45 nm process
குறைக்கடத்திகளுக்கான சர்வதேச தொழில்நுட்ப சாலை வரைபடத்தின்படி, 45 nm செயல்முறை என்பது ஒரு MOSFET தொழில்நுட்ப முனை ஆகும், இது 2007-2008 காலக்கட்டத்தில் தயாரிக்கப்படும் நினைவக செல்லின் சராசரி அரை-பிட்சைக் குறிக்கிறது. மாட்சுஷிட்டா மற்றும் இன்டெல் 2007 ஆம் ஆண்டின் பிற்பகுதியில் 45 என்எம் சில்லுகளை பெருமளவில் உற்பத்தி செய்யத் தொடங்கின, மேலும் ஏஎம்டி 2008 ஆம் ஆண்டின் பிற்பகுதியில் 45 என்எம் சில்லுகளின் உற்பத்தியைத் தொடங்கியது, அதே நேரத்தில் ஐபிஎம், இன்ஃபினியோன், சாம்சங் மற்றும் சார்ட்டர்ட் செமிகண்டக்டர் ஏற்கனவே ஒரு பொதுவான 45 என்எம் செயல்முறை தளத்தை முடித்துள்ளன. 2008 ஆம் ஆண்டின் இறுதியில், ஐபிஎம்-இலிருந்து மொத்த 45 என்எம் செயல்முறைக்கு உரிமம் பெற்ற எஸ்எம்ஐசி, 45 என்எம்-க்கு நகர்ந்த முதல் சீனாவை தளமாகக் கொண்ட குறைக்கடத்தி நிறுவனமாகும். 2008 ஆம் ஆண்டில், டி. எஸ். எம். சி 40nm செயல்முறைக்கு நகர்ந்தது. பல முக்கியமான அம்ச அளவுகள் லித்தோகிராஃபிக்கு பயன்படுத்தப்படும் ஒளியின் அலைநீளத்தை விட சிறியவை (அதாவது, 193 என்எம் மற்றும் 248 என்எம்). துணை அலைநீள அம்சங்களை உருவாக்க பெரிய லென்ஸ்கள் போன்ற பல்வேறு நுட்பங்கள் பயன்படுத்தப்படுகின்றன. குறிப்பாக உலர் லித்தோகிராஃபி பயன்படுத்தப்பட்டால், அம்சங்களுக்கிடையேயான தூரத்தை குறைக்க உதவும் வகையில் இரட்டை வடிவமைப்பு அறிமுகப்படுத்தப்பட்டுள்ளது. 45 nm முனையில் 193 nm அலைநீளத்துடன் கூடுதல் அடுக்குகள் வடிவமைக்கப்படும் என்று எதிர்பார்க்கப்படுகிறது. முன்பு தளர்வான அடுக்குகளை (உலோகம் 4 மற்றும் உலோகம் 5 போன்றவை) 248 நானோமீட்டரிலிருந்து 193 நானோமீட்டராக அலைநீளத்திற்கு நகர்த்துவது தொடரும் என்று எதிர்பார்க்கப்படுகிறது, இது 193 நானோமீட்டர் ஃபோட்டோரசிஸ்டுகளுடன் உள்ள சிரமங்கள் காரணமாக செலவுகளை மேலும் உயர்த்தும். உயர்-κ மின்கடத்தா சிப் தயாரிப்பாளர்கள் ஆரம்பத்தில் கசிவு மின்னோட்ட அடர்த்தியைக் குறைக்கும் நோக்கத்திற்காக கேட் அடுக்குக்குள் புதிய உயர்-κ பொருட்களை அறிமுகப்படுத்துவது குறித்து கவலை தெரிவித்துள்ளனர். இருப்பினும், 2007 ஆம் ஆண்டு நிலவரப்படி, ஐபிஎம் மற்றும் இன்டெல் இரண்டும் உயர்-κ மின்கடத்தா மற்றும் உலோக கேட் தீர்வுகளைக் கொண்டுள்ளன என்று அறிவித்துள்ளன, இது இன்டெல் டிரான்சிஸ்டர் வடிவமைப்பில் ஒரு அடிப்படை மாற்றமாக கருதுகிறது. என். இ. சி உயர்-κ பொருட்களையும் உற்பத்தியில் சேர்த்துள்ளது. 