Coherent microwave scattering
مربوط مائکروویو بکھرنا ایک تشخیصی تکنیک ہے جو کلاسیکی مائکروپلاسما کی خصوصیت میں استعمال ہوتی ہے۔ اس تکنیک میں، جس پلازما کا مطالعہ کیا جانا ہے اسے پلازما کی خصوصیت کے مقامی طول و عرض کے مقابلے میں طویل طول موج مائکروویو فیلڈ کے ساتھ تابکاری کی جاتی ہے۔ کافی کم جلد کی گہرائی والے پلازما کے لیے، ہدف کو وقتا فوقتا یکساں انداز میں پولرائز کیا جاتا ہے، اور بکھرے ہوئے میدان کی پیمائش اور تجزیہ کیا جا سکتا ہے۔ اس صورت میں، خارج ہونے والی تابکاری ایک مختصر ڈائپول سے ملتی جلتی ہے جس کا تعین بنیادی طور پر آئنوں کے بجائے الیکٹران کی شراکت سے ہوتا ہے۔ بکھرنے کو اسی کے مطابق تعمیری لچکدار کہا جاتا ہے۔ پیمائش شدہ تابکاری سے مختلف خصوصیات حاصل کی جا سکتی ہیں جیسے کل الیکٹران نمبر، الیکٹران نمبر کثافت (اگر پلازما کا حجم معلوم ہو)، مقناطیسی طور پر حوصلہ افزائی ڈی پولرائزیشن کے ذریعے مقامی مقناطیسی میدان، اور بکھرے ہوئے مرحلے کے ذریعے رفتار کی منتقلی کے لیے الیکٹران تصادم تعدد۔ اس تکنیک کے قابل ذکر فوائد میں اعلی حساسیت، ڈائی الیکٹرک بکھرنے کے نمونے کا استعمال کرتے ہوئے انشانکن میں آسانی، اچھی عارضی ریزولوشن، کم شاٹ شور، غیر دراندازی جانچ، گونج میں اضافہ شدہ ملٹی فوٹون آئنائزیشن (آر ای ایم پی آئی) کے ساتھ مل کر پرجاتیوں کی انتخاب، سنگل شاٹ کا حصول، اور مسلسل اسکیننگ کی وجہ سے ٹائم گیٹنگ کی صلاحیت شامل ہیں۔ ابتدائی طور پر پرنسٹن یونیورسٹی میں میخائل شنیڈر اور رچرڈ میلز کے ذریعہ وضع کردہ تاریخ، مربوط مائکروویو بکھرنا فوٹو آئنائزیشن اور الیکٹران نقصان کی شرح کی پیمائش سے لے کر پرجاتیوں کا پتہ لگانے، گیسی مرکب اور رد عمل کی خصوصیت، سالماتی سپیکٹروسکوپی، الیکٹران پروپلشن ڈیوائس کی خصوصیت، بکھرے ہوئے مرحلے کے ذریعے رفتار کی منتقلی کے لیے الیکٹران تصادم تعدد کی تعطل پیمائش، اور مقناطیسی طور پر حوصلہ افزائی ڈی پولرائزیشن کے ذریعے مقامی ویکٹر مقناطیسی شعبوں کی تعطل پیمائش تک کی ایپلی کیشنز میں ایک قیمتی تکنیک بن گئی ہے۔ بکھرنے کے نظام مقناطیسی انحطاط کی عدم موجودگی میں لکیری پولرائزڈ مائکروویو بکھرنے کے آسان ترین مجسمے کے لیے، بکھرنے والوں کے درمیان ارتباط کی وجہ سے تین نظام پیدا ہو سکتے ہیں۔ تھامسن نظام سے مراد آزاد پلازما الیکٹران ہیں جو واقع مائکروویو فیلڈ کے ساتھ فیز میں ارتعاش کرتے ہیں۔ ایک آزاد الیکٹران کا کل بکھرنے والا کراس سیکشن پھر کلاسیکی تھامسن کراس سیکشن کے ساتھ موافق ہوتا ہے اور مائکروویو طول موج λ سے آزاد ہوتا ہے۔ دوسرا، شنائڈر-مائلز بکھرنا (ایس ایم، جسے اکثر تصادم بکھرنا کہا جاتا ہے) سے مراد تصادم پر حاوی الیکٹران حرکت ہے جس میں نقل مکانی کے ارتعاش تابکاری کے میدان کے حوالے سے 90 ڈگری منتقل ہوتے ہیں۔ کل بکھرنے والا کراس سیکشن اسی کے مطابق ایک ω2 انحصار کو ظاہر کرتا ہے-ایک منفرد نظام جو بین ذرات کے تعاملات کے ذریعے ممکن بنایا گیا ہے۔ آخر میں، ریلیگ بکھرے ہوئے نظام کا مشاہدہ کیا جا سکتا ہے جو بحالی-قوت-غالب الیکٹران حرکت سے وابستہ ہے اور اپنے حجم قطبیت نظری ہم منصب کے ساتھ ω4 انحصار کا اشتراک کرتا ہے۔ اس صورت میں "بکھرے ہوئے ذرہ" سے مراد پورے پلازما آبجیکٹ سے ہے۔ اس طرح، پلازما کی توسیع مائی بکھرنے کی طرف منتقلی کا سبب بن سکتی ہے۔ نوٹ کریں کہ ریلیگ نظام سے مراد یہاں چھوٹے ذرہ ω4 بکھرنا ہے، بجائے اس کے کہ تابکاری کا ایک وسیع تر چھوٹے ڈائپول تخمینہ۔ حوالہ جات سپیکٹروسکوپی