Tribovoltaic effect
ٹرائیو وولٹک اثر سلائڈنگ سیمی کنڈکٹر انٹرفیس (پی این جنکشن) یا سلائڈنگ سیمی کنڈکٹر اور میٹل انٹرفیس (شاٹکی جنکشن) پر ٹرائیو کرنٹ پیدا کرنے کا اثر ہے، جسے سب سے پہلے وانگ ایٹ ال نے تجویز کیا ہے۔ 2018 میں۔ جب ایک پی قسم کا سیمی کنڈکٹر این قسم کے سیمی کنڈکٹر کے اوپر پھسلتا ہے، تو توانائی "کوانٹم" جسے "بائنڈنگٹن" بھی کہا جاتا ہے، نئے کیمیائی بندھنوں کی تشکیل کی وجہ سے انٹرفیس پر خارج ہو جائے گا۔ جاری شدہ توانائی انٹرفیس پر الیکٹران ہول کے جوڑوں کو متحرک کر سکتی ہے، جو سیمی کنڈکٹر انٹرفیس پر بلٹ ان الیکٹرک فیلڈ کے تحت مزید الگ ہو کر ایک طرف سے دوسری طرف منتقل ہو جاتے ہیں، جس سے بیرونی سرکٹ میں براہ راست کرنٹ پیدا ہوتا ہے۔ سلائڈنگ پی این جنکشن یا شاٹکی جنکشن پر ٹرائبو کرنٹ کی نسل فوٹو وولٹک اثر میں فوٹو کرنٹ کی نسل کے مترادف ہے، لہذا اسے وانگ اور دیگر نے "ٹرائبو وولٹک اثر" کا نام دیا ہے۔ تجرباتی ثبوت ٹرائیو وولٹک اثر کی تجرباتی طور پر میکرو اور نینو پیمانے دونوں کے طور پر تصدیق کی گئی تھی۔ یہ پایا گیا کہ پی ٹائپ سی نمونوں پر این ٹائپ ڈائمنڈ کوٹیڈ ٹپ کو سلائڈ کرکے براہ راست کرنٹ پیدا کیا جا سکتا ہے، اور ٹرائبو کرنٹ کی سمت پی این اور شاٹکی جنکشن پر بلٹ ان الیکٹرک فیلڈ کی سمت پر منحصر ہے۔ مائع ٹھوس انٹرفیس پر ٹرائیو وولٹک اثر ٹرائیو وولٹک اثر نہ صرف ٹھوس ٹھوس انٹرفیس پر ہو سکتا ہے، بلکہ آبی محلول اور ٹھوس سیمی کنڈکٹر انٹرفیس پر بھی ہو سکتا ہے، جس میں آبی محلول کو مائع سیمی کنڈکٹر سمجھا جاتا ہے۔ جب پانی کا ایک قطرہ سیمی کنڈکٹر کی سطح پر پھسلتا ہے، تو فرمی کی سطح میں فرق کی وجہ سے بلٹ ان الیکٹرک فیلڈ انٹرفیس پر موجود ہوگا، اور پانی کے کچھ مالیکیول تازہ سطح سے رابطہ کریں گے، کیمیائی بندھن بنائیں گے اور توانائی جاری کریں گے، اور جاری شدہ توانائی "کوانٹم"، جسے "بائنڈنگٹن" بھی کہا جاتا ہے۔ اگر مائع ٹھوس سیمی کنڈکٹر کی سطح پر پھسلنا شروع ہو جائے تو بائنڈنگٹن چھوڑا جائے گا اور انٹرفیس پر الیکٹران ہول کے جوڑے پرجوش ہوں گے۔ بلٹ ان الیکٹرک فیلڈ کے ذریعے چلنے والے الیکٹران ہول کے جوڑے الگ ہو جاتے ہیں اور ایک طرف سے دوسری طرف منتقل ہو جاتے ہیں، جس سے بیرونی بوجھ میں مسلسل براہ راست کرنٹ پیدا ہوتا ہے۔ مائع ٹھوس انٹرفیس پر ٹرائیو وولٹک اثر کی تصدیق بھی وانگ اور دیگر نے تجرباتی طور پر کی تھی۔ حوالہ جات کی سطحیں