Heterojunction solar cell
ஹெடெரோஜங்ஷன் சூரிய மின்கலங்கள் (எச். ஜே. டி), சிலிக்கான் ஹெடெரோஜங்ஷன்ஸ் (எஸ். எச். ஜே) அல்லது ஹெடெரோஜங்ஷன் வித் இன்ட்ரின்சிக் தின் லேயர் (எச். ஐ. டி) என்று அழைக்கப்படுகின்றன, இது ஒளிமின்னழுத்த செல் தொழில்நுட்பங்களின் குடும்பமாகும், இது வேறுபட்ட பட்டை இடைவெளிகளைக் கொண்ட குறைக்கடத்திகளுக்கு இடையில் உருவாக்கப்பட்ட ஹெடெரோஜங்ஷனை அடிப்படையாகக் கொண்டது. அவை ஒரு கலப்பு தொழில்நுட்பமாகும், வழக்கமான படிக சூரிய மின்கலங்களின் அம்சங்களை மெல்லிய படல சூரிய மின்கலங்களுடன் இணைக்கின்றன. சிலிக்கான் ஹெட்டோரோஜங்ஷன் அடிப்படையிலான சோலார் பேனல்கள் குடியிருப்பு மற்றும் பயன்பாட்டு சந்தைகளுக்கு வணிக ரீதியாக பெருமளவில் உற்பத்தி செய்யப்படுகின்றன. 2023 ஆம் ஆண்டு நிலவரப்படி, சிலிக்கான் ஹெட்டோரோஜங்ஷன் கட்டமைப்பு வணிக அளவிலான சிலிக்கான் சூரிய மின்கலங்களுக்கான மிக உயர்ந்த செல் செயல்திறனைக் கொண்டுள்ளது. 2022-2024 இல், எஸ்எச்ஜே செல்கள் சந்தை பங்கில் அலுமினிய பின்புற மேற்பரப்பு புலம் (அல்-பிஎஸ்எஃப்) சூரிய மின்கலங்களை முந்தும் என்று எதிர்பார்க்கப்படுகிறது, இது பிஇஆர்சி/டோப்கான் (செயலற்ற உமிழ்ப்பான் பின்புற செல்/சுரங்கப்பாதை ஆக்சைடு செயலற்ற தொடர்பு) க்குப் பிறகு இரண்டாவது மிக அதிகமாக ஏற்றுக்கொள்ளப்பட்ட வணிக சூரிய மின்கல தொழில்நுட்பமாக மாறும், இது 2032 க்குள் கிட்டத்தட்ட 20 சதவீதமாக அதிகரிக்கும். SHJ செல்கள் பொதுவாக ஒரு செயலில் உள்ள படிக சிலிக்கான் உறிஞ்சும் அடி மூலக்கூறைக் கொண்டுள்ளன, இது ஹைட்ரஜனேற்றப்பட்ட உள்ளார்ந்த உருவமற்ற சிலிக்கான் (a-Si: H என குறிக்கப்படுகிறது) அல்லது நானோகிரிஸ்டலின் சிலிக்கான் ("இடையக அடுக்கு") ஆகியவற்றின் மெல்லிய அடுக்கால் செயலிழக்கச் செய்யப்படுகிறது, மேலும் பொருத்தமான டோப் செய்யப்பட்ட உருவமற்ற சிலிக்கான் தேர்ந்தெடுக்கப்பட்ட தொடர்புகளின் மேலடுக்குகள். தேர்ந்தெடுக்கப்பட்ட தொடர்பு பொருள் மற்றும் உறிஞ்சுபவர் வெவ்வேறு பட்டை இடைவெளிகளைக் கொண்டுள்ளன, இது பாரம்பரிய சூரிய மின்கலங்களின் p-n சந்திப்புக்கு ஒத்த ஹெட்டோரோஜங்ஷனை உருவாக்குகிறது. ஹெட்டோரோஜங்ஷன் சூரிய மின்கலங்களின் உயர் செயல்திறன் பெரும்பாலும் இடையக அடுக்குகளின் சிறந்த செயலற்ற குணங்களுக்குக் கடன்பட்டுள்ளது, குறிப்பாக உறிஞ்சுபவரிடமிருந்து அதிக மறுசீரமைப்பு-செயலில் உள்ள உலோகத் தொடர்புகளைப் பிரிப்பது தொடர்பாக. உள்ளார்ந்த இடையக அடுக்குகள் திறம்பட கடத்தாதவை என்றாலும், தடிமன் பொதுவாக 10 நானோமீட்டருக்கும் குறைவாக இருப்பதால் சார்ஜ் கேரியர்கள் பரவுகின்றன. உறிஞ்சுதல் குணகம் ஓரளவு பேண்ட் இடைவெளியைப் பொறுத்தது என்பதால், ஃபோட்டான்களின் ஒட்டுண்ணி உறிஞ்சுதலைக் குறைக்க அதிக பேண்ட் இடைவெளியைக் கொண்டிருப்பது செயலற்ற அடுக்குக்கு சாதகமானது. அவற்றின் சமச்சீர் அமைப்பு காரணமாக, எஸ். எச். ஜே தொகுதிகள் பொதுவாக 90 சதவீதத்திற்கும் அதிகமான இருமுகத்தன்மை காரணியைக் கொண்டுள்ளன. மெல்லிய அடுக்குகள் பொதுவாக வெப்பநிலை உணர்திறன் கொண்டவை என்பதால், ஹெட்டோரோஜங்ஷன் செல்கள் குறைந்த வெப்பநிலை உற்பத்தி செயல்முறைக்கு கட்டுப்படுத்தப்படுகின்றன. இது மின்முனை உலோகமயமாக்கலுக்கு சவால்களை முன்வைக்கிறது, ஏனெனில் வழக்கமான வெள்ளி பேஸ்ட் திரை அச்சிடும் முறைக்கு 800 டிகிரி செல்சியஸ் வரை துப்பாக்கிச் சூடு தேவைப்படுகிறது; பெரும்பாலான இடையக அடுக்கு பொருட்களுக்கான மேல் சகிப்புத்தன்மையை விட அதிகம். இதன் விளைவாக, மின்முனைகள் குறைந்த குணப்படுத்தும் வெப்பநிலை வெள்ளி பேஸ்ட், வெள்ளி பூசப்பட்ட செம்பு பேஸ்ட் அல்லது மின் பூசப்பட்ட தாமிரம் ஆகியவற்றால் ஆனவை. ஹெட்டோரோஜங்ஷன் அமைப்பு மற்றும் படிக சிலிக்கானை திறம்பட செயலற்றதாக்கும் உருவமற்ற சிலிக்கான் அடுக்குகளின் திறன் 1970 களில் இருந்து நன்கு ஆவணப்படுத்தப்பட்டுள்ளது. உருவமற்ற மற்றும் படிக சிலிக்கானைப் பயன்படுத்தும் ஹெடெரோஜங்ஷன் சூரிய மின்கலங்கள் 1983 ஆம் ஆண்டில் 12 சதவீதத்திற்கும் அதிகமான மாற்று செயல்திறனுடன் உருவாக்கப்பட்டன. சான்யோ எலக்ட்ரிக் கம்பெனி (இப்போது பானாசோனிக் குழுமத்தின் துணை நிறுவனம்) 1990 களின் முற்பகுதியில் ஏ-சி மற்றும் மைக்ரோசி-சி உள்ளார்ந்த அடுக்குகள் உள்ளிட்ட ஹெட்டோரோஜங்ஷன் சாதனங்கள் தொடர்பான பல காப்புரிமைகளை தாக்கல் செய்தது, இது "உள்ளார்ந்த மெல்லிய அடுக்குடன் ஹெட்டோரோஜங்ஷன்" (எச்ஐடி) என்ற வர்த்தக முத்திரையை பெற்றது. உட்புற அடுக்கை சேர்ப்பது, சிக்கல் நிலைகளின் அடர்த்தியைக் குறைப்பதன் மூலம் டோப் செய்யப்பட்ட ஏ-சி ஹெட்டோரோஜங்ஷன் சூரிய மின்கலங்களின் செயல்திறனை கணிசமாக அதிகரித்தது, மேலும் இருண்ட சுரங்கப்பாதை கசிவு நீரோட்டங்களைக் குறைத்தது. 2011 ஆம் ஆண்டில் சான்யோ வழங்கிய காப்புரிமைகள் காலாவதியாகும் வரை எஸ். எச். ஜே சூரிய மின்கலங்களின் ஆராய்ச்சி மற்றும் மேம்பாடு அடக்கப்பட்டது, இது பல்வேறு நிறுவனங்களுக்கு எஸ். எச். ஜே தொழில்நுட்பத்தை வணிகமயமாக்குவதற்கு அனுமதித்தது. 2014 ஆம் ஆண்டில், 25 சதவீதத்திற்கும் அதிகமான மாற்று செயல்திறன் கொண்ட எச்ஐடி செல்கள் உருவாக்கப்பட்டன, இது ஒற்றை சந்திப்பு படிக சிலிக்கான் செல்களுக்கு மிக உயர்ந்ததாக இருந்தது. இந்த சாதனையை சமீபத்தில் 2018 ஆம் ஆண்டில் கனெகா கார்ப்பரேஷன் முறியடித்தது, இது 26.7% திறமையான பெரிய பகுதி இன்டர்டிஜிடேட்டட் பேக் காண்டாக்ட் (IBC) SHJ சூரிய மின்கலங்களை உற்பத்தி செய்தது, மீண்டும் 2022 ஆம் ஆண்டில் 26.81% செயல்திறனுடன் லாங்கி மூலம். 2023 ஆம் ஆண்டு நிலவரப்படி, இது மோனோஜங்ஷன் சிலிக்கான் சூரிய மின்கலங்களுக்கான மிக உயர்ந்த பதிவு செய்யப்பட்ட செயல்திறன் ஆகும். ஹெடெரோஜங்ஷன் தொகுதிகள் 23.89% வரை செயல்திறனுடன் புனையப்பட்டுள்ளன. 2023 ஆம் ஆண்டில், எஸ். எச். ஜே மோனோலிதிக் டாண்டம் செல்களில் பெரோவ்ஸ்கைட்டுடன் இணைந்து 33.2% இல் மிக உயர்ந்த இரட்டை சந்திப்பு செல் செயல்திறனை பதிவு செய்தது. எஸ். எச். ஜே சூரிய மின்கலங்கள் இப்போது ஜிகாவாட் அளவில் பெருமளவில் உற்பத்தி செய்யப்படுகின்றன. 2022 ஆம் ஆண்டில், எஸ். எச். ஜே உற்பத்தி வழித்தடங்களை நிறுவ அல்லது விரிவுபடுத்த திட்டமிடப்பட்ட திட்டங்கள் ஆண்டுக்கு சுமார் 350 ஜிகாவாட் கூடுதல் திறன் கொண்டவை. ஹுவாசன், ரைசன், ஜிங்காங் (கோல்டன் கிளாஸ்), லாங்கி, மேயர் பர்கர் மற்றும் பல போன்ற 24 க்கும் மேற்பட்ட (பெரும்பாலும் சீன) உற்பத்தியாளர்கள் தங்கள் பன்முக செயல்பாட்டு உற்பத்தி திறனைத் தொடங்குகிறார்கள் அல்லது அதிகரிக்கிறார்கள். பயன்பாட்டு அளவிலான திட்டங்கள் 2022 ஆம் ஆண்டின் தொடக்கத்தில், பல்கேரியாவின் பஸார்ட்சிக் மாகாணத்தில் உள்ள அப்ரில்ட்ஸி கிராமத்திற்கு அருகே பல்கேரிய ஈ. பி. சி நிறுவனமான இனெர்காம் 150 மெகாவாட் ஹெட்டோரோஜங்ஷன் சூரிய பண்ணையை நிறைவு செய்தது-அந்த நேரத்தில் மிகப்பெரிய எச். ஜே. டி சூரிய பண்ணை, தொகுதி சப்ளையர் ஹுவாசனின் செய்திக்குறிப்பில் தெரிவிக்கப்பட்டுள்ளது. 2023 ஆம் ஆண்டில், அதே சப்ளையர் இனெர்காமிற்கு எச். ஜே. டி தொகுதிகளின் மேலும் 1.5 ஜிகாவாட் விநியோக ஒப்பந்தத்தை அறிவித்தார். செயல்திறன் செயல்திறன் மற்றும் மின்னழுத்தம் எஸ். எச். ஜே ஆய்வகத்தில் (உலக சாதனை செயல்திறன்) மற்றும் வணிக உற்பத்தி (சராசரி செயல்திறன்) ஆகிய இரண்டிலும் படிக சிலிக்கான் சூரிய மின்கலங்களில் மிக உயர்ந்த செயல்திறனைக் கொண்டுள்ளது. 