Phonon drag
فونون ڈریگ کرسٹل جالی کے ساتھ تعاملات کی وجہ سے کنڈکشن الیکٹرانوں یا ویلینس ہولز کی موثر کمیت میں اضافہ ہے جس میں الیکٹران حرکت کرتا ہے۔ جیسے ہی ایک الیکٹران جالی میں ماضی کے ایٹموں کو منتقل کرتا ہے اس کا چارج قریبی جالی کو مسخ یا پولرائز کرتا ہے۔ یہ اثر الیکٹران (یا سوراخ، جیسا کہ معاملہ ہوسکتا ہے) کی نقل و حرکت میں کمی کا باعث بنتا ہے، جس کے نتیجے میں چالکتا میں کمی واقع ہوتی ہے۔ تاہم، جیسے جیسے سیبیک گتانک کی شدت فونون ڈریگ کے ساتھ بڑھتی ہے، یہ تھرمو الیکٹرک مواد میں براہ راست توانائی کے تبادلے کی ایپلی کیشنز کے لیے فائدہ مند ہو سکتا ہے۔ اس اثر کی شدت عام طور پر صرف کم درجہ حرارت (<200 K) پر قابل تعریف ہوتی ہے۔ فونون ہمیشہ مقامی تھرمل توازن میں نہیں ہوتے ؛ وہ تھرمل میلان کے خلاف حرکت کرتے ہیں۔ وہ الیکٹرانوں (یا دیگر کیریئرز) اور کرسٹل میں خامیوں کے ساتھ تعامل کرکے رفتار کھو دیتے ہیں۔ اگر فونون-الیکٹران تعامل غالب ہے، تو فونون الیکٹرانوں کو مادے کے ایک سرے پر دھکیلتے ہیں، اور اس عمل میں رفتار کھو دیتے ہیں۔ یہ پہلے سے موجود تھرمو الیکٹرک فیلڈ میں حصہ ڈالتا ہے۔ یہ تعاون درجہ حرارت کے علاقے میں سب سے زیادہ اہم ہے جہاں فونون الیکٹران بکھرنا غالب ہے۔ یہ اس جگہ پر ہوتا ہے جہاں θD ڈیبی درجہ حرارت ہے۔ کم درجہ حرارت پر ڈریگ کے لیے کم فونون دستیاب ہوتے ہیں، اور زیادہ درجہ حرارت پر وہ فونون-الیکٹران بکھرنے کے بجائے فونون-فونون بکھرنے میں رفتار کھو دیتے ہیں۔ سیبیک گتانک بمقابلہ درجہ حرارت فنکشن کا یہ خطہ مقناطیسی میدان کے تحت انتہائی متغیر ہے۔ حوالہ جات کٹل، چارلس (1996) سالڈ اسٹیٹ فزکس کا تعارف، 7 واں ایڈیشن، جان ولی اینڈ سنز، انکارپوریٹڈ الیکٹران