QBD (electronics)
کیو بی ڈی وہ اصطلاح ہے جس کا اطلاق سیمی کنڈکٹر ڈیوائس کی چارج ٹو بریک ڈاؤن پیمائش پر ہوتا ہے۔ یہ ایک معیاری تباہ کن ٹیسٹ کا طریقہ ہے جو ایم او ایس ڈیوائسز میں گیٹ آکسائڈز کے معیار کا تعین کرنے کے لیے استعمال ہوتا ہے۔ یہ ڈائی الیکٹرک پرت سے گزرنے والے کل چارج کے برابر ہے (یعنی۔ الیکٹران یا سوراخ کے بہاؤ کو ابتدائی چارج سے ضرب دی جاتی ہے) ناکامی سے ٹھیک پہلے۔ اس طرح کیو بی ڈی وقت پر منحصر گیٹ آکسائیڈ کی خرابی کی پیمائش ہے۔ آکسائڈ کے معیار کی پیمائش کے طور پر، کیو بی ڈی مخصوص برقی دباؤ کے حالات میں مصنوعات کی وشوسنییتا کا ایک مفید پیش گوئی بھی ہو سکتا ہے۔ ٹیسٹ طریقہ وولٹیج کا اطلاق ایم او ایس ڈھانچے پر آکسائڈ کے ذریعے کنٹرول شدہ کرنٹ کو مجبور کرنے کے لیے کیا جاتا ہے، یعنی۔ ڈائی الیکٹرک پرت میں کنٹرول شدہ مقدار میں چارج داخل کرنا۔ اس وقت کی پیمائش کرکے جس کے بعد ماپا ہوا وولٹیج صفر کی طرف گرتا ہے (جب برقی خرابی واقع ہوتی ہے) اور وقت کے ساتھ انجکشن شدہ کرنٹ کو مربوط کرتے ہوئے، گیٹ آکسائڈ کو توڑنے کے لیے درکار چارج کا تعین کیا جاتا ہے۔ اس گیٹ چارج انٹیگرل کی تعریف اس طرح کی گئی ہے: تباہ کن برفانی تودے کے ٹوٹنے سے ٹھیک پہلے قدم پر پیمائش کا وقت کہاں ہے۔ متغیرات کیو بی ڈی ٹیسٹ کے طریقہ کار کی پانچ عام قسمیں ہیں: لکیری وولٹیج ریمپ (وی-ریمپ ٹیسٹ کا طریقہ کار جس میں کرنٹ-وولٹیج کی خصوصیت والا وکر (I-V) شامل ہوتا ہے جس میں ساٹوتھ لہر یا مثلث لہر کی طرح لکیری طور پر بڑھتے ہوئے اور/یا کم ہوتے ہوئے وولٹیج کا استعمال ہوتا ہے) مستقل کرنٹ اسٹریس (سی سی ایس) ایکسپونینشل کرنٹ ریمپ (ای سی آر) (جس میں کرنٹ-وولٹیج کی خصوصیت والا وکر (I-V) شامل ہوتا ہے جس میں تیزی سے بڑھتے ہوئے اور/یا کم ہوتے ہوئے وولٹیج کا استعمال ہوتا ہے جیسا کہ آر سی ٹائم مستقل چارجنگ/ڈسچارج پر مبنی لہر کی شکل میں ہوتا ہے) یا (جے-ریمپ ٹیسٹ کا طریقہ کار) باؤنڈڈ جے-ریمپ (جے-ریمپ کے طریقہ کار کا ایک قسم، جس میں موجودہ ریمپ ایک متعین تناؤ کی سطح پر رکتا ہے، اور لکیری کرنٹ ریمپ (ایل سی آر) (جس میں کرنٹ-وولٹیج کی خصوصیت والا وکر (I-V) شامل ہوتا ہے جس میں ساٹوتھ لہر یا مثلث لہر کی طرح لکیری طور پر بڑھتے ہوئے اور/یا کم ہوتے ہوئے کرنٹ کا استعمال کیا جاتا ہے) V-ریمپ ٹیسٹ کے طریقہ کار کے لیے، ماپا ہوا کرنٹ کو کیو بی ڈی حاصل کرنے کے لیے مربوط کیا جاتا ہے۔ ماپا ہوا کرنٹ وولٹیج ریمپ کو ختم کرنے کے لیے پتہ لگانے کے معیار کے طور پر بھی استعمال ہوتا ہے۔ متعین معیارات میں سے ایک مسلسل وولٹیج کے مراحل کے درمیان لوگرتھمک کرنٹ سلوپ کی تبدیلی ہے۔ تجزیہ پیمائش شدہ کیو بی ڈی کی مجموعی تقسیم کا تجزیہ عام طور پر ویبل چارٹ کا استعمال کرتے ہوئے کیا جاتا ہے۔ معیارات جے ای ڈی ای سی معیاری جے ای ایس ڈی 35-اے-پتلی ڈائی الیکٹرکس کی ویفر لیول ٹیسٹنگ کا طریقہ کار، اپریل 2001 حوالہ جات مزید دیکھیں کیپیسیٹر-بریک ڈاؤن سیکشن فیلڈ الیکٹران کے اخراج کا معیار بذریعہ ڈیزائن سیمی کنڈکٹر ڈیوائس نقائص