Reverse leakage current
سیمی کنڈکٹر ڈیوائس میں ریورس لیکج کرنٹ اس سیمی کنڈکٹر ڈیوائس کا کرنٹ ہوتا ہے جب ڈیوائس ریورس بائیسڈ ہوتا ہے۔ جب سیمی کنڈکٹر ڈیوائس ریورس بائیسڈ ہوتا ہے تو اسے کوئی کرنٹ نہیں چلانا چاہیے، تاہم، رکاوٹ کی بڑھتی ہوئی صلاحیت کی وجہ سے، پی سائیڈ پر موجود فری الیکٹرانوں کو بیٹری کے مثبت ٹرمینل پر گھسیٹا جاتا ہے، جبکہ این سائیڈ کے سوراخوں کو بیٹری کے منفی ٹرمینل پر گھسیٹا جاتا ہے۔ یہ اقلیتی چارج کیریئرز کا کرنٹ پیدا کرتا ہے اور اس لیے اس کی شدت انتہائی کم ہے۔ مستقل درجہ حرارت کے لیے، ریورس کرنٹ تقریبا مستقل ہوتا ہے حالانکہ لاگو شدہ ریورس وولٹیج کو ایک مخصوص حد تک بڑھا دیا جاتا ہے۔ اس لیے اسے ریورس سیچوریشن کرنٹ بھی کہا جاتا ہے۔ یہ اصطلاح خاص طور پر زیادہ تر سیمی کنڈکٹر جنکشنز، خاص طور پر ڈایڈس اور تھائرسٹرز پر لاگو ہوتی ہے۔ ریورس لیکج کرنٹ کو ایم او ایس ایف ای ٹی کے ساتھ "زیرو گیٹ وولٹیج ڈرین کرنٹ" کے نام سے بھی جانا جاتا ہے۔ لیکج کرنٹ درجہ حرارت کے ساتھ بڑھتا گیا۔ مثال کے طور پر، فیئر چائلڈ سیمی کنڈکٹر ایف ڈی وی 303 این میں کمرے کے درجہ حرارت پر 1 مائیکرو ایمپ تک کا ریورس رساو ہوتا ہے جو 50 ڈگری سیلسیس کے جنکشن درجہ حرارت کے ساتھ 10 مائیکرو ایمپ تک بڑھ جاتا ہے۔ تمام بنیادی مقاصد کے لیے، رساو کے دھارے بہت چھوٹے ہوتے ہیں، اور اس طرح، عام طور پر نہ ہونے کے برابر ہوتے ہیں۔ سیمی کنڈکٹرز