Organic field-effect transistor
نامیاتی فیلڈ ایفیکٹ ٹرانجسٹر (او ایف ای ٹی) ایک فیلڈ ایفیکٹ ٹرانجسٹر ہے جو اپنے چینل میں نامیاتی سیمی کنڈکٹر کا استعمال کرتا ہے۔ او ایف ای ٹی کو یا تو چھوٹے مالیکیولز کے ویکیوم بخارات کے ذریعے، پولیمرز یا چھوٹے مالیکیولز کے سولیوشن کاسٹنگ کے ذریعے، یا کسی سبسٹریٹ پر چھلی ہوئی سنگل کرسٹلائن نامیاتی پرت کی مکینیکل منتقلی کے ذریعے تیار کیا جا سکتا ہے۔ یہ آلات کم لاگت، بڑے علاقے کی الیکٹرانک مصنوعات اور بائیوڈیگریڈیبل الیکٹرانکس کے حصول کے لیے تیار کیے گئے ہیں۔ او ایف ای ٹی کو مختلف ڈیوائس جیومیٹریز کے ساتھ تیار کیا گیا ہے۔ سب سے زیادہ استعمال ہونے والی ڈیوائس جیومیٹری ٹاپ ڈرین اور سورس الیکٹروڈ کے ساتھ باٹم گیٹ ہے، کیونکہ یہ جیومیٹری پتلی فلم سلکان ٹرانجسٹر (TFT) سے ملتی جلتی ہے جس میں تھرمل طور پر اگائے گئے SiO2 کو گیٹ ڈائی الیکٹرک کے طور پر استعمال کیا جاتا ہے۔ نامیاتی پولیمر، جیسے پولی (میتھائل-میتھاکریلیٹ) (پی ایم ایم اے)، کو ڈائی الیکٹرک کے طور پر بھی استعمال کیا جا سکتا ہے۔ او ایف ای ٹی کے فوائد میں سے ایک، خاص طور پر غیر نامیاتی ٹی ایف ٹی کے مقابلے میں، ان کی بے مثال جسمانی لچک ہے، جو بائیو مطابقت پذیر ایپلی کیشنز کی طرف لے جاتی ہے، مثال کے طور پر مستقبل میں ذاتی بائیو میڈیسن اور بائیو الیکٹرانکس کی صحت کی دیکھ بھال کی صنعت میں۔ مئی 2007 میں، سونی نے پہلے مکمل رنگ، ویڈیو ریٹ، لچکدار، تمام پلاسٹک ڈسپلے کی اطلاع دی، جس میں پتلی فلم ٹرانجسٹر اور روشنی خارج کرنے والے پکسلز دونوں نامیاتی مواد سے بنے تھے۔ فیلڈ ایفیکٹ ٹرانجسٹر (ایف ای ٹی) کا تصور سب سے پہلے جولیس ایڈگر للیئن فیلڈ نے پیش کیا تھا، جسے 1930 میں اپنے خیال کا پیٹنٹ ملا تھا۔ انہوں نے تجویز پیش کی کہ فیلڈ ایفیکٹ ٹرانجسٹر ایک ماخذ اور ڈرین الیکٹروڈ کے درمیان چلنے والے چینل کے ساتھ ایک کیپسیٹر کے طور پر برتاؤ کرتا ہے۔ گیٹ الیکٹروڈ پر اطلاق شدہ وولٹیج نظام کے ذریعے بہنے والے چارج کیریئرز کی مقدار کو کنٹرول کرتا ہے۔ پہلا انسولیٹڈ گیٹ فیلڈ ایفیکٹ ٹرانجسٹر بیل لیبز میں محمد اتالہ اور داون کاہنگ نے میٹل آکسائیڈ سیمی کنڈکٹر: ایم او ایس ایف ای ٹی (میٹل آکسائیڈ سیمی کنڈکٹر فیلڈ ایفیکٹ ٹرانجسٹر) کا استعمال کرتے ہوئے ڈیزائن اور تیار کیا تھا۔ اسے 1959 میں ایجاد کیا گیا اور 1960 میں پیش کیا گیا۔ ایم او ایس ٹرانجسٹر کے نام سے بھی جانا جاتا ہے، ایم او ایس ایف ای ٹی دنیا میں سب سے زیادہ تیار کردہ آلہ ہے۔ پتلی فلم ٹرانجسٹر (ٹی ایف ٹی) کا تصور سب سے پہلے جان والمارک نے پیش کیا تھا جس نے 1957 میں ایک پتلی فلم ایم او ایس ایف ای ٹی کے لیے پیٹنٹ دائر کیا تھا جس میں جرمینیئم مونو آکسائیڈ کو گیٹ ڈائی الیکٹرک کے طور پر استعمال کیا گیا تھا۔ پتلی فلم ٹرانجسٹر 1962 میں پال کے ویمر نے تیار کیا تھا جس نے وال مارک کے خیالات کو نافذ کیا تھا۔ ٹی ایف ٹی ایک خاص قسم کا ایم او ایس ایف ای ٹی ہے۔ مواد اور مینوفیکچرنگ کی بڑھتی ہوئی لاگت کے ساتھ ساتھ زیادہ ماحول دوست الیکٹرانکس مواد میں عوامی دلچسپی نے حالیہ برسوں میں نامیاتی بنیاد پر الیکٹرانکس کی ترقی کی حمایت کی ہے۔ 1986 میں، متسوبشی الیکٹرک کے محققین ایچ کوئزوکا، اے سمورا اور سونیا اینڈو نے تھیوفین مالیکیولز کے پولیمر پر مبنی پہلے نامیاتی فیلڈ ایفیکٹ ٹرانجسٹر کی اطلاع دی۔ تھیوفین پولیمر ایک قسم کا کنجوگیٹڈ پولیمر ہے جو چارج کرنے کے قابل ہے، مہنگے دھاتی آکسائڈ سیمی کنڈکٹر استعمال کرنے کی ضرورت کو ختم کرتا ہے۔ مزید برآں، دوسرے کنجوگیٹڈ پولیمر میں سیمی کنڈکٹنگ خصوصیات دکھائی گئی ہیں۔ پچھلی چند دہائیوں میں او ایف ای ٹی ڈیزائن میں بھی بہتری آئی ہے۔ بہت سے او ایف ای ٹی اب پتلی فلم ٹرانجسٹر (ٹی ایف ٹی) ماڈل کی بنیاد پر ڈیزائن کیے گئے ہیں، جو آلات کو اپنے ڈیزائن میں کم کنڈکٹو مواد استعمال کرنے کی اجازت دیتا ہے۔ گزشتہ چند سالوں میں ان ماڈلز میں فیلڈ ایفیکٹ موبلٹی اور آن آف کرنٹ تناسب میں بہتری لائی گئی ہے۔ مواد او ایف ای ٹی مواد کی ایک عام خصوصیت ایک خوشبودار یا بصورت دیگر مربوط π-الیکٹران نظام کی شمولیت ہے، جو مداری لہر افعال کی ڈیلوکلائزیشن کو آسان بناتا ہے۔ الیکٹران نکالنے والے گروپ یا عطیہ دینے والے گروپ منسلک کیے جا سکتے ہیں جو سوراخ یا الیکٹران کی نقل و حمل کو آسان بناتے ہیں۔ فعال سیمی کنڈکٹنگ پرت کے طور پر بہت سے خوشبودار اور مربوط مواد کو استعمال کرنے والے او ایف ای ٹی کی اطلاع دی گئی ہے، جن میں چھوٹے مالیکیول جیسے روبرین، ٹیٹریسین، پینٹیسین، ڈائنڈینوپیریلین، پیریلینڈیمائڈز، ٹیٹریسانوکوینوڈیمیتھین (ٹی سی این کیو)، اور پولیمر جیسے پولی ایتھوپینز (خاص طور پر پولی (3-ہیکسیل ایتھوپین) (پی 3 ایچ ٹی))، پولی فلورین، پولیڈیسیٹیلین، پولی (2,5-تھینیلین ونائلین)، پولی (پی-فینیلین ونائلین) (پی پی وی) شامل ہیں۔ یہ شعبہ بہت فعال ہے، جس میں نئے ترکیب شدہ اور تجربہ شدہ مرکبات نمایاں تحقیقی جرائد میں ہفتہ وار رپورٹ کیے جاتے ہیں۔ ان مواد کی ترقی کو دستاویزی شکل دینے والے بہت سے جائزے کے مضامین موجود ہیں۔ روبرین پر مبنی او ایف ای ٹی سب سے زیادہ کیریئر کی نقل و حرکت 20-40 cm2/(V·s) دکھاتے ہیں۔ ایک اور مقبول او ایف ای ٹی مواد پینٹاسین ہے، جو 1980 کی دہائی سے استعمال ہوتا رہا ہے، لیکن نقل و حرکت کے ساتھ روبرین سے 10 سے 100 گنا کم (سبسٹریٹ پر منحصر ہے)۔ پینٹیسین کے ساتھ ساتھ بہت سے دوسرے نامیاتی موصلوں کا سب سے بڑا مسئلہ ہوا میں اس کی تیز رفتار آکسیکرن ہے جس سے پینٹیسین-کوئنون بنتا ہے۔ تاہم اگر پینٹاسین کو پری آکسیڈائز کیا جاتا ہے، اور اس طرح بنے ہوئے پینٹاسین-کوئنون کو گیٹ انسولیٹر کے طور پر استعمال کیا جاتا ہے، تو نقل و حرکت روبرین اقدار تک پہنچ سکتی ہے۔ یہ پینٹاسین آکسیڈیشن تکنیک سلکان الیکٹرانکس میں استعمال ہونے والی سلکان آکسیڈیشن سے ملتی جلتی ہے۔ پولی کرسٹلائن ٹیٹراتھیافولولین اور اس کے اینالاگس کے نتیجے میں 0.1-1.4 cm2/(V·s) کی حد میں نقل و حرکت ہوتی ہے۔ تاہم، محلول میں اگائی جانے والی یا بخارات میں منتقل ہونے والی واحد کرسٹل لائن ہیکسامیٹھیلین-ٹیٹراتھیافولولین (ایچ ایم ٹی ٹی ایف) میں نقل و حرکت 10 سینٹی میٹر 2/(وی۔ ایس) سے تجاوز کر جاتی ہے۔ ان دونوں تکنیکوں کے ذریعے اگائے گئے آلات کے لیے آن/آف وولٹیج مختلف ہے، ممکنہ طور پر بخارات کی نقل و حمل میں استعمال ہونے والے اعلی پروسیسنگ درجہ حرارت کی وجہ سے۔ مذکورہ بالا تمام آلات پی قسم کی چالکتا پر مبنی ہیں۔ این قسم کے او ایف ای ٹی ابھی تک ناقص طور پر تیار کیے گئے ہیں۔ وہ عام طور پر پیریلینڈیمائڈز یا فلرینز یا ان کے مشتقات پر مبنی ہوتے ہیں، اور 2 سینٹی میٹر 2/(V·s) سے نیچے الیکٹران کی نقل و حرکت ظاہر کرتے ہیں۔ نامیاتی فیلڈ ایفیکٹ ٹرانجسٹرز کا ڈیوائس ڈیزائن فیلڈ ایفیکٹ ٹرانجسٹرز کے تین ضروری اجزاء ماخذ، ڈرین اور گیٹ ہیں۔ فیلڈ ایفیکٹ ٹرانجسٹر عام طور پر کیپسیٹر کے طور پر کام کرتے ہیں۔ یہ دو پلیٹوں پر مشتمل ہوتے ہیں۔ ایک پلیٹ دو اوہمک رابطوں کے درمیان ایک محرک چینل کے طور پر کام کرتی ہے، جسے ماخذ اور نکاسی کے رابطے کہا جاتا ہے۔ دوسری پلیٹ چینل میں آنے والے چارج کو کنٹرول کرنے کا کام کرتی ہے، اور اسے گیٹ کہا جاتا ہے۔ چینل میں کیریئرز کی نقل و حرکت کی سمت ماخذ سے نالے تک ہوتی ہے۔ لہذا ان تینوں اجزاء کے درمیان تعلق یہ ہے کہ گیٹ ماخذ سے نالے تک کیریئر کی نقل و حرکت کو کنٹرول کرتا ہے۔ جب اس کیپسیٹر تصور کو ڈیوائس کے ڈیزائن پر لاگو کیا جاتا ہے، تو کنٹرولر میں فرق کی بنیاد پر مختلف آلات بنائے جا سکتے ہیں۔ دروازہ۔ یہ گیٹ کا مواد، چینل کے حوالے سے گیٹ کا مقام، گیٹ کو چینل سے کیسے الگ کیا جاتا ہے، اور گیٹ وولٹیج کے ذریعے چینل میں کس قسم کے کیریئر کو متاثر کیا جاتا ہے (جیسے کہ این-چینل ڈیوائس میں الیکٹران، پی-چینل ڈیوائس میں سوراخ، اور ڈبل انجیکشن ڈیوائس میں الیکٹران اور سوراخ دونوں) ہو سکتا ہے۔ کیریئر کی خصوصیات کے لحاظ سے درجہ بند، تین قسم کے ایف ای ٹی شکل 1 میں منصوبہ بند طریقے سے دکھائے گئے ہیں۔ وہ ہیں MOSFET (میٹل-آکسائیڈ-سیمی کنڈکٹر فیلڈ ایفیکٹ ٹرانجسٹر)، MESFET (میٹل-سیمی کنڈکٹر فیلڈ ایفیکٹ ٹرانجسٹر) اور TFT (پتلی فلم ٹرانجسٹر)۔ جدید مائیکرو الیکٹرانکس میں سب سے نمایاں اور وسیع پیمانے پر استعمال ہونے والا ایف ای ٹی ایم او ایس ایف ای ٹی (میٹل آکسائیڈ سیمی کنڈکٹر ایف ای ٹی) ہے۔ اس زمرے میں مختلف اقسام ہیں، جیسے کہ MISFET (میٹل انسولیٹر سیمی کنڈکٹر فیلڈ ایفیکٹ ٹرانجسٹر)، اور IGFET (انسولیٹڈ گیٹ FET)۔ MISFET کا ایک خاکہ شکل 1a میں دکھایا گیا ہے۔ ماخذ اور ڈرین سیمی کنڈکٹر کے ذریعے جڑے ہوتے ہیں اور گیٹ کو چینل سے موصلیت کی ایک پرت کے ذریعے الگ کیا جاتا ہے۔ اگر گیٹ پر کوئی تعصب (ممکنہ فرق) لاگو نہیں ہوتا ہے، تو دھات کے چلنے والے بینڈ اور سیمی کنڈکٹر فرمی کی سطح کے توانائی کے فرق کی وجہ سے بینڈ موڑنے پر مجبور ہوتا ہے۔ لہذا، سیمی کنڈکٹر اور موصلیت کے انٹرفیس پر سوراخوں کا زیادہ ارتکاز بنتا ہے۔ جب گیٹ کے رابطے پر کافی مثبت تعصب لگایا جاتا ہے، تو جھکی ہوئی بینڈ چپٹی ہو جاتی ہے۔ اگر ایک بڑا مثبت تعصب لگایا جاتا ہے، تو مخالف سمت میں موڑنے والا بینڈ ہوتا ہے اور موصلیت-سیمی کنڈکٹر انٹرفیس کے قریب کا علاقہ سوراخوں سے ختم ہو جاتا ہے۔ پھر ختم شدہ علاقہ بن جاتا ہے۔ اس سے بھی بڑے مثبت تعصب پر، بینڈ موڑنا اتنا بڑا ہو جاتا ہے کہ سیمی کنڈکٹر اور موصلیت کے انٹرفیس پر فرمی کی سطح ویلینس بینڈ کے اوپری حصے کے مقابلے کنڈکشن بینڈ کے نچلے حصے کے قریب ہو جاتی ہے، لہذا، یہ الیکٹرانوں کی ایک الٹ پرت بناتی ہے، جو کنڈکٹنگ چینل فراہم کرتی ہے۔ آخر میں، یہ آلہ کو آن کر دیتا ہے۔ MESFET دوسری قسم کے آلے کو Fig.1b میں بیان کیا گیا ہے۔ ایم آئی ایس ایف ای ٹی سے اس کا واحد فرق یہ ہے کہ این-ٹائپ سورس اور ڈرین این-ٹائپ ریجن سے جڑے ہوئے ہیں۔ اس صورت میں، کمی کا علاقہ عام طور پر "آف" ڈیوائس میں صفر گیٹ وولٹیج پر این-ٹائپ چینل پر پھیلا ہوا ہے (یہ MISFET کیس میں بڑے مثبت تعصب سے ملتا جلتا ہے)۔ عام طور پر "آن" ڈیوائس میں، چینل کا ایک حصہ ختم نہیں ہوتا ہے، اور اس طرح صفر گیٹ وولٹیج پر کرنٹ کے گزرنے کا باعث بنتا ہے۔ ٹی ایف ٹی ایک پتلی فلم ٹرانجسٹر (ٹی ایف ٹی) شکل 1 سی میں دکھایا گیا ہے۔ یہاں ماخذ اور ڈرین الیکٹروڈ براہ راست کنڈکٹنگ چینل (سیمی کنڈکٹر کی ایک پتلی پرت) پر جمع کیے جاتے ہیں پھر سیمی کنڈکٹر اور دھاتی گیٹ کے رابطے کے درمیان موصلیت کی ایک پتلی فلم جمع کی جاتی ہے۔ اس ڈھانچے سے پتہ چلتا ہے کہ ڈیوائس کو سبسٹریٹ سے الگ کرنے کے لیے کوئی کمی کا علاقہ نہیں ہے۔ اگر صفر تعصب ہے، تو سیمی کنڈکٹر اور دھات کی فرمی سطح کی توانائی کے فرق کی وجہ سے الیکٹرانوں کو سطح سے نکال دیا جاتا ہے۔ یہ سیمی کنڈکٹر کے بینڈ موڑنے کا باعث بنتا ہے۔ اس صورت میں، منبع اور نالے کے درمیان کوئی کیریئر حرکت نہیں ہے۔ جب مثبت چارج لگایا جاتا ہے، تو انٹرفیس پر الیکٹرانوں کا جمع ہونا سیمی کنڈکٹر کو مخالف سمت میں موڑنے کا باعث بنتا ہے اور سیمی کنڈکٹر کی فرمی سطح کے حوالے سے کنڈکشن بینڈ کو کم کرنے کا باعث بنتا ہے۔ پھر انٹرفیس پر ایک انتہائی کنڈکٹو چینل بنتا ہے (شکل 2 میں دکھایا گیا ہے)۔ او ایف ای ٹی او ایف ای ٹی کے فن تعمیر کو اپناتے ہیں۔ کنڈکٹنگ پولیمر کی ترقی کے ساتھ، چھوٹے کنجوگیٹڈ مالیکیولز کی سیمی کنڈکٹنگ خصوصیات کو پہچانا گیا ہے۔ پچھلے دس سالوں میں او ایف ای ٹی میں دلچسپی بہت بڑھ گئی ہے۔ دلچسپی کے اس اضافے کی وجوہات کئی گنا ہیں۔ او ایف ای ٹی کی کارکردگی، جو بے ساختہ سلکان (اے-سی) ٹی ایف ٹی کے ساتھ 0.5-1 سی ایم 2 وی − 1 ایس − 1 اور آن/آف موجودہ تناسب (جو ڈیوائس کی بند کرنے کی صلاحیت کی نشاندہی کرتا ہے) کے فیلڈ ایفیکٹ موبلٹی کے ساتھ مقابلہ کر سکتی ہے، میں نمایاں بہتری آئی ہے۔ فی الحال، ویکیوم میں جمع ہونے والے چھوٹے مالیکیولز کے معاملے میں 5 سینٹی میٹر 2 V−1s−1 کی پتلی فلم OFET نقل و حرکت کی اقدار اور حل پر مبنی پولیمرز کے لیے 0.6 سینٹی میٹر 2 V−1s−1 کی اطلاع دی گئی ہے۔ نتیجے کے طور پر، اب ان ایپلی کیشنز کے لیے او ایف ای ٹی کے استعمال میں زیادہ صنعتی دلچسپی ہے جو فی الحال اے-سی یا دیگر غیر نامیاتی ٹرانجسٹر ٹیکنالوجیز کے استعمال سے مطابقت نہیں رکھتے ہیں۔ ان کی اہم تکنیکی کشش میں سے ایک یہ ہے کہ او ایف ای ٹی کی تمام تہوں کو کم لاگت والے سولیوشن پروسیسنگ اور ڈائریکٹ رائٹ پرنٹنگ کے امتزاج کے ذریعے کمرے کے درجہ حرارت پر جمع اور نمونہ بنایا جا سکتا ہے، جو انہیں لچکدار سبسٹریٹس پر کم لاگت، بڑے علاقے کے الیکٹرانک افعال کے ادراک کے لیے مثالی طور پر موزوں بناتا ہے۔ آلے کی تیاری تھرمل آکسیڈائزڈ سلکان او ایف ای ٹی کے لیے ایک روایتی سبسٹریٹ ہے جہاں سلکان ڈائی آکسائیڈ گیٹ انسولیٹر کے طور پر کام کرتا ہے۔ فعال ایف ای ٹی پرت عام طور پر (i) تھرمل بخارات، (ii) نامیاتی محلول سے کوٹنگ، یا (iii) الیکٹروسٹیٹک لیمینیشن کا استعمال کرتے ہوئے اس سبسٹریٹ پر جمع کی جاتی ہے۔ پہلی دو تکنیکوں کے نتیجے میں پولی کرسٹل لائن فعال پرتیں پیدا ہوتی ہیں۔ ان کو تیار کرنا بہت آسان ہوتا ہے، لیکن اس کے نتیجے میں ٹرانجسٹر کی کارکردگی نسبتا ناقص ہوتی ہے۔ سولیوشن کوٹنگ تکنیک (ii) کے متعدد تغیرات معلوم ہیں، جن میں ڈپ کوٹنگ، اسپن کوٹنگ، انک جیٹ پرنٹنگ اور اسکرین پرنٹنگ شامل ہیں۔ الیکٹروسٹیٹک لیمینیشن تکنیک ایک نامیاتی کرسٹل سے پتلی پرت کو دستی طور پر چھیلنے پر مبنی ہے۔ اس کے نتیجے میں ایک اعلی واحد کرسٹل لائن فعال پرت بنتی ہے، پھر بھی یہ زیادہ تکلیف دہ ہوتی ہے۔ گیٹ آکسائیڈ اور فعال پرت کی موٹائی ایک مائکرو میٹر سے نیچے ہوتی ہے۔ کیریئر ٹرانسپورٹ او ایف ای ٹی میں کیریئر ٹرانسپورٹ ڈیوائس کے ذریعے دو جہتی (2 ڈی) کیریئر پروپیگنڈے کے لیے مخصوص ہے۔ اس مطالعے کے لیے مختلف تجرباتی تکنیکیں استعمال کی گئیں، جیسے انجکشن شدہ کیریئرز کے ٹرانزٹ اوقات پر ہینس-شاکلی تجربہ، کیریئر کی نقل و حرکت کے تعین کے لیے ٹائم آف فلائٹ (ٹی او ایف) تجربہ، انسولیٹرز میں برقی میدان کی تقسیم کی تحقیقات کے لیے دباؤ لہر کے پھیلاؤ کا تجربہ، واقفیت والی دو قطبی تبدیلیوں کی تحقیقات کے لیے نامیاتی یک پرت تجربہ، نظری وقت سے حل شدہ دوسری ہارمونک نسل (ٹی آر ایم-ایس ایچ جی) وغیرہ۔ جب کہ کیریئر پولی کرسٹل لائن او ایف ای ٹی کے ذریعے پھیلاؤ جیسے (ٹریپ محدود) انداز میں پھیلتے ہیں، وہ بہترین سنگل کرسٹل لائن او ایف ای ٹی میں کنڈکشن بینڈ سے گزرتے ہیں۔ او ایف ای ٹی کیریئر ٹرانسپورٹ کا سب سے اہم پیمانہ کیریئر موبلٹی ہے۔ او ایف ای ٹی تحقیق کے سالوں کے دوران اس کا ارتقاء پولی کرسٹل لائن اور سنگل کرسٹل لائن او ایف ای ٹی کے گراف میں دکھایا گیا ہے۔ افقی لکیریں او ایف ای ٹی کے اہم حریفوں-بے ساختہ (اے-سی) اور پولی کرسٹل لائن سلکان کے مقابلے کے رہنما خطوط کی نشاندہی کرتی ہیں۔ گراف سے پتہ چلتا ہے کہ پولی کرسٹل لائن او ایف ای ٹی میں نقل و حرکت کا موازنہ اے-سی سے کیا جاتا ہے جبکہ روبرین پر مبنی او ایف ای ٹی (20-40 سی ایم 2/(وی۔ ایس) میں نقل و حرکت بہترین پولی سلکان آلات تک پہنچتی ہے۔ او ایف ای ٹی میں چارج کیریئر موبلٹی کے درست ماڈلز کی ترقی تحقیق کا ایک فعال شعبہ ہے۔ فشچک اور دیگر۔ او ایف ای ٹی میں کیریئر کی نقل و حرکت کا ایک تجزیاتی ماڈل تیار کیا ہے جو کیریئر کی کثافت اور پولران اثر کا سبب بنتا ہے۔ جب کیریئر موبلٹی ماڈلز کے لیے ان پٹ کے طور پر استعمال کیا جاتا ہے تو اوسط کیریئر کثافت کا حساب عام طور پر گیٹ وولٹیج کے فنکشن کے طور پر کیا جاتا ہے، ماڈیولیٹڈ ایمپلیٹیوڈ ریفلیکٹنس سپیکٹروسکوپی (ایم اے آر ایس) کو او ایف ای ٹی چینل میں کیریئر کثافت کا ایک مقامی نقشہ فراہم کرنے کے لیے دکھایا گیا ہے۔ روشنی خارج کرنے والے او ایف ای ٹی چونکہ برقی کرنٹ اس طرح کے ٹرانجسٹر سے گزرتا ہے، اس لیے اسے روشنی خارج کرنے والے آلے کے طور پر استعمال کیا جا سکتا ہے، اس طرح کرنٹ ماڈیولیشن اور روشنی کے اخراج کو مربوط کیا جا سکتا ہے۔ 2003 میں، ایک جرمن گروپ نے پہلے نامیاتی روشنی خارج کرنے والے فیلڈ ایفیکٹ ٹرانجسٹر (او ایل ای ٹی) کی اطلاع دی۔ آلہ کا ڈھانچہ انٹرڈیجیٹیٹڈ گولڈ سورس-اور ڈرین الیکٹروڈز اور ایک پولی کرسٹلین ٹیٹراسین پتلی فلم پر مشتمل ہے۔ مثبت چارجز (سوراخ) کے ساتھ ساتھ منفی چارجز (الیکٹران) دونوں کو سونے کے رابطوں سے اس پرت میں داخل کیا جاتا ہے جس کی وجہ سے ٹیٹریسین سے برقی روشنی پیدا ہوتی ہے۔ نامیاتی الیکٹرانکس OLED چارج ماڈیولیشن سپیکٹروسکوپی پتلی فلم ٹرانجسٹر آکسائڈ پتلی فلم ٹرانجسٹر حوالہ جات سالماتی الیکٹرانکس نامیاتی الیکٹرانکس لچکدار ڈسپلے بھی دیکھیں۔