Copper indium gallium selenide
کاپر انڈیم گیلیم (ڈی) سیلینائڈ (سی آئی جی ایس) ایک I-III-VI2 سیمی کنڈکٹر مواد ہے جو تانبے، انڈیم، گیلیم اور سیلینیم پر مشتمل ہے۔ یہ مواد تانبے کے انڈیم سیلینائڈ (اکثر مختصر طور پر "سی آئی ایس") اور تانبے کے گیلیم سیلینائڈ کا ٹھوس حل ہے۔ اس کا کیمیائی فارمولا CuIn1 − xGaxSe2 ہے، جہاں x کی قیمت 0 (خالص کاپر انڈیم سیلینائڈ) سے 1 (خالص کاپر گیلیم سیلینائڈ) تک مختلف ہو سکتی ہے۔ سی آئی جی ایس ایک ٹیٹرا ہیڈرلی بانڈڈ سیمی کنڈکٹر ہے، جس میں چالکوپرائٹ کرسٹل ڈھانچہ ہوتا ہے، اور ایک بینڈ گیپ جو ایکس کے ساتھ تقریبا 1.1 ای وی (کاپر انڈیم سیلینائڈ کے لیے) سے لے کر تقریبا 1.7 ای وی (کاپر گیلیم سیلینائڈ کے لیے) تک مسلسل تبدیل ہوتا رہتا ہے۔ ڈھانچہ سی آئی جی ایس ایک ٹیٹراہیڈرل بانڈڈ سیمی کنڈکٹر ہے، جس میں چالکوپرائٹ کرسٹل ڈھانچہ ہے۔ گرم کرنے پر یہ زنک بلینڈ کی شکل میں تبدیل ہو جاتا ہے اور منتقلی کا درجہ حرارت x = 0 کے لیے 1045 °C سے کم ہو کر x = 1 کے لیے 805 °C ہو جاتا ہے۔ ایپلی کیشنز یہ سی آئی جی ایس شمسی خلیوں کے لیے مواد کے طور پر جانا جاتا ہے جو فوٹو وولٹک صنعت میں استعمال ہونے والی ایک پتلی فلم ٹیکنالوجی ہے۔ اس کردار میں، سی آئی جی ایس کو لچکدار سبسٹریٹ مواد پر جمع ہونے کے قابل ہونے کا فائدہ ہے، جس سے انتہائی لچکدار، ہلکے وزن والے شمسی پینل تیار ہوتے ہیں۔ کارکردگی میں بہتری نے سی آئی جی ایس کو متبادل سیل مواد کے درمیان ایک قائم شدہ ٹیکنالوجی بنا دیا ہے۔ کاپر انڈیم گیلیم سیلینائڈ شمسی خلیات سی زیڈ ٹی ایس سی آئی جی ایس کمپنیوں کی فہرست حوالہ جات سیمی کنڈکٹر مواد کاپر (I) مرکبات انڈیم مرکبات گیلیم مرکبات سیلینائڈز قابل تجدید توانائی ڈائکلکوجینائڈز