Natural bond orbital
کوانٹم کیمسٹری میں، قدرتی بانڈ آربیٹل یا این بی او ایک حساب شدہ بانڈنگ آربیٹل ہے جس میں زیادہ سے زیادہ الیکٹران کثافت ہوتی ہے۔ این بی اوز قدرتی لوکلائزڈ آربیٹل سیٹوں کی ترتیب میں سے ایک ہیں جن میں "نیچرل ایٹم آربیٹلز" (این اے او)، "نیچرل ہائبرڈ آربیٹلز" (این ایچ او)، "نیچرل بانڈنگ آربیٹلز" (این بی او) اور "نیچرل (سیمی) لوکلائزڈ مالیکیولر آربیٹلز" (این ایل ایم او) شامل ہیں۔ یہ قدرتی مقامی سیٹ بیس ایٹمک آربیٹلز (اے او) اور مالیکیولر آربیٹلز (ایم او) کے درمیان انٹرمیڈیٹ ہیں: ایٹمک آربیٹل → این اے او → این ایچ او → این ایل ایم او → مالیکیولر آربیٹل قدرتی (مقامی) آربیٹلز کا استعمال کمپیوٹیشنل کیمسٹری میں ایٹموں میں الیکٹران کی کثافت کی تقسیم اور ایٹموں کے درمیان بانڈز کا حساب لگانے کے لیے کیا جاتا ہے۔ ان میں مالیکیول کے مقامی 1-مرکز اور 2-مرکز کے علاقوں میں "زیادہ سے زیادہ قبضے کی خصوصیت" ہوتی ہے۔ قدرتی بانڈ آربیٹلز (این بی اوز) میں الیکٹران کثافت کا سب سے زیادہ ممکنہ فیصد شامل ہوتا ہے، جو مثالی طور پر 2.000 کے قریب ہوتا ہے، جو si کی سب سے درست ممکنہ "قدرتی لیوس ساخت" فراہم کرتا ہے۔ الیکٹران کثافت کا ایک اعلی فیصد (جس کی نشاندہی%-ρL کی جاتی ہے)، جو اکثر عام نامیاتی مالیکیولز کے لیے> 99 ٪ پایا جاتا ہے، ایک درست قدرتی لیوس ڈھانچے سے مطابقت رکھتا ہے۔ قدرتی مداروں کا تصور سب سے پہلے 1955 میں پر-اولو لودین نے متعارف کرایا تھا، تاکہ آرتھونورمل 1-الیکٹران افعال کے انوکھے سیٹ کو بیان کیا جا سکے جو این-الیکٹران ویو فنکشن کے لیے اندرونی ہیں۔ نظریہ ہر بانڈنگ این بی او σAB (ڈونر) کو دو ڈائریکٹڈ ویلینس ہائبرڈ (این ایچ اوز) ایچ اے، ایچ بی کے لحاظ سے ایٹموں اے اور بی پر لکھا جا سکتا ہے، اسی طرح کے پولرائزیشن کوفشنٹس سی اے، سی بی: σAB = سی اے ایچ اے + سی بی ایچ بی بانڈز کوولینٹ (سی اے = سی بی) سے آئنک (سی اے>> سی بی) حد تک آسانی سے مختلف ہوتے ہیں۔ ہر ویلنس بانڈنگ این بی او σ کو ویلنس اسپیس کی مدت کو مکمل کرنے کے لیے متعلقہ ویلنس اینٹی بانڈنگ این بی او σ * (قبول کنندہ) کے ساتھ جوڑا بنایا جانا چاہیے: σAB * = cA hA − cB hB بانڈنگ این بی اوز "لیوس آربیٹل" قسم کے ہوتے ہیں (قبضے کے نمبر 2 کے قریب) ؛ اینٹی بانڈنگ این بی اوز "غیر لیوس آربیٹل" قسم کے ہوتے ہیں (قبضے کے نمبر 0 کے قریب)۔ ایک مثالی لیوس ڈھانچے میں، مکمل لیوس آربیٹلز (دو الیکٹران) کو باضابطہ طور پر خالی غیر لیوس آربیٹلز سے مکمل کیا جاتا ہے۔ ویلینس اینٹی بانڈز کے کمزور قبضے ایک مثالی مقامی لیوس ڈھانچے سے ناقابل تلافی روانگی کا اشارہ دیتے ہیں، جس کا مطلب ہے حقیقی "ڈی لوکلائزیشن اثرات"۔ لیوس ڈھانچے ایک کمپیوٹر پروگرام کے ساتھ جو این بی اوز کا حساب لگا سکتا ہے، زیادہ سے زیادہ لیوس ڈھانچے مل سکتے ہیں۔ ایک بہترین لیوس ڈھانچے کی تعریف اس طرح کی جا سکتی ہے جس میں لیوس آربیٹلز (لیوس چارج) میں الیکٹرانک چارج کی زیادہ سے زیادہ مقدار ہو۔ لیوس آربیٹلز میں الیکٹرانک چارج کی کم مقدار الیکٹران ڈی لوکلائزیشن کے مضبوط اثرات کی نشاندہی کرتی ہے۔ گونج کے ڈھانچوں میں، بڑے اور چھوٹے معاون ڈھانچے موجود ہو سکتے ہیں۔ امیڈس کے لیے، مثال کے طور پر، این بی او کے حساب سے پتہ چلتا ہے کہ کاربونل ڈبل بانڈ والی ساخت غالب لیوس ساخت ہے۔ تاہم، این بی او کے حسابات میں، گونج کے ڈھانچے میں بانڈ-قطبیت کے اثرات کو شامل کرنے کی وجہ سے "کوولینٹ-آئنک گونج" کی ضرورت نہیں ہے۔ یہ ویلینس بانڈ تھیوری کے دیگر جدید طریقوں سے ملتا جلتا ہے۔ مالیکیولر آربیٹل تھیوری بیس سیٹ (کیمسٹری) حوالہ جات این بی او کمپیوٹر پروگرام کے لیے ہوم پیج: http://nbo6.chem.wisc.edu آئی یو پی اے سی گولڈ بک تعریف: نیچرل بانڈ آربیٹل (این بی او) آزاد، جوہری آربیٹل کے لیے اوپن سورس نفاذ → این اے او تبدیلی اور قدرتی آبادی کے تجزیے کے طریقے: جے اے این پی اے پیکیج کوانٹم کیمسٹری