The results from the conductance measurements suggest that the AlN/SiO2 stack and Al2O3 have high gate leakage thus near-interface traps can’t be determined.
Leiðnimælingarnar benda til að AlN/SiO2 og Al2O3 hafi veilur sem leyfa smug í gegnum sig og valda lekastraum yfir hliðið en SiO2 sýnir nánast enga leiðni annað en smug til grunnra veilna í oxíðinu.