Electrostatic deflection (molecular physics/nanotechnology)
سالماتی طبیعیات/نینو ٹیکنالوجی میں، الیکٹروسٹیٹک انحراف برقی میدان کے ذریعے جھکی ہوئی بیم جیسی ساخت/عنصر کی اخترتی ہے۔ یہ الیکٹروسٹیٹک فیلڈز اور خالص چارج یا برقی پولرائزیشن کے اثرات کے درمیان تعامل کی وجہ سے ہو سکتا ہے۔ بیم جیسی ساخت/عنصر عام طور پر کینٹائلیورڈ ہوتا ہے (اس کے ایک سرے پر فکس ہوتا ہے)۔ نینو میٹریلز میں، کاربن نینو ٹیوبز (سی این ٹیز) الیکٹروسٹیٹک انحراف کے لیے عام ہیں۔ برقی پولرائزیشن کی وجہ سے برقی انحراف کے طریقہ کار کو مندرجہ ذیل طور پر سمجھا جا سکتا ہے: جب کسی مادے کو برقی میدان (E) میں لایا جاتا ہے، تو میدان مثبت چارج (سرخ میں) اور منفی چارج (نیلے رنگ میں) کو مخالف سمتوں میں منتقل کرنے کا رجحان رکھتا ہے۔ اس طرح، انڈیوسڈ ڈایپولز بنتے ہیں۔ شکل۔ 3 برقی میدان میں بیم جیسی ساخت/عنصر کو ظاہر کرتا ہے۔ سالماتی ڈائپول مومنٹ اور برقی میدان کے درمیان تعامل کے نتیجے میں ایک انڈیوسڈ ٹارک (T) ہوتا ہے۔ پھر یہ ٹارک بیم کو میدان کی سمت سیدھا کرتا ہے۔ کینٹیلیورڈ سی این ٹی کی صورت میں، یہ میدان کی سمت کی طرف جھکا ہوگا۔ دریں اثنا سی این ٹی کی برقی طور پر پیدا شدہ ٹارک اور سختی ایک دوسرے کے خلاف مقابلہ کرتی ہے۔ یہ بگاڑ تجربات میں دیکھا گیا ہے۔ یہ خاصیت سی این ٹیز کے لیے ایک اہم خصوصیت ہے جو نینو الیکٹرو مکینیکل سسٹم ایپلی کیشنز کا وعدہ کرتی ہے، نیز ان کی تشکیل، علیحدگی اور الیکٹرو منیپولیشن کے لیے بھی۔ حال ہی میں، کینٹائلیورڈ سی این ٹی پر مبنی کئی نینو الیکٹرو مکینیکل سسٹمز کی اطلاع دی گئی ہے جیسے: نینوریلیز، نینوسوچز، نینوٹویزرز اور فیڈ بیک ڈیوائس جو میموری، سینسنگ یا ایکٹیویشن کے استعمال کے لیے ڈیزائن کیے گئے ہیں۔ مزید برآں، کاربن نینو ٹیوبز کے برقی انحراف کی مکمل تفہیم حاصل کرنے کی کوشش کے لیے نظریاتی مطالعات کیے گئے ہیں، حوالہ جات سالماتی طبیعیات