ್ಷೆ ಮಾಡುವುದೂ ಕೈಗೂಡಬಹುದು.

	ಪ್ಲಾಸ್ಮದ ಮೂಲಭೂತ ಗೂಣಗಳು: ವಿದ್ಯುದಾವಿಷ್ಟ ಕಣಗಳು ತಮ್ಮ ನಡುವೆ ಎಷ್ಟು ಅಂತರವಿದ್ದರೂ ಪರಸ್ಪರ ಕ್ರಿಯೆ ನಡೆಸಿಯೇ ನಡೆಸುತ್ತವೆ.  ಅಂತರ ಹೆಚ್ಚಾದರೆ ಬಲದ ತ್ರಾಣ ಕುಗ್ಗುತ್ತದೆ ಅಷ್ಟೆ.  ಒಂದು ಕಣ ಏಕಕಾಲದಲ್ಲಿ ಅನೇಕ ಕಣಗಳೊಂದಿಗೆ ಕ್ರಿಯೆ ನಡೆಸಬಲ್ಲದು.  ಇದರಿಂದಾಗಿ ಆರೋಪವಾದ ಒಳಗಿನ ಅಥವಾ ಹೊರಗಿನ ಬಲಕ್ಕೆ ಪ್ಲಾಸ್ಮ ಕಣಗಳು ಸಾಮೂಹಿಕವಾದ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯೆ ಪ್ರದರ್ಶಿಸುತ್ತವೆ.  ಸಾಮೂಹಿಕ ವರ್ತನೆ ಪ್ಲಾಸ್ಮದ ಒಂದು ಮುಖ್ಯ ಗುಣ.

	ಡಿ ಬೈ ಉದ್ದ: ಪ್ಲಾಸ್ಮ ಮಾಧ್ಯಮದಲ್ಲಿ ಯಾವುದೇ ಒಂದು ಆವಿಷ್ಟ ಕಣವನ್ನು ಗಮನಿಸೋಣ.  ಅದು ಧನಾವಿಷ್ಟವಾಗಿದ್ದರೆ ಅದರ ಸುತ್ತ ಋಣಾವಿಷ್ಟ ಕಣಗಳು ಸಂಚಯಿಸುತ್ತವೆ.  ಕಣದ ವಿಭವ ದೂರದೊಂದಿಗೆ ತಗ್ಗುವುದನ್ನು ಲೆಕ್ಕಹಾಕುವುದರ ಮೂಲಕ ಇದನ್ನು ತಿಳಿಯಬಹುದು.  ಕಣದ ಬಳಿ ವಿಭವ (0 ಆಗಿರಲಿ.  ಗಣನೆಯ ಸೌಕರ್ಯಕ್ಕೋಸ್ಕರ ಏಕಾಯಾಮವನ್ನು ಪರಿಶೀಲಿಸಿದರೆ ಸಾಕು.  ಕಣದಿಂದ x ದೂರದಲ್ಲಿ ವಿಭವ ( ಆಗಿದ್ದರೆ ಏಕ ಪರಿಮಾಣಾತ್ಮಕ ಪದಗಳನ್ನು ಗಣನೆಗೆ ತೆಗೆದುಕೊಂಡು
		...(1)
ಎಂದು ಬರೆಯಬಹುದು.  ಇದರಿಂದ
		(2)
ಎಂದು ತಿಳಿಯುತ್ತದೆ. ಇಲ್ಲಿ, ಏ ಬೋಲ್ಟ್ಸಮನ್ ನಿಯತಾಂಕ, ಖಿe ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳ ಉಷ್ಣತೆ, ಟಿಛಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳ ಸಾಂದ್ರತೆ ಮತ್ತು e ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿನ ವಿದ್ಯುದಾವೇಶ.  (ಆಗೆ ಡಿಬೈ ಉದ್ದ ಎಂದು ಹೆಸರು.  ಡಿಬೈ ಮತ್ತು ಹುಕೆಲ್ ಎಂಬ ವಿಜ್ಞಾನಿಗಳು ವಿದ್ಯುದ್ದ್ರಾವಣಗಳ ಸಿದ್ಧಾಂತದಲ್ಲಿ ಇಂಥದೇ ಒಂದು ಸಮೀಕರಣ ಇದರ ಕಾರಣ.  (ಆ ದೂರದಲ್ಲಿ ಧನ ವಿದ್ಯುದಾವೇಶದ ವಿಭವ ಮೊದಲಿನ ಬೆಲೆಯ  ಯಷ್ಟಕ್ಕೆ ಇಳಿಯುತ್ತದೆ.  ಟಿಛಿ ಹೆಚ್ಚಾದರೆ (ಆ ಬೆಲೆ ಕಡಿಮೆ ಆಗುತ್ತದೆ.  ಪ್ಲಾಸ್ಮದಲ್ಲಿ (ಆ ಪಾರವುಳ್ಳ ಆವರಣದಲ್ಲಿ ವಿದ್ಯುತ್ತಾಟಸ್ಥ್ಯ ಭಂಗವಾಗಬಹುದು.  ವಿದ್ಯುತ್ತಾಟಸ್ಥ, ಸಾಧ್ಯವಾಗಬೇಕಾದರೆ ಪ್ಲಾಸ್ಮ ಮಾಧ್ಯಮದ ಪಾಠ ಐ ಡಿಬೈ ಉದ್ದಕ್ಕಿಂತ ಹೆಚ್ಚಾಗಿರಬೇಕು. ಇದನ್ನು
		...(3)
ಎಂದು ಬರೆಯಬಹುದು.
	ವಿದ್ಯುತ್ತಾಟಸ್ಥ್ಯ; ಪ್ಲಾಸ್ಮ ಮಾಧ್ಯಮದಲ್ಲಿ ಗೋಳಾಕಾರದ ಒಂದು ಪ್ರದೇಶದಿಂದ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳನ್ನೆಲ್ಲ ಎಂದುಕೊಳ್ಳೋಣ.  ಅಲ್ಲಿ ಧನಾವೇಶ ಮಾತ್ರ ಉಳಿದಿದ್ದು ಆ ಕಡೆಗೆ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳು ಆಕರ್ಷಿತವಾಗಿ ಗೋಳದೊಳಗೆ ನುಗ್ಗುತ್ತವೆ.  ಜಡತ್ವದಿಂದ ಅಲ್ಲಿ ಹೆಚ್ಚು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳು ಸೇರಿ ವಿಕರ್ಷಣೆಯಿಂದ ಈಚೆಗೆ ಬರುತ್ತವೆ.  ಮತ್ತೆ ಒಳಗೆ ನುಗುತ್ತವೆ.  ಮತ್ತೆ ಈಚೆಗೆ ಬರುತ್ತವೆ.  ಹೀಗೆ ವಿದ್ಯುತ್ತಾಟಸ್ಥ್ಯವನ್ನು ಸ್ಥಾಪಿಸಲು ಅವು ಆಂದೋಳನ ಚಲನೆಯಲ್ಲಿ ತೊಡಗುತ್ತವೆ.  ಟಿಛಿ ಮತ್ತು ಟಿi ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಮತ್ತು ಆಯಾನುಗಳ ಸಾಂದ್ರತೆಗಳಾದರೆ ಪ್ಲಾಸ್ಮದ ವಿದ್ಯುತ್ತಾಟಸ್ಥ್ಯಕ್ಕೆ ಬೇಕಾದ ನಿರ್ಬಂಧವನ್ನು
		...(4)
ಎಂದು ಬರೆಯಬಹುದು.