2004 ஆம் ஆண்டில், டி. எஸ். எம். சி ஒரு 0.296-square-micrometre 45 என்எம் எஸ்ஆர்ஏஎம் கலத்தை நிரூபித்தது. 2008 ஆம் ஆண்டில், டி. எஸ். எம். சி 40 என். எம் செயல்முறைக்கு நகர்ந்தது. ஜனவரி 2006 இல், இன்டெல் ஒரு 0.346-square-micrometre 45 nm முனை SRAM கலத்தை நிரூபித்தது. ஏப்ரல் 2006 இல், ஏஎம்டி ஒரு 0.370-square-micrometre 45 என்எம் எஸ்ஆர்ஏஎம் கலத்தை நிரூபித்தது. ஜூன் 2006 இல், டெக்சாஸ் இன்ஸ்ட்ரூமென்ட்ஸ் மூழ்கும் லித்தோகிராஃபியின் உதவியுடன் ஒரு 0.24-square-micrometre 45 nm SRAM கலத்தை அறிமுகப்படுத்தியது. நவம்பர் 2006 இல், யுஎம்சி மூழ்கும் லித்தோகிராஃபி மற்றும் குறைந்த-κ மின்கடத்திகளைப் பயன்படுத்தி 0.25-square-micrometre க்கும் குறைவான செல் அளவு கொண்ட 45 என்எம் எஸ்ஆர்ஏஎம் சிப்பை உருவாக்கியுள்ளதாக அறிவித்தது. 2006 ஆம் ஆண்டில், சாம்சங் ஒரு 40nm செயல்முறையை உருவாக்கியது. 45 என்எம் தொழில்நுட்பத்தின் வாரிசுகள் 32 என்எம், 22 என்எம் மற்றும் பின்னர் 14 என்எம் தொழில்நுட்பங்கள் ஆகும். வணிக ரீதியான அறிமுகமான மாட்சுஷிட்டா எலக்ட்ரிக் இண்டஸ்ட்ரியல் கம்பெனி ஜூன் 2007 இல் 45nm செயல்முறை தொழில்நுட்பத்தின் அடிப்படையில் டிஜிட்டல் நுகர்வோர் உபகரணங்களுக்கான சிஸ்டம்-ஆன்-அ-சிப் (SoC) IC களின் வெகுஜன உற்பத்தியைத் தொடங்கியது. இன்டெல் அதன் முதல் 45nm செயலி, ஜியோன் 5400 தொடரை நவம்பர் 2007 இல் அனுப்பியது. ஏப்ரல் 2007 இன்டெல் டெவலப்பர் மன்றத்தில் பென்ரின் பற்றிய பல விவரங்கள் வெளிவந்தன. அதன் வாரிசான நேஹாலேம் என்று அழைக்கப்படுகிறார். முக்கியமான முன்னேற்றங்களில் புதிய அறிவுறுத்தல்கள் (பென்ரின் புதிய அறிவுறுத்தல்கள் என்றும் அழைக்கப்படும் எஸ். எஸ். இ 4 உட்பட) மற்றும் புதிய புனையமைப்பு பொருட்கள் (மிகவும் குறிப்பிடத்தக்க வகையில் ஒரு ஹாஃப்னியம் அடிப்படையிலான மின்கடத்தா) ஆகியவை அடங்கும். ஏஎம்டி அதன் செம்ப்ரான் II, அத்லான் II, டூரியன் II மற்றும் ஃபெனோம் II (பொதுவாக செயல்திறனை அதிகரிக்கும் வரிசையில்), அத்துடன் ஷாங்காய் ஆப்டெரான் செயலிகள் 45nm செயல்முறை தொழில்நுட்பத்தைப் பயன்படுத்தி 2008 ஆம் ஆண்டின் பிற்பகுதியில் வெளியிட்டது. 