Spin-transfer torque
اسپن ٹرانسفر ٹارک (ایس ٹی ٹی) ایک ایسا اثر ہے جس میں مقناطیسی سرنگ جنکشن یا اسپن والو میں مقناطیسی پرت کی سمت میں اسپن پولرائزڈ کرنٹ کا استعمال کرتے ہوئے ترمیم کی جا سکتی ہے۔ چارج کیریئرز (جیسے الیکٹرانوں) میں ایک خاصیت ہوتی ہے جسے اسپن کہا جاتا ہے جو کیریئر کے لیے اندرونی کونیی رفتار کی ایک چھوٹی مقدار ہے۔ برقی کرنٹ عام طور پر غیر پولرائزڈ ہوتا ہے (جو 50 فیصد اسپن اپ اور 50 فیصد اسپن ڈاؤن الیکٹرانوں پر مشتمل ہوتا ہے) ؛ ایک اسپن پولرائزڈ کرنٹ وہ ہوتا ہے جس میں کسی بھی اسپن کے زیادہ الیکٹران ہوتے ہیں۔ موٹی مقناطیسی پرت (جسے عام طور پر "فکسڈ لیئر" کہا جاتا ہے) کے ذریعے کرنٹ منتقل کرنے سے، کوئی بھی اسپن پولرائزڈ کرنٹ پیدا کر سکتا ہے۔ اگر اس اسپن پولرائزڈ کرنٹ کو دوسری، پتلی مقناطیسی پرت ("آزاد پرت") میں منتقل کیا جاتا ہے، تو کونیی رفتار کو اس پرت میں منتقل کیا جا سکتا ہے، جس سے اس کی سمت بدل جاتی ہے۔ اس کا استعمال ارتعاش کو متحرک کرنے یا یہاں تک کہ مقناطیس کی سمت کو پلٹنے کے لیے بھی کیا جا سکتا ہے۔ اثرات عام طور پر صرف نینو میٹر پیمانے کے آلات میں دیکھے جاتے ہیں۔ اسپن ٹرانسفر ٹارک میموری اسپن ٹرانسفر ٹارک کو مقناطیسی بے ترتیب رسائی میموری میں فعال عناصر کو پلٹانے کے لیے استعمال کیا جا سکتا ہے۔ اسپن ٹرانسفر ٹارک مقناطیسی بے ترتیب رسائی میموری (ایس ٹی ٹی-آر اے ایم یا ایس ٹی ٹی-ایم آر اے ایم) ایک غیر مستحکم میموری ہے جس میں قریب صفر رساو بجلی کی کھپت ہوتی ہے جو چارج پر مبنی میموری جیسے ایس آر اے ایم اور ڈی آر اے ایم پر ایک بڑا فائدہ ہے۔ ایس ٹی ٹی-رام میں کم بجلی کی کھپت اور روایتی میگنیٹوریسسٹیو رینڈم ایکسیس میموری (ایم آر اے ایم) کے مقابلے میں بہتر اسکیل ایبلٹی کے فوائد بھی ہیں جو فعال عناصر کو پلٹانے کے لیے مقناطیسی شعبوں کا استعمال کرتے ہیں۔ اسپن ٹرانسفر ٹارک ٹیکنالوجی میں کم موجودہ ضروریات اور کم لاگت کو ملا کر ممکنہ ایم آر اے ایم ڈیوائسز بنانے کی صلاحیت ہے۔ تاہم، زیادہ تر تجارتی ایپلی کیشنز کے لیے مقناطیسیت کو دوبارہ ترتیب دینے کے لیے درکار کرنٹ کی مقدار فی الحال بہت زیادہ ہے، اور صرف اس کرنٹ کثافت میں کمی ہی اسپن الیکٹرانکس میں موجودہ تعلیمی تحقیق کی بنیاد ہے۔ صنعتی ترقی سونی ریسرچ سینٹر نے S.P.I.N.O.R کے لیے پہلی جاپان پیٹنٹ درخواست شائع کی۔ (اسپن پولرائزڈ انجیکشن نان وولاٹائل آرتھوگنل ریڈ/رائٹ رام)، ایس ٹی ٹی رام کا پیش خیمہ، 1997 میں۔ اس کے بعد، آئی ای ڈی ایم 2005 میں، سونی کے محققین نے پہلی کام کرنے والی 4 کے بی ایس ٹی ٹی میموری کی اطلاع دی، جسے اسپن-رام کا نام دیا گیا، جس میں اسپنور میموری کی پیرا میگنیٹک سپیسر پرت کو ایم جی او ڈائی الیکٹرک سے تبدیل کیا گیا۔ ہینیکس سیمی کنڈکٹر اور گرینڈس نے ایس ٹی ٹی-رام ٹیکنالوجی کی تجارتی ترقی کو تلاش کرنے کے لیے اپریل 2008 میں شراکت داری قائم کی۔ ہٹاچی اور توہوکو یونیورسٹی نے جون 2009 میں 32-Mbit STT-RAM کا مظاہرہ کیا۔ یکم اگست، 2011 کو، گرینڈس نے اعلان کیا کہ اسے سام سنگ الیکٹرانکس نے ایک نامعلوم رقم میں خریدا ہے۔ 2011 میں، کوالکوم نے وی ایل ایس آئی سرکٹس پر سمپوزیم میں ٹی ایس ایم سی کی 45 این ایم ایل پی ٹیکنالوجی میں تیار کردہ 1 ایم بٹ ایمبیڈڈ ایس ٹی ٹی-ایم آر اے ایم پیش کیا۔ مئی 2011 میں، روسی نینو ٹیکنالوجی کارپوریشن نے کروکس نینو الیکٹرانکس (کروکس ٹیکنالوجی کے ساتھ مشترکہ منصوبہ) میں 300 ملین ڈالر کی سرمایہ کاری کا اعلان کیا جو ماسکو، روس میں ایک ایم آر اے ایم فیکٹری بنائے گی۔ 2012 میں ایورسپین ٹیکنالوجیز نے پہلا تجارتی طور پر دستیاب ڈی ڈی آر 3 ڈوئل ان لائن میموری ماڈیول ایس ٹی-ایم آر اے ایم جاری کیا جس کی گنجائش 64 ایم بی ہے۔ جون 2019 میں ایورسپین ٹیکنالوجیز نے 28 این ایم 1 جی بی ایس ٹی ٹی-ایم آر اے ایم چپس کے لیے پائلٹ پروڈکشن شروع کی۔ دسمبر 2019 میں انٹیل نے ایل 4 کیش کے لیے ایس ٹی ٹی-ایم آر اے ایم کا مظاہرہ کیا 2022 میں ٹیک انسائٹس کو فٹ بٹ لکس فٹنس ٹریکر کے ایم سی یو اور کئی دیگر تجارتی طور پر دستیاب پہننے کے قابل مصنوعات میں 16 ایم بی سرایت شدہ ایس ٹی ٹی-ایم آر اے ایم میموری مل جاتی ہے۔ ایس ٹی ٹی-آر اے ایم پر کام کرنے والی دیگر کمپنیوں میں ایولانچ ٹیکنالوجی، کروکس ٹیکنالوجی اور اسپن ٹرانسفر ٹیکنالوجیز شامل ہیں۔ میگنیٹوریسسٹیو رام اسپن (فزکس) میمرسٹر اسپنٹرونکس حوالہ جات بیرونی روابط اسپن ٹارک ایپلٹ جے سی۔ سلونچیوسکی: "مقناطیسی ملٹی لیئرز کی موجودہ حوصلہ افزائی (1996)"، جرنل آف مقناطیسیت اور مقناطیسی مواد کا حجم 159، ایشوز 1-2، جون 1996، صفحات L1-L7 اسپنٹرونکس