Zhong Lin Wang
ژونگ لن وانگ (پیدائش نومبر 1961) ایک چینی-امریکی طبیعیات دان، مادے کے سائنسدان اور انجینئر ہیں جو نینو ٹیکنالوجی، توانائی سائنس اور الیکٹرانکس میں مہارت رکھتے ہیں۔ انہوں نے 1987 میں ایریزونا اسٹیٹ یونیورسٹی سے پی ایچ ڈی کی ڈگری حاصل کی۔ وہ میٹیریل سائنس اینڈ انجینئرنگ میں ہائی ٹاور چیئر اور جارجیا انسٹی ٹیوٹ آف ٹیکنالوجی، یو ایس میں ریجنٹس پروفیسر ہیں۔ تعلیم پی ایچ ڈی۔ طبیعیات میں، ایریزونا اسٹیٹ یونیورسٹی، 1987۔ بی۔ ایس۔ اپلائیڈ فزکس میں، زیڈین یونیورسٹی، ژیان، چین، 1982۔ وہ سنگ ڈاؤ لی کے زیر اہتمام سی یو ایس پی ای اے پروگرام کے ذریعے گریجویٹ اسکول کے لیے امریکہ آیا تھا۔ کیریئر وانگ 1987 سے 1988 تک اسٹونی بروک یونیورسٹی میں وزٹنگ لیکچرر تھے۔ اگلے سال کیمبرج یونیورسٹی میں کیوینڈش لیبارٹری میں ریسرچ فیلو کے طور پر کام کرنے کے بعد، وانگ نے 1990 سے 1994 تک اوک رج نیشنل لیبارٹری اور نیشنل انسٹی ٹیوٹ آف اسٹینڈرڈز اینڈ ٹیکنالوجی میں بطور ریسرچ سائنسدان شمولیت اختیار کی۔ انہیں 1995 میں جارجیا انسٹی ٹیوٹ آف ٹیکنالوجی نے ایسوسی ایٹ پروفیسر کے طور پر رکھا تھا۔ انہیں 1999 میں مکمل پروفیسر، 2004 میں ریجنٹس پروفیسر، اور 2010 میں میٹریل سائنس اینڈ انجینئرنگ میں ہائی ٹاور چیئر کے طور پر ترقی دی گئی۔ وانگ 2000 سے 2015 تک جارجیا ٹیک کے سینٹر فار نینو اسٹرکچر کیریکٹرائزیشن کے ڈائریکٹر تھے۔ وہ 2012 سے چینی اکیڈمی آف سائنسز کے بیجنگ انسٹی ٹیوٹ آف نینو انرجی اینڈ نینو سسٹمز کے بانی ڈائریکٹر، ڈائریکٹر اور چیف سائنٹسٹ ہیں۔ نینو جنریٹرز کی سائنس اور ٹیکنالوجی وانگ نے 2006 میں پیزو الیکٹرک نینو جنریٹرز ایجاد کیے، تاکہ زیڈ این او نینو وائر صفوں کے ذریعہ پیش کردہ چھوٹی مکینیکل توانائی سے بجلی پیدا کی جا سکے۔ تب سے نینو انرجی اور خودکار نظام کے شعبے پیدا ہوئے، جن کی سینسر نیٹ ورک، موبائل الیکٹرانکس اور انٹرنیٹ آف تھنگز میں اہم ایپلی کیشنز ہیں۔ 2011 میں وانگ کے ذریعہ ٹرائبو الیکٹرک نینو جنریٹرز (ٹی ای این جی) کی ایجاد سے پہلے، مکینیکل انرجی ہارویسٹنگ بنیادی طور پر 1831 میں فیراڈے کے ایجاد کردہ برقی مقناطیسی جنریٹر (ای ایم جی) پر منحصر ہے۔ ای ایم جی اعلی تعدد میکانی حرکتوں کے لیے سب سے زیادہ موثر ہے، جیسے کہ 10-60 Hz سے زیادہ، کیونکہ کم تعدد پر، ای ایم جی کی پیداوار کافی کم ہوتی ہے۔ اعلی تعدد پر اعلی معیار اور منظم توانائی ہمارے آج کے توانائی کے نظام کی تعمیر میں اہم کردار ادا کرتی ہے۔ تاہم، تقسیم شدہ توانائی زیادہ سے زیادہ اہم ہو جاتی ہے، کیونکہ یہ دور انٹرنیٹ آف تھنگز اور مصنوعی ذہانت کی طرف بڑھ گیا ہے۔ ٹی ای این جی نے ماحول سے کم تعدد میکانی توانائی حاصل کرنے میں ای ایم جی کے مقابلے میں واضح فوائد دکھائے ہیں۔ TENG پر مبنی توانائی کی تبدیلی کی کارکردگی 50-85% تک پہنچ سکتی ہے۔ اب تک حاصل کردہ زیادہ سے زیادہ آؤٹ پٹ پاور ڈینسٹی 500 ڈبلیو/ایم 2 تک ہے۔ ٹی ای این جی کئی قسم کے ذرائع سے توانائی حاصل کر سکتے ہیں، اور پورٹیبل الیکٹرانکس، بائیو میڈیسن، ماحولیاتی نگرانی، اور یہاں تک کہ بڑے پیمانے پر بجلی کے لیے خود سے چلنے والے نظاموں میں اہم ایپلی کیشنز رکھتے ہیں۔ ہائبرڈ سیل۔ عملی طور پر، آلہ کے پائیدار عمل کو عام طور پر صرف ایک قسم کی توانائی کی صفائی سے حاصل نہیں کیا جا سکتا۔ وانگ نے 2009 میں دو یا دو سے زیادہ مختلف قسم کی توانائی، جیسے شمسی اور مکینیکل توانائی کی بیک وقت کٹائی کے لیے ہائبرڈ سیل متعارف کرایا۔ متعدد قسم کی توانائی کے علاوہ، ہائبرڈ سیل میں ایک ہی قسم کی توانائی حاصل کرنے کے لیے دو مختلف طریقوں کو استعمال کرنے کا معاملہ بھی شامل ہے۔ پائرو الیکٹرک نینو جنریٹر۔ تھرمل الیکٹرک اثر ایک جسمانی اثر ہے جو بجلی پیدا کرنے کے لیے تھرمل الیکٹرک مواد کے ساتھ درجہ حرارت کے میلان کو لاگو کرتا ہے۔ اور پیزو الیکٹرک مواد میں، درجہ حرارت کی وقت کی تبدیلی بھی طاقت کے تبادلے کے لیے پولرائزیشن کا سبب بن سکتی ہے، جو کہ پائرو الیکٹرک اثر ہے۔ 2012 میں، پائرو الیکٹرک اثر کی بنیاد پر، وانگ نے پائرو الیکٹرک نینو جنریٹر ایجاد کیا۔ نیلی توانائی۔ ٹی ای این جیز کم تعدد پر پانی کی لہر کی توانائی کو جمع کرنے کے قابل ثابت ہوئے ہیں۔ تاہم روایتی ای ایم جی ٹیکنالوجی کا استعمال تقریبا ناممکن ہے۔ 2014 میں، وانگ نے نیلی توانائی کا خیال پیش کیا، جس میں لاکھوں ٹی ای این جی یونٹوں کا استعمال کرتے ہوئے بڑے پیمانے پر لہر توانائی کی کٹائی کے لیے پانی کی سطح پر تیرتا ہوا ٹی ای این جی نیٹ ورک تشکیل دیا گیا۔ اگر ایک ٹی ای این جی یونٹ 10 میگاواٹ کی بجلی پیدا کر سکتا ہے، تو جارجیا ریاست کے سائز اور پانی کی 10 میٹر گہرائی کے برابر رقبے کے لیے کل بجلی نظریاتی طور پر 16 ٹی ڈبلیو ہونے کی پیش گوئی کی جاتی ہے، جو دنیا کی توانائی کی ضروریات کو پورا کر سکتی ہے۔ میکسویل کے نقل مکانی کرنٹ سے نینو جنریٹرز کا نظریہ۔ 1861 میں، میکسویل نے میکسویل کے نقل مکانی کرنٹ کے طور پر εऱॆ/ तन्नॆ کی اصطلاح تجویز کی، جس سے برقی مقناطیسی لہروں کا اتحاد ہوا۔ برقی مقناطیسی لہر وائرلیس مواصلات، ریڈار اور بعد میں انفارمیشن ٹیکنالوجی کی بنیاد رکھتی ہے۔ وانگ نے میکسویل کی نقل مکانی کے کرنٹ میں دوسری اصطلاح، جب سطح کی پولرائزیشن موجود ہوتی ہے، شامل کی، جو غیر برقی میدان سے متعلق اثرات جیسے پیزو الیکٹرک اور ٹرائبو الیکٹرک اثرات کے ذریعے متعارف کردہ پولرائزیشن کی نمائندگی کرتی ہے۔ یہ دکھایا گیا ہے کہ ای ایم جی مقناطیسی میدان بی کے وقت کے تغیر پر مبنی ہے، جبکہ نینو جنریٹر سطح کے پولرائزیشن فیلڈ پی ایس کے وقت کے تغیر پر انحصار کرتا ہے۔ حال ہی میں، وانگ نے چارج شدہ میڈیا کو منتقل کرنے کے لیے میکسویل کی مساوات کو مکمل طور پر وسعت دی، اور مساوات کے عمومی حل متعارف کرائے۔ یہ پیش رفت اڑنے والی اشیاء کے درمیان مواصلات کے لیے اہم ہو سکتی ہے۔ رابطہ-برقی کاری کی اصل۔ کئی دہائیوں سے، سائنس دان چارج کی شناخت اور کانٹیکٹ الیکٹریفکیشن (سی ای، یا ٹرائبو الیکٹریفکیشن) کے طریقہ کار کے بارے میں بحث کر رہے ہیں، اگر یہ الیکٹران، آئن اور/یا مادے کی انواع کی منتقلی کی وجہ سے ہے۔ حال ہی میں، وانگ نے یہ نتیجہ اخذ کیا کہ ٹھوس-ٹھوس جوڑوں کے درمیان الیکٹران کی منتقلی عیسوی کا غالب طریقہ کار ہے۔ وانگ نے عیسوی کے لیے ایک عام نمونہ پیش کیا، اور انکشاف کیا کہ ایٹموں/مالیکیولز کے درمیان الیکٹران کی منتقلی پسپا خطے میں دو ایٹموں/مالیکیولز کے درمیان ایک مضبوط الیکٹران کلاؤڈ اوورلیپ (یا ویو فنکشن اوورلیپ) کی وجہ سے ہوتی ہے، کیونکہ انٹراٹومک پوٹینشل رکاوٹ کو کم کیا جا سکتا ہے۔ رابطہ/رگڑ قوت الیکٹران کلاؤڈ (یا طبیعیات میں لہر فنکشن، کیمسٹری میں بانڈنگ) کے اوورلیپ کو بڑھا سکتی ہے۔ اس ماڈل کو مائع-ٹھوس، مائع-مائع اور یہاں تک کہ گیس-مائع کے معاملات تک بڑھایا جا سکتا ہے۔ پھر، مائع اور ٹھوس کے درمیان برقی ڈبل پرت کی تشکیل کے عمل کو ظاہر کرنے کے لیے ایک ہائبرڈ پرت ماڈل تجویز کیا گیا ہے۔ انٹرفیس الیکٹران کی منتقلی اور منتقلی کی وجہ سے فوٹون کے اخراج کا مشاہدہ کیا گیا ہے، جس کے نتیجے میں کانٹیکٹ الیکٹریفکیشن انڈیوسڈ ایمیشن سپیکٹروسکوپی (سی ای آئی آئی ایس) کی پیدائش ہوئی ہے۔ مزید برآں، مائع اور ٹھوس سطحوں کے درمیان الیکٹران کی منتقلی کو اتپریرک کے لیے استعمال کیا جا سکتا ہے، جس کے نتیجے میں کانٹیکٹ الیکٹرو اتپریرک (سی ای سی) کا ایک نیا میدان پیدا ہوتا ہے۔ نئے دور اور اعلی اینٹروپی توانائی کے لیے توانائی۔ جب ہم انٹرنیٹ آف تھنگز، سینسر نیٹ ورک، بگ ڈیٹا، روبوٹکس اور مصنوعی ذہانت کے نئے دور میں داخل ہوتے ہیں تو اربوں چھوٹے، موبائل اور تقسیم شدہ توانائی کے ذرائع کی بہت ضرورت ہوتی ہے۔ بیٹریوں کے بڑے نقصانات کی وجہ سے "خود کو طاقت دینے" کا احساس ضروری ہے۔ وانگ نے 2017 میں "نئے دور کے لیے توانائی" کے خیال کی تجویز پیش کی تاکہ تقسیم شدہ توانائی کے ذرائع کو معروف نئی توانائی سے الگ کیا جا سکے۔ حال ہی میں، وانگ نے انٹرنیٹ آف تھنگز کے دور کے لیے توانائی کی تقسیم اور استعمال کے اینٹروپی تھیوری کا مطالعہ کیا۔ پاور پلانٹس سے منتقل ہونے والی "آرڈرڈ" توانائی کا استعمال فکسڈ سائٹس اور "ڈس آرڈرڈ" ڈسٹری بیوٹڈ پاور ایپلی کیشنز کے حصے کے لیے "آرڈرڈ" ایپلی کیشنز کو حل کرنے کے لیے کیا جاتا ہے، جبکہ ماحول سے حاصل ہونے والی "ڈس آرڈرڈ" توانائی بنیادی طور پر ڈسٹری بیوٹڈ ایپلی کیشنز کو حل کرنے کے لیے ہوتی ہے۔ تیسری نسل کے سیمی کنڈکٹرز کے پیزوٹرونکس اور پیزو-فوٹوٹرونکس پیزوٹرونک اثر اور پیزوٹرونکس۔ غیر سینٹروسیمیٹرک کرسٹل ڈھانچے والے مواد پر دباؤ ڈالتے وقت، آئن پولرائزیشن کی وجہ سے پیزو الیکٹرک پوٹینشل (پیزوپوٹینشل) پیدا کیا جا سکتا ہے۔ ZnO نانووائر کے لیے، نانووائر اور اس کے دھاتی رابطے کے درمیان شٹکی رکاوٹ کی اونچائی کو تشکیل شدہ اندرونی میدان کے ذریعے مؤثر طریقے سے ترتیب دیا جا سکتا ہے۔ تاکہ پورے انٹرفیس میں چارج کیریئر ٹرانسپورٹ کے عمل کو مؤثر طریقے سے ٹیون اور گیٹ کیا جا سکے۔ اس طرح کے رجحان کو پیزوٹرونک اثر کہا جاتا ہے، جسے وانگ نے 2007 میں دریافت کیا تھا۔ پیزوٹرونک اثر کو لاگو کرکے، پیزو الیکٹرک فیلڈ ایفیکٹ ٹرانجسٹرز، پیزو الیکٹرک ڈایڈس اور اسٹریین گیٹڈ منطق آپریشنز تیار کیے گئے ہیں۔ پیزوٹرونکس کا میدان الیکٹرانکس کی نمائندگی کرتا ہے جس میں پیزوپوٹینشل گیٹ وولٹیج کے طور پر کام کرتا ہے۔ پیزوٹرونکس کی بنیاد پر روایتی سی ایم او ایس ٹرانجسٹر کے ڈیزائن کو بنیادی طور پر تبدیل کیا جا سکتا ہے۔ سب سے پہلے، پیزوٹرانک ٹرانجسٹر میں کوئی گیٹ الیکٹروڈ نہیں ہو سکتا۔ دوسرا، ایک اندرونی پیزو پوٹینشل لاگو شدہ گیٹ وولٹیج کو بے دخل کرتا ہے، اور لاگو کردہ تناؤ کو گیٹ وولٹیج کے بجائے ڈیوائس کو کنٹرول کرنے کے لیے استعمال کیا جاتا ہے۔ تیسرا، ڈرین (ماخذ)-نانووائر انٹرفیس پر رابطہ چینل کی چوڑائی کے بجائے چارج کیریئر ٹرانسپورٹ کو کنٹرول کرتا ہے۔ حال ہی میں، 2 ڈی مواد میں پیزوٹرونک اثر کا بھی مظاہرہ کیا گیا۔ پیزوٹرونکس کے انسانی کمپیوٹر انٹرفیسنگ، سمارٹ ایم ای ایم ایس، نینوروبوٹکس اور سینسرز میں اہم اور وسیع استعمال ہو سکتے ہیں۔ پیزو-فوٹو گرافی اثر اور پیزو-فوٹو گرافی۔ تناؤ کا اطلاق کرتے وقت، انٹرفیس پولرائزیشن چارجز کے ذریعہ پیدا ہونے والا پیزوپوٹینشل مقامی بینڈ کے ڈھانچے کو بہت بہتر بنا سکتا ہے اور چارج کی کمی والے زون کو پی این جنکشن پر منتقل کر سکتا ہے۔ جنکشن پر چارج کیریئرز کی علیحدگی یا دوبارہ امتزاج کو فوٹون کے ذریعے مؤثر طریقے سے بڑھایا جا سکتا ہے۔ اس طرح کے رجحان کو پیزو فوٹوٹونک اثر کہا جاتا ہے، جسے وانگ نے 2009 میں دریافت کیا تھا، جس میں آپٹو الیکٹرانک عمل کو تخلیق شدہ پیزو پوٹینشل کے ذریعے ٹیون اور کنٹرول کیا جاتا ہے۔ اس اثر کو استعمال کرتے ہوئے، انفرادی نینو وائر ایل ای ڈی پر مبنی پریشر/فورس سینسر صفوں کو تیار کیا گیا ہے، جو ہائی ریزولوشن اور کثافت پر تناؤ کا نقشہ بنا سکتے ہیں اور ایل ای ڈی کی کارکردگی کو بہت بڑھا سکتے ہیں۔ اس طرح کا اثر آپٹو الیکٹرانک آلات کی کارکردگی کو بہتر بنانے میں اہم ایپلی کیشنز تلاش کر سکتا ہے۔ پیزوفوٹونک اثر۔ وانگ نے نظریاتی طور پر 2008 میں پیزو الیکٹرک سے چلنے والے فوٹون اخراج اثر (پیزوفوٹونک اثر) کی پیش گوئی کی تھی۔ تصویر کا اخراج ہو سکتا ہے، جس کے نتیجے میں پیزو الیکٹرک صلاحیت کے وجود کے تحت خالی جگہ/سطح کی ریاستوں سے ویلینس بینڈ میں پھنسے ہوئے چارجز کی کمی ہوتی ہے۔ اس طرح کے اثر کا تجرباتی طور پر مشاہدہ کیا گیا ہے اور ان کے بعد کے کام میں اس کی تصدیق کی گئی ہے۔ ٹرائبوٹرونکس۔ سیمی کنڈکٹر ڈیوائس میں کیریئر ٹرانسپورٹ کو کنٹرول کرنے کے لیے پیزو الیکٹرک پوٹینشل کا استعمال کرنے کی طرح، ٹرائبو الیکٹرک پوٹینشل کو ایف ای ٹی ڈیوائس کے گیٹ وولٹیج کے طور پر بھی استعمال کیا جا سکتا ہے۔ ٹرائبوٹرونکس کا میدان الیکٹرانکس کی نمائندگی کرتا ہے جس میں ٹرائبو الیکٹرک گیٹ وولٹیج کے طور پر کام کرتا ہے۔ اب تک مختلف قسم کے ٹرائبوٹونک فنکشنل ڈیوائسز، جیسے ٹرائبوٹونک ٹیکٹائل سوئچ، میموری، ہائیڈروجن سینسر اور فوٹو ٹرانجسٹر بنائے گئے ہیں۔ زیڈ این او نینو اسٹرکچرز کی نشوونما اور تفہیم نینو بیلٹ ایک نئی قسم کی 1 ڈی نینو اسٹرکچر ہے جو مختلف سیمی کنڈکٹنگ آکسائڈز کے ذریعہ تشکیل دی گئی ہے جس میں مختلف کیٹیشن اور کرسٹلگرافک ڈھانچے ہوتے ہیں۔ وانگ نے 2001 میں آکسائڈ نینو بیلٹ دریافت کیے۔ ZnO ایک قسم کا مواد بن گیا ہے جس کی اہمیت Si نانووائرز اور کاربن نینو ٹیوبز کے برابر ہے۔ ٹی ای ایم میں ان سیٹو نینو پیمائش کاربن نینو ٹیوبز کے لیے جسمانی خصوصیات کی خصوصیات، جو نمونے کی پاکیزگی اور نینو ٹیوب سائز کی تقسیم سے متاثر ہوتی ہیں، عام طور پر اسکیننگ پروب مائکروسکوپی کے ذریعے انجام دی جاتی ہیں۔ 1999 میں، وانگ اور ساتھی کارکنوں نے ٹرانسمیشن الیکٹران مائکروسکوپی (ٹی ای ایم) پر مبنی منفرد تکنیکوں کا ایک سلسلہ تیار کیا تھا تاکہ انفرادی نینو ٹیوبز کی خصوصیات کی پیمائش کی جا سکے، بشمول مکینیکل، الیکٹریکل اور فیلڈ کے اخراج والے۔ ان سیٹو ٹی ای ایم تکنیک کا استعمال کرتے ہوئے، کوئی بھی جوہری ریزولوشن پر مادے کے کرسٹل اور سطح کے ڈھانچے کا براہ راست مشاہدہ کر سکتا ہے، اور نینو اسکیل پراپرٹی کی پیمائش بھی کر سکتا ہے۔ وانگ نے ایک نینوبالانس تکنیک اور نینو میکانکس کی طرف ایک نقطہ نظر کا مظاہرہ کیا۔ الیکٹران ڈفریکشن اور امیجنگ میں غیر لچکدار بکھرنے کی تھیوری وانگ نے الیکٹران ڈفریکشن اور امیجنگ میں غیر لچکدار بکھرنے کو سمجھنے کے لیے کچھ تحقیقات کیں۔ انہوں نے الیکٹران ڈفریکشن اینڈ امیجنگ (پلینم پریس، 1995) میں لچکدار اور غیر لچکدار بکھرنے پر ایک نصابی کتاب شائع کی۔ [27] اسکیننگ ٹرانسمیشن الیکٹران مائکروسکوپی (ایس ٹی ای ایم) میں، ہائی اینگل اینولر ڈارک فیلڈ (ایچ اے اے ڈی ایف) (جسے زیڈ کانٹریسٹ کہا جاتا ہے) پر تھرمل ڈفیوز سکٹرینگ (ٹی ڈی ایس) کا غلبہ ہے، جس کا انکشاف وانگ نے کیا ہے۔ اور ایچ اے اے ڈی ایف کے امیج سیمولیشن میں ٹی ڈی ایس کو شامل کرنے کے لیے متحرک نظریہ تجویز کیا گیا تھا۔ آنرز اینڈ ریکگنیشن گلوبل انرجی پرائز، 2023 سیلسیس لیکچر انعام یافتہ، 2020، سویڈن البرٹ آئن سٹائن ورلڈ ایوارڈ آف سائنس، ورلڈ کلچرل کونسل (2019) 2019 ڈائلز-پلانک لیکچر ایوارڈ 2018 ای این آئی ایوارڈ ان انرجی فرنٹیئرز امریکن کیمیکل سوک۔ اشاعت سب سے زیادہ شاندار مصنف (2017) گلوبل نینو انرجی پرائز (2017)، دی نینوسمٹ سوسائٹی، یوکے (2017) ممتاز تحقیقی ایوارڈ، پین وین یوآن فاؤنڈیشن (2017) ریسرچ انوویشن ایوارڈ میں شاندار کامیابی، جارجیا ٹیک (2016) جنوب مشرقی یونیورسٹیوں کی ریسرچ ایسوسی ایشن (2016) سے ممتاز سائنسدان ایوارڈ (امریکہ) ساؤتھ ایسٹرن یونیورسٹیز ریسرچ ایسوسی ایشن (2016) تھامسن رائٹرز سائٹیشن لورائٹ ان فزکس (2015) ممتاز پروفیسر ایوارڈ (جارجیا ٹیک میں اعلی ترین فیکلٹی اعزاز) (2014) نینوسمٹ انعام (برطانیہ) (2014) چائنا انٹرنیشنل سائنس اینڈ ٹیکنالوجی کولیبریشن ایوارڈ (2014) ورلڈ ٹیکنالوجی ایوارڈ (میٹریلز) (2014) جیمز سی میکگروڈی پرائز فار نیو میٹریلز فرام امریکن فزیکل سوسائٹی (2014) اے سی ایس نینو لیکچرز لی پرائز فار ڈسٹنگشڈ اچیومنٹ ان سائنس اینڈ ٹیکنالوجی (2001) آؤٹ سٹینڈنگ ریسرچ آتھر ایوارڈ، جارجیا ٹیک (2000) برٹن میڈل، مائکروسکوپی سوسائٹی آف امریکہ (1999) حوالہ جات بیرونی روابط وانگ کے ریسرچ گروپ کی ویب سائٹ http://www.mse.gatech.edu/people/zhong-lin-wang 1961 پیدائشیں زندہ لوگ چینی نینو ٹیکنالوجی ماہرین چینی تارکین وطن سے ریاستہائے متحدہ کے سائنسدان شانکسی زیڈین یونیورسٹی کے سابق طالب علم ایریزونا اسٹیٹ یونیورسٹی کے سابق طالب علم جارجیا ٹیک فیکلٹی امریکی میٹریل سائنسدان انجینئرز شانکسی البرٹ آئن سٹائن ورلڈ ایوارڈ آف سائنس انعام یافتہ چینی اکیڈمی آف سائنسز کے غیر ملکی ممبران فیلوز آف دی امریکن فزیکل سوسائٹی