2023 ஆம் ஆண்டில், வணிக ரீதியான எஸ். எச். ஜே செல்களுக்கான சராசரி செயல்திறன் 25.0% ஆக இருந்தது, இது என்-வகை டோப்கானுக்கு 24.9% மற்றும் பி-வகை பிஇஆர்சிக்கு 23.3% உடன் ஒப்பிடும்போது. உயர் செயல்திறன் பெரும்பாலும் மிக உயர்ந்த திறந்த சுற்று மின்னழுத்தங்களுக்குக் கடன்பட்டுள்ளது-தொடர்ந்து 700 எம். வி. க்கு மேல்-சிறந்த மேற்பரப்பு செயலற்ற தன்மையின் விளைவாக. 2023 முதல், பெரோவ்ஸ்கைட் டான்டெம்களில் உள்ள எஸ். எச். ஜே கீழ் செல்கள் 33.2% இல் மிக உயர்ந்த 2-சந்திப்பு செல் செயல்திறனைக் கொண்டுள்ளன. அவற்றின் உயர்ந்த மேற்பரப்பு செயலற்ற தன்மை காரணமாக, ஹெட்டோரோஜங்ஷன் செல்கள் பொதுவாக மற்ற சிலிக்கான் சூரிய மின்கலங்களை (டோப்கான் போன்றவை) விட குறைந்த டையோடு செறிவு மின்னோட்ட அடர்த்தியைக் கொண்டுள்ளன, இது மிக அதிக நிரப்பு காரணி மற்றும் மின்னழுத்தத்தை அனுமதிக்கிறது; எனவே அதிக செயல்திறனை பதிவு செய்கிறது. இருமுகத்தன்மை என்பது சூரிய மின்கலத்தின் முன் அல்லது பின்புற மேற்பரப்பில் இருந்து ஒளியை ஏற்றுக்கொள்ளும் திறனைக் குறிக்கிறது. பின்புற மேற்பரப்பில் இருந்து ஒளி சேகரிப்பது பயன்படுத்தப்பட்ட சூரிய வரிசைகளில் ஆற்றல் விளைச்சலை கணிசமாக மேம்படுத்தும். SHJ செல்கள் இருபுறமும் ஒரு கடத்தும் ARC உடன் தயாரிக்கப்படலாம், இது பின்புற கட்டம் கொண்ட PERC செல்களுக்கு ~70% உடன் ஒப்பிடும்போது, 90 சதவீதத்திற்கு மேல் இரு முகக் காரணியை அனுமதிக்கிறது. இரு முக சூரிய மின் தொகுதிகள் 2032ஆம் ஆண்டுக்குள் மோனோஃபேஷியல் தொகுதிகளில் தங்கள் சந்தைப் பங்கை 85 சதவீதமாக கணிசமாக அதிகரிக்கும் என்று எதிர்பார்க்கப்படுகிறது. ஆயுள் காலம் அவற்றின் உயர் இருமுகத்தன்மை காரணமாக, சிலிக்கான் ஹெட்டோரோஜங்ஷன் தொகுதிகள் மற்ற செல் தொழில்நுட்பங்களுடன் ஒப்பிடும்போது கண்ணாடி-கண்ணாடி தொகுதி வடிவமைப்புகளின் அதிக நன்மைகளைப் பயன்படுத்த முடியும். EPE என்கேப்சுலண்டைப் பயன்படுத்தும் கண்ணாடி-கண்ணாடி தொகுதிகள் நீர் உட்செலுத்தப்படுவதைத் தடுப்பதில் குறிப்பாக பயனுள்ளதாக இருக்கும், இது PV தொகுதிகளில் செயல்திறன் சீரழிவுக்கு குறிப்பிடத்தக்க காரணமாகும். பொருத்தமான தொகுதி என்கேப்சுலண்டுடன் பயன்படுத்தப்படும்போது, ஒரு கண்ணாடி-கண்ணாடி எஸ். எச். ஜே தொகுதி பொதுவாக 30 ஆண்டுகளுக்கும் மேலான செயல்பாட்டு ஆயுட்காலம் கொண்டதாக இருக்கும் என்று எதிர்பார்க்கப்படுகிறது; இது ஒரு கண்ணாடி-பாலிமர் படலம் பின் தாளை விட கணிசமாக நீண்டது (2023 ஆம் ஆண்டு நிலவரப்படி மிக உயர்ந்த சந்தை பங்கைக் கொண்ட தொகுதி தொழில்நுட்பம்). கண்ணாடி-கண்ணாடி தொகுதிகள் கண்ணாடி-பின் தாள் தொகுதிகளை விட கனமானவை, இருப்பினும் மென்மையான கண்ணாடி தொழில்நுட்பங்கள் மற்றும் தொகுதி வடிவமைப்புகளில் முன்னேற்றம் காரணமாக, கண்ணாடி தடிமன் (எனவே எடை) குறையும் என்று எதிர்பார்க்கப்படுகிறது, 2030 களில் பிரதான நீரோட்டம் 3.2 மிமீ முதல் 2 மிமீ அல்லது அதற்கும் குறைவாக இருக்கும். இதன் விளைவாக, ஐ. டி. ஆர். பி. வி (2023) படி 2020 களின் நடுப்பகுதியில் கண்ணாடி-கண்ணாடி தொகுதிகள் ஆதிக்கம் செலுத்தும் பிவி தொழில்நுட்பமாக மாறும் என்று எதிர்பார்க்கப்படுகிறது. எடுத்துக்காட்டாக, பயன்பாட்டு அளவுகோல் 680 டபிள்யூ ஹெட்டோரோஜங்ஷன் தொகுதிகள் 30 ஆண்டு செயல்திறன் 93 சதவீதத்துடன் எனெல் 2022 இல் அறிவித்தது. வெப்பநிலை குணகம் என்பது சூரிய மண்டலத்தின் வெளியீட்டு சக்தி வெப்பநிலையுடன் எவ்வாறு மாறுகிறது என்பதைக் குறிக்கிறது. பொதுவாக, சூரிய தொகுதிகள் உயர்ந்த வெப்பநிலையில் வெளியீட்டு சக்தி மற்றும் செயல்திறன் குறைவதைக் காண்கின்றன. ஆய்வக சோதனை மற்றும் சப்ளையர் தரவுத்தொகுப்பு ஆய்வுகளிலிருந்து, எஸ். எச். ஜே செல்களுடன் புனையப்பட்ட தொகுதிகள் தொடர்ந்து சமமான அல்லது குறைந்த வெப்பநிலை குணகத்தை அளவிடுகின்றன (அதாவது. அல்-பிஎஸ்எஃப், பிஇஆர்சி, பிஇஆர்டி மற்றும் கலப்பின பிஇஆர்டி/பின்புற-ஹீட்டோரோஜங்ஷன் சூரிய மின்கலங்களுடன் ஒப்பிடும்போது செயல்திறன் குறைவது குறைவானது). திறந்த சுற்று மின்னழுத்தம், அதிகபட்ச சக்தி புள்ளி சக்தி, குறுகிய சுற்று மின்னோட்டம் மற்றும் நிரப்பு காரணி உள்ளிட்ட பல்வேறு அளவுருக்களுக்கு இது பொருந்தும். சூரிய மின்கலங்களின் வெப்பநிலை உணர்திறன் உறிஞ்சும் பட்டை இடைவெளி திறனுடன் ஒப்பிடும்போது அதிக திறந்த சுற்று மின்னழுத்தங்களுடன் நேர்மாறாக தொடர்புபடுத்தப்பட்டுள்ளது, மார்ட்டின் கிரீன் 1982 இல் குறிப்பிட்டது போல; "சிலிக்கான் சூரிய மின்கலங்களின் திறந்த சுற்று மின்னழுத்தம் தொடர்ந்து மேம்படுவதால், இதன் விளைவாக ஏற்படும் ஒரு நன்மை, பரவலாக பாராட்டப்படாதது, சாதனத்தின் செயல்திறனின் வெப்பநிலை உணர்திறன் குறைகிறது". இவ்வாறு எஸ். எச். ஜே செல்களின் குறைந்த வெப்பநிலை உணர்திறன் நன்கு செயலற்ற தொடர்புகளிலிருந்து அதிகமாக உள்ளது. உற்பத்தி ஆற்றல் நுகர்வு எஸ். எச். ஜே உற்பத்தி கோடுகள் அடிப்படையில் பரவல் அல்லது உலோக பேஸ்ட் குணப்படுத்தும் உலைகள் போன்ற உயர் வெப்பநிலை உபகரணங்களைப் பயன்படுத்துவதில்லை, மேலும் சராசரியாக புனையப்பட்ட செல்களின் ஒரு வாடுக்கு குறைந்த மின் நுகர்வு உள்ளது. சீனா பிவி இண்டஸ்ட்ரி டெவலப்மெண்ட் ரோட்மேப்பின் படி, 2022 ஆம் ஆண்டில், என்-வகை ஹெடெரோஜங்ஷன் செல் கோடுகளின் சராசரி மின்சார நுகர்வு 47,000 கிலோவாட்/மெகாவாட் ஆகும், அதே நேரத்தில் பி-வகை பிஇஆர்சி உற்பத்தி கோடுகள் சுமார் 53,000 கிலோவாட்/மெகாவாட் மற்றும் என்-வகை டோப்கானுக்கு சுமார் 56,000 கிலோவாட்/மெகாவாட் ஆகும். 2030ஆம் ஆண்டுக்குள், என்-வகை ஹெடெரோஜங்ஷன், பி-வகை பிஇஆர்சி மற்றும் என்-வகை டோப்கான் செல் உற்பத்தி வழித்தடங்களின் மின் நுகர்வு முறையே 34,000 கிலோவாட்/மெகாவாட், 35,000 கிலோவாட்/மெகாவாட் மற்றும் 42,000 கிலோவாட்/மெகாவாட் ஆகக் குறையும் என்று மதிப்பிடப்பட்டுள்ளது. ஒரு 2014 ஆய்வில் ஒரு எஸ். எச். ஜே தொகுதியின் ஆற்றல் திருப்பிச் செலுத்தும் நேரம் ஒன்றரை ஆண்டுகள் என்று மதிப்பிடப்பட்டுள்ளது, இது ஒரு வழக்கமான மோனோகிரிஸ்டலின் தொகுதியின் 1.8 ஆண்டுகளுடன் ஒப்பிடும்போது; இந்த எண்ணிக்கை 25 சதவீத செயல்திறனைக் கருதி 2020 ஆம் ஆண்டில் ஒரு வருங்கால தொகுதிக்கு முறையே 0.94 ஆண்டுகள் மற்றும் 1.2 ஆண்டுகளாகக் குறையும் என்று மதிப்பிடப்பட்டுள்ளது. இதேபோல், 2020 SHJ தொகுதிகளுக்கான வாழ்க்கைச் சுழற்சி CO2-சமமான உமிழ்வுகள் ஒரு kWh க்கு 20 கிராம் மற்றும் ஒரு வழக்கமான மோனோகிரிஸ்டலின் தொகுதிக்கு 25 கிராம் என மதிப்பிடப்பட்டுள்ளது. சூரிய மின்கலங்களில் பயன்படுத்தப்படும் சிலிக்கான் நுகர்வு படிக சிலிக்கான் செதில்கள் பொதுவாக 130-180 μm க்கு இடையில் தடிமன் கொண்டவை. நுகரப்படும் சிலிக்கான் வேஃபரின் நிறை சூரிய தொகுதியின் செலவில் குறிப்பிடத்தக்க விகிதத்தைக் கொண்டுள்ளது, மேலும் வேஃபர் தடிமனைக் குறைப்பது குறிப்பிடத்தக்க செலவுக் குறைப்பை அடைவதற்கான ஆற்றலைக் கொண்டுள்ளது. மெல்லிய சிலிக்கானில் குறைவான ஃபோட்டான்கள் உறிஞ்சப்படுகின்றன. இருப்பினும், மேற்பரப்பு மறுசீரமைப்பு திறம்பட அடக்கப்படும் வரை, மெல்லிய செதில்கள் மிக அதிக திறந்த சுற்று மின்னழுத்தங்களை பராமரிக்கலாம் அல்லது மேம்படுத்தலாம். அதாவது, திறந்த சுற்று மின்னழுத்தத்தின் அதிகரிப்பு குறுகிய சுற்று மின்னோட்டத்தில் ஏற்படும் இழப்புகளை ஈடுசெய்யக்கூடும். மேற்பரப்புகள் நன்கு செயலற்ற நிலையில் இருந்தால் அடி மூலக்கூறின் பெரும்பகுதியில் மறுசீரமைப்பின் அதிக விகிதம் ஏற்படுவதால், தடிமனைக் குறைப்பது மொத்த குறைபாடுகளின் அளவைக் குறைக்கிறது. எஸ். எச். ஜே செல்கள் சிறந்த மேற்பரப்பு செயலற்ற தன்மையைக் கொண்டிருப்பதால், அவற்றின் வேஃபர் தடிமனைக் குறைப்பது மற்ற படிக