2010 ஆம் ஆண்டில் வெளியிடப்பட்ட எக்ஸ்பாக்ஸ் 360 எஸ், 45 என்எம் செயல்முறையில் தயாரிக்கப்பட்ட செனான் செயலி உள்ளது. பிளேஸ்டேஷன் 3 ஸ்லிம் மாடல் செல் பிராட்பேண்ட் என்ஜினை 45 என்எம் செயல்பாட்டில் அறிமுகப்படுத்தியது. எடுத்துக்காட்டுஃ இன்டெல்லின் 45 என்எம் செயல்முறை ஐஇடிஎம் 2007 இல், இன்டெல்லின் 45 என்எம் செயல்முறையின் கூடுதல் தொழில்நுட்ப விவரங்கள் வெளிப்படுத்தப்பட்டன. இம்மர்ஷன் லித்தோகிராஃபி இங்கு பயன்படுத்தப்படாததால், லித்தோகிராஃபிக் வடிவமைப்பு மிகவும் கடினம். எனவே, இந்த 45 என்எம் செயல்முறைக்கு ஒரு வரி வெட்டும் இரட்டை வடிவமைப்பு முறை வெளிப்படையாக பயன்படுத்தப்படுகிறது. மேலும், கேட் கசிவு சிக்கல்களைத் தீர்க்க, உயர்-κ மின்கடத்தா மின்கடத்தா பயன்பாடு முதன்முறையாக அறிமுகப்படுத்தப்பட்டுள்ளது. 32 என்எம் முனையில், இம்மர்ஷன் லித்தோகிராஃபி இன்டெல் பயன்படுத்தத் தொடங்கும். 160 என்எம் கேட் பிட்ச் (65 என்எம் தலைமுறையின் 73 சதவீதம்) 200 என்எம் தனிமைப்படுத்தப்பட்ட சுருதி (65 என்எம் தலைமுறையின் 91 சதவீதம்) டிரான்சிஸ்டர்களுக்கு இடையிலான தனிமைப்படுத்தப்பட்ட தூரத்தை அளவிடுவதைக் குறிக்கிறது போலி செப்பு உலோகம் மற்றும் போலி வாயில்களின் விரிவான பயன்பாடு 35 என்எம் கேட் நீளம் (65 என்எம் தலைமுறைக்கு சமம்) 1 என்எம் சமமான ஆக்சைடு தடிமன், 0,7 என்எம் மாற்றம் அடுக்கு கேட்-லாஸ்ட் செயல்முறை டம்மி பாலிசிலிகான் மற்றும் டாமாசின் உலோக கேட் கேட் ஸ்கொயரிங் ஆஃப் கேட் ஆகியவற்றைப் பயன்படுத்தி இரண்டாவது ஃபோட்டோரசிஸ்ட் பூச்சு 9 அடுக்குகள் கார்பன்-டோப் செய்யப்பட்ட ஆக்சைடு மற்றும் கியூ இன்டர்கனெக்ட் ஆகியவற்றைப் பயன்படுத்தி முடிவடைகிறது, கடைசியாக ஒரு தடிமனான "மறுவிநியோகம்" அடுக்கு தொடர்புகள் உள்ளூர் ஒன்றோடொன்று இணைப்புகளுக்கான வட்டங்களை விட செவ்வகங்கள் பெரும்பாலான அகழி தொடர்புகள் வாயில்களுக்கு இணையாக அமைந்த குறுகிய கோடுகளாக