The findings suggest that SiC/SiO2 interface has the highest density of interface traps while the AlN/SiC and Al2O3/SiC have lower densities.
Niðurstöðurnar benda til að SiO2/SiC samskeytin hafi mjög mikinn veiluþéttleika á meðan veiluþéttleiki AlN/SiC og Al2O3/SiC samskeytanna er mun lægri.