சிலிக்கான் சூரிய மின்கல தொழில்நுட்பங்களைக் காட்டிலும் மிகவும் சாத்தியமானது. எனவே, ஒரு பெரிய அளவிலான வேஃபர் தடிமன் மீது அதிக செயல்திறன் பதிவாகியுள்ளது, குறைந்தபட்சம் 50 மைக்ரோமீட்டர் வரிசையில் உள்ளது. வணிக-தர n-வகை அடி மூலக்கூறுகளில், உகந்த தடிமன் 40-60 μm என மதிப்பிடப்பட்டுள்ளது. இந்த நன்மை செயலற்ற தொடர்புகள் அல்லது PERC போன்ற மோசமான மேற்பரப்பு மறுசீரமைப்பு கொண்ட தொழில்நுட்பங்களில் காணப்படவில்லை, இதில் உகந்த தடிமன் 100 மைக்ரோமீட்டருக்கும் அதிகமாக உள்ளது. குறைபாடுகள் என்-வகை சிலிக்கானில் உற்பத்தி நம்பகத்தன்மை அதிக செயல்திறன் கொண்ட எஸ். எச். ஜே செல்களை பி-வகை சிலிக்கான் அடி மூலக்கூறைப் பயன்படுத்தி உற்பத்தி செய்ய முடியும் என்றாலும், எஸ். எச். ஜே உற்பத்தியில் குறைந்த வெப்பநிலை கட்டுப்பாடு பெறுதல் செயல்முறையை (மாசுபடுத்தும் குறைபாடுகளை நிர்வகிப்பது) சாத்தியமற்றதாக ஆக்குகிறது மற்றும் மொத்த ஹைட்ரஜனேற்றம் நம்பத்தகுந்த வகையில் அதிகப்படியான குறைபாடுகளை செயலற்றதாக்க முடியாது. அசுத்தமான மாற்றம் உலோக குறைபாடுகளின் அதே செறிவுக்கு, எலக்ட்ரான்களுடன் ஒப்பிடும்போது துளைகளின் சிறிய பிடிப்பு குறுக்குவெட்டு (சிறுபான்மை சார்ஜ் கேரியர்) காரணமாக n-வகை செதில்கள் அதிக சிறுபான்மை கேரியர் வாழ்நாளைக் கொண்டுள்ளன. இதேபோல், எலக்ட்ரான்கள் மற்றும் துளைகளின் பிடிப்பு குறுக்குவெட்டு விகிதம் மேற்பரப்பு நிலைகளுக்கு பெரியது (எ. கா. சிலிக்கான் தொங்கும் பிணைப்புகள்) மற்றும் எனவே நன்கு செயலற்ற மேற்பரப்புகள் n-வகை செதில்களில் அடைய எளிதானது. இந்த காரணங்களுக்காக, மொத்த வாழ்நாளை மேம்படுத்துவதற்கான சிரமமான நடவடிக்கைகள் குறைக்கப்படுவதாலும், ஒளியால் தூண்டப்பட்ட சீரழிவு ஏற்படும் ஆபத்து குறைக்கப்படுவதாலும், என்-வகை செதில்கள் உற்பத்திக்கு மிகவும் விரும்பப்படுகின்றன. இருப்பினும், n-வகை செதில்களின் விலை பொதுவாக p-வகையை விட 8-10% அதிகமாக இருக்கும் என்று குறிப்பிடப்படுகிறது. என்-வகை செதில்களின் அதிக விலை சிலிக்கானில் உள்ள பாஸ்பரஸின் சிறிய பிரிப்பு குணகம் காரணமாகும், அதே நேரத்தில் டோப் செய்யப்பட்ட மோனோகிரிஸ்டலின் இங்காட்டுகள் வளர்கின்றன. இது இங்கோட்டின் நீளம் முழுவதும் எதிர்ப்பில் ஒரு சிக்கலான மாறுபாட்டை ஏற்படுத்துகிறது, இதனால் சுமார் 75 சதவீதம் அளவு மட்டுமே பி. வி உற்பத்தியாளர்களின் தேவைக்கேற்ப எதிர்ப்பு சகிப்புத்தன்மையை பூர்த்தி செய்கிறது. மேலும், பல முறை மீண்டும் பயன்படுத்தப்பட்ட சிலுவைகளில் வளர்க்கப்படும் n-வகை இங்காட்டுகள் (ரீசார்ஜ் செய்யக்கூடிய சொக்ரால்ஸ்கி; RCz) ஏற்றுக்கொள்ளப்படுவதற்கான வாய்ப்புகள் குறைவு. படிக சிலிக்கான் சூரிய மின்கலங்களை உற்பத்தி செய்வதற்கான முதல் படிகளில் ஒன்று சிலிக்கான் வேஃபர் அடி மூலக்கூறின் மேற்பரப்பை கட்டமைத்தல் மற்றும் சுத்தம் செய்தல் ஆகும். மோனோகிரிஸ்டலின் செதில்களுக்கு, இது ஒரு அல்கலைன் கரைசலின் (பொதுவாக பொட்டாசியம் ஹைட்ராக்சைடு அல்லது உலோக அயனி இல்லாத டெட்ராமெத்திலமோனியம் ஹைட்ராக்சைடு) கலவையைப் பயன்படுத்தி ஒரு அனிசோட்ரோபிக் ஈரமான இரசாயன எச்சத்தையும், பொறித்தல் அனிசோட்ரோபியை அதிகரிக்க ஒரு கரிம சேர்க்கையையும் உள்ளடக்கியது (பாரம்பரியமாக ஐசோபுரோபைல் ஆல்கஹால், ஆனால் இப்போது தனியுரிம சேர்க்கைகள் பயன்படுத்தப்படுகின்றன). பொறித்தல் ஒளி-பொறி பிரமிடு அமைப்பை உருவாக்குகிறது, இது முடிக்கப்பட்ட சூரிய மின்கலத்தின் வெளியீட்டு மின்னோட்டத்தை மேம்படுத்துகிறது. PERC உடன் ஒப்பிடும்போது SHJ க்கான மேற்பரப்பு தூய்மைக்கான கடுமையான தேவைகள் காரணமாக, அமைப்பு மற்றும் சுத்தம் செய்யும் செயல்முறை ஒப்பீட்டளவில் மிகவும் சிக்கலானது மற்றும் அதிக இரசாயனங்களை பயன்படுத்துகிறது. ஆர்சிஏ சுத்தம் செய்தல், கரிமங்களை அகற்ற கந்தக அமிலம்/பெராக்சைடு கலவைகள், ஹைட்ரோகுளோரிக் அமிலத்தைப் பயன்படுத்தி உலோக அயனிகளை அகற்றுதல் மற்றும் நைட்ரிக் அமில ஆக்ஸிஜனேற்ற சுத்தம் மற்றும் எச்சம்-முதுகுகள் ஆகியவை இந்த மேற்பரப்பு சிகிச்சை நடவடிக்கைகளில் சிலவாகும். ஆராய்ச்சியின் சமீபத்திய முன்னேற்றங்கள், ஓசோனேற்றப்பட்ட தண்ணீருடன் ஆக்ஸிஜனேற்ற சுத்தம் செயல்முறை செயல்திறனை மேம்படுத்தவும் கழிவுகளைக் குறைக்கவும் உதவும் என்று கண்டறிந்துள்ளது, அதே மேற்பரப்பு தரத்தை பராமரிக்கும் அதே நேரத்தில் ஆர். சி. ஏ சுத்தம் செய்வதை முழுமையாக மாற்றுவதற்கான சாத்தியக்கூறுடன். சில்வர் பேஸ்ட் ஸ்கிரீன் பிரிண்டிங் பெரும்பாலான சூரிய மின்கலங்கள் திரை அச்சிடப்பட்ட பேஸ்ட் மின்முனைகள் மூலம் தயாரிக்கப்படுகின்றன. எஸ். எச். ஜே செல்கள் குறைந்த வெப்பநிலை செயல்முறைக்கு கட்டுப்படுத்தப்படுகின்றன, எனவே அவற்றின் மின்முனைகளுக்கு பாரம்பரிய உலை-எரியும் வெள்ளி பேஸ்டைப் பயன்படுத்த முடியாது, அதாவது பி. இ. ஆர். சி, டோப்கான் மற்றும் அல்-பி. எஸ். எஃப் செல்களில் பயன்படுத்தப்படுகிறது. குறைந்த வெப்பநிலை பேஸ்ட் கலவை SHJ இன் செயல்திறன் மற்றும் பொருளாதாரத்தில் பல காரணிகளை சமரசம் செய்கிறது, அதாவது அதிக வெள்ளி நுகர்வு மற்றும் குறைந்த கட்ட கடத்துத்திறன். மேலும், எஸ். எச். ஜே செல்களில் குறைந்த வெப்பநிலை வெள்ளி பேஸ்ட்டின் திரை அச்சிடும் செயல்முறையும் பொதுவாக பி. இ. ஆர். சி திரை அச்சிடும் கோடுகளுடன் ஒப்பிடும்போது கணிசமாக குறைந்த செயல்திறனைக் கொண்டுள்ளது, ஏனெனில் உற்பத்தியாளர்கள் பெரும்பாலும் குறைந்த அச்சிடும் மற்றும் வெள்ள வேகத்தை உயர் தரமான கட்டத்தை அடைய பயன்படுத்துகிறார்கள். மாற்று வழிகள் உருவாக்கப்படாவிட்டால் டெராவாட் அளவிலான சூரிய ஒளி உலகளாவிய வெள்ளித் தேவையில் கணிசமான பகுதியை நுகரும் என்று எதிர்பார்க்கப்படுகிறது. எஸ். எச். ஜே. க்கான வெள்ளி நுகர்வு குறைக்கக்கூடிய வளர்ந்து வரும் தொழில்நுட்பங்களில் வெள்ளி பூசப்பட்ட செம்பு பேஸ்ட், வெள்ளி நானோ துகள்கள் மை மற்றும் மின் பூசப்பட்ட செம்பு ஆகியவை அடங்கும். தொழில்நுட்ப முதிர்வு எஸ். எச். ஜே உற்பத்தி கோடுகள் பெரும்பாலும் புதிய உபகரணங்களைக் கொண்டுள்ளன. எனவே எஸ். எச். ஜே. டி. ஓ. பி. சி. ஓன் உற்பத்தியுடன் போட்டியிடுவதில் சிரமங்களை அனுபவிக்கிறது, ஏனெனில் தற்போதுள்ள பி. இ. ஆர். சி உற்பத்தி வரிகளை டி. ஓ. பி. சி. ஓனுக்கு ஒப்பீட்டளவில் எளிதாக மறுசீரமைக்க முடியும். வூட் மெக்கென்சியின் (டிசம்பர் 2022) ஒரு அறிக்கை, இந்த காரணத்திற்காக பணவீக்கக் குறைப்புச் சட்டத்தின் வெளிச்சத்தில் அமெரிக்காவில் புதிய தொகுதி உற்பத்திக்கு எஸ். எச். ஜே. ஐ விட டோப்கான் விரும்பப்படும் என்று கணித்துள்ளது, அதிக செயல்திறன் மற்றும் மூலதன செலவினங்களுக்கு இடையிலான விரும்பத்தக்க சமநிலையை மேற்கோளிட்டுள்ளது. ஒரு "முன்-இணைப்பு" ஹெட்டோரோஜங்ஷன் சூரிய மின்கலம் சிலிக்கான் அடுக்குகளின் p-i-n-i-n-டோப் செய்யப்பட்ட அடுக்கால் ஆனது; நடுவில் ஒரு n-வகை படிக சிலிக்கான் வேஃபர் மற்றும் மற்றவை உருவமற்ற மெல்லிய அடுக்குகளாக உள்ளன. பின்னர், ஒளி மற்றும் மின்னோட்ட சேகரிப்புக்கு ஒரு வெளிப்படையான கடத்தும் ஆக்சைடு (டி. சி. ஓ) எதிர் பிரதிபலிப்பு பூச்சு மற்றும் உலோக கட்டத்தின் மேலோட்டங்கள் பயன்படுத்தப்படுகின்றன. எஸ். எச். ஜே கட்டமைப்பின் அதிக இருமுகத்தன்மை காரணமாக, இதேபோன்ற என்-ஐ-என்-ஐ-பி "பின்புற-இணைப்பு" உள்ளமைவும் உற்பத்தியாளர்களால் பயன்படுத்தப்படுகிறது, மேலும் செயல்முறையைப் பொறுத்து நன்மைகளைக் கொண்டிருக்கலாம். குறிப்பாக, பின்புற-இணைப்பு உள்ளமைவுகள் உற்பத்தியில் விரும்பப்படுகின்றன, ஏனெனில் அவை பக்கவாட்டு எலக்ட்ரான் போக்குவரத்தின் அதிக