Calcium copper titanate
کیلشیم کاپر ٹائٹینائٹ (مختصر سی سی ٹی او، کیلشیم کاپر ٹائٹینیم آکسائڈ کے لیے) ایک غیر نامیاتی مرکب ہے جس کا فارمولا CaCu3Ti4O12 ہے۔ یہ کمرے کے درجہ حرارت پر 10,000 سے زیادہ کے اپنے انتہائی بڑے ڈائی الیکٹرک مستقل (موثر رشتہ دار اجازت) کے لیے قابل ذکر ہے۔ تاریخ سی سی ٹی او کو پہلی بار 1967 میں الفریڈ ڈیسچنورس اور ان کے ساتھیوں نے ترکیب کیا تھا۔ جب کہ ساختی خصوصیات معلوم تھیں، کوئی جسمانی خصوصیات کی پیمائش نہیں کی گئی تھی۔ 2000 میں، ڈوپونٹ سنٹرل آر اینڈ ڈی میں ماس سبرامنیم اور ان کے ساتھیوں نے دریافت کیا کہ سی سی ٹی او نے عام ڈائی الیکٹرک ایس آر ٹی آئی او 3 کے مقابلے میں 10,000 سے زیادہ ڈائی الیکٹرک مستقل ظاہر کیا، جس میں کمرے کے درجہ حرارت پر 300 کا مستقل ہوتا ہے۔ تب سے، اس کا کیپسیٹر ایپلی کیشنز میں وسیع پیمانے پر استعمال پایا گیا ہے۔ ترکیب اور ساخت اس کرسٹل ڈھانچے کو بنانے والے زیادہ تر مرکبات ہائی پریشر کے حالات میں بنائے جاتے ہیں۔ تاہم، خالص سی سی ٹی او کو 1000 اور 1200 ڈگری سیلسیس کے درمیان درجہ حرارت پر دھاتی کاربونیٹ اور آکسائڈ پریکسرز کے مباشرت مرکب کے ذریعے معیاری ٹھوس حالت کے طریقوں سے آسانی سے ترکیب کیا جا سکتا ہے۔ 4TiO2 + CaCO3 + 3CuO → CaCu3Ti4O12 + CO2 CaCu3Ti4O12 ساخت کی قسم کیوبک پیرووسکائٹ ڈھانچے سے حاصل کی گئی ہے، جیسا کہ GdFeO3 ہے۔ دونوں صورتوں میں مسخ اے-کیٹیشن کے سائز اور کیوبک ری او 3 نیٹ ورک کے درمیان مماثلت کی وجہ سے ہوتی ہے۔ تاہم، CaCu3Ti4O12 اور GdFeO3 آکٹاڈرل ٹیلٹنگ کے مختلف نمونوں کو اپناتے ہیں (گلیزر نوٹیشن میں a − b + a − اور a + a + a +)۔ GdFeO3 ڈھانچے سے وابستہ آکٹاڈرل جھکاؤ کی مسخ ایک ایسی ساخت کی طرف لے جاتی ہے جہاں تمام A-کیشن ماحول ایک جیسے ہوتے ہیں۔ اس کے برعکس، CaCu3Ti4O12 ڈھانچے سے وابستہ آکٹاڈرل جھکاؤ ایک ایسا ڈھانچہ پیدا کرتا ہے جہاں 75 فیصد A-کیشن سائٹس (A "سائٹس) میں مربع پلینر کوآرڈینیشن ہوتی ہے، جبکہ 25 فیصد A-کیشن سائٹس 12 کوآرڈینیٹ رہتی ہیں۔ مربع طیارہ سائٹس تقریبا ہمیشہ جان ٹیلر آئن جیسے کہ Cu2 + یا Mn3 + سے بھری ہوتی ہیں، جبکہ A 'سائٹ پر ہمیشہ ایک بڑے آئن کا قبضہ ہوتا ہے۔ ڈائی الیکٹرک خصوصیات کلاسیئس-موسٹی تعلق کا استعمال کرتے ہوئے، حساب شدہ اندرونی ڈائی الیکٹرک مستقل 49 ہونا چاہیے۔ تاہم، سی سی ٹی او 1 میگاہرٹز پر 10,200 سے اوپر کا ڈائی الیکٹرک مستقل ظاہر کرتا ہے، جس میں تقریبا 300 ڈگری سیلسیس تک کم نقصان ہوتا ہے۔ اس کے علاوہ، رشتہ دار ڈائی الیکٹرک مستقل کم ہونے والی تعدد (1 میگاہرٹز سے 1 کلو ہرٹز کی حد میں) کے ساتھ بڑھتا ہے۔ زبردست ڈائی الیکٹرک رجحان کو کرسٹل ڈھانچے سے وابستہ اندرونی خاصیت کے بجائے اناج کی حد (اندرونی) رکاوٹ پرت کی صلاحیت (آئی بی ایل سی) سے منسوب کیا جاتا ہے۔ 10, 000 سے زیادہ موثر پرمٹیویٹی ویلیوز والی یہ رکاوٹ پرت برقی مائیکرو اسٹرکچر 1100 ڈگری سیلسیس پر ہوا میں سنگل سٹیپ پروسیسنگ کے ذریعے بنائی جا سکتی ہے۔ اس لیے سی سی ٹی او فی الحال استعمال ہونے والے بی اے ٹی آئی او 3 پر مبنی مواد کے لیے ایک پرکشش آپشن ہے جس میں اسی طرح کی صلاحیت کے آئی بی ایل سی تیار کرنے کے لیے پیچیدہ، ملٹی اسٹیج پروسیسنگ راستوں کی ضرورت ہوتی ہے۔ چونکہ مشاہدہ شدہ ڈائی الیکٹرک مستقل اور حساب شدہ اندرونی مستقل کے درمیان ایک بڑا تضاد ہے، اس لیے اس رجحان کی اصل اصل اب بھی زیر بحث ہے۔ حوالہ جات بیرونی روابط ٹائٹینٹس کاپر (II) مرکبات کیلشیم مرکبات