	ಪ್ಲಾಸ್ಮ ಆಂದೋಳನ: ಯಾವುದಾದರೂ ಕಾರಣದಿಂದ ಕ್ಷೋಭೆ ಉಂಟಾಗಿ ಪ್ಲಾಸ್ಮದಲ್ಲಿ ವಿದ್ಯುತ್ತಾಟಸ್ಥ್ಯ ಮುರಿದರೆ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳು ಸಮ ಹಂಚಿಕೆಯುಳ್ಳ ಅಯಾನುಗಳ ಹಿನ್ನೆಲೆಯ ಮೇಲೆ ಆಂದೋಳಿಸುತ್ತವೆ.  ಇದಕ್ಕೆ ಪ್ಲಾಸ್ಮ ಆಂದೋಳನ ಅಥವಾ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಪ್ಲಾಸ್ಮ ಆಂದೋಳನ ಎಂದು ಹೆಸರು.  ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳು ಬಲು ಹಗುರ ಕಣಗಳಾದ್ದರಿಂದ ಅವುಗಳ ಆಂದೋಳನ ಚಲನೆಯ ಆವರ್ತಾಂಕ ಹಿರಿದು.  ಗಣನೆಯಿಂದ ಇದನ್ನು ತಿಳಿಯಲೋಸ್ಕರ ಅಯಾನುಗಳು ಚಲಿಸುವುದಿಲ್ಲ ಎಂದು ಊಹಿಸಿಕೊಳ್ಳುತ್ತೇವೆ.  ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಮತ್ತು ಆಯಾನುಗಳ ಸಮತೋಲನ ಸಾಂದ್ರತೆ ಟಿ0 ಆಗಿರಲಿ.  ಕ್ಷೋಭೆಯಿಂದ ಒಂದು ಸ್ಥಳ ಡಿನಲ್ಲಿ ಕಾಲ ಣಯಲ್ಲಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಸಾಂದ್ರತೆ ಟಿe ಆಗಿರಲಿ.  ಆಗ ಅವಿಚ್ಛಿನ್ನತಾ ಸಮೀಕರಣವನ್ನು
		...(5)
ಎಂದು ಬರೆಯಬಹುದು.  ಇಲ್ಲಿ v ಕಣಗಳ ಸರಾಸರಿ ವೇಗ.  ಆಕರ ಅಥವಾ ತೊಟ್ಟಿ (ಸಿಂಕ್) ಇಲ್ಲದ ಮಾಧ್ಯಮದಲ್ಲಿ ಕಣದ ಸಾಂದ್ರತೆ ಏರುಪೇರಾಗದೆ ಇರುತ್ತದೆಂದು ಈ ಸಮೀಕರಣ ತಿಳಿಸುತ್ತದೆ.  ಒಂದು ಆವರಣದಿಂದ ಕಣಗಳು ಹೊರಗೆ ಹೋದರೆ ಅದರ ಒಳಗೆ ಅದೇ ಪ್ರಮಾಣದಲ್ಲಿ ಅವು ಬರುತ್ತವೆ, ಸ್ಥಳ ಡಿ ನಲ್ಲಿ ಕಾಣಿಸಿಕೊಳ್ಳುವ ವಿದ್ಯುತ್ ಕ್ಷೇತ್ರ ಇ ಆದರೆ ಒಂದು ಎಲೆಕ್ಟ್ರನಿನ ಮೇಲೆ ಆರೋಪವಾಗುವ ಬಲ -eಇ ಆದ್ದರಿಂದ
		...(6)
ಎಂದು ಬರೆಯಬಹುದು.  ಇಲ್ಲಿ m ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿನ ರಾಶಿ.  ಮ್ಯಾಕ್ಸ್ವೆಲ್ ಸಮೀಕರಣಗಳಿಂದ
		...(7)
ಎಂಬುದು ಗೊತ್ತು.  ಈಗ ಸಮೀಕರಣ (5), (6), (7) ರಿಂದ
		...(8)
ಎಂದು ಬರೆಯಬಹುದು. ಇಲ್ಲಿ .  ಸಮೀಕರಣ (8)ರ ಪರಿಹಾರವನ್ನು
		…(9)
ಎಂದು ಬರೆಯಬಹುದು.  ಧನಾವಿಷ್ಟ ಅಯಾನುಗಳ ಹಿನ್ನೆಲೆಯ ಮೇಲೆ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳು ತಿಠಿe ಕೋನೀಯ ಆವರ್ತಾಂಕದಿಂದ (ಫೀಕ್ವೆನ್ಸಿ) ಆಂದೋಳಿಸುತ್ತವೆ ಎಂಬುದನ್ನು ಇದು ತಿಳಿಸುತ್ತದೆ.  ಆವರ್ತಾಂಕ ಗಿಠಿe ಆದರೆ .  ಇಲ್ಲಿ m ಅತಿ ಕಡಿಮೆಯಾದುದರಿಂದ vಠಿe ಅತಿ ಹೆಚ್ಚಾಗಿರುತ್ತದೆ.   ಸೆಂಮೀ-3 ಆದರೆ  ಹಟ್ರ್ಸ್ ಆಗಿರುತ್ತದೆ.  ಇದು ರೇಡಿಯೂ ಅಲೆಗಳ ಆವರ್ತಾಂಕಕ್ಕೆ ಸಮೀಪ ಎಂಬುದು ಗಮನಾರ್ಹ.  ಇಲ್ಲಿಂದ ಮುಂದೆ ತಿಠಿe ಯನ್ನು ತಿಠಿ ಎಂದು ಬರೆಯುತ್ತೇವೆ.  ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಮತ್ತು ಅಯಾನ್ ಒಂದಕ್ಕೊಂದು ಡಿಕ್ಕಿ ಹೊಡೆಯುತ್ತಿದ್ದರೆ ಪ್ಲಾಸ್ಮ ಆಂದೋಳನದ ಪಾರ ತಗ್ಗುತ್ತದೆ.