விகிதத்தை முன் டி. சி. ஓ. வை விட உறிஞ்சியில் மாற்ற அனுமதிக்கின்றன. எனவே முன் பக்கத்தின் தாள் எதிர்ப்பு குறைக்கப்படுகிறது மற்றும் டி. சி. ஓ செயல்முறை அளவுருக்கள் மீதான கட்டுப்பாடுகள் தளர்த்தப்படுகின்றன, இது செயல்திறன் மற்றும் செலவு நன்மைகளுக்கு வழிவகுக்கிறது. உறிஞ்சுதல் எலக்ட்ரான்-துளை ஜோடிகள் உருவாகும் அடி மூலக்கூறு, பொதுவாக பாஸ்பரஸ் கொண்ட n-வகை மோனோகிரிஸ்டலின் சிலிக்கான் ஆகும். உயர் செயல்திறன் கொண்ட எஸ். எச். ஜே சூரிய மின்கலங்களின் தொழில்துறை உற்பத்தியில், உயர் தரமான என்-வகை சோக்ரால்ஸ்கி சிலிக்கான் தேவைப்படுகிறது, ஏனெனில் குறைந்த வெப்பநிலை செயல்முறை கெட்டர்னிங் மற்றும் மொத்த ஹைட்ரஜனேற்றத்தின் நன்மைகளை வழங்க முடியாது. அடி மூலக்கூறுக்கு வெளியே உறிஞ்சப்படும் ஃபோட்டான்கள் ஃபோட்டோகிரண்டிற்கு பங்களிக்காது மற்றும் குவாண்டம் செயல்திறனில் இழப்புகளை ஏற்படுத்துகின்றன. இடையக மற்றும் கேரியர் தேர்வு இடையக அடுக்குகள் உள்ளார்ந்த உருவமற்ற சிலிக்கான் சிலேன் (சிஹெச் 4) மற்றும் ஹைட்ரஜன் (எச் 2) கலவையிலிருந்து பி. இ. சி. வி. டி ஐப் பயன்படுத்தி அடி மூலக்கூறின் இருபுறமும் டெபாசிட் செய்யப்படுகிறது, இது ஹெட்டோரோஜங்ஷனை உருவாக்கி மேற்பரப்பை செயலற்றதாக்குகிறது. இடையக அடுக்கு போதுமான செயலற்ற தன்மையை வழங்க போதுமான தடிமனாக இருக்க வேண்டும், இருப்பினும் கேரியர் போக்குவரத்தை கணிசமாக தடுக்கவோ அல்லது ஒளியை உறிஞ்சவோ போதுமான மெல்லியதாக இருக்க வேண்டும். இடையக அடுக்கு 1-10 nm தடிமன் வரிசையில் உள்ளது. இடையக அடுக்கு அமைப்பு மற்றும் உலோக-இன்சுலேட்டர்-செமிகண்டக்டர் (எம்ஐஎஸ்) சூரிய மின்கலங்களுக்கு இடையிலான ஒற்றுமைகள் இருந்தபோதிலும், எஸ்எச்ஜே குறைந்த கடத்துத்திறன் இடையக அடுக்கு வழியாக கேரியர் போக்குவரத்துக்கு குவாண்டம் சுரங்கப்பாதையை நம்பியிருக்க வேண்டிய அவசியமில்லை; கேரியர் பரவல் ஒரு முக்கியமான போக்குவரத்து பொறிமுறையாகும். சாளர அடுக்குகள் தேர்ந்தெடுக்கப்பட்ட தொடர்புகள் ("சாளர அடுக்குகள்" என்றும் குறிப்பிடப்படுகின்றன) பின்னர் இதேபோல் பி-மற்றும் என்-வகை அதிக டோப் செய்யப்பட்ட உருவமற்ற சிலிக்கான் அடுக்குகளின் படிவு மூலம் உருவாக்கப்படுகின்றன. டோபன்ட் வாயுக்களின் எடுத்துக்காட்டுகளில் n-வகைக்கு பாஸ்பைன் (PH3) மற்றும் p-வகைக்கு ட்ரைமெத்தில் போரேன் (B (CH3) 3) அல்லது டைபோரேன் (B2H6) ஆகியவை அடங்கும். அதன் குறைபாடுள்ள தன்மை காரணமாக, டோப் செய்யப்பட்ட உருவமற்ற சிலிக்கான் (உள்ளார்ந்ததற்கு மாறாக) படிக சிலிக்கானுக்கு செயலற்ற தன்மையை வழங்க முடியாது; இதேபோல் அத்தகைய ஏ-சி அடுக்கின் எபிடாக்சியல் வளர்ச்சி செயலற்ற தன்மை மற்றும் செல் செயல்திறனுக்கு கடுமையான தீங்கு விளைவிக்கும் மற்றும் படிவு போது தடுக்கப்பட வேண்டும். நானோகிரிஸ்டலின் சாளர அடுக்கு எஸ். எச். ஜே செயல்திறனில் சமீபத்திய முன்னேற்றங்கள் எலக்ட்ரான் தொடர்புக்கு என்-வகை உருவமற்ற சிலிக்கானுக்குப் பதிலாக என்-வகை நானோகிரிஸ்டலின் சிலிக்கான் ஆக்சைடு (என். சி-சிஓஎக்ஸ்ஃ எச்) படலங்களை படிவு செய்வதன் மூலம் செய்யப்பட்டுள்ளன. பொதுவாக "நானோகிரிஸ்டலின் சிலிக்கான் ஆக்சைடு" என்று குறிப்பிடப்படும் பொருள் உண்மையில் ஒரு உருவமற்ற சிலிக்கான் ஆக்சைடு மேட்ரிக்ஸில் பதிக்கப்பட்ட நானோ அளவிலான சிலிக்கான் படிகங்களால் ஆன இரண்டு கட்ட பொருள் ஆகும். சிலிக்கான் ஆக்சைடு அதிக பட்டை இடைவெளியைக் கொண்டுள்ளது மற்றும் உருவமற்ற சிலிக்கானை விட ஒளியியல் ரீதியாக மிகவும் வெளிப்படையானது, அதேசமயம் நெடுவரிசை நானோகிரிஸ்டல்கள் செங்குத்து கேரியர் போக்குவரத்தை மேம்படுத்துகின்றன மற்றும் கடத்துத்திறனை அதிகரிக்கின்றன, இதனால் குறுகிய சுற்று மின்னோட்ட அடர்த்தி அதிகரிக்கிறது மற்றும் தொடர்பு எதிர்ப்பைக் குறைக்கிறது. PECVD இன் போது பொருள் பட்டை இடைவெளியை வெவ்வேறு அளவிலான கார்பன் டை ஆக்சைடுடன் இணைக்க முடியும். உருவமற்ற சிலிக்கானை நானோகிரிஸ்டலின் சிலிக்கான்/சிலிக்கான் ஆக்சைடுடன் மாற்றுவது ஏற்கனவே சில உற்பத்தியாளர்களால் என்-வகையுடன் ஒருங்கிணைக்கப்பட்டுள்ளது, பி-வகை (துளை தொடர்பு) எதிர்காலத்தில் பின்பற்றப்படும். உகந்த நானோகிரிஸ்டலின் துளை தொடர்பு லின் மற்றும் பலவற்றை உற்பத்தி செய்வதில் கருவியாக இருந்தது. (2023) 26.81% மின் மாற்ற செயல்திறன் உலக சாதனை. எதிர் பிரதிபலிப்பு பூச்சு மற்றும் கடத்தும் ஆக்சைடு இரட்டை நோக்க எதிர் பிரதிபலிப்பு பூச்சு (ஏ. ஆர். சி) மற்றும் கேரியர் டிரான்ஸ்போர்ட் அடுக்கு, பொதுவாக இண்டியம் தகர ஆக்சைடு (ஐ. டி. ஓ) ஆல் ஆனது, தேர்ந்தெடுக்கப்பட்ட தொடர்புகளின் மீது இருபுறமும் சிதறடிக்கப்படுகிறது. இண்டியம் தகர ஆக்சைடு ஒரு வெளிப்படையான கடத்தும் ஆக்சைடு (டி. சி. ஓ) ஆகும், இது ஒளி பரிமாற்றத்தை கணிசமாக தடுக்காமல் தொடர்பு மேற்பரப்புகளின் பக்கவாட்டு கடத்துத்திறனை மேம்படுத்துகிறது. இது அவசியம், ஏனெனில் உருவமற்ற அடுக்குகள் அவற்றின் அதிக ஊக்கமருந்து அளவுகள் இருந்தபோதிலும் ஒப்பீட்டளவில் அதிக எதிர்ப்பைக் கொண்டுள்ளன, எனவே டி. சி. ஓ கேரியர்களை தேர்ந்தெடுக்கப்பட்ட தொடர்பிலிருந்து உலோக மின்முனைகளுக்கு கொண்டு செல்ல அனுமதிக்கிறது. அழிவுகரமான குறுக்கீடு எதிர் பிரதிபலிப்பு பண்புகளுக்கு, சூரிய நிறமாலையின் உச்சத்தில் (சுமார் 550 என்எம்) உகந்த ஒளியைப் பிடிக்கத் தேவையான தடிமனுக்கு டி. சி. ஓ டெபாசிட் செய்யப்படுகிறது. ஒற்றை அடுக்கு ஏ. ஆர். சி. க்கான உகந்த தடிமன் வழங்கப்படுகிறது; அடுக்கு தடிமன் எங்கே, குறைந்தபட்ச பிரதிபலிப்பின் விரும்பிய அலைநீளம் மற்றும் பொருளின் ஒளிவிலகல் குறியீடாகும். ஐடிஓவின் ஒளிவிலகல் குறியீட்டைப் பொறுத்து (பொதுவாக ~ 0.9), உகந்த அடுக்கு தடிமன் பொதுவாக 70-80 என்எம் ஆகும். மெல்லிய படலம் குறுக்கீடு காரணமாக, ஐ. டி. ஓ (ஒரு மந்தமான சாம்பல்-கருப்பு பீங்கான் பொருள்) இந்த தடிமனில் ஒரு துடிப்பான நீல நிறமாகத் தோன்றுகிறது. மாற்று பொருட்கள் இண்டியம் பற்றாக்குறை காரணமாக, அலுமினிய-டோப் செய்யப்பட்ட துத்தநாக ஆக்சைடு (AZO) போன்ற மாற்று டி. சி. ஓக்கள் எஸ். எச். ஜே செல்களில் பயன்படுத்த ஆராய்ச்சி செய்யப்பட்டு வருகின்றன. ஐடிஓவை விட ஏஎஸ்ஓ மிக அதிக வேதியியல் உணர்திறனைக் கொண்டுள்ளது, இது பொறித்தல் தேவைப்படும் சில உலோகமயமாக்கல் முறைகளுக்கு சவால்களை முன்வைக்கிறது, அதாவது நிக்கல் விதை அடுக்கு எச்சம்-பின்புறங்கள் மற்றும் பொதுவாக பி-மற்றும் என்-வகை உருவமற்ற அடுக்குகளுக்கு மோசமான இடைமுகத் தொடர்பைக் கொண்டுள்ளது. தொகுதிகளில் செல்கள் பயன்படுத்தப்படும்போது AZO நீண்ட கால நிலைத்தன்மை சிக்கல்களைக் கொண்டிருக்கலாம், இதற்கு சியோக்ஸ் போன்ற கேப்பிங் அடுக்குகள் தேவைப்படலாம். பயன்படுத்தப்படாத தகர ஆக்சைடு (எஸ்என்ஓஎக்ஸ்) எஸ்எச்ஜே செல்களில் இண்டியம் இல்லாத டிசிஓக்களை 24.91% செயல்திறனுடன் உற்பத்தி செய்ய வெற்றிகரமாக பயன்படுத்தப்பட்டுள்ளது. இண்டியம் ஆக்சைடு அடிப்படையிலான டி. சி. ஓ. களின் ஒளியியல் மற்றும் மின்னணு பண்புகளின் மேம்பாடு சீரியம் மற்றும் ஹைட்ரஜனுடன் இணை ஊக்கமருந்து மூலம் அடையப்பட்டுள்ளது, இதன் விளைவாக அதிக எலக்ட்ரான் இயக்கம் ஏற்படுகிறது. இத்தகைய திரைப்படங்கள் வெப்ப உணர்திறன் கொண்ட எஸ். எச். ஜே தயாரிப்பு செயல்முறையுடன் இணக்கமாக இருக்கும் அளவுக்கு குறைந்த வெப்பநிலையில் வளர்க்கப்படலாம். சீரியம் ஆக்சைடு, டாண்டலம் ஆக்சைடு மற்றும் டைட்டானியம் ஆக்சைடு ஆகியவற்றுடன் டோப் செய்யப்பட்ட இண்டியம் ஆக்சைடு சாதகமான மின்னணு பண்புகளையும் விளைவித்துள்ளது. பிளாஸ்மாவில் உள்ள