Electron magnetic circular dichroism
الیکٹران مقناطیسی سرکلر ڈائکروزم (ای ایم سی ڈی) (جسے الیکٹران انرجی-لاس مقناطیسی چیرل ڈائکروزم بھی کہا جاتا ہے) ایکس ایم سی ڈی کے مساوی ای ای ایل ایس ہے۔ اس اثر کی تجویز سب سے پہلے 2003 میں کی گئی تھی اور تجرباتی طور پر 2006 میں ویانا یونیورسٹی آف ٹیکنالوجی کے پروفیسر پیٹر شیٹشنائڈر کے گروپ نے اس کی تصدیق کی تھی۔ اسی طرح ایکس ایم سی ڈی کے لیے، ای ایم سی ڈی دو ای ای ایل ایس سپیکٹرم کا ایک فرق سپیکٹرم ہے جو مقناطیسی میدان میں مخالف ہیلیکیٹیز کے ساتھ لیا جاتا ہے۔ مناسب بکھرے ہوئے حالات میں مخصوص سرکلر پولرائزیشن والے ورچوئل فوٹون جذب کیے جا سکتے ہیں، جس سے سپیکٹرم کے فرق کو جنم ملتا ہے۔ سب سے بڑا فرق اس صورت کے درمیان متوقع ہے جہاں بائیں سرکلر پولرائزیشن کے ساتھ ایک ورچوئل فوٹون اور دائیں سرکلر پولرائزیشن کے ساتھ جذب ہوتا ہے۔ ای ایم سی ڈی سپیکٹرم میں فرق کا باریک بینی سے تجزیہ کرکے، ایٹم کی مقناطیسی خصوصیات، جیسے اس کے گھومنے اور مداری مقناطیسی لمحے کے بارے میں معلومات حاصل کی جا سکتی ہیں۔ لوہے، کوبالٹ اور نکل جیسی منتقلی دھاتوں کے معاملے میں، ای ایم سی ڈی کے لیے جذب سپیکٹرم کو عام طور پر ایل کنارے پر ماپا جاتا ہے۔ یہ آئنائزیشن توانائی فراہم کرنے والے ورچوئل فوٹون کے جذب کے ذریعے 2 پی الیکٹران کی تھری ڈی حالت میں حوصلہ افزائی سے مطابقت رکھتا ہے۔ جذب الیکٹران انرجی لاس سپیکٹرم (ای ای ایل ایس) میں ایک سپیکٹرم خصوصیت کے طور پر نظر آتا ہے۔ چونکہ 3 ڈی الیکٹران ریاستیں عناصر کی مقناطیسی خصوصیات کی ابتدا ہیں، اس لیے سپیکٹرم مقناطیسی خصوصیات کے بارے میں معلومات پر مشتمل ہوتا ہے۔ مزید برآں، چونکہ ہر منتقلی کی توانائی جوہری نمبر پر منحصر ہوتی ہے، اس لیے حاصل کی گئی معلومات عنصر مخصوص ہوتی ہے، یعنی ای ایم سی ڈی سپیکٹرم کو اس کی خصوصیت والی توانائی (لوہے کے لیے 708 ای وی) پر جانچ کر کے کسی دیئے گئے عنصر کی مقناطیسی خصوصیات میں فرق کرنا ممکن ہے۔ چونکہ ای ایم سی ڈی اور ایکس ایم سی ڈی دونوں میں ایک ہی الیکٹرانک ٹرانزیشن کی جانچ کی جاتی ہے، اس لیے حاصل کردہ معلومات ایک جیسی ہوتی ہیں۔ تاہم ای ایم سی ڈی میں اپنے ایکس رے ہم منصب کے مقابلے میں زیادہ مقامی ریزولوشن اور گہرائی کی حساسیت ہوتی ہے۔ مزید برآں، ای ایم سی ڈی کو ای ای ایل ایس ڈٹیکٹر سے لیس کسی بھی ٹی ای ایم پر ماپا جا سکتا ہے، جبکہ ایکس ایم سی ڈی کو عام طور پر صرف مخصوص سنکروٹران بیم لائنوں پر ماپا جاتا ہے۔ اس کے اصل اوتار میں ای ایم سی ڈی کا ایک نقصان اس کی موٹائی اور واقفیت کے ساتھ کرسٹل مواد کی ضرورت ہے جو صرف ای ایم سی ڈی کے لیے درکار صحیح 90 ڈگری فیز شفٹ فراہم کرتا ہے۔ تاہم، ایک نئے طریقہ کار نے حال ہی میں یہ ظاہر کیا ہے کہ الیکٹران وورٹیکس بیم کو اصل طریقہ کار کی ہندسی رکاوٹوں کے بغیر ای ایم سی ڈی کی پیمائش کے لیے بھی استعمال کیا جا سکتا ہے۔ مقناطیسی سرکلر ڈائکروزم فیراڈے اثر XMCD حوالہ جات سپیکٹروسکوپی بھی دیکھیں۔