For the latter thickness value, interference effects of infrared light re ected at the interface between silicon dioxide and silicon contribute to the sensitivity.
Við síðarnefndu oxíðþykktina leggja víxlhrif vegna speglunar innrauðrar geislunar frá mörkum kísildíoxíðs og kísilundirlags sitt af mörkum til aukinnar næmni.