ஹைட்ராக்சில் ரேடிக்கல்கள் டி. சி. ஓ படலத்தில் உள்ள ஆக்ஸிஜன் காலியிடங்களை நிறுத்துவதாக நம்பப்படும், இது மேம்பட்ட எலக்ட்ரான் இயக்கம் மற்றும் குறைந்த தாள் எதிர்ப்புக்கு வழிவகுக்கும், இருப்பினும் எஸ். எச். ஜே செல்களில் இந்த முறையைப் பயன்படுத்தும் போது ஸ்திரத்தன்மை மற்றும் தொடர்பு எதிர்ப்பைக் கருத்தில் கொள்ள வேண்டும். ஆவியாதல் மூலம், மேற்பரப்பு பிரதிபலிப்புகளை மேலும் குறைக்க மெக்னீசியம் ஃவுளூரைடு (MgF2) அல்லது அலுமினிய ஆக்சைடு (Al2O3) கொண்ட இரட்டை-எதிர்விளைவு பூச்சு பயன்படுத்தப்படலாம், இருப்பினும் இந்த படி தற்போது தொழில்துறை உற்பத்தியில் பயன்படுத்தப்படவில்லை. சியோக்ஸ் போன்ற ஏஎஸ்ஓ கேப்பிங் அடுக்குகள் இரட்டை ஏஆர் பூச்சாகவும் செயல்பட முடியும். இத்தகைய நுட்பங்கள் உலக சாதனை சக்தி மாற்று செயல்திறன் கொண்ட எஸ். எச். ஜே செல்களை உற்பத்தி செய்ய பயன்படுத்தப்பட்டன. வேலை செயல்பாட்டின் பங்கு எஸ். எச். ஜே செல்களுக்கான டி. சி. ஓ அடுக்கு சிறந்த வேலை செயல்பாட்டைக் கொண்டிருக்க வேண்டும் (அதாவது. டி. சி. ஓ மற்றும் பி-வகை உருவமற்ற அடுக்குக்கு இடையிலான இடைமுகத்தில் ஒரு ஒட்டுண்ணி ஷாட்கி தடை உருவாவதைத் தடுக்க ஃபெர்மி நிலைக்கும் வெற்றிட நிலைக்கும் இடையிலான ஆற்றல் வேறுபாடு). பி-வகை அடுக்கின் ஊக்கமருந்து அளவை அதிகரிப்பதன் மூலம் இதை ஓரளவு குறைக்கலாம், இது தடையின் அகலத்தைக் குறைக்கிறது மற்றும் திறந்த சுற்று மின்னழுத்தம் () மற்றும் நிரப்பு காரணி () ஐ மேம்படுத்துகிறது. இருப்பினும் அதிகரித்த ஊக்கமருந்து சந்தி மறுசீரமைப்பை அதிகரிக்கிறது, ஆதாயங்களைக் குறைக்கிறது. டங்ஸ்டன் ஆக்சைடு (டபிள்யூஓஎக்ஸ்) போன்ற உயர் வேலை செயல்பாட்டு டிசிஓவை டெபாசிட் செய்வது அல்லது ஐடிஓவின் டெபாசிஷன் அளவுருக்களை சரிசெய்வது தடுப்பு உயரத்தைக் குறைக்கலாம்; பொதுவாக ஐடிஓவின் விரும்பத்தக்க ஒளியியல் பண்புகள் காரணமாக பிந்தையது பயன்படுத்தப்படுகிறது. உலோகமயமாக்கல் அச்சிடப்பட்ட பேஸ்ட் ஹெடெரோஜங்ஷன் சூரிய மின்கலங்கள் பொதுவாக உலோகமயமாக்கப்படுகின்றன (அதாவது. உலோகத் தொடர்புகளை இரண்டு தனித்துவமான முறைகளில் உருவாக்குதல். பாரம்பரிய சூரிய மின்கலங்களைப் போலவே தொழில்துறையிலும் வெள்ளி பேஸ்டின் திரை அச்சிடுதல் பொதுவானது, இது 98 சதவீதத்திற்கும் அதிகமான சந்தைப் பங்கைக் கொண்டுள்ளது. இருப்பினும் எஸ். எச். ஜே செல்களுக்கு குறைந்த வெப்பநிலை கொண்ட வெள்ளி பேஸ்ட் தேவைப்படுகிறது. இந்த பேஸ்ட்கள் ஒரு பாலிமருடன் இணைந்த வெள்ளி துகள்களைக் கொண்டுள்ளன, அவை சுமார் 200 டிகிரி செல்சியஸ் குணப்படுத்தும் வெப்பநிலையில் குறுக்கிடுகின்றன. குறைந்த கட்ட கடத்துத்திறன் மற்றும் அதிக வெள்ளி நுகர்வு, கொந்தளிப்பான உற்பத்தி செலவுகள் அல்லது முன் மேற்பரப்பில் மோசமான ஒட்டுதல் உள்ளிட்ட பெரிய குறைபாடுகளை இவை அனுபவிக்கின்றன. அவற்றின் கணிசமான அதிக விலை இருந்தபோதிலும், குறைந்த வெப்பநிலை கொண்ட வெள்ளி பேஸ்ட்களின் எதிர்ப்பாற்றல் நிலையான வெள்ளி பேஸ்டை விட 4 முதல் 6 மடங்கு அதிகமாக இருக்கும் என்று மதிப்பிடப்பட்டுள்ளது. குறைந்த கடத்துத்திறனை ஈடுசெய்ய, குறைந்த வெப்பநிலை வெள்ளி பேஸ்ட்கள் வழக்கமான வெள்ளி பேஸ்ட்களை விட அதிக வெள்ளியை பயன்படுத்துகின்றன, இருப்பினும் திரை-அச்சிடும் தொழில்நுட்பத்தின் வளர்ச்சி விரல் லைன் அகலங்களைக் குறைப்பதால் வெள்ளி நுகர்வு கீழ்நோக்கிச் செல்கிறது. குறைந்த வெப்பநிலை பேஸ்ட்களின் கலவையில் முன்னேற்றங்கள் திரை அச்சிடக்கூடிய வெள்ளி பூசப்பட்ட செம்பு பேஸ்ட் மூலம் வெள்ளி நுகர்வு மேலும் குறையும் என்று எதிர்பார்க்கப்படுகிறது. இத்தகைய பேஸ்ட்கள் வழக்கமான குறைந்த வெப்பநிலை பேஸ்ட்களுடன் ஒப்பிடுகையில் செயல்படுகின்றன, வெள்ளி நுகர்வு 30 சதவீதம் வரை குறைகிறது. வெள்ளி பூசப்பட்ட செம்பு பேஸ்ட்கள் 2030 ஆம் ஆண்டில் சீன எஸ். எச். ஜே உற்பத்தியாளர்களிடையே பெருகிய முறையில் ஆதிக்கம் செலுத்தும் உலோகமயமாக்கல் தொழில்நுட்பமாக மாறி வருகின்றன, 2024 முதல் 2025 வரை 50 சதவீத சந்தைப் பங்கு எதிர்பார்க்கப்படுகிறது. லேசர் பேட்டர்ன் டிரான்ஸ்ஃபர் பிரிண்டிங் என்ற பேஸ்ட் பிரிண்டிங்கின் தொடர்பு அல்லாத முறை, 1:1 விகிதத்துடன் குறுகிய விரல்களை உருவாக்க பயன்படுத்தப்படலாம். பேஸ்ட்டை ஒரு கிரேட்டிங்கில் அழுத்தி, பின்புறத்திலிருந்து பேஸ்ட்டை சூடாக்க அகச்சிவப்பு லேசர் பயன்படுத்தப்படுகிறது. ஆவியாக்கும் கரைப்பான் அச்சிலிருந்து பேஸ்ட்டை வெளியேற்றி சூரிய மின்கல அடி மூலக்கூறில் செலுத்துகிறது. தொடர்பு திரை அச்சிடுதல் செல் மீது அதிக சக்திகளை செலுத்துவதால், இந்த மாற்று நுட்பம் செல் உடைப்பைக் குறைக்கும், குறிப்பாக மிகவும் மெல்லிய செதில்களுக்கு. அச்சிடப்பட்ட மை வெள்ளி நானோ துகள்கள் மை ஒரு எஸ். எச். ஜே சூரிய மின்கலத்தில் இன்க்ஜெட் அச்சிடலைப் பயன்படுத்தி அல்லது வெற்று கண்ணாடி தந்துகியுடன் தொடர்பு படிவு மூலம் டெபாசிட் செய்யப்படலாம். பாரம்பரிய வெள்ளி பேஸ்ட் திரை அச்சுடன் ஒப்பிடும்போது இன்க்ஜெட் படிவு வெள்ளி நுகர்வு ஒரு செல்லுக்கு 200 மி. கி. இலிருந்து ஒரு செல்லுக்கு 10 மி. கி. க்கும் குறைவாக குறைப்பதாக தெரிவிக்கப்பட்டுள்ளது. கேபில்லரி படிவு (கேபில்லரி நெகிழ்வானது மற்றும் வேஃபர் மேற்பரப்பு முழுவதும் பாதைகள் இருப்பதால் "ஃப்ளெக்ஸ்டிரெயில்" என்று அழைக்கப்படுகிறது) மூலம் மேலும் குறைப்புகள் சாத்தியமாகும், இது 3 மி. கி. வெள்ளி வைப்புக்கு வழிவகுக்கிறது. வெள்ளியில் இவ்வளவு பெரிய குறைப்பு குறைந்த கடத்தலுக்கு ஈடுசெய்ய கிரிட் வடிவமைப்பில் தாக்கங்களை ஏற்படுத்துகிறது, அதாவது பஸ் பார் இல்லாத வடிவமைப்பைப் பயன்படுத்துகிறது. மின் பூசப்பட்ட மின்முனைகள் அச்சிடப்பட்ட மின்முனைகளுக்கு வெள்ளி இல்லாத மாற்று மின் பூசப்பட்ட தாமிரத்தைப் பயன்படுத்துகிறது. மின் பூசப்பட்ட தாமிரத்தின் கடத்துத்திறன் மொத்த தாமிரத்தைப் போன்றது. இது கட்ட எதிர்ப்பைக் குறைப்பதன் மூலம் எஸ். எச். ஜே செல் மின்னோட்ட அடர்த்தியை அதிகரிக்கும் ஆற்றலைக் கொண்டுள்ளது. மேம்படுத்தப்பட்ட அம்ச வடிவவியலையும் அடைய முடியும். இருப்பினும் தொழில்துறை உற்பத்தி சவாலானது, ஏனெனில் மின் பூச்சு ஒரு தியாக இன்க்ஜெட்-அச்சிடப்பட்ட அல்லது ஃபோட்டோலிதோகிராஃபிக்கல்-பெறப்பட்ட முகமூடியைப் பயன்படுத்தி தேர்ந்தெடுக்கப்பட்ட வடிவமைப்பு தேவைப்படுகிறது. இதன் விளைவாக, மின் பூசப்பட்ட எஸ். எச். ஜே செல்கள் தற்போது வணிக ரீதியாக உற்பத்தி செய்யப்படவில்லை. ஐ. டி. ஓ-க்கு நேரடியாக பூசப்பட்ட செம்பு ஒட்டுதல் சிக்கல்களால் பாதிக்கப்படுகிறது. எனவே பொதுவாக முதலில் ஒரு மெல்லிய (~ 1 மைக்ரோமீட்டர்) நிக்கல் விதை அடுக்கை ஸ்பட்டரிங் அல்லது எலக்ட்ரோடெப்சேஷன் மூலம் டெபாசிட் செய்வது அவசியம். நிக்கல் மற்றும் ஐ. டி. ஓ அடுக்குகள் செல்லிற்குள் தாமிரத்திற்கு எதிராக ஒரு பரவல் தடையாகவும் செயல்படுகின்றன, இது ஒரு ஆழமான அளவிலான அசுத்தமாகும், இது கடுமையான சீரழிவை ஏற்படுத்துகிறது. அனைத்து வழக்கமான சூரிய மின்கலங்களைப் போலவே, பன்முக செயல்பாட்டு சூரிய மின்கலங்களும் ஒரு டையோடு மற்றும் ஒரு திசையில் மட்டுமே மின்னோட்டத்தை நடத்துகின்றன. எனவே n-வகை பக்கத்தின் உலோகமயமாக்கலுக்கு, சூரிய மின்கலம் வெளிப்புற மின் விநியோகத்தைப் பயன்படுத்துவதை விட, ஒளியின் மூலம் அதன் சொந்த பூச்சு மின்னோட்டத்தை உருவாக்க வேண்டும். இந்த செயல்முறை ஒளி-தூண்டப்பட்ட பூச்சு (எல்ஐபி) என்று அழைக்கப்படுகிறது; பி-வகை பக்கத்திற்கான புலம்-தூண்டப்பட்ட பூச்சு (எஃப்ஐபி) க்கு மாறாக. மாற்றாக, மின்சாரம் இல்லாத