Stress-induced leakage current
تناؤ سے پیدا ہونے والا رساو کرنٹ (ایس آئی ایل سی) ایم او ایس ایف ای ٹی کے گیٹ رساو کرنٹ میں اضافہ ہے، جو سیمی کنڈکٹر فزکس میں استعمال ہوتا ہے۔ یہ برقی دباؤ کے دوران گیٹ آکسائیڈ میں پیدا ہونے والے نقائص کی وجہ سے ہوتا ہے۔ ایس آئی ایل سی شاید ڈیوائس منی ایچرائزیشن کو روکنے والا سب سے بڑا عنصر ہے۔ رساو میں اضافہ الیکٹرانک آلات کی ناکامی کا ایک عام طریقہ ہے۔ آکسائڈ کے نقائص لیکج کرنٹ میں مدد کرنے والے سب سے زیادہ اچھی طرح سے مطالعہ شدہ نقائص وہ ہیں جو آکسائڈ میں چارج ٹریپنگ کے ذریعے پیدا ہوتے ہیں۔ یہ ماڈل حملے کا ایک نقطہ فراہم کرتا ہے اور اس نے محققین کو آکسائڈ کے نائٹروس آکسائڈ (N2O) نائٹریڈیشن جیسے میکانزم کے ذریعے چارج ٹریپنگ کی شرح کو کم کرنے کے طریقے تیار کرنے کی ترغیب دی ہے۔ سیمی کنڈکٹر ڈیوائس کے نقائص