There films are dry thermal oxide and oxide annealed in N2O or in the presence of Na. Furthermore aluminum nitride-silicon dioxide (AlN/SiO2) stacks and aluminum oxide (Al2O3) dielectrics are investigated.
Einangrarnir voru kísildíoxíð (SiO2), þurrt oxíð og oxíð bakað í N2O eða ræktað í nærveru Na, álnítríð og kísil díoxíð stafli (AlN/SiO2) og áloxíð (Al2O3).