Semiconductor memory
سیمی کنڈکٹر میموری ایک ڈیجیٹل الیکٹرانک سیمی کنڈکٹر ڈیوائس ہے جو ڈیجیٹل ڈیٹا اسٹوریج کے لیے استعمال ہوتی ہے، جیسے کمپیوٹر میموری۔ یہ عام طور پر ان آلات سے مراد ہے جن میں ڈیٹا کو سلیکن انٹیگریٹڈ سرکٹ میموری چپ پر میٹل آکسائیڈ سیمی کنڈکٹر (ایم او ایس) میموری خلیوں کے اندر محفوظ کیا جاتا ہے۔ مختلف سیمی کنڈکٹر ٹیکنالوجیز کا استعمال کرتے ہوئے متعدد مختلف اقسام ہیں۔ بے ترتیب رسائی میموری (رام) کی دو اہم اقسام جامد رام (ایس آر اے ایم) ہیں، جو فی میموری سیل میں کئی ٹرانجسٹر استعمال کرتی ہیں، اور متحرک رام (ڈی آر اے ایم)، جو فی سیل میں ٹرانجسٹر اور ایم او ایس کیپسیٹر استعمال کرتی ہے۔ غیر مستحکم میموری (جیسے ای پی آر او ایم، ای ای پی آر او ایم اور فلیش میموری) فلوٹنگ گیٹ میموری سیل کا استعمال کرتی ہے، جو فی سیل ایک فلوٹنگ گیٹ ٹرانجسٹر پر مشتمل ہوتا ہے۔ سیمی کنڈکٹر میموری کی زیادہ تر اقسام میں بے ترتیب رسائی کی خاصیت ہوتی ہے، جس کا مطلب ہے کہ کسی بھی میموری کے مقام تک رسائی حاصل کرنے میں اتنا ہی وقت لگتا ہے، لہذا ڈیٹا تک کسی بھی بے ترتیب ترتیب میں مؤثر طریقے سے رسائی حاصل کی جا سکتی ہے۔ یہ ڈیٹا اسٹوریج میڈیا جیسے ہارڈ ڈسک اور سی ڈی سے متصادم ہے جو ڈیٹا کو لگاتار پڑھتے اور لکھتے ہیں اور اس لیے ڈیٹا تک صرف اسی ترتیب میں رسائی حاصل کی جا سکتی ہے جو اسے لکھا گیا تھا۔ سیمی کنڈکٹر میموری میں ڈیٹا اسٹوریج کی دیگر اقسام کے مقابلے میں رسائی کا وقت بھی بہت تیز ہوتا ہے۔ ڈیٹا کا ایک بائٹ چند نینو سیکنڈ کے اندر سیمی کنڈکٹر میموری سے لکھا یا پڑھا جا سکتا ہے، جبکہ ہارڈ ڈسک جیسے گھومنے والے اسٹوریج کے لیے رسائی کا وقت ملی سیکنڈ کی حد میں ہوتا ہے۔ ان وجوہات کی بناء پر یہ بنیادی اسٹوریج کے لیے استعمال ہوتا ہے، اس پروگرام اور ڈیٹا کو رکھنے کے لیے جس پر کمپیوٹر اس وقت کام کر رہا ہے، دیگر استعمالات کے ساتھ۔ سیمی کنڈکٹر میموری چپس سالانہ فروخت ہوتی ہیں، جو سیمی کنڈکٹر انڈسٹری کا% ہے۔ شفٹ رجسٹر، پروسیسر رجسٹر، ڈیٹا بفر اور دیگر چھوٹے ڈیجیٹل رجسٹر جن میں میموری ایڈریس ڈیکوڈنگ میکانزم نہیں ہے انہیں عام طور پر میموری نہیں کہا جاتا ہے حالانکہ وہ ڈیجیٹل ڈیٹا کو بھی محفوظ کرتے ہیں۔ سیمی کنڈکٹر میموری چپ میں، بائنری ڈیٹا کا ہر بٹ ایک چھوٹے سرکٹ میں محفوظ ہوتا ہے جسے میموری سیل کہا جاتا ہے جو ایک سے کئی ٹرانجسٹروں پر مشتمل ہوتا ہے۔ میموری خلیات چپ کی سطح پر آئتاکار صفوں میں رکھے جاتے ہیں۔ 