	ಅಯಾನುಗಳು ಭಾರವಾಗಿರುವುದರಿಂದ ಅತಿ ರಭಸದಿಂದ ನಡೆಯುವ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಆಂದೋಳನಕ್ಕೆ ತಾಟಸ್ಥ್ಯ ಒದಗಿಸುವ ಹಿನ್ನೆಲೆ ನಿರ್ಮಿಸುತ್ತವೆ.  ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಉಷ್ಣತೆ ಹೆಚ್ಚಾದರೆ ಅವುಗಳ ಸಮೂಹಿಕ ಚಲನೆ ಔಷ್ಣಿಕ ಚಲನೆಯಲ್ಲಿ ಮಾಸಿಹೋಗುತ್ತದೆ.  ಅವು ಅಡ್ಡಾದಿಡ್ಡಿ ಚಲಿಸುತ್ತ ಲಘು ಆವರ್ತಾಂಕದ ಅಯಾನ್ ಆಂದೋಳನಕ್ಕೆ ತಾಟಸ್ಥ್ಯ ಒದಗಿಸುವ ಹಿನ್ನೆಲೆ ಆಗುತ್ತವೆ.
	ಸಂಘಟ್ಟಣೆ ಮಾಧ್ಯ ಮುಕ್ತಪಥ (ಕಾಲ್ಲಿಷನ್ ಮೀನ್ ಫ್ರೀ ಪಾತ್): ಪ್ಲಾಸ್ಮದಲ್ಲಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳೂ ಅಯಾನುಗಳೂ ಅಡ್ಡಾದಿಡ್ಡಿಯಾಗಿ ಒಂದಕ್ಕೊಂದು ಡಿಕ್ಕಿ ಹೊಡೆಯುತ್ತ ಇರುತ್ತವೆ.  ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳು ಅಧಿಕ ಸರಾಸರಿ ವೇಗದಿಂದ ಚಲಿಸುವುದರಿಂದ ಅಯಾನುಗಳು ನಿಶ್ಚಲವಾಗಿವೆ ಎಂದೇ ಭಾವಿಸಬಹುದು.  ಅಯಾನೀಕರಣ ದುರ್ಬಲವಾಗಿರುವ ಪ್ಲಾಸ್ಮದಲ್ಲಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳು ನಿಶ್ಚಲವಾಗಿರುವ ತಟಸ್ಥ ಕಣಗಳ ಸಾಂದ್ರತೆ ಓ ಆಗಿರಲಿ.  ಒಂದು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಒಂದು ತಟಸ್ಥ ಕಣಕ್ಕೆ ಡಿಕ್ಕಿ ಹೊಡೆದಾಗ ಅದರ ಸಂವೇಗವನ್ನೆಲ್ಲ ಕಳೆದುಕೊಳ್ಳುತ್ತದೆ ಎಂದು ಭಾವಿಸೋಣ.  ಆಗ ಡಿಕ್ಕಿ ಹೊಡೆದ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಪತನ ದಂಡದಿಂದ ಹೊರಗಾಗುತ್ತದೆಂಬುದು ಅನುಗತಿಸುತ್ತದೆ.  ಜx ದಪ್ಪ ಮತ್ತು ಂ ಆಗಲ ಇರುವ ಒಂದು ತಾಟಿನ ಮೇಲೆ ಟಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳು ಪತನವಾದಾಗ ತಾಟು ಜಟಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳನ್ನು ಹೀರಿಕೊಳ್ಳಲಿ.  ಇದರಿಂದ  ಅಥವಾ  …(10) ಎಂದು ಬರೆಯಬಹುದು.  ಇದನ್ನು ಅನುಕಲಿಸಿ  …(11) ಎಂದು ಬರೆಯಬಹುದು.  ಇಲ್ಲಿ .  ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳು ( ದೂರ ಚಲಿಸುವಲ್ಲಿ ದಂಡದ ತ್ರಾಣ ಅದರ ಮೊದಲ ಬೆಲೆಯ  ಪ್ರಮಾಣಕ್ಕೆ ತಗ್ಗುತ್ತದೆ. ಹೀರಿಕೆಗೆ ಒಳಗಾಗುವ ಮುನ್ನ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳು ಕ್ರಮಿಸುವ ಸರಾಸರಿ ದೂರ (ಎಂದು ತೋರಿಸಬಹುದು.  ಎಂದೇ (ಕ್ಕೆ ಮಾಧ್ಯಮುಕ್ತಪಥ ಎಂದು ಹೆಸರು.  ( ನಿಶ್ಚಲ ಕಣಗಳು ಪತನ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳಿಗೆ ಒಡ್ಡುವ ಅಡ್ಡಕೊಯ್ತು.
	ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿನ ಸರಾಸರಿ ವೇಗ v ಆದರೆ ( = v(	...(12)
ಎಂದು ಬರೆಯಬಹುದು.  ಇಲ್ಲಿ ಒಂದು ಡಿಕ್ಕಿಯಿಂದ ಇನ್ನೊಂದು ಡಿಕ್ಕಿ ನಡೆಯುವ ತನಕ ಗತಿಸುವ ಸರಾಸರಿ ಕಾಲ.  ಆದ್ದರಿಂದ ಇದಕ್ಕೆ ಸಂಘಟ್ಟಣೆ ಮಾಧ್ಯಕಾಲ ಎಂದು ಹೆಸರು.  ಸಮೀಕರಣ (12)ರಿಂದ  ಅಥವಾ
		...(13)
ಎಂದು ಬರೆಯಬಹುದು.  vಗೆ ಸಂಘಟ್ಟಣೆ ಮಾಧ್ಯ ಅವರ್ತಾಂಕ ಎಂದು ಹೆಸರು.  ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಮತ್ತು ಅಯಾನ್ ನಡುವೆ ಸಂಭವಿಸುವ ಸಂಘಟ್ಟಣೆಗಳಿಗೆ ಸಂಬಂಧಿಸಿದ ಮಾಧ್ಯ ಆವರ್ತಾಂಕವನ್ನು vei ಯಿಂದ ಪ್ರತಿನಿಧಿಸುತ್ತಾರೆ.

ಮೈಸೂರು ವಿಶ್ವವಿದ್ಯಾನಿಲಯ ವಿಶ್ವಕೋಶ

	ಸೈಕ್ಲೊಟ್ರಾನ್ ಆವರ್ತಾಂಕ: ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳಾಗಲಿ ಅಯಾನುಗಳಾಗಲಿ ಅವುಗಳ ವೇಗದಿಂದ ಕಾಂತಕ್ಷೇತ್ರಕ್ಕೆ ಲಂಬವಾಗಿರುವಂತೆ ಚಲಿಸುತ್ತಿದ್ದರೆ ಅವುಗಳ ಮೇಲೆ ಕೇಂದ್ರಾಭಿಮುಖ ಬಲ ಆರೋಪವಾಗುತ್ತದೆ.  ಗಣನೆಗೋಸ್ಕರ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನುಗಳನ್ನು ಗಮನಿಸೋಣ.  ಅಭಿಕೇಂದ್ರ ಬಲದ ಆರೋಪಕ್ಕೆ ಒಳಗಾದ ಅವು ವೃತ್ತ ಕಕ್ಷೆಗಳಲ್ಲಿ ಚಲಿಸುತ್ತವೆ.  ಅವುಗಳ ಮೇಲೆ ಆರೋಪವಾಗುವ ಅಭಿಕೇಂದ್ರ ಬಲ ಃev.  ಇಲ್ಲಿ v ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿನ ವೇಗ, ಃ ಕ್ಷೇತ್ರದ ಅಭಿವಾಹ ಸಾಂದ್ರತೆ.  ಕಕ್ಷೆಯತ್ರಿಜ್ಯ ಖ ಆದರೆ ಅಪಕೇಂದ್ರ ಬಲವನ್ನು ಗಣನೆಗೆ ತೆಗೆದುಕೊಂಡು.