செயல்முறையைப் பயன்படுத்தலாம், இதற்கு சூரிய மின்கலத்துடன் மின் தொடர்பு தேவையில்லை, இது உற்பத்தியை சிக்கலாக்குகிறது. இருப்பினும், மின்கடத்தப்படாத பூச்சு மின்கடத்தலை விட மிகவும் மெதுவாக உள்ளது, மேலும் பொருத்தமான தடிமனை அடைய நிமிடங்களுக்கு பதிலாக மணிநேரம் ஆகலாம். எஸ். எச். ஜே அடிப்படையிலான சோலார் பேனல்களை உற்பத்தி செய்யும் போது செல் ஒன்றோடொன்று இணைவதற்கு இன்டர்கனெக்ஷன் எஸ். எச். ஜே வெப்பநிலை உணர்திறன் மேலும் தாக்கங்களை ஏற்படுத்துகிறது. சாலிடரிங்கில் ஈடுபடும் அதிக வெப்பநிலைகள் செல் செயலற்ற தன்மையின் சீரழிவைத் தவிர்க்க கவனமாக கட்டுப்படுத்தப்பட வேண்டும். குறைந்த வெப்பநிலை பேஸ்ட்கள் ஒன்றோடொன்று இணைக்கும் கம்பிகள் அல்லது ரிப்பன்களுடன் பலவீனமான ஒட்டுதலால் பாதிக்கப்பட்டுள்ளன, அவை தொகுதி ஆயுளுக்கு விளைவுகளை ஏற்படுத்துகின்றன. இந்த பேஸ்ட்கள் மற்றும் அகச்சிவப்பு சாலிடரிங் அளவுருக்களின் உகப்பாக்கம், அதே போல் சாலிடர் உலோகக்கலவைகளின் கவனமான தேர்வு, நிலையான தொழில்துறை உபகரணங்களில் ஒன்றோடொன்று இணைக்கும் செயல்முறைகளின் வெற்றியை அதிகரிக்க வழிவகுத்தது. பல-இணைப்பு ஹெடெரோஜங்ஷன்-பெரோவ்ஸ்கைட் டாண்டம் கட்டமைப்புகள் புனையப்பட்டுள்ளன, சில ஆராய்ச்சி குழுக்கள் படிக சிலிக்கானுக்கான 29.43% ஷாக்லி-கியூசர் வரம்பை மீறிய சக்தி மாற்று செயல்திறனை தெரிவிக்கின்றன. இந்த சாதனை மோனோலிதிக் மற்றும் 4-டெர்மினல் செல் உள்ளமைவுகள் இரண்டிலும் அடையப்பட்டுள்ளது. இத்தகைய சாதனங்களில், வெப்பமயமாக்கல் இழப்புகளைக் குறைக்க, பரந்த பேண்ட்கேப் பெரோவ்ஸ்கைட் மேல் செல் அதிக ஆற்றல் ஃபோட்டான்களை உறிஞ்சுகிறது, அதே நேரத்தில் எஸ். எச். ஜே கீழ் செல் குறைந்த ஆற்றல் ஃபோட்டான்களை உறிஞ்சுகிறது. இரு முக அமைப்பில், கீழ் செல் பின்புற மேற்பரப்பிலிருந்து ஒளியை ஏற்றுக்கொள்ள முடியும். 2017 ஆம் ஆண்டில், எஸ். எச். ஜே பாட்டம் செல் மற்றும் குரூப் III-V செமிகண்டக்டர் டாப் செல்ஸைப் பயன்படுத்தும் டாண்டம் சூரிய மின்கலன்கள் முறையே 2-மற்றும் 3-இணைப்பு மோனோலிதிக் அல்லாத அடுக்குகளுக்கு 32.8% மற்றும் 35.9% இன் சக்தி மாற்று செயல்திறனுடன் புனையப்பட்டன. ஏப்ரல் 2023 இல், எஸ். எச். ஜே டாண்டம்களுக்கான செயல்திறன் சாதனை 33.2% இல் கேஏயூஎஸ்டி சூரிய மையத்தால் ஒரு மோனோலிதிக் உள்ளமைவில் ஒரு பெரோவ்ஸ்கைட் மேல் கலத்தைப் பயன்படுத்தி அமைக்கப்பட்டது. இது 2-சந்தி சூரிய மின்கலத்தில் பதிவு செய்யப்பட்ட மிக உயர்ந்த செயல்திறன் ஆகும். வழக்கமான சி-சி/ஏ-சிஃ எச் கட்டமைப்பைத் தவிர, பல்வேறு குழுக்கள் சி-சி/சிஓக்ஸ், சி-சி/மூக்ஸ் மற்றும் சி-சி/பாலி-சி அல்லது சி-சி/சிஓக்ஸ்/பாலி-சி (போலோ; ஆக்சைடு மீது பாலிக்ரிஸ்டலின் சிலிக்கான்) போன்ற புதுமையான குறைக்கடத்தல் பொருட்களைப் பயன்படுத்தி செயலற்ற தொடர்பு சிலிக்கான் ஹெட்டோரோஜங்ஷன் சூரிய மின்கலங்களை வெற்றிகரமாக தயாரித்துள்ளன. ஹைப்ரிட் கனிம-கரிம ஹெட்டோரோஜங்ஷன் சூரிய மின்கலங்கள் பாலியானிலின் மரகத அடித்தளத்துடன் பூசப்பட்ட என்-வகை சிலிக்கானைப் பயன்படுத்தி தயாரிக்கப்படுகின்றன. ஹெடெரோஜங்ஷன் சூரிய மின்கலங்களும் பல படிக சிலிக்கான் உறிஞ்சும் அடி மூலக்கூறுகளில் உற்பத்தி செய்யப்பட்டுள்ளன. இன்டர்டைஜிட்டட் பேக் காண்டாக்ட் ஹெடெரோஜங்ஷன் சூரிய மின்கலங்கள் ஐபிசி தொழில்நுட்பத்துடன் இணக்கமாக உள்ளன, அதாவது. செல் உலோகமயமாக்கல் முற்றிலும் பின்புற மேற்பரப்பில் உள்ளது. ஹெடெரோஜங்ஷன் ஐபிசி செல் பெரும்பாலும் எச். பி. சி என்று சுருக்கமாக அழைக்கப்படுகிறது. ஒரு எச். பி. சி அமைப்பு வழக்கமான எஸ். எச். ஜே செல்களை விட பல நன்மைகளைக் கொண்டுள்ளது; முக்கிய நன்மை முன் கட்டத்திலிருந்து நிழலை அகற்றுவதாகும், இது ஒளி பிடிப்பை மேம்படுத்துகிறது, எனவே குறுகிய சுற்று மின்னோட்ட அடர்த்தியை மேம்படுத்துகிறது. PERC உடன் ஒப்பிடும்போது, வழக்கமான SHJ செல்கள் பெரும்பாலும் 40 mA/cm2 க்கும் அதிகமான மதிப்புகளுடன் மோசமாக பாதிக்கப்படுகின்றன, ஏனெனில் சில ஒளி அதன் அதிக உறிஞ்சுதல் குணகம் காரணமாக முன் உருவமற்ற சிலிக்கான் அடுக்குகளில் ஒட்டுண்ணியாக உறிஞ்சப்படுகிறது. முன் உலோகத் தொடர்பின் தேவையை அகற்றுவதன் மூலமும், அதே போல் முன் உருவமற்ற சிலிக்கான் தொடர்பை மீட்டெடுக்க முடியும். எனவே, எச். பி. சி செல்கள் அதிக செயல்திறனுக்கான திறனைக் கொண்டுள்ளன; குறிப்பாக ஒரு நீண்டகால உலக சாதனை ஹெட்டோரோஜங்ஷன் செல் ஒரு எச். பி. சி கட்டமைப்பைப் பயன்படுத்தியது, 26.7% செயல்திறனில் கனேகாவால் 42.65 எம்ஏ/செமீ 2 உடன் புனையப்பட்டது. எச். பி. சி. யின் அதிக செயல்திறன் இருந்தபோதிலும், இரட்டை பக்க செல்கள் அவற்றின் ஒப்பீட்டளவில் எளிய உற்பத்தி செயல்முறை காரணமாக தொழில்துறை உற்பத்தியில் பிரதான நீரோட்டமாக உள்ளன. இருப்பினும், எச். பி. சி செல்கள் குறிப்பிடத்தக்க பகுதி கட்டுப்பாடுகள் உள்ள வாகன ஒருங்கிணைந்த பிவி அமைப்புகள் போன்ற சிறப்பு பயன்பாடுகளைக் காணலாம். எச். பி. சி செல்கள் பின்புறத்தின் உள்ளூர்மயமாக்கப்பட்ட ஊக்கமருந்து மூலம் உருவாக்கப்படுகின்றன, பி-மற்றும் என்-வகை பகுதிகளின் மாற்று வடிவத்தில் ஒரு இடைப்பட்ட வடிவத்தில். முன் பக்கத்திற்கு ஒரு குறிப்பிட்ட ஊக்கமருந்து சுயவிவரம் தேவையில்லை. இழப்பு வழிமுறைகள் நன்கு வடிவமைக்கப்பட்ட சிலிக்கான் ஹெட்டோரோஜங்ஷன் தொகுதி 30 ஆண்டுகளுக்கும் மேலாக எதிர்பார்க்கப்படும் பெயரளவு ஆயுட்காலம் கொண்டது, எதிர்பார்க்கப்படும் சராசரி செயல்திறன் விகிதம் 75 சதவீதம் ஆகும். செயலிழப்பு, மின் இழப்புகள் மற்றும் எஸ். எச். ஜே செல்கள் மற்றும் தொகுதிகளின் சீரழிவு ஆகியவை பாதிக்கப்பட்ட அளவுருவால் வகைப்படுத்தப்படலாம் (எ. கா. திறந்த சுற்று மின்னழுத்தம், குறுகிய சுற்று மின்னோட்டம் மற்றும் நிரப்பு காரணி). இழப்புகள் பொதுவாக செயலற்ற தரத்தில் குறைப்பு அல்லது குறைபாடுகளை அறிமுகப்படுத்துவதன் மூலம், அதிகரித்த மறுசீரமைப்பை ஏற்படுத்துகின்றன. இழப்புகள் பொதுவாக ஒளியியல் இழப்புகளால் ஏற்படுகின்றன, இதில் குறைந்த ஒளி உறிஞ்சியால் பிடிக்கப்படுகிறது (நிழல் அல்லது தொகுதி கட்டமைப்புகளுக்கு சேதம் போன்றவை). இழப்புகள் பொதுவாக செயலற்ற இழப்புக்கு காரணமாகின்றன, மேலும் தொடர் எதிர்ப்பில் அதிகரிப்பு அல்லது ஷன்ட் எதிர்ப்பில் குறைகிறது. விஓசி இழப்புகள் குறைபாடுகள் என்பது சார்ஜ் கேரியர்கள் கவனக்குறைவாக "சிக்கிக்கொள்ளும்" தளங்களாகும், இதனால் அவை ஷாக்லி-ரீட்-ஹால் முறை (எஸ்ஆர்ஹெச் மறுசீரமைப்பு) மூலம் மீண்டும் இணைக்க அதிக வாய்ப்புள்ளது. அவை பெரும்பாலும் இடைமுகங்களில் (மேற்பரப்பு மறுசீரமைப்பு), படிக தானிய எல்லைகள் மற்றும் இடப்பெயர்வுகளில் அல்லது அசுத்தங்களில் இருக்கக்கூடும். செயல்திறனில் ஏற்படும் இழப்புகளைத் தடுக்க, குறைபாடுகள் செயலற்றதாக இருக்க வேண்டும் (அதாவது. வேதியியல் மற்றும் மின்சார நடுநிலையாக மாறும்). பொதுவாக இது இடைநிலை ஹைட்ரஜனுடன் குறைபாடு இடைமுகத்தை பிணைப்பதன் மூலம் நிகழ்கிறது. எஸ். எச். ஜே செல்களில், ஹைட்ரஜனேற்றப்பட்ட உள்ளார்ந்த உருவமற்ற சிலிக்கான் உறிஞ்சும் மேற்பரப்பில் இருக்கும் செயலற்ற குறைபாடுகளுக்கு மிகவும் பயனுள்ளதாக இருக்கும். குறைபாடுகளின் நடத்தையைப் புரிந்துகொள்வது, காலப்போக்கில் ஹைட்ரஜனுடன் அவை எவ்வாறு தொடர்பு கொள்கின்றன மற்றும் உற்பத்தி செயல்முறைகளில், எஸ். எச். ஜே சூரிய மின்கலங்களின் ஸ்திரத்தன்மை மற்றும் செயல்திறனைப் பராமரிப்பதற்கு முக்கியமானது. ஒளி-தூண்டப்பட்ட சீரழிவு உருவமற்ற சிலிக்கான் நெட்வொர்க்குகளில் ஒளி-உணர்திறன் குறைபாடு