1 بٹ میموری خلیات کو چھوٹی اکائیوں میں گروپ کیا جاتا ہے جنہیں الفاظ کہا جاتا ہے جن تک واحد میموری ایڈریس کے طور پر ایک ساتھ رسائی حاصل کی جاتی ہے۔ میموری لفظ کی لمبائی میں تیار کی جاتی ہے جو عام طور پر دو کی طاقت ہوتی ہے، عام طور پر N = 1، 2، 4 یا 8 بٹس۔ ڈیٹا تک رسائی بائنری نمبر کے ذریعے کی جاتی ہے جسے میموری ایڈریس کہا جاتا ہے جو چپ کے ایڈریس پنوں پر لگایا جاتا ہے، جو اس بات کی وضاحت کرتا ہے کہ چپ میں کس لفظ تک رسائی حاصل کی جانی ہے۔ اگر میموری ایڈریس ایم بٹس پر مشتمل ہے، تو چپ پر پتے کی تعداد 2 ایم ہے، ہر ایک میں این بٹ لفظ ہے۔ نتیجتا، ہر چپ میں ذخیرہ شدہ ڈیٹا کی مقدار N2M بٹس ہوتی ہے۔ ایڈریس لائنوں کی ایم تعداد کے لیے میموری اسٹوریج کی گنجائش 2 ایم کے ذریعے دی جاتی ہے، جو عام طور پر دو کی طاقت میں ہوتی ہے: 2، 4، 8، 16، 32، 64، 128، 256 اور 512 اور کلوبٹس، میگا بٹس، گیگابٹس یا ٹیرابٹس وغیرہ میں ماپا جاتا ہے۔ سب سے بڑے سیمی کنڈکٹر میموری چپس میں چند گیگا بائٹس ڈیٹا ہوتا ہے، لیکن اعلی صلاحیت والی میموری مسلسل تیار کی جا رہی ہے۔ کئی مربوط سرکٹس کو یکجا کرکے، میموری کو ہر چپ کے ذریعہ پیش کردہ لفظ کی لمبائی اور/یا ایڈریس کی جگہ سے زیادہ ترتیب دیا جا سکتا ہے، اکثر لیکن ضروری نہیں کہ دو کی طاقت ہو۔ میموری چپ کے ذریعے انجام دی جانے والی دو بنیادی کارروائیاں "ریڈ" ہیں، جس میں میموری ورڈ کے ڈیٹا کے مندرجات کو پڑھا جاتا ہے (غیر تعمیری طور پر)، اور "رائٹ" جس میں ڈیٹا کو میموری ورڈ میں محفوظ کیا جاتا ہے، کسی بھی ڈیٹا کی جگہ لے لیتا ہے جو پہلے وہاں محفوظ کیا گیا تھا۔ ڈیٹا کی شرح کو بڑھانے کے لیے، کچھ جدید ترین قسم کے میموری چپس جیسے ڈی ڈی آر ایس ڈی آر اے ایم میں ہر پڑھنے یا لکھنے کے عمل کے ساتھ متعدد الفاظ تک رسائی حاصل کی جاتی ہے۔ اسٹینڈ لون میموری چپس کے علاوہ، سیمی کنڈکٹر میموری کے بلاکس بہت سے کمپیوٹر اور ڈیٹا پروسیسنگ انٹیگریٹڈ سرکٹس کے لازمی حصے ہیں۔ مثال کے طور پر، مائکرو پروسیسر چپس جو کمپیوٹر چلاتے ہیں ان میں کیش میموری ہوتی ہے جو عمل درآمد کے انتظار میں ہدایات کو ذخیرہ کرتی ہے۔ اقسام اتار چڑھاؤ والی میموری جب میموری چپ کی طاقت بند ہو جاتی ہے تو اتار چڑھاؤ والی میموری اپنا ذخیرہ شدہ ڈیٹا کھو دیتی ہے۔ تاہم یہ غیر مستحکم میموری سے تیز اور کم مہنگا ہو سکتا ہے۔ یہ قسم زیادہ تر کمپیوٹرز میں مین میموری کے لیے استعمال ہوتی ہے، کیونکہ ڈیٹا ہارڈ ڈسک پر اس وقت محفوظ ہوتا ہے جب کمپیوٹر آف ہوتا ہے۔ اہم اقسام یہ ہیں: رام (بے ترتیب رسائی میموری) یہ کسی بھی سیمی کنڈکٹر میموری کے لیے ایک عام اصطلاح بن گئی ہے جسے روم (نیچے) کے برعکس لکھا اور پڑھا جا سکتا ہے، جسے صرف پڑھا جا سکتا ہے۔ تمام سیمی کنڈکٹر میموری، نہ صرف رام، بے ترتیب رسائی کی خاصیت رکھتی ہے۔ ڈی آر اے ایم (متحرک بے ترتیب رسائی میموری) یہ ہر بٹ کو ذخیرہ کرنے کے لیے ایک ایم او ایس ایف ای ٹی (ایم او ایس فیلڈ ایفیکٹ ٹرانجسٹر) اور ایک ایم او ایس کیپسیٹر پر مشتمل میموری سیل کا استعمال کرتا ہے۔ اس قسم کی رام سب سے سستی اور کثافت میں سب سے زیادہ ہے، لہذا یہ کمپیوٹر میں مرکزی میموری کے لیے استعمال ہوتی ہے۔ تاہم، برقی چارج جو میموری خلیوں میں ڈیٹا کو ذخیرہ کرتا ہے آہستہ آہستہ باہر نکلتا ہے، اس لیے میموری خلیوں کو وقتا فوقتا تازہ کرنا (دوبارہ لکھنا) ضروری ہے جس کے لیے اضافی سرکٹری کی ضرورت ہوتی ہے۔ ریفریش کا عمل کمپیوٹر کے ذریعے اندرونی طور پر سنبھالا جاتا ہے اور اس کے صارف کے لیے شفاف ہوتا ہے۔ ایف پی ایم ڈی آر اے ایم (فاسٹ پیج موڈ ڈی آر اے ایم) ایک پرانی قسم کا غیر متزلزل ڈی آر اے ایم جس نے میموری کے ایک "پیج" تک بار بار رسائی کو تیز رفتار سے ہونے کی اجازت دے کر پچھلی اقسام میں بہتری لائی۔ 1990 کی دہائی کے وسط میں استعمال ہوا۔ ای ڈی او ڈی آر اے ایم (ایکسٹینڈڈ ڈیٹا آؤٹ ڈی آر اے ایم) ایک پرانی قسم کا غیر متزلزل ڈی آر اے ایم جس میں میموری تک نئی رسائی شروع کرنے کے قابل ہو کر پہلے کی اقسام کے مقابلے میں تیزی سے رسائی کا وقت تھا جب کہ پچھلی رسائی سے ڈیٹا منتقل کیا جا رہا تھا۔ 1990 کی دہائی کے بعد کے حصے میں استعمال کیا گیا۔ وی آر اے ایم (ویڈیو بے ترتیب رسائی میموری) ایک پرانی قسم کی دوہری پورٹ شدہ میموری جو کبھی ویڈیو اڈاپٹرز (ویڈیو کارڈز) کے فریم بفرز کے لیے استعمال ہوتی تھی۔ ایس ڈی آر اے ایم (سنکرونس ڈائنامک رینڈم ایکسیس میموری) اس نے ڈی آر اے ایم چپ میں سرکٹری کا اضافہ کیا جو کمپیوٹر کی میموری بس میں شامل کلاک سگنل کے ساتھ تمام کارروائیوں کو ہم آہنگ کرتا ہے۔ اس نے چپ کو رفتار بڑھانے کے لیے پائپ لائننگ کا استعمال کرتے ہوئے بیک وقت متعدد میموری درخواستوں پر کارروائی کرنے کی اجازت دی۔ چپ پر موجود ڈیٹا کو بینکوں میں بھی تقسیم کیا گیا ہے جو بیک وقت میموری آپریشن پر کام کر سکتے ہیں۔ یہ تقریبا سال 2000 تک کمپیوٹر میموری کی غالب قسم بن گئی۔ ڈی ڈی آر ایس ڈی آر اے ایم (ڈبل ڈیٹا ریٹ ایس ڈی آر اے ایم) یہ ڈبل پمپنگ (گھڑی کی نبض کے بڑھتے اور گرتے دونوں کناروں پر ڈیٹا کی منتقلی) کے ذریعے ہر گھڑی کے چکر پر دو بار ڈیٹا (لگاتار دو الفاظ) منتقل کر سکتا ہے۔ اس خیال کی توسیعات موجودہ (2012) تکنیک ہیں جو میموری تک رسائی کی شرح اور تھرو پٹ کو بڑھانے کے لیے استعمال کی جا رہی ہیں۔ چونکہ میموری چپس کی اندرونی گھڑی کی رفتار کو مزید بڑھانا مشکل ثابت ہو رہا ہے، اس لیے یہ چپس ہر گھڑی سائیکل پر زیادہ ڈیٹا ورڈز منتقل کر کے منتقلی کی شرح میں اضافہ کرتی ہیں۔ ڈی ڈی آر 2 ایس ڈی آر اے ایم منتقلی 4 مسلسل الفاظ فی اندرونی گھڑی سائیکل ڈی ڈی آر 3 ایس ڈی آر اے ایم منتقلی 8 مسلسل الفاظ فی اندرونی گھڑی سائیکل۔ ڈی ڈی آر 4 ایس ڈی آر اے ایم ہر اندرونی گھڑی کے چکر میں مسلسل 16 الفاظ کی منتقلی کرتا ہے۔ آر ڈی آر اے ایم (ریمبس ڈی آر اے ایم) ایک متبادل ڈبل ڈیٹا ریٹ میموری معیار جو کچھ انٹیل سسٹمز پر استعمال ہوتا تھا لیکن بالآخر ڈی ڈی آر ایس ڈی آر اے ایم سے ہار گیا۔ ایکس ڈی آر ڈی آر اے ایم (انتہائی ڈیٹا ریٹ ڈی آر اے ایم) ایس جی آر اے ایم (مطابقت پذیر گرافکس رام) گرافکس اڈاپٹرز (ویڈیو کارڈز) کے لیے بنایا گیا ایک خاص قسم کا ایس ڈی آر اے ایم ہے۔ یہ گرافکس سے متعلق کارروائیاں انجام دے سکتا ہے جیسے بٹ ماسکنگ اور بلاک رائٹ، اور بیک وقت میموری کے دو صفحات کھول سکتا ہے۔ جی ڈی ڈی آر ایس ڈی آر اے ایم (گرافکس ڈی ڈی آر ایس ڈی آر اے ایم) جی ڈی ڈی آر 2 جی ڈی ڈی آر 3 ایس ڈی آر اے ایم جی ڈی ڈی آر 4 ایس ڈی آر اے ایم جی ڈی ڈی آر 5 ایس ڈی آر اے ایم جی ڈی ڈی آر 6 ایس ڈی آر اے ایم ایچ بی ایم (ہائی بینڈوڈتھ میموری) گرافکس کارڈز میں استعمال ہونے والے ایس ڈی آر اے ایم کی ترقی جو تیز رفتار سے ڈیٹا منتقل کر سکتی ہے۔ یہ ایک وسیع تر ڈیٹا بس کے ساتھ ایک دوسرے کے اوپر اسٹیک شدہ متعدد میموری چپس پر مشتمل ہوتا ہے۔ پی ایس آر اے ایم (سیوڈوسٹیٹک رام) یہ ڈی آر اے ایم ہے جس میں چپ پر میموری ریفریش کرنے کے لیے سرکٹری ہوتی ہے، تاکہ یہ ایس آر اے ایم کی طرح کام کرے، جس سے توانائی کی بچت کے لیے بیرونی میموری کنٹرولر کو بند کیا جا سکے۔ یہ کچھ گیم کنسولز جیسے وائی میں استعمال ہوتا ہے۔ ایس آر اے ایم (جامد بے ترتیب رسائی میموری) یہ ڈیٹا کے ہر بٹ کو ایک سرکٹ میں محفوظ کرتا ہے جسے فلپ فلاپ کہا جاتا ہے، جو 4 سے 6 ٹرانجسٹروں سے بنا ہوتا ہے۔ ایس آر اے ایم ڈی آر اے ایم سے کم گھنے اور فی بٹ زیادہ مہنگے ہوتے ہیں، لیکن تیز اور میموری ریفریش کی ضرورت نہیں ہے۔ یہ کمپیوٹر میں چھوٹی کیش یادوں کے لیے استعمال ہوتا ہے۔ سی اے ایم (کنٹینٹ ایڈریس ایبل میموری) یہ ایک خاص قسم ہے جس میں ایڈریس کا استعمال کرتے ہوئے ڈیٹا تک رسائی کے بجائے ڈیٹا ورڈ لگایا جاتا ہے اور اگر لفظ میموری میں محفوظ ہوتا ہے تو میموری لوکیشن واپس کر دیتی ہے۔ یہ زیادہ تر دیگر چپس جیسے مائکرو پروسیسرز میں شامل کیا جاتا ہے جہاں یہ کیش میموری کے لیے استعمال ہوتا ہے۔ غیر اتار چڑھاؤ والی میموری (این وی ایم) چپ کی طاقت بند ہونے کے دوران اس میں ذخیرہ شدہ ڈیٹا کو محفوظ رکھتی ہے۔ لہذا، یہ پورٹیبل ڈیوائسز میں میموری کے لیے استعمال ہوتا ہے، جن میں ڈسک نہیں ہوتی ہیں، اور دیگر استعمالات میں ہٹنے کے قابل میموری کارڈز کے لیے استعمال ہوتا ہے۔ اہم اقسام یہ ہیں: ROM (صرف پڑھنے کے لیے میموری) یہ مستقل ڈیٹا رکھنے کے لیے ڈیزائن کیا گیا ہے، اور عام عمل میں صرف سے پڑھا جاتا ہے، نہ کہ اس پر لکھا جاتا ہے۔ اگرچہ بہت سی اقسام کو لکھا جا سکتا ہے، لیکن لکھنے کا عمل سست ہوتا ہے اور عام طور پر چپ میں موجود تمام ڈیٹا کو ایک ساتھ دوبارہ لکھنا ضروری ہوتا ہے۔ یہ عام طور پر سسٹم سافٹ ویئر کو اسٹور کرنے کے لیے استعمال ہوتا ہے جو کمپیوٹر کے لیے فوری طور پر قابل رسائی ہونا چاہیے، جیسے کہ بائیوس پروگرام جو کمپیوٹر کو شروع کرتا ہے، اور پورٹیبل ڈیوائسز اور سرایت شدہ کمپیوٹرز جیسے مائیکرو کنکولر کے لیے سافٹ ویئر (مائیکرو کوڈ)۔ ایم آر او ایم (ماسک پروگرامڈ روم یا ماسک روم) اس قسم میں چپ تیار ہونے پر ڈیٹا کو چپ میں پروگرام کیا جاتا ہے، اس لیے یہ صرف بڑے پروڈکشن رن کے لیے استعمال ہوتا ہے۔ اسے نئے ڈیٹا کے ساتھ دوبارہ نہیں لکھا جا سکتا۔ PROM (پروگرام ایبل ریڈ اونلی میموری) اس قسم میں ڈیٹا کو سرکٹ میں انسٹال ہونے سے پہلے موجودہ PROM چپ میں لکھا جاتا ہے، لیکن اسے صرف ایک بار لکھا جا سکتا ہے۔ ڈیٹا چپ کو ایک ڈیوائس میں پلگ کرکے لکھا جاتا ہے جسے PROM پروگرامر کہا جاتا ہے۔ ای پی آر او ایم (ایراسیبل پروگرام ایبل ریڈ اونلی میموری یا یو وی ای پی آر او ایم) اس قسم میں اس میں موجود ڈیٹا کو سرکٹ بورڈ سے چپ کو ہٹا کر، موجودہ ڈیٹا کو مٹانے کے لیے اسے بالائے بنفشی روشنی میں بے نقاب کر کے، اور اسے پی آر او ایم پروگرامر میں پلگ کر کے دوبارہ لکھا جا سکتا ہے۔ آئی سی پیکیج میں یو وی لائٹ کو داخل کرنے کے لیے اوپر کی طرف ایک چھوٹی سی شفاف "ونڈو" ہوتی ہے۔ یہ اکثر پروٹو ٹائپ اور چھوٹے پروڈکشن رن ڈیوائسز کے لیے استعمال ہوتا ہے، جہاں اس میں موجود پروگرام کو فیکٹری میں تبدیل کرنا پڑ سکتا ہے۔ EEPROM (برقی طور پر مٹانے کے قابل پروگرام کے قابل صرف پڑھنے کے قابل میموری) اس قسم میں ڈیٹا کو برقی طور پر دوبارہ لکھا جا سکتا ہے، جبکہ چپ سرکٹ بورڈ پر ہوتی ہے، لیکن لکھنے کا عمل سست ہوتا ہے۔ اس قسم کا استعمال فرم ویئر کو رکھنے کے لیے کیا جاتا ہے، نچلی سطح کا مائیکرو کوڈ جو ہارڈ ویئر ڈیوائسز چلاتا ہے، جیسے کہ زیادہ تر کمپیوٹرز میں بی آئی او ایس پروگرام، تاکہ اسے اپ ڈیٹ کیا جا سکے۔ این وی آر اے ایم (نان وولاٹائل رینڈم ایکسیس میموری) ایف آر اے ایم (فیرو الیکٹرک رام) ایک قسم کی نان وولاٹائل رام۔ فلیش میموری اس قسم میں تحریری عمل EEPROMS اور RAM میموری کے درمیان رفتار میں انٹرمیڈیٹ ہے۔ اسے لکھا جا سکتا ہے، لیکن اتنا تیز نہیں کہ مرکزی میموری کے طور پر کام کرے۔ یہ اکثر فائلوں کو ذخیرہ کرنے کے لیے ہارڈ ڈسک کے سیمی کنڈکٹر ورژن کے طور پر استعمال ہوتا ہے۔ یہ پورٹیبل آلات جیسے پی ڈی اے، یو ایس بی فلیش ڈرائیوز، اور ڈیجیٹل کیمروں اور سیل فونز میں استعمال ہونے والے ہٹنے کے قابل میموری کارڈز میں استعمال ہوتا ہے۔ ابتدائی کمپیوٹر میموری مقناطیسی کور میموری پر مشتمل تھی، کیونکہ ابتدائی سالڈ اسٹیٹ الیکٹرانک سیمی کنڈکٹر، بشمول ٹرانجسٹر جیسے بائی پولر جنکشن ٹرانجسٹر (بی جے ٹی)، ڈیجیٹل اسٹوریج عناصر (میموری سیلز) کے طور پر استعمال کے لیے ناقابل عمل تھے۔ سب سے قدیم سیمی کنڈکٹر میموری 1960 کی دہائی کے اوائل کی ہے، جس میں دو قطبی میموری تھی، جس میں دو قطبی ٹرانجسٹر استعمال ہوتے تھے۔ مجرد آلات سے بنی بائی پولر سیمی کنڈکٹر میموری سب سے پہلے ٹیکساس انسٹرومینٹس نے 1961 میں ریاستہائے متحدہ کی فضائیہ کو بھیجی تھی۔ اسی سال، انٹیگریٹڈ سرکٹ (آئی سی) چپ پر سالڈ اسٹیٹ میموری کا تصور فیئرچلڈ سیمی کنڈکٹر میں ایپلی کیشنز انجینئر باب نارمن نے پیش کیا تھا۔ پہلا سنگل چپ میموری آئی سی بی جے ٹی 16 بٹ آئی بی ایم ایس پی 95 تھا جسے دسمبر 1965 میں بنایا گیا تھا، جسے پال کاسٹروکی نے تیار کیا تھا۔ اگرچہ دو قطبی میموری نے مقناطیسی کور میموری پر بہتر کارکردگی پیش کی، لیکن یہ مقناطیسی کور میموری کی کم قیمت کے ساتھ مقابلہ نہیں کر سکی، جو 1960 کی دہائی کے آخر تک غالب رہی۔ دو قطبی میموری مقناطیسی کور میموری کو تبدیل کرنے میں ناکام رہی کیونکہ دو قطبی فلپ فلاپ سرکٹ بہت بڑے اور مہنگے تھے۔ میٹل آکسائیڈ سیمی کنڈکٹر فیلڈ ایفیکٹ ٹرانجسٹر (ایم او ایس ایف ای ٹی) کی آمد، جسے 1959 میں بیل لیبز میں محمد ایم اٹلا اور ڈون کاہنگ نے ایجاد کیا تھا، نے میٹل آکسائیڈ سیمی کنڈکٹر (ایم او ایس) ٹرانجسٹرز کے عملی استعمال کو میموری سیل اسٹوریج عناصر کے طور پر فعال کیا، یہ فنکشن پہلے کمپیوٹر میموری میں مقناطیسی کور کے ذریعہ انجام دیا جاتا تھا۔ ایم او ایس میموری جان شمٹ نے فیئرچلڈ سیمی کنڈکٹر میں 1964 میں تیار کی تھی۔ اعلی کارکردگی کے علاوہ، ایم او ایس میموری سستی تھی اور مقناطیسی کور میموری سے کم طاقت استعمال کرتی تھی۔ اس کی وجہ سے MOSFETs نے بالآخر مقناطیسی کور کو کمپیوٹر میموری میں معیاری اسٹوریج عناصر کے طور پر تبدیل کر دیا۔ 1965 میں جے۔ رائل ریڈار اسٹیبلشمنٹ کے ووڈ اور آر بال نے ڈیجیٹل اسٹوریج سسٹم کی تجویز پیش کی جو سی ایم او ایس (تکمیلی ایم او ایس) میموری سیل استعمال کرتے ہیں، اس کے علاوہ بجلی کی فراہمی کے لیے ایم او ایس ایف ای ٹی پاور ڈیوائسز، سوئچڈ کراس جوڑی، سوئچ اور تاخیر لائن اسٹوریج۔ 1968 میں فیئرچلڈ میں فیڈریکو فیگن کے ذریعہ سلکان گیٹ ایم او ایس انٹیگریٹڈ سرکٹ (ایم او ایس آئی سی) ٹیکنالوجی کی ترقی نے ایم او ایس میموری چپس کی تیاری کو قابل بنایا۔ این ایم او ایس میموری کو 1970 کی دہائی کے اوائل میں آئی بی ایم نے تجارتی بنایا تھا۔ ایم او ایس میموری نے 1970 کی دہائی کے اوائل میں مقناطیسی کور میموری کو غالب میموری ٹیکنالوجی کے طور پر پیچھے چھوڑ دیا۔ اصطلاح "میموری" جب کمپیوٹر کے حوالے سے استعمال ہوتی ہے تو اکثر اتار چڑھاؤ والی بے ترتیب رسائی والی میموری (رام) سے مراد ہوتی ہے۔ اتار چڑھاؤ والی رام کی دو اہم اقسام جامد بے ترتیب رسائی میموری (ایس آر اے ایم) اور متحرک بے ترتیب رسائی میموری (ڈی آر اے ایم) ہیں۔ بائپولر ایس آر اے ایم کی ایجاد رابرٹ نارمن نے 1963 میں فیئرچلڈ سیمی کنڈکٹر میں کی تھی، اس کے بعد 1964 میں فیئرچلڈ میں جان شمٹ نے ایم او ایس ایس آر اے ایم کی ترقی کی۔ ایس آر اے ایم مقناطیسی کور میموری کا متبادل بن گیا، لیکن ڈیٹا کے ہر بٹ کے لیے چھ ایم او ایس ٹرانجسٹرز کی ضرورت تھی۔ ایس آر اے ایم کا تجارتی استعمال 1965 میں شروع ہوا، جب آئی بی ایم نے سسٹم/360 ماڈل 95 کے لیے اپنی ایس پی 95 ایس آر اے ایم چپ متعارف کرائی۔ توشیبا نے 1965 میں اپنے توسکال بی سی-1411 الیکٹرانک کیلکولیٹر کے لیے دو قطبی ڈی آر اے ایم میموری سیل متعارف کروائے۔ اگرچہ اس نے مقناطیسی کور میموری پر بہتر کارکردگی پیش کی، لیکن دو قطبی ڈی آر اے ایم اس وقت کے غالب مقناطیسی کور میموری کی کم قیمت کا مقابلہ نہیں کر سکا۔ ایم او ایس ٹیکنالوجی جدید ڈی آر اے ایم کی بنیاد ہے۔ 1966 میں، آئی بی ایم تھامس جے واٹسن ریسرچ سینٹر میں ڈاکٹر رابرٹ ایچ ڈینارڈ ایم او ایس میموری پر کام کر رہے تھے۔ ایم او ایس ٹیکنالوجی کی خصوصیات کا جائزہ لیتے ہوئے، اس نے پایا کہ یہ کیپسیٹرز بنانے کی صلاحیت رکھتا ہے، اور یہ کہ ایم او ایس کیپسیٹر پر چارج یا کوئی چارج ذخیرہ کرنا بٹ کے 1 اور 0 کی نمائندگی کر سکتا ہے، جبکہ ایم او ایس ٹرانجسٹر کیپسیٹر پر چارج لکھنے کو کنٹرول کر سکتا ہے۔ اس کی وجہ سے اس نے سنگل ٹرانجسٹر ڈی آر اے ایم میموری سیل تیار کیا۔ 1967 میں، ڈینارڈ نے ایم او ایس ٹیکنالوجی پر مبنی سنگل ٹرانجسٹر ڈی آر اے ایم میموری سیل کے لیے آئی بی ایم کے تحت پیٹنٹ دائر کیا۔ اس کی وجہ سے اکتوبر 1970 میں پہلی تجارتی ڈی آر اے ایم آئی سی چپ، انٹیل 1103، سامنے آئی۔ سنکرونس ڈائنامک رینڈم ایکسیس میموری (ایس ڈی آر اے ایم) نے بعد میں 1992 میں سیمسنگ کے ایم 48 ایس ایل 2000 چپ کے ساتھ آغاز کیا۔ اصطلاح "میموری" اکثر غیر مستحکم میموری، خاص طور پر فلیش میموری کے لیے بھی استعمال ہوتی ہے۔ اس کی ابتدا صرف پڑھنے والی میموری (ROM) سے ہوتی ہے۔ پروگرام ایبل ریڈ اونلی میموری (پی آر او ایم) کی ایجاد وین سنگ چو نے 1956 میں اس وقت کی تھی جب وہ امریکن باسچ ارما کارپوریشن کے ارما ڈویژن کے لیے کام کر رہے تھے۔ 1967 میں، بیل لیبز کے ڈیوون کاہنگ اور سائمن زی نے تجویز پیش کی کہ ایم او ایس سیمی کنڈکٹر ڈیوائس کے فلوٹنگ گیٹ کو ری پروگرام ایبل ریڈ اونلی میموری (آر او ایم) کے سیل کے لیے استعمال کیا جا سکتا ہے، جس کی وجہ سے انٹیل کے ڈوف فروہن نے 1971 میں ای پی آر او ایم (ایراسیبل پی آر او ایم) ایجاد کیا۔ EEPROM (برقی طور پر مٹانے کے قابل PROM) کو یاسو تروئی، یوٹاکا حیاشی اور کیوکو ناگا نے 1972 میں جاپان کی وزارت بین الاقوامی تجارت اور صنعت (MITI) الیکٹرو ٹیکنیکل لیبارٹری میں تیار کیا تھا۔ فلیش میموری کو فوجیو ماسوکا نے 1980 کی دہائی کے اوائل میں توشیبا میں ایجاد کیا تھا۔ ماسوکا اور ان کے ساتھیوں نے 1984 میں نور فلیش اور پھر 1987 میں نینڈ فلیش کی ایجاد پیش کی۔ توشیبا نے 1987 میں نینڈ فلیش میموری کو تجارتی بنایا۔ ایپلی کیشنز یہ بھی دیکھیں سب سے زیادہ فروخت ہونے والے الیکٹرانک آلات کی فہرست سیمی کنڈکٹر انڈسٹری حوالہ جات ڈیجیٹل الیکٹرانکس کمپیوٹر میموری انٹیگریٹڈ سرکٹس MOSFETs