இருந்தன, அதே நேரத்தில் வாயில் தொடர்புகள் கூட குறுகிய கோடுகள் வாயில்களுக்கு செங்குத்தாக அமைந்திருந்தன. நெஹாலெம் மற்றும் அணு நுண்செயலிகள் இரண்டும் மின்னழுத்த அளவீட்டை சிறப்பாக இடமளிக்க வழக்கமான ஆறு டிரான்சிஸ்டர்களுக்கு பதிலாக எட்டு டிரான்சிஸ்டர்களைக் கொண்ட எஸ்ஆர்ஏஎம் செல்களைப் பயன்படுத்தின என்பது சமீபத்தில் தெரியவந்தது. இதன் விளைவாக 30 சதவீதத்திற்கும் அதிகமான பகுதி அபராதம் விதிக்கப்பட்டது. 45 என்எம் தொழில்நுட்பத்தைப் பயன்படுத்தும் செயலிகள் மாட்சுஷிட்டா 2007 ஆம் ஆண்டில் 45 என்எம் யூனிபியரை வெளியிட்டது. வொல்ப்டேல், வொல்ப்டேல்-3 எம், யார்க்ஃபீல்ட், யார்க்ஃபீல்ட் எக்ஸ்இ மற்றும் பென்ரின் இன்டெல் செயலிகள் கோர் 2 பிராண்டின் கீழ் விற்கப்படுகின்றன. கிளார்க்ஸ்ஃபீல்ட், ப்ளூம்ஃபீல்ட் மற்றும் லின்ஃபீல்ட் போன்ற முதல் தலைமுறை இன்டெல் கோர் ஐ3, ஐ5 மற்றும் ஐ7 தொடர் செயலிகள். டயமண்ட்வில்லே, பைன்வியூ ஆகியவை இன்டெல் அணு பிராண்டின் கீழ் விற்கப்படும் ஹைப்பர்-த்ரெடிங் கொண்ட இன்டெல் மையங்கள் ஆகும். ஏஎம்டி துபன் (ஃபெனோம் II), காலிஸ்டோ, ஹெகா, ப்ரோபஸ், டெனெப், ஸோஸ்மா (ஃபெனம் II) மற்றும் ஷாங்காய் (ஒப்டெரான்) குவாட்-கோர் ப்ராசஸர்கள், ரெகார் (அத்லான் II) டூயல் கோர் ப்ராசஸர்கள், காஸ்பியன் (டூரியன் II) மொபைல் டூயல் கோர் ப்ராசஸர்கள். எக்ஸ்பாக்ஸ் 360 எஸ் மாடலில் உள்ள செனான் செயலி. பிளேஸ்டேஷன் 3 ஸ்லிம் மாடலில் சோனி/தோஷிபா செல் பிராட்பேண்ட் என்ஜின்-செப்டம்பர் 2009. சாம்சங் S5PC110, ஹம்மிங்பேர்ட் என்று அழைக்கப்படுகிறது. டெக்சாஸ் இன்ஸ்ட்ரூமென்ட்ஸ் OMAP 3 மற்றும் 4 தொடர். IBM POWER7 மற்றும் Z196 புஜிட்சு SPARC64 VIIIfx தொடர் வை யு "எஸ்பிரெசோ" IBM CPU. குறிப்புகள் வெளிப்புற இணைப்புகள் பானாசோனிக் 45-என்எம் தலைமுறை எஸ். ஓ. சி இன்டெல் 45 என். எம் செயல்முறையின் வெகுஜன உற்பத்தியைத் தொடங்குகிறது இன்டெல் எதிர்பார்த்ததை விட விரைவில் 45 என். எம். க்குச் செல்வது நல்லதா? IEDM 00045 தைவானிய கண்டுபிடிப்புகளில் இன்டெல் இன்டெல் 45 nm செயல்முறையிலிருந்து 45 nm தொழில்நுட்பத்திற்கு பெயரிடும் nm செயல்முறையின் ஒரு AMD புதுப்பிப்பு ஸ்லாஷ்டாட் விவாதம்