செயலற்ற தன்மையின் நடத்தை 1977 இல் ஸ்டேப்லர்-வ்ரோன்ஸ்கி விளைவு கண்டுபிடிக்கப்பட்டதிலிருந்து ஆய்வுக்கு உட்படுத்தப்பட்ட ஒரு தலைப்பாகும். பல மணி நேரம் ஒளியை வெளிப்படுத்தும் போது உருவமற்ற சிலிக்கான் மெல்லிய படலங்களின் ஒளி கடத்துத்திறன் மற்றும் இருண்ட கடத்துத்திறன் படிப்படியாக குறைந்து வருவதை ஸ்டேப்லர் மற்றும் வ்ரோன்ஸ்கி கண்டறிந்தனர். இந்த விளைவு 150 டிகிரி செல்சியஸுக்கு மேல் வெப்பநிலையில் இருண்ட அனீலிங்கில் தலைகீழாக மாறக்கூடியது மற்றும் ஹைட்ரஜனேற்றப்பட்ட உருவமற்ற சிலிக்கான் சாதனங்களில் தலைகீழாக ஒளியால் தூண்டப்பட்ட சீரழிவுக்கு (எல்ஐடி) ஒரு பொதுவான எடுத்துக்காட்டு ஆகும். புதிய பேண்ட் இடைவெளி நிலைகளின் அறிமுகம், கேரியர் வாழ்நாளில் குறைவை ஏற்படுத்துகிறது, சீரழிவுக்கு பின்னால் உள்ள பொறிமுறையாக முன்மொழியப்பட்டது. அடுத்தடுத்த ஆய்வுகள் ஸ்டேப்லர்-வ்ரோன்ஸ்கி விளைவில் ஹைட்ரஜன் இடம்பெயர்வு மற்றும் மெட்டாஸ்டபிள் ஹைட்ரஜன்-ட்ராப் குறைபாடுகளின் பங்கை ஆராய்ந்துள்ளன. பல மாறிகளில், ஸ்டேப்லர்-வ்ரோன்ஸ்கி விளைவின் இயக்கவியல் மற்றும் அளவு மெல்லிய படலத்தில் உள்ள படிக தானிய அளவு மற்றும் ஒளியை ஊறவைக்கும் ஒளியைப் பொறுத்தது. சில உருவமற்ற சிலிக்கான் சாதனங்கள் எல்ஐடி மூலம் எதிர் விளைவைக் கவனிக்க முடியும், அதாவது உருவமற்ற சிலிக்கான் சூரிய மின்கலங்களில் காணப்பட்ட அதிகரிப்பு மற்றும் குறிப்பாக ஒளியை ஊறவைக்கும் போது எஸ்எச்ஜே சூரிய மின்கலங்கள். கோபயாஷி மற்றும் பலர். டோப் செய்யப்பட்ட உருவமற்ற சிலிக்கான் தேர்ந்தெடுக்கப்பட்ட தொடர்புகளுடன் தொடர்பு கொள்ளும்போது பேண்ட் விளிம்புகளுக்கு நெருக்கமாக உள்ளார்ந்த இடையக அடுக்கின் ஃபெர்மி அளவை மாற்றுவதே இதற்குக் காரணம் என்று (2016) முன்மொழிகிறது, ஸ்குடோ மற்றும் பலர் ஸ்டேப்லர்-வ்ரோன்ஸ்கி விளைவின் ஒத்த தலைகீழ் மாற்றத்தைக் கவனித்தனர். (2015) ஹைட்ரஜனேற்றப்பட்ட ஏ-சி ஒளிமின்னழுத்த சாதனங்கள் தலைகீழ் சார்பின் கீழ் ஒளியில் நனைக்கப்பட்டபோது. ஒரு தொழில்துறை பிந்தைய செயலாக்க கட்டத்தில் ஹெட்டோரோஜங்ஷன் செல்களை வேண்டுமென்றே அனீலிங் செய்வது ஆயுட்காலத்தை மேம்படுத்தலாம் மற்றும் மேற்பரப்பு மறுசீரமைப்பு வேகத்தைக் குறைக்கலாம். வெப்ப அனீலிங் இடைநிலை ஹைட்ரஜனை ஹெட்டோரோ இன்டர்ஃபேஸிற்கு நெருக்கமாக பரவச் செய்கிறது என்று பரிந்துரைக்கப்படுகிறது, இது தொங்கும் பிணைப்பு குறைபாடுகளின் அதிக செறிவூட்டலை அனுமதிக்கிறது. அத்தகைய செயல்முறை அனீலிங்கின் போது ஒளியைப் பயன்படுத்தி மேம்படுத்தப்படலாம், இருப்பினும் இது கேரியர் வாழ்நாளில் முன்னேற்றத்தை அடைவதற்கு முன்பு சீரழிவை ஏற்படுத்தும், எனவே வணிக அமைப்பில் கவனமாக உகப்பாக்கம் தேவைப்படுகிறது. யு. என். எஸ். டபிள்யூ உருவாக்கிய குறைபாட்டைக் குறைப்பதற்கான ஒரு இன்லைன் நுட்பமான மேம்பட்ட ஹைட்ரஜனேற்றம் செயல்முறையில் (ஏ. எச். பி) அதிக வெப்பநிலையில் ஒளிரும் அனீலிங் கருவியாகும். பொரான்-ஆக்ஸிஜன் காம்ப்ளக்ஸ் எல்ஐடி குறைபாடு என்பது மலிவான பி-வகை செதில்களின் செயல்திறன் மற்றும் ஸ்திரத்தன்மையுடன் ஒரு பரவலான சிக்கலாகும், மேலும் எஸ்எச்ஜே அடி மூலக்கூறுகளுக்கு என்-வகை விரும்பப்படுவதற்கு ஒரு முக்கிய காரணம். மேம்பட்ட ஹைட்ரஜனேற்ற செயல்முறையைப் பயன்படுத்தி பி-ஓ எல்ஐடிக்கு எதிரான செதில்களை நிலைநிறுத்துவது மாறுபட்ட வெற்றி மற்றும் நம்பகத்தன்மை சிக்கல்களைக் கொண்டுள்ளது. எனவே எஸ். எச். ஜே உறிஞ்சிகளில் பயன்படுத்த பொருளாதார ரீதியாக சாத்தியமான மாற்று பி-வகை டோபண்டாக காலியம் முன்மொழியப்பட்டுள்ளது. கேலியம் டோப் செய்யப்பட்ட செல்கள் போரானை விட அதிக நிலைத்தன்மை மற்றும் குறைந்த குறைபாடு அடர்த்தியைக் கொண்டுள்ளன, ஆராய்ச்சிக் குழுக்கள் கேலியம்-டோப் செய்யப்பட்ட பி-வகை எஸ். எச். ஜே இல் 730 எம். வி. க்கு மேல் அடைகின்றன. இருப்பினும், காலியம் Cz-வளர்ந்த சிலிக்கான் இங்காட்டுகளில் போரானை விட குறைந்த பிரிப்பு செயல்திறனைக் கொண்டுள்ளது, எனவே அந்த குறைந்த இங்காட் நீளத்தில் n-வகைக்கு ஒத்த சிக்கலைக் கொண்டிருப்பது பயன்படுத்தப்படுகிறது. எஃப்எஃப் இழப்புகள் நிரப்பு காரணி என்பது திறந்த அல்லது குறுகிய சுற்று நிலைமைகளுடன் ஒப்பிடும்போது சூரிய மின்கலம் அதன் அதிகபட்ச சக்தி புள்ளியில் எவ்வளவு சிறப்பாக செயல்படுகிறது என்பதைக் குறிக்கிறது. உயர் செயல்திறன் கொண்ட சூரிய மின்கலங்களில் நிரப்பும் காரணி பல முக்கிய காரணிகளால் பாதிக்கப்படுகிறதுஃ தொடர் எதிர்ப்பு; மொத்த கேரியர் ஆயுட்காலம்; செறிவு மின்னோட்ட அடர்த்தி; வேஃபர் எதிர்ப்பு மற்றும் வேஃபர் தடிமன். இந்த காரணிகள் டையோட் மற்றும் டையோட் இலட்சியக் காரணியை பாதிக்கின்றன. 86 சதவீதத்திற்கும் அதிகமான நிரப்பு காரணியை அடைய, ஒரு உயர் செயல்திறன் கொண்ட ஹெட்டோரோஜங்ஷன் செல் மிக அதிக ஷன்ட் எதிர்ப்பு, மிகக் குறைவான தொடர் எதிர்ப்பு, மிக நீண்ட சிறுபான்மை கேரியர் வாழ்நாள் (~ 15 எம்எஸ்) கொண்ட உயர்தர மொத்த சிலிக்கான், சிறந்த செயலற்ற தன்மை (0.8 எஃப்ஏ/செமீ 2 க்கும் குறைவான செறிவு மின்னோட்ட அடர்த்தி) ஆகியவற்றைக் கொண்டிருக்க வேண்டும். மொத்த வேஃபர் ஆயுட்காலம் அதிகரிக்கும் போது டையோடு இலட்சிய காரணி மூன்றில் இரண்டு பங்கை நெருங்கும், இது மொத்த குறைபாடு அடர்த்தி மிகக் குறைவாக இருக்கும்போது ஆகர் மறுசீரமைப்பு மேலாதிக்க பொறிமுறையாக மாறுகிறது என்பதைக் குறிக்கிறது. மொத்த ஆயுட்காலம் அதிகமாக இருக்கும் வரை, 1 க்கும் குறைவான ஒரு சிறந்த காரணி 86 சதவீதத்திற்கும் அதிகமான நிரப்பு காரணிகளை செயல்படுத்தும். வேஃபர் தடிமன் குறைக்கப்படும்போது மிக அதிக ஆயுட்காலம் அடைய எளிதானது. போதுமான உயர் ஆயுட்காலத்தில், மொத்த ஊக்கமருந்து செறிவைக் குறைப்பதும் நன்மை பயக்கும் (வேஃபர் எதிர்ப்பை> 0.3·செமீ அதிகரிக்கிறது) அதாவது வேஃபர் அதிக ஊசி நிலைமைகளின் கீழ் உள்ளது (டோபன்ட் செறிவுடன் ஒப்பிடும்போது உருவாக்கப்பட்ட கேரியர்களின் எண்ணிக்கை அதிகமாக உள்ளது). தொகுதி சீரழிவு சூரிய தொகுதிகள் ஈரப்பதம், வெப்ப சுழற்சி மற்றும் புற ஊதா ஒளி உள்ளிட்ட வெளிப்புற நிறுவல்களில் பயன்படுத்தப்படும்போது பல்வேறு அழுத்தங்களுக்கு ஆளாகின்றன. சோலார் தொகுதிகள் பல தசாப்தங்களாக சேவையில் இருக்கும் என்று எதிர்பார்க்கப்படலாம், மேலும் இந்த காரணிகள் கணக்கிடப்படாவிட்டால் தொகுதியின் ஆயுட்காலம் குறைக்கப்படும். சிதைவு, படிப்படியான அரிப்பு அல்லது குறைபாடு செயல்படுத்தல் ஆகியவற்றிலிருந்து உயிரணுவில் உள்ள செயல்திறன் இழப்பு சீரழிவு வழிமுறைகளில் அடங்கும்; தொகுதி அடுக்குகளின் டிலாமினேஷன்; உயிரணுவின் புற ஊதா சீரழிவு அல்லது லேமினேஷன்; என்கேப்சுலன்ட் பொறித்தல் அல்லது நிறமாற்றம்; மற்றும் உலோக கடத்திகளின் (விரல்கள், பஸ் பார்கள் மற்றும் டேப்பிங்) செயலிழப்பு. சாத்தியமான தூண்டப்பட்ட சீரழிவு சாத்தியமான தூண்டப்பட்ட சீரழிவு (பிஐடி) என்பது சூரிய தொகுதிகளில் அதிக மின்னழுத்த அழுத்தத்தால் ஏற்படும் சீரழிவைக் குறிக்கிறது. இது சூரிய தொகுதி சீரழிவின் முதன்மை வழிமுறைகளில் ஒன்றாகும். தொடரில் உள்ள தொகுதிகளின் சரங்கள் ஒரு ஒளிமின்னழுத்த அமைப்பில் 1000 வி வரை குவியலாம், மேலும் அத்தகைய சாத்தியமான வேறுபாடு சூரிய மின்கலங்களுக்கும் தரையிறக்கப்பட்ட தொகுதி சட்டகத்திற்கும் இடையில் ஒரு சிறிய தூரத்தில் இருக்கலாம், இதனால் கசிவு நீரோட்டங்கள் ஏற்படலாம். பிஐடி முதன்மையாக ஒரு மின் வேதியியல் செயல்முறையாகும், இது ஒரு சூரிய தொகுதி மற்றும் செல்களில் அரிப்பு மற்றும் அயனி இடம்பெயர்வை ஏற்படுத்துகிறது, இது ஈரப்பதம் நுழைவு