	
ಅಥವಾ
		...(14)
ಎಂದು ಬರೆಯಬಹುದು.  , ಕಣದ ಕೋನೀಯ ಆವರ್ತಾಂಕ.  ಆವರ್ತಾಂಕ vಛಿ ಆದರೆ
		...(15)
ಎಂದು ಬರೆಯಬಹುದು.  ಇದಕ್ಕೆ ಸೈಕ್ಲೊಟ್ರಾನ್ ಆವರ್ತಾಂಕ ಎಂದು ಹೆಸರು.  ಹೆಸರಿನಲ್ಲಿ ಯಾವ ಬದಲಾವಣೆಯನ್ನೂ ಮಾಡದೆ v ಮತ್ತು ತಿ ಗಳನ್ನು ಗುರುತಿಸುವುದು ರೂಢಿ.
	ಪ್ಲಾಸ್ಮವನ್ನು ಬಂಧಿಸಲು ಕಾಂತಕ್ಷೇತ್ರವನ್ನು ಉಪಯೋಗಿಸುತ್ತಾರೆ.  ಈ ಬಂಧನಕ್ಕೆ ಅವಶ್ಯವಾದ ನಿಬಂಧನೆಯನ್ನು
		...(16)
ಎಂದು ಬರೆಯಬಹುದು.
	ಸಾಮೂಹಿಕ ವರ್ತನೆ: ಪ್ಲಾಸ್ಮ ಕಣಗಳು ಸಾಮೂಹಿಕವಾಗಿ ವರ್ತಿಸುತ್ತವೆ.  ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಮತ್ತು ಅಯಾನ್ ಆಂದೋಳನಗಳು ಸಾಮೂಹಿಕ ವರ್ತನೆಗೆ ಒಳ್ಳೆಯ ನಿದರ್ಶನಗಳು.  ಸಾಮೂಹಿಕ ಕ್ರಿಯೆ ಸಾಧ್ಯವಾಗಲು ಟಿಛಿ ಅಥವಾ ಟಿi ಬಲು ದೊಡ್ದ ಸಂಖ್ಯೆಯಾಗಿರಬೇಕು.  ಇದನ್ನು ಸೂಚಿಸಲು 
		...(17)
ಎಂದು ಬರೆಯುತ್ತೇವೆ.  ಇಲ್ಲಿ ಓಆ ಡಿಬೈ ಉದ್ದದಷ್ಟು ತ್ರಿಜ್ಯವುಳ್ಳ ಒಂದು ಗೋಳದಲ್ಲಿ ಇರುವ ಪ್ಲಾಸ್ಮ ಕಣಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ.
	ಸಮೀಕರಣಗಳು (3), (4), (16), (17) ಪ್ಲಾಸ್ಮದ ಮೂಲಭೂತ ಗುಣಗಳನ್ನು ತಿಳಿಸುತ್ತವೆ.  ಈ ಸಂಬಂಧಗಳನ್ನು ಪಾಲಿಸುವ ರಾಶಿಯನ್ನು ಪ್ಲಾಸ್ಮ ಎಂದು ಪರಿಗಣಿಸುವುದು ಹೆಚ್ಚು ಸಮಂಜಸ.
(ಎಸ್.ವಿಎಚ್.)