Arsenic(III) telluride
آرسینک (III) ٹیلورائڈ ایک غیر نامیاتی مرکب ہے جس کا کیمیائی فارمولا ہے۔ یہ دو شکلوں میں موجود ہے، مونوکلینک α مرحلہ جو ہائی پریشر کے تحت رومبوہیڈرل β مرحلے میں تبدیل ہوتا ہے۔ مرکب ایک سیمی کنڈکٹر ہے، جس میں زیادہ تر کرنٹ سوراخوں کے ذریعے لے جایا جاتا ہے۔ غیر لکیری آپٹکس میں اس کے استعمال کے لیے آرسینک ٹیلورائڈ کی جانچ کی گئی ہے۔ مالیکیولر اور کرسٹل ڈھانچہ آرسینک (III) ٹیلورائڈ گروپ 15 سیسکوچالکوجینائڈز کی ایک بڑی شکل ہے جو مالیکیولز کی زنجیروں کی تشکیل کرتی ہے جو بالآخر ایک دوسرے کے اوپر ڈھیر ہو جاتی ہیں اور کمزور وان ڈیر والز قوتوں کے ذریعہ ایک ساتھ رکھی جاتی ہیں۔ مالیکیولز کی لمبی شاخوں کا یہ اسٹیکنگ آرسینک (III) ٹیلورائڈ کو ایک بے ساختہ کرسٹل ڈھانچہ فراہم کرتا ہے جو مختلف دباؤ پر ɑ-اور β-ترتیبات میں پایا جا سکتا ہے۔ وسیع دباؤ پر، ɑ-کم تھرمو الیکٹرک خصوصیات کے ساتھ ایک مونوکلینک ڈھانچہ پیدا کرتا ہے۔ تاہم، جب ہائی پریشر ماحول میں رکھا جاتا ہے، ɑ-β-ترتیب میں تبدیل ہو جاتا ہے جس میں اعلی تھرمو الیکٹرک خصوصیات کے ساتھ ایک رومبوہیڈرل R3m خلائی گروپ ہوتا ہے۔ ایک سیمی کنڈکٹر ہے اور برقی کرنٹ کو چلانے کی صلاحیت کی وجہ سے غیر لکیری آپٹکس کا مطالعہ کرنے کے لیے استعمال کیا جاتا ہے۔ تاہم، اعلی درجہ حرارت پر جب نجاستوں کے ساتھ ڈوپ کیا جاتا ہے تو ان کنڈکٹو صلاحیتوں کو ناقابل واپسی طور پر اپنی روایتی سیمی کنڈکٹر کی صلاحیت سے صرف دھات کی ترسیل میں تبدیل کرنے کا سبب بنتا ہے۔ یہ ناقابل واپسی تبدیلی ممکنہ طور پر ناپاک کلسٹر بنانے میں شامل ڈوپنگ مواد کی وجہ سے ہوتی ہے جو کمپلیکس کے پیرا مقناطیسی رجحان میں اضافے کا سبب بنتی ہے۔ غیر لکیری آپٹکس میں استعمال سب سے کم مطالعہ شدہ بے ساختہ چالکوجینائڈ مرکب ہے، جو سیمی کنڈکٹرز کا ایک گروپ ہے جو بنیادی طور پر غیر لکیری آپٹکس میں شیشے یا لینس کے طور پر روشنی کو دوبارہ تقسیم کرنے کے لیے استعمال ہوتا ہے۔ بے ساختہ کرسٹل ٹھوسوں میں ترکیب کرنے میں دشواری کی وجہ سے اس کا وسیع پیمانے پر مطالعہ نہیں کیا گیا ہے۔ آرسینک ٹیلورائڈ کو کرسٹلائز کرنے سے بچنے کے لیے، پگھلنے سے باہر آنے کے بعد اسے جلد بجھانا ضروری ہے۔ آرسینک ٹیلورائڈ اور مواد پر مشتمل غیر لکیری آپٹکس کے میدان میں مقبولیت میں اضافہ ہونا شروع ہو رہا ہے کیونکہ بے ساختہ شیشے روشنی کے منبع (عام طور پر لیزر) کی برقی چارج کثافت کو دوبارہ تقسیم کرنے میں غیر معمولی ہوتے ہیں جب یہ میڈیم کے اندر تعامل کرتا ہے۔ اس دوبارہ تقسیم کی اہمیت یہ ہے کہ یہ لیزر کی نوعیت میں ترمیم کے لیے ایک مخصوص کام انجام دینے کی اجازت دیتا ہے۔ اس کی کچھ مثالیں سینسرز، آپٹیکل کمیونیکیشن سسٹمز میں لیزرز کا استعمال، نیز مواد کی تحقیق میں استعمال ہونے والے آلات اور دیگر مشینری کے لیے لیزر کا رنگ تبدیل کرنا ہیں۔ یہ حالیہ مطالعات میں بھی دریافت کیا گیا ہے جو نقل و حرکت کے کناروں کو پیش کرتا ہے، جو کنڈکٹو گیپ کے ارد گرد کے کنارے ہیں، قطع نظر درجہ حرارت کی وجہ سے بے ساختہ ڈھانچے کو توقع سے زیادہ شرحوں پر بجلی چلانے کی اجازت دیتا ہے۔ اس کی وجہ سے، یہ قیاس کیا جا سکتا ہے کہ نقل و حرکت کے کنارے غیر مقامی اور مقامی ریاستوں کے درمیان ہوتے ہیں اور ساتھ ہی دوسرے بے ساختہ شیشوں کے مقابلے میں تاریک نقل و حرکت سے فوٹو کنڈکٹو نقل و حرکت میں زیادہ توانائی سے موثر منتقلی رکھتے ہیں۔ سیمی کنڈکٹر آرسینک (III) ٹیلورائڈ، اپنی ڈوپڈ کرسٹل لائن شکل میں، الیکٹران کیریئرز کا گھر ہے جو ڈوپنگ کی نجاست کی وجہ سے ہوتے ہیں جو کناروں کے ارد گرد نسبتا آزاد الیکٹران کثافت کی وجہ سے کنارے کے قریب بیٹھتے ہیں۔ یہ نسبتا آزاد الیکٹران نجاستوں کے ساتھ تعامل کرتے ہیں جس کی وجہ سے کنارے کے ارد گرد الیکٹران کی کثافت میں کمی واقع ہوتی ہے جس کی وجہ سے "دم" بنتی ہے۔ یہ بینڈ دم اوورلیپ ہوتی ہیں جس کی وجہ سے پی-ٹائپ ڈوپنگ کی طرح ایک خلا یا سوراخ ہوتا ہے، جسے ترسیل کے لیے استعمال کیا جا سکتا ہے ؛ تاہم، جالی میں کیریئرز کی نقل و حرکت دو دموں کی فرمی سطح کے قریب نمایاں طور پر کم ہو جاتی ہے۔ یہ اس بات کی نشاندہی کرتا ہے کہ الیکٹرانک محرکات، جو عام طور پر فونون سے متعلق ہوتے ہیں، کی ضرورت ہوتی ہے تاکہ الیکٹرانوں کو خلا میں اچھالنے کے لیے اکسایا جا سکے۔ کرسٹل کی برقی چالکتا کا سبب بننے کے لیے بیرونی فونون محرکات کی ضرورت غیر لکیری آپٹکس کے استعمال میں یا اس پر مبنی شیشوں کی تاثیر کی مزید حمایت کرتی ہے کیونکہ جالی میں داخل ہونے پر روشنی الیکٹران ہوپنگ انڈکسنگ کنڈکشن کا سبب بنتی ہے۔ چونکہ الیکٹران فرمی سطح کے قریب کنڈکشن گیپ میں اچھل رہے ہیں، روشنی میں ترمیم کی جا رہی ہے اور وہ جالی سے اس کے داخل ہونے سے مختلف شکل میں باہر نکل جائے گی۔ حوالہ جات آرسینک (III) مرکبات ٹیلورائڈز