மற்றும் மேற்பரப்பு மாசுபாடு ஆகியவற்றால் எளிதாக்கப்படுகிறது. சோடா-சுண்ணாம்பு கண்ணாடியிலிருந்து கசிவதாக சந்தேகிக்கப்படும் சோடியம் அயனிகள், குறிப்பாக சிக்கலானவை மற்றும் ஈரப்பதத்தின் முன்னிலையில் (அதிக மின்சார திறன் இல்லாமல் கூட) சீரழிவை ஏற்படுத்தும். இது ஒரு பிவி அமைப்பின் செயல்திறன் மற்றும் ஆயுட்காலம் குறைவதற்கு வழிவகுக்கிறது. அனைத்து வகையான படிக சிலிக்கான் சூரிய மின்கலங்கள், அதே போல் மெல்லிய படல சூரிய மின்கலங்கள், சிஐஜிஎஸ் மின்கலங்கள் மற்றும் சிடிடிஇ மின்கலங்களில் பிஐடி கண்டறியப்பட்டுள்ளது. ஆராய்ச்சியில், ஒரு மாதிரி தொகுதிக்கு, குறிப்பாக ஒரு சுற்றுச்சூழல் அறையில், அதிக சார்பு மின்னழுத்தங்களைப் பயன்படுத்துவதன் மூலம் துரிதப்படுத்தப்பட்ட வயதான சோதனைகளில் பிஐடி பிரதிபலிக்கப்படலாம். எஸ்எச்ஜே செல்களில், பிஐடி பெரும்பாலும் ஒளியியல் இழப்புகளால் ஏற்படும் குறைப்பால் வகைப்படுத்தப்படுகிறது, மேலும் பிற தொகுதி தொழில்நுட்பங்களில் காணப்பட்ட பிஐடி போலல்லாமல், பிஐடி பெரும்பாலும் எஸ்எச்ஜே தொகுதிகளில் மாற்ற முடியாதது, எதிர் சார்பைப் பயன்படுத்துவதில் இருந்து ஒரு சிறிய மீட்பு மட்டுமே உள்ளது. பிஐடியின் சில கூறுகள் எஸ்எச்ஜே தொகுதிகளில் உள்ள வேறுபட்ட பொறிமுறையின் மூலம் நிகழ்கின்றன என்பதை இது குறிக்கிறது. டி. சி. ஓ. வில் இண்டியம் உலோகம் வீழ்படிவாக இருப்பதால் ஒளியியல் இழப்புகள் ஏற்படுவதாகக் கூறப்படுகிறது. சீரழிந்த தொகுதிகள் உயிரணுவில் ஆழமாக சோடியம் அயனிகளின் அதிக செறிவுகளையும் அளவிட்டுள்ளன, இது எதிர்மறை சார்புகளால் ஏற்படும் PID உடன் ஒத்துப்போகிறது. என்கேப்சுலன்ட் நீராற்பகுப்பு என்கேப்சுலண்டுகள் என்பது நிலைத்தன்மைக்காக தொகுதிகளில் சூரிய மின்கலங்களை இணைக்கப் பயன்படுத்தப்படும் தெர்மோபிளாஸ்டிக் பொருட்கள் ஆகும். லேமினேஷன் செயல்பாட்டில், செல்கள் என்கேப்சுலன்ட் படலத்திற்கு இடையில் சாண்ட்விச் செய்யப்பட்டு அது உருக்கப்படுகிறது. பாரம்பரியமாக, மலிவான கோபாலிமர் எத்திலீன்-விநைல் அசிட்டேட் (ஈ. வி. ஏ) படிக சிலிக்கான் தொகுதிகளில் என்கேப்சுலண்டாகப் பயன்படுத்தப்படுகிறது. ஈரப்பதத்திற்கு நீண்ட கால வெளிப்பாட்டிற்குப் பிறகு, ஈ. வி. ஏ உலோக முனையங்கள் அல்லது சூரிய மின்கலனின் மேற்பரப்பை அழிக்கக்கூடிய ஆற்றலுடன் அசிட்டிக் அமிலத்தை நீராற்பகுப்பு செய்து கசக்க முடியும். இருமுனை அல்லாத தொகுதிகள் ஒரு கடினமான கண்ணாடி முன் மற்றும் புற ஊதா-நிலைப்படுத்தப்பட்ட பாலிமர் (பொதுவாக பாலிவினைல் ஃவுளூரைடு) பின் தாள் ஆகியவற்றால் ஆனவை, அதே நேரத்தில் இருமுனை தொகுதிகள் கண்ணாடி-கண்ணாடியாக இருக்க அதிக வாய்ப்புள்ளது. பாலிமர் பின் தாள், கண்ணாடி-கண்ணாடி தொகுதிகளை விட ஈரப்பதம் நுழைய அதிக ஊடுருவக்கூடியதாக இருந்தபோதிலும் (இது ஈ. வி. ஏ இன் நீராற்பகுப்பை எளிதாக்குகிறது), அசிட்டிக் அமிலத்திற்கு "சுவாசிக்கக்கூடியது" என்றும் அது உருவாக அனுமதிக்காது என்றும் கூறப்படுகிறது. எஸ். எச். ஜே-அடிப்படையிலான தொகுதிகள் இருமுனை கண்ணாடி-கண்ணாடியாக இருக்க அதிக வாய்ப்புள்ளதால், அசிட்டிக் அமிலம் உருவாகும் ஆபத்து அதிகமாக இருப்பதாகக் கூறப்படுகிறது; இருப்பினும் உற்பத்தியாளர்கள் கண்ணாடி-கண்ணாடி தொகுதிகளின் ஊடுருவ முடியாத தன்மை பொதுவாக ஈ. வி. ஏ சீரழிவைத் தடுக்க போதுமானது என்பதைக் கண்டறிந்துள்ளனர், இது தொகுதிகள் விரைவான வயதான சோதனைகளில் தேர்ச்சி பெற அனுமதிக்கிறது. சில ஆய்வுகள் கண்ணாடி-கண்ணாடி கட்டுமானம் கண்ணாடி-பின் தாளுக்கு எதிராக ஈ. வி. ஏ-என்கேப்சுலேட்டட் தொகுதிகளில் சீரழிவு அளவைக் குறைக்கிறது என்றும் கண்டறிந்துள்ளன. கூடுதலாக, எஸ். எச். ஜே செல்களில் பயன்படுத்தப்படும் ஐ. டி. ஓ அசிட்டிக் அமில பொறித்தலுக்கு ஆளாகக்கூடும், இதனால் இழப்பு ஏற்படலாம். அதிக செலவு இருந்தபோதிலும், பாலியோலெஃபின் எலாஸ்டோமர்கள் (பி. ஓ. இ) போன்ற அசிடேட் இல்லாத என்கேப்சுலண்டுகள் ஈ. வி. ஏ உடன் ஒப்பிடுகையில் ஈரமான-வெப்ப சோதனைக்குப் பிறகு குறைந்த சீரழிவைக் காட்டுகின்றன. நீண்ட கால சீரழிவு மற்றும் கார்பன் டை ஆக்சைடு தடம் குறைப்பதற்கான சாத்தியக்கூறுகளுடன் என்கேப்சுலன்ட் இல்லாத தொகுதி வடிவமைப்புகளும் உருவாக்கப்பட்டுள்ளன. இருப்பினும், முன் கண்ணாடிக்கும் என்கேப்சுலன்ட் வழங்கும் செல்லுக்கும் இடையில் ஒளியியல் இணைப்பு இல்லாததால் பிரதிபலிப்பு இழப்புகள் ஏற்படலாம். ஈ. வி. ஏ உடன் ஒப்பிடும்போது என்கேப்சுலன்ட் டிலாமினேஷன் பி. ஓ. இ நீர் உட்செலுத்தலுக்கு அதிக எதிர்ப்பைக் கொண்டுள்ளது, எனவே பிஐடி மற்றும் பிற ஈரப்பதம் தொடர்பான பிரச்சினைகளைத் தடுக்கிறது. இருப்பினும், லேமினேஷன் நேரம் நீண்டது, மேலும் பி. ஓ. இ மற்றும் செல் அல்லது கண்ணாடிக்கு இடையிலான ஒட்டுதல் ஈ. வி. ஏ. வை விட குறைவாக உள்ளது. மோசமான ஒட்டுதலில் இருந்து என்கேப்சுலண்டின் டிலாமினேஷன் தொகுதியின் தோல்வியை ஏற்படுத்தும். எனவே, ஈ. பி. இ (ஈ. வி. ஏ-பி. ஓ. இ-ஈ. வி. ஏ) என்று அழைக்கப்படும் ஈ. வி. ஏ உடன் மூன்று அடுக்கு கோஎக்ஸ்ட்ரூடட் பாலிமர் என்கேப்சுலண்டில் மைய அடுக்காக பி. ஓ. இ பெருகிய முறையில் பயன்படுத்தப்படுகிறது, இது இரண்டு பாலிமர்களின் நன்மைகளையும் உள்ளடக்கியது. புற ஊதா நிலைத்தன்மை புற ஊதா ஒளி தொகுதி உறைதல்கள் மற்றும் பின் தாள்களின் சீரழிவை ஏற்படுத்தும், இதனால் நிறமாற்றம், உடைப்பு மற்றும் டிலேமினேஷன் ஏற்படுகிறது, இது தொகுதி ஆயுட்காலம் மற்றும் செயல்திறனைக் குறைக்கிறது. புற ஊதா உறிஞ்சுதலால் உருவாக்கப்படும் சூடான கேரியர்கள் அத்தகைய பொருட்களின் ஆக்சிஜனேற்றத்தை ஏற்படுத்தும். மேலும், ஹெட்டோரோஜங்ஷன் உள்ளிட்ட உயர் செயல்திறன் கொண்ட சூரிய மின்கலங்களில், புற ஊதா ஒளி செயலற்ற தன்மையில் மாற்றங்களை ஏற்படுத்துகிறது, இது தொகுதி செயல்திறனைக் குறைக்கலாம். ஹெட்டோரோஜங்ஷன் தொகுதிகளின் நீட்டிக்கப்பட்ட புற ஊதா ஒளியை ஊறவைப்பது சம்பந்தப்பட்ட ஆய்வுகள், அவை PERC அல்லது PERT தொகுதிகளை விட புற ஊதா சேதத்திற்கு ஆளாகின்றன என்பதைக் குறிக்கின்றன, அங்கு நிரப்பு காரணி மற்றும் திறந்த சுற்று மின்னழுத்தங்களில் குறிப்பிடத்தக்க இழப்புகள் காணப்பட்டன. முன்மொழியப்பட்ட வழிமுறை ஹைட்ரஜனை செயலற்ற மேற்பரப்பு இடைமுகங்களிலிருந்து விலகி உருவமற்ற அடுக்குகளுக்குள் மறுவிநியோகம் செய்வதாகும். புற ஊதா கட்-ஆஃப் என்கேப்சுலன்ட் படங்கள் எஸ். எச். ஜே செல்களை புற ஊதா சிதைவிலிருந்து பாதுகாக்க பயன்படுத்தப்படுகின்றன, இருப்பினும் அத்தகைய பொருட்களிலிருந்து புற ஊதா ஆற்றல் சூரிய மின்கலங்களால் பயன்படுத்தப்படுவதில்லை. 2023 ஆம் ஆண்டில், ஐரோப்பியம்/டிஸ்ப்ரோசியம்-டோப் செய்யப்பட்ட ஸ்ட்ரோண்டியம் மெக்னீசியம் சிலிக்கேட் (Sr2-xMgSi2O7-x: Eu2 +, Dy3 +) போன்ற புற ஊதா டவுன்-கன்வெர்ட்டிங் பாஸ்பர்களைக் கொண்ட என்கேப்சுலன்ட் படங்கள் EPE என்கேப்சுலண்டுகள் போன்ற ஹெட்டோரோஜங்ஷன் சூரிய மின்கல பயன்பாடுகளுக்காக அறிமுகப்படுத்தப்பட்டன. இத்தகைய பொருட்கள் புற ஊதா சிதைவிலிருந்து பாதுகாப்பது மட்டுமல்லாமல், உருவாக்கப்பட்ட புலப்படும் ஃபோட்டான்களிலிருந்து ஒளியியல் ஆதாயங்களையும் வழங்குகின்றன. இத்தகைய திரைப்படங்கள் சீன ஹேட்டோரோஜங்ஷன் என்கேப்சுலன்ட் உற்பத்தியாளர்களால் வணிக பயன்பாட்டிற்காக ஆராயப்படுகின்றன, அங்கு 60-செல் தொகுதிகளின் சோதனைகள் புற ஊதா-மாற்றும் படலத்தைப் பயன்படுத்தி 5 வாட்கள் (தோராயமாக 1.5 சதவீதம்) சக்தி அதிகரிப்பைக் கண்டன. சொற்களஞ்சியம் பின்வருபவை பன்முக செயல்பாட்டு சூரிய மின்கலங்களுடன் தொடர்புடைய சொற்களின் சொற்களஞ்சியம் ஆகும். குறிப்புகள் சூரிய மின்கலங்கள்