P–n diode
یہ مضمون پی این ڈایڈڈ کے رویے کی اس سے زیادہ تفصیلی وضاحت فراہم کرتا ہے جو مضامین پی این جنکشن یا ڈایڈڈ میں پایا جاتا ہے۔ پی-این ڈایڈڈ ایک قسم کا سیمی کنڈکٹر ڈایڈڈ ہے جو پی-این جنکشن پر مبنی ہے۔ ڈایڈڈ صرف ایک سمت میں کرنٹ چلاتا ہے، اور یہ پی قسم کی سیمی کنڈکٹنگ پرت کو این قسم کی سیمی کنڈکٹنگ پرت میں شامل کرکے بنایا جاتا ہے۔ سیمی کنڈکٹر ڈایڈس کے متعدد استعمال ہوتے ہیں جن میں الٹرنیٹنگ کرنٹ سے ڈائریکٹ کرنٹ کی اصلاح، ریڈیو سگنلز کا پتہ لگانے، اور روشنی کے اخراج اور پتہ لگانے شامل ہیں۔ ساخت یہ شکل پی-این سیمی کنڈکٹر ڈایڈس کے لیے استعمال ہونے والے بہت سے ممکنہ ڈھانچوں میں سے دو کو ظاہر کرتی ہے، دونوں وولٹیج کو بڑھانے کے لیے ڈھال لیے گئے ہیں جو آلات ریورس بائیس میں برداشت کر سکتے ہیں۔ اوپری ڈھانچہ ایک میسا کا استعمال کرتا ہے تاکہ ملحقہ این پرت کے ساتھ پی +-ریجن کے تیز منحنی پن سے بچا جا سکے۔ نیچے کا ڈھانچہ وولٹیج کو بڑے فاصلے پر پھیلانے اور برقی میدان کو کم کرنے کے لیے پی + پرت کے تیز کونے کے کنارے پر ہلکے ڈوپڈ پی گارڈ رنگ کا استعمال کرتا ہے۔ (سپر اسکرپٹ جیسے n + یا n-بھاری یا ہلکی نجاست ڈوپنگ کی سطح کا حوالہ دیتے ہیں۔) برقی طرز عمل مثالی ڈایڈڈ میں فارورڈ بائیس پولاریٹی کے لیے صفر مزاحمت ہوتی ہے، اور ریورس وولٹیج پولاریٹی کے لیے لامحدود مزاحمت (صفر کرنٹ کا انعقاد) ہوتی ہے۔ اگر متبادل کرنٹ سرکٹ میں جڑا ہوا ہے، تو سیمی کنڈکٹر ڈایڈڈ برقی ریکٹیفائر کے طور پر کام کرتا ہے۔ سیمی کنڈکٹر ڈایڈڈ مثالی نہیں ہے۔ جیسا کہ شکل میں دکھایا گیا ہے، ڈایڈڈ اس وقت تک قابل تعریف طور پر نہیں چلتا جب تک کہ نان زیرو گھٹنے وولٹیج (یا ٹرن آن، کٹ ان، یا تھریشولڈ وولٹیج) تک نہ پہنچ جائے، جس کی قیمت سیمی کنڈکٹر (میں درج) پر منحصر ہوتی ہے۔ اس وولٹیج کے اوپر کرنٹ وولٹیج وکر کی ڈھلوان لامحدود نہیں ہے (مزاحمت پر صفر نہیں ہے)۔ الٹی سمت میں ڈایڈڈ ایک غیر صفر رساو کرنٹ چلاتا ہے (اعداد و شمار میں چھوٹے پیمانے سے مبالغہ آرائی کی جاتی ہے) اور بریک ڈاؤن وولٹیج کے نیچے کافی بڑے ریورس وولٹیج پر زیادہ منفی ریورس وولٹیج کے ساتھ کرنٹ بہت تیزی سے بڑھتا ہے۔ جیسا کہ شکل میں دکھایا گیا ہے، آن یا آف ریزسٹنس ایک منتخب بائیس پوائنٹ پر کرنٹ وولٹیج کی خصوصیت کی باہمی ڈھلوان ہیں: جہاں مزاحمت ہے اور کیا بائیس آپریشن میں ڈایڈڈ وولٹیج کی تبدیلی کے مطابق کرنٹ تبدیلی ہے۔ یہاں، اچانک پی این ڈایڈڈ کے آپریشن پر غور کیا جاتا ہے۔ "اچانک" کا مطلب یہ ہے کہ پی-اور این-ٹائپ ڈوپنگ اس سطح پر ایک سٹیپ فنکشن منقطع ظاہر کرتی ہے جہاں وہ ایک دوسرے کا سامنا کرتے ہیں۔ اس کا مقصد موجودہ وولٹیج کی خصوصیات کو ظاہر کرنے والے اعداد و شمار میں مختلف تعصب کے نظام کی وضاحت کرنا ہے۔ آپریشن کو بینڈ موڑنے والے خاکے کا استعمال کرتے ہوئے بیان کیا جاتا ہے جو یہ ظاہر کرتا ہے کہ کس طرح سب سے کم کنڈکشن بینڈ توانائی اور سب سے زیادہ ویلنس بینڈ توانائی مختلف تعصب کے حالات میں ڈایڈڈ کے اندر پوزیشن کے ساتھ مختلف ہوتی ہے۔ مزید بحث کے لیے، مضامین سیمی کنڈکٹر اور بینڈ خاکہ دیکھیں۔ صفر تعصب اعداد و شمار p-n ڈایڈڈ کے لیے بینڈ موڑنے والا خاکہ دکھاتا ہے۔ یعنی، کنڈکشن بینڈ (اوپری لائن) اور ویلنس بینڈ (نچلی لائن) کے لیے بینڈ کے کناروں کو p-قسم کے مواد (بائیں طرف) اور n-قسم کے مواد (دائیں طرف) کے درمیان جنکشن کے دونوں اطراف پوزیشن کے فنکشن کے طور پر دکھایا جاتا ہے۔ جب ایک ہی سیمی کنڈکٹر کے پی-ٹائپ اور این-ٹائپ کے علاقے کو ایک ساتھ لایا جاتا ہے اور دونوں ڈایڈڈ رابطوں کو شارٹ سرکٹ کیا جاتا ہے، تو فرمی نصف قبضے کی سطح (ڈیشڈ افقی سیدھی لکیر) ایک مستقل سطح پر واقع ہوتی ہے۔ یہ سطح اس بات کو یقینی بناتی ہے کہ جنکشن کے دونوں اطراف فیلڈ فری بلک میں سوراخ اور الیکٹران کا قبضہ درست ہے۔ (لہذا، مثال کے طور پر، کسی الیکٹران کے لیے یہ ضروری نہیں ہے کہ وہ این سائیڈ کو چھوڑے اور قبضے کو ایڈجسٹ کرنے کے لیے شارٹ سرکٹ کے ذریعے پی سائیڈ کا سفر کرے۔) تاہم، ایک فلیٹ فرمی سطح کے لیے پی قسم کی طرف کے بینڈوں کو این قسم کی طرف کے متعلقہ بینڈوں سے زیادہ آگے بڑھنے کی ضرورت ہوتی ہے، جس سے بینڈ کے کناروں میں ایک قدم (یا رکاوٹ) بنتا ہے، جس پر φB کا لیبل ہوتا ہے۔ یہ مرحلہ پی سائیڈ پر الیکٹران کی کثافت کو این سائیڈ سے چھوٹا بولٹزمین عنصر بننے پر مجبور کرتا ہے، جو پی ریجن میں الیکٹران کی کم کثافت سے مطابقت رکھتا ہے۔ علامت تھرمل وولٹیج کی نشاندہی کرتی ہے، جس کی تعریف T = 290 کیلون (کمرے کے درجہ حرارت) پر، تھرمل وولٹیج تقریبا 25 mV ہے۔ اسی طرح، این سائیڈ پر سوراخ کی کثافت ایک بولٹزمین عنصر ہے جو پی سائیڈ سے چھوٹا ہے۔ جنکشن کے پار اقلیتی کیریئر کثافت میں یہ باہمی کمی کیریئر کثافت کے پی این-پروڈکٹ کو توازن میں ڈایڈڈ کے اندر کسی بھی پوزیشن پر رہنے پر مجبور کرتی ہے۔ بالترتیب پی سائیڈ اور این سائیڈ پر بلک اکثریت کیریئر کثافت کہاں اور کہاں ہیں۔ بینڈ کے کناروں میں اس مرحلے کے نتیجے میں، جنکشن کے قریب ایک کمی کا علاقہ سوراخوں اور الیکٹرانوں دونوں سے ختم ہو جاتا ہے، جس سے ایک موصلیت والا علاقہ بنتا ہے جس میں تقریبا کوئی موبائل چارج نہیں ہوتا ہے۔ تاہم، ڈوپینٹ آئنوں کی وجہ سے فکسڈ، امبول چارجز ہوتے ہیں۔ کمی کی پرت میں موبائل چارج کی قریب قریب عدم موجودگی کا مطلب یہ ہے کہ موجود موبائل چارجز ڈوپینٹ آئنوں کے ذریعے فراہم کردہ غیر متحرک چارج کو متوازن کرنے کے لیے ناکافی ہیں: قبول کنندہ ڈوپینٹ کی وجہ سے پی قسم کی طرف ایک منفی چارج اور ڈونر ڈوپینٹ کی وجہ سے این قسم کی طرف ایک مثبت چارج کے طور پر۔ اس چارج کی وجہ سے اس خطے میں ایک برقی میدان موجود ہے، جیسا کہ پوئسون کی مساوات سے طے ہوتا ہے۔ کمی کے علاقے کی چوڑائی ایڈجسٹ ہوتی ہے لہذا پی سائیڈ پر منفی قبولیت چارج بالکل این سائیڈ پر مثبت ڈونر چارج کو متوازن کرتا ہے، لہذا دونوں طرف کمی کے علاقے سے باہر کوئی برقی میدان نہیں ہوتا ہے۔ اس بینڈ کی ترتیب میں کوئی وولٹیج لاگو نہیں ہوتا ہے اور ڈایڈڈ کے ذریعے کوئی کرنٹ نہیں بہتا ہے۔ ڈایڈڈ کے ذریعے کرنٹ کو مجبور کرنے کے لیے فارورڈ بائیس کا اطلاق کرنا ضروری ہے، جیسا کہ آگے بیان کیا گیا ہے۔ فارورڈ بائیس میں، بیٹری کا مثبت ٹرمینل پی قسم کے مواد سے منسلک ہوتا ہے اور منفی ٹرمینل این قسم کے مواد سے منسلک ہوتا ہے تاکہ سوراخ پی قسم کے مواد میں اور الیکٹرانوں کو این قسم کے مواد میں داخل کیا جائے۔ این قسم کے مادے میں موجود الیکٹرانوں کو اس طرف اکثریت کے کیریئرز کہا جاتا ہے، لیکن جو الیکٹران اسے پی قسم کی طرف بناتے ہیں انہیں اقلیتی کیریئرز کہا جاتا ہے۔ وہی وضاحتیں سوراخوں پر لاگو ہوتی ہیں: وہ پی ٹائپ سائیڈ پر اکثریتی کیریئر ہوتے ہیں، اور این ٹائپ سائیڈ پر اقلیتی کیریئر ہوتے ہیں۔ فارورڈ بائیس دو بلک نصف قبضے کی سطحوں کو اطلاق شدہ وولٹیج کی مقدار سے الگ کرتا ہے، جو پی قسم کے بلک بینڈ کے کناروں کی علیحدگی کو کم کرتا ہے تاکہ وہ توانائی میں این قسم کے قریب ہو۔ جیسا کہ خاکہ میں دکھایا گیا ہے، بینڈ کے کناروں میں قدم کو لاگو شدہ وولٹیج کے ذریعہ کم کیا جاتا ہے (بینڈ موڑنے والا خاکہ وولٹ کی اکائیوں میں بنایا گیا ہے، لہذا کوئی الیکٹران چارج توانائی میں تبدیل نہیں ہوتا ہے۔) فارورڈ بائیس کے تحت، p-سائیڈ سے n-سائیڈ میں سوراخوں کا اور n-سائیڈ سے p-سائیڈ تک مخالف سمت میں الیکٹرانوں کا ڈفیوژن کرنٹ بہتا ہے (جو کہ ایک ارتکاز میلان سے چلنے والا کرنٹ ہے)۔ اس منتقلی کو چلانے والا میلان مندرجہ ذیل ترتیب دیا گیا ہے: انٹرفیس سے دور بلک میں، اقلیتی کیریئرز کا ارتکاز اکثریت والے کیریئرز کے مقابلے میں بہت کم ہوتا ہے، مثال کے طور پر، پی سائیڈ پر الیکٹران کی کثافت (جہاں وہ اقلیتی کیریئرز ہیں) ایک عنصر ہے جو این سائیڈ سے کم ہے (جہاں وہ اکثریت والے کیریئرز ہیں)۔ دوسری طرف، انٹرفیس کے قریب، وولٹیج کا اطلاق بینڈ کے کناروں میں قدم کو کم کرتا ہے اور بلک ویلیوز سے اوپر بولٹزمین فیکٹر کے ذریعہ اقلیتی کیریئر کی کثافت کو بڑھاتا ہے۔ جنکشن کے اندر، پی این-پروڈکٹ کو توازن کی قیمت سے اوپر بڑھایا جاتا ہے: پھیلاؤ کو چلانے والا میلان پھر رکاوٹ پر بڑی اضافی اقلیتی کیریئر کثافت اور بلک میں کم کثافت کے درمیان فرق ہوتا ہے، اور یہ میلان اقلیتی کیریئر کے پھیلاؤ کو چلاتا ہے۔ انٹرفیس سے بلک میں۔ انجکشن شدہ اقلیتی کیریئرز کی تعداد کم ہو جاتی ہے کیونکہ وہ ریکومبینیشن میکانزم کے ذریعے بلک میں سفر کرتے ہیں جو اضافی ارتکاز کو بلک ویلیوز کی طرف لے جاتے ہیں۔ ریکومبینیشن اکثریتی کیریئر کے ساتھ براہ راست تصادم، دونوں کیریئرز کو ختم کرنے، یا ریکومبینیشن جنریشن سینٹر کے ذریعے ہو سکتی ہے، ایک عیب جو باری باری سوراخوں اور الیکٹرانوں کو پھنساتا ہے، ریکومبینیشن میں مدد کرتا ہے۔ اقلیتی کیریئرز کی ایک محدود عمر ہوتی ہے، اور اس کے نتیجے میں یہ زندگی محدود ہوتی ہے کہ وہ اکثریتی کیریئر کی طرف سے اقلیتی کیریئر کی طرف، نام نہاد بازی کی لمبائی میں کتنی دور تک پھیل سکتے ہیں۔ روشنی خارج کرنے والے ڈایڈڈ میں، الیکٹرانوں اور سوراخوں کا دوبارہ امتزاج ویلینس اور کنڈکشن بینڈ کے درمیان توانائی کے فرق سے متعلق طول موج کی روشنی کے اخراج کے ساتھ ہوتا ہے، لہذا ڈایڈڈ فارورڈ کرنٹ کے ایک حصے کو روشنی میں تبدیل کرتا ہے۔ فارورڈ بائیس کے تحت، سوراخوں اور الیکٹرانوں کے لیے نصف قبضے کی لکیریں پورے آلے میں چپٹی نہیں رہ سکتی ہیں جیسا کہ وہ توازن میں ہوتے وقت ہوتی ہیں، لیکن نیم فرمی کی سطح بن جاتی ہیں جو پوزیشن کے ساتھ مختلف ہوتی ہیں۔ جیسا کہ شکل میں دکھایا گیا ہے، الیکٹران کواسی-فرمی کی سطح پوزیشن کے ساتھ، این-بلک میں نصف قبضے کے توازن فرمی کی سطح سے، پی-بلک میں گہرے سوراخوں کے لیے نصف قبضے کے توازن کی سطح پر منتقل ہوتی ہے۔ سوراخ نیم فرمی کی سطح الٹا کرتی ہے۔ دو نیم فرمی سطحیں بلک مواد میں گہرائی کے علاوہ موافق نہیں ہوتی ہیں۔ اعداد و شمار سے پتہ چلتا ہے کہ اکثریتی کیریئر کی کثافت ان کے متعلقہ بلک میٹریل میں اکثریتی کیریئر کثافت کی سطح سے گھٹ کر رکاوٹ کے اوپری حصے میں چھوٹے عنصر کی سطح پر پہنچ جاتی ہے، جو کہ فارورڈ ڈایڈڈ بائیس کی مقدار سے توازن کی قیمت سے کم ہو جاتا ہے کیونکہ یہ رکاوٹ مخالف ڈوپڈ مواد میں واقع ہے، رکاوٹ کی پوزیشن پر انجکشن شدہ کیریئر اب اقلیتی کیریئر ہیں۔ جیسے جیسے ریکومبینیشن پکڑتی جاتی ہے، اقلیتی کیریئر کی کثافت گہرائی کے ساتھ بلک اقلیتی کیریئرز کے لیے ان کے توازن کی اقدار تک گر جاتی ہے، جو انجیکشن سے پہلے اکثریتی کیریئرز کے طور پر ان کی بلک کثافت سے چھوٹا عنصر ہے۔ اس مقام پر نیم فرمی کی سطح بلک فرمی کی سطح کی پوزیشنوں میں دوبارہ شامل ہو جاتی ہے۔ بینڈ کے کناروں میں کم ہونے والے مرحلے کا مطلب یہ بھی ہے کہ فارورڈ بائیس کے تحت کمی کا خطہ تنگ ہوجاتا ہے کیونکہ سوراخوں کو پی سائیڈ سے اور الیکٹرانوں کو این سائیڈ سے اس میں دھکیل دیا جاتا ہے۔ سادہ پی-این ڈایڈڈ میں کیریئر ڈینسٹیز میں ایکسپونینشل اضافے کی وجہ سے فارورڈ بائیس وولٹیج کے ساتھ فارورڈ کرنٹ تیزی سے بڑھتا ہے، لہذا لاگو شدہ وولٹیج کی بہت چھوٹی اقدار پر بھی ہمیشہ کچھ کرنٹ ہوتا ہے۔ تاہم، اگر کوئی کسی خاص کرنٹ کی سطح میں دلچسپی رکھتا ہے، تو اس کرنٹ کی سطح تک پہنچنے سے پہلے اسے "گھٹنے" وولٹیج کی ضرورت ہوگی (سلکان ڈایڈس کے لیے ~ 0.7 V، دیگر درج کردہ)۔ گھٹنے کے اوپر، کرنٹ تیزی سے بڑھتا رہتا ہے۔ کچھ خاص ڈایڈس، جیسے کہ کچھ ویراکٹر، جان بوجھ کر ڈیزائن کیے گئے ہیں تاکہ آگے کی سمت میں گھٹنے کے کچھ وولٹیج تک کم کرنٹ کی سطح کو برقرار رکھا جا سکے۔ ریورس بائیس ریورس بائیس میں سوراخوں کے لیے قبضے کی سطح دوبارہ بلک پی قسم کے سیمی کنڈکٹر کی سطح پر رہتی ہے جبکہ الیکٹرانوں کے لیے قبضے کی سطح بلک این قسم کے لیے اس کی پیروی کرتی ہے۔ اس صورت میں، پی-ٹائپ بلک بینڈ کے کناروں کو ریورس بائیس کے ذریعے این-ٹائپ بلک کے مقابلے میں بلند کیا جاتا ہے لہذا دونوں بلک اوکیوپینسی کی سطحوں کو دوبارہ لاگو شدہ وولٹیج کے ذریعے طے شدہ توانائی کے ذریعے الگ کیا جاتا ہے۔ جیسا کہ خاکہ میں دکھایا گیا ہے، اس رویے کا مطلب ہے کہ بینڈ کے کناروں میں قدم بڑھا دیا جاتا ہے اور کمی کا علاقہ چوڑا ہو جاتا ہے کیونکہ اس سے p-سائیڈ پر سوراخ اور n-سائیڈ پر الیکٹران کھینچ لیے جاتے ہیں۔ جب ریورس بائیس کا اطلاق ہوتا ہے، تو انحطاط کے علاقے میں برقی میدان میں اضافہ ہوتا ہے، جس سے الیکٹرانوں اور سوراخوں کو صفر بائیس کیس کے مقابلے میں مزید الگ کیا جاتا ہے۔ اس طرح، کوئی بھی کرنٹ جو بہتا ہے اس خطے میں جنریشن-ریکومبینیشن نقائص کی وجہ سے کمی والے علاقے کے اندر کیریئر جنریشن کے انتہائی کمزور عمل کی وجہ سے ہوتا ہے۔ وہ بہت چھوٹا کرنٹ ریورس بائیس کے تحت رساو کرنٹ کا ذریعہ ہے۔ فوٹوڈیوڈ میں، الٹا کرنٹ کو اتفاقیہ روشنی کے ذریعے انحطاط کے علاقے میں سوراخوں اور الیکٹرانوں کی تخلیق کا استعمال کرتے ہوئے متعارف کرایا جاتا ہے، اس طرح اتفاقیہ روشنی کے ایک حصے کو برقی کرنٹ میں تبدیل کیا جاتا ہے۔ جب ریورس بائیس بہت بڑا ہو جاتا ہے، بریک ڈاؤن وولٹیج تک پہنچ جاتا ہے، تو کمی کے علاقے میں نسل کا عمل تیز ہو جاتا ہے جس کی وجہ سے برفانی تودے کی حالت پیدا ہو جاتی ہے جو بھاگنے کا سبب بن سکتی ہے اور ڈایڈڈ کو تباہ کر سکتی ہے۔ ڈایڈڈ قانون مثالی پی-این ڈایڈڈ کا ڈی سی کرنٹ وولٹیج کا طرز عمل شاکلی ڈایڈڈ مساوات کے ذریعے کنٹرول کیا جاتا ہے: ڈایڈڈ کے پار ڈی سی وولٹیج کہاں ہے۔ ریورس سیچوریشن کرنٹ ہے، وہ کرنٹ جو اس وقت بہتا ہے جب ڈایڈڈ ریورس بائیسڈ ہوتا ہے (یعنی بڑا اور منفی ہوتا ہے)۔ ایک مثالی عنصر ہے جو مثالی ڈایڈڈ قانون کی پیش گوئی کے مقابلے میں اضافے کی سست شرح کو ماڈل کرنے کے لیے متعارف کرایا گیا ہے۔ T = 290 کیلون پر تقریبا 25 mV کا تھرمل وولٹیج ہے۔ یہ مساوات غیر مثالی رویے کا نمونہ نہیں بناتی ہے جیسے کہ زیادہ ریورس رساو یا بریک ڈاؤن مظاہر۔ اس مساوات کا استعمال کرتے ہوئے، مزاحمت پر ڈایڈڈ کم مزاحمت کا مظاہرہ کر رہا ہے۔ نوٹ: تفریق یا وقت کے لحاظ سے مختلف ڈایڈڈ کرنٹ اور وولٹیج کا حوالہ دینے کے لیے، چھوٹے حروف اور استعمال کیے جاتے ہیں۔ پی-این ڈایڈڈ کے این اور پی اطراف کے درمیان کمی کی پرت ایک موصلیت والے علاقے کے طور پر کام کرتی ہے جو دو ڈایڈڈ رابطوں کو الگ کرتی ہے۔ اس طرح، ریورس بائیس میں ڈایڈڈ ایک ڈیپلیشن لیئر کیپسیٹنس ظاہر کرتا ہے، جسے بعض اوقات زیادہ مبہم طور پر جنکشن کیپسیٹنس کہا جاتا ہے، جو رابطوں کے درمیان ڈائی الیکٹرک سپیسر کے ساتھ متوازی پلیٹ کیپسیٹر کے مترادف ہوتا ہے۔ ریورس بائیس میں کمی کی پرت کی چوڑائی کو بڑھتے ہوئے ریورس بائیس کے ساتھ چوڑا کیا جاتا ہے اور اس کے مطابق کیپسیٹنس میں کمی آتی ہے۔ اس طرح، جنکشن وولٹیج پر قابو پانے والے کیپسیٹر کے طور پر کام کرتا ہے۔ ایک آسان ایک جہتی ماڈل میں، جنکشن کیپسیٹنس یہ ہے: آلہ کے رقبے کے ساتھ، متعلقہ سیمی کنڈکٹر ڈائی الیکٹرک پرمٹیویٹی، برقی مستقل، اور کمی کی چوڑائی (اس خطے کی موٹائی جہاں موبائل کیریئر کی کثافت نہ ہونے کے برابر ہے)۔ فارورڈ بائیس میں، مذکورہ بالا ڈیپلیشن لیئر کیپسیٹنس کے علاوہ، اقلیتی کیریئر چارج انجیکشن اور پھیلاؤ ہوتا ہے۔ ایک پھیلاؤ کی صلاحیت موجود ہے جو اقلیتی کیریئر چارج میں تبدیلی کا اظہار کرتی ہے جو فارورڈ بائیس میں تبدیلی کے ساتھ ہوتی ہے۔ ذخیرہ شدہ اقلیتی کیریئر چارج کے لحاظ سے، ڈایڈڈ کرنٹ یہ ہے: اقلیتی کیریئرز کے پھیلاؤ سے وابستہ چارج کہاں ہے، اور ٹرانزٹ کا وقت ہے، اقلیتی چارج کے لیے انجکشن کے علاقے کو منتقل کرنے میں لگنے والا وقت، عام طور پر 0.1-100 NS۔ اس بنیاد پر، پھیلاؤ کی صلاحیت کا حساب اس طرح لگایا جاتا ہے: عام طور پر، فارورڈ بائیس میں معمول کی موجودہ سطحوں کے لیے، یہ صلاحیت انحطاط پرت کی صلاحیت سے کہیں زیادہ ہے۔ عارضی ردعمل ڈایڈڈ ایک انتہائی غیر لکیری آلہ ہے، لیکن چھوٹے سگنل کے تغیرات کے لیے اس کے ردعمل کا تجزیہ ایک چھوٹے سگنل کے سرکٹ کا استعمال کرتے ہوئے کیا جا سکتا ہے جو ایک منتخب خاموش ڈی سی بائیس پوائنٹ (یا کیو پوائنٹ) پر مبنی ہوتا ہے جس کے بارے میں سگنل کے مختلف ہونے کا تصور کیا جاتا ہے۔ کرنٹ اور مزاحمت کے ساتھ نارٹن ماخذ کے ذریعے چلنے والے ڈایڈڈ کے لیے مساوی سرکٹ دکھایا گیا ہے۔ آؤٹ پٹ نوڈ پر کرچوف کے موجودہ قانون کا استعمال کرتے ہوئے: ڈایڈڈ ڈفیوژن کیپسیٹنس کے ساتھ، ڈایڈڈ جنکشن کیپسیٹنس (ڈیپلیشن لیئر کیپسیٹنس) اور ڈایڈڈ مزاحمت کو آن یا آف کرتا ہے، یہ سب اس ق پوائنٹ پر ہوتا ہے۔ اس سرکٹ کے ذریعہ فراہم کردہ آؤٹ پٹ وولٹیج تب ہے: جہاں | | متوازی مزاحمت کی نشاندہی کرتا ہے۔ یہ ٹرانس ریزسٹنس ایمپلیفائر ایک کونے کی فریکوئنسی یا کٹ آف فریکوئنسی کو ظاہر کرتا ہے: اور فریکوئنسیز کے لیے گین فریکوئنسی کے ساتھ رول آف ہوتا ہے جیسا کہ کیپسیٹرز شارٹ سرکٹ ریزسٹر فرض کرتے ہیں، جیسا کہ جب ڈایڈڈ آن ہوتا ہے، وہ اور ڈایڈڈ مزاحمت اور کیپسیٹنس کے لیے اوپر پائے جانے والے تاثرات فراہم کرتے ہیں: جو کونے کی فریکوئنسی کو ڈایڈڈ ٹرانزٹ ٹائم سے متعلق ہے۔ ریورس بائیس میں چلنے والے ڈایڈس کے لیے، صفر ہے اور اصطلاح کونے کی تعدد کو اکثر کٹ آف فریکوئنسی سے تبدیل کیا جاتا ہے۔ کسی بھی صورت میں، الٹا تعصب میں ڈایڈڈ مزاحمت کافی بڑی ہو جاتی ہے، حالانکہ لامحدود نہیں جیسا کہ مثالی ڈایڈڈ قانون سے پتہ چلتا ہے، اور یہ مفروضہ کہ یہ ڈرائیور کے نارٹن مزاحمت سے کم ہے درست نہیں ہو سکتا۔ جنکشن کیپسیٹنس چھوٹا ہے اور ریورس بائیس پر منحصر ہے۔ کٹ آف فریکوئنسی تب ہوتی ہے: اور ریورس بائیس کے ساتھ مختلف ہوتی ہے کیونکہ موبائل کیریئرز سے ختم ہونے والے موصلیت والے علاقے کی چوڑائی بڑھتے ہوئے ڈایڈڈ ریورس بائیس کے ساتھ بڑھتی ہے، جس سے کیپسیٹنس کم ہوتا ہے۔ پی-آئی-این ڈایڈڈ نوٹس ڈایڈڈ سیمی کنڈکٹر ڈیوائسز بھی دیکھیں۔