Ion layer gas reaction
அயன் அடுக்கு வாயு எதிர்வினை (ஐஎல்ஜிஏஆர்®) என்பது ஜெர்மனியின் பெர்லினில் உள்ள ஹெல்ம்ஹோல்ட்ஸ்-சென்ட்ரம் பெர்லினில் உள்ள பேராசிரியர் டாக்டர் கிறிஸ்டியன்-ஹெர்பர்ட் ஃபிஷர் குழுவால் உருவாக்கப்பட்ட மற்றும் காப்புரிமை பெற்ற ஒரு வெற்றிடமற்ற, மெல்லிய படலம் படிவு நுட்பமாகும். இது ஒரு தொடர்ச்சியான மற்றும் சுழற்சி செயல்முறையாகும், இது குறைக்கடத்தி மெல்லிய படலங்களின் படிவு, முக்கியமாக ஒளிமின்னழுத்த பயன்பாடுகளுக்கு (மட்டுப்படுத்தப்படவில்லை என்றாலும்), குறிப்பாக சால்கோபிரைட் உறிஞ்சும் அடுக்குகள் மற்றும் இடையக அடுக்குகளுக்கு உதவுகிறது. ஐஎல்ஜிஏஆர் நுட்பத்திற்கு ஜெர்மன் ஹைடெக் சாம்பியன் 2011 என்ற விருது ஃப்ரான்ஹோஃபர் சொசைட்டியால் வழங்கப்பட்டது. ஐஎல்ஜிஏஆர் என்பது ஒரு இரசாயன செயல்முறையாகும், இது வெற்றிடம் அல்லது அதிக வெப்பநிலையைப் பயன்படுத்தாமல் அடுக்குகளை ஒரே மாதிரியான, பின்பற்றக்கூடிய மற்றும் இயந்திர ரீதியாக நிலையான வடிவத்தில் படிய வைக்க அனுமதிக்கிறது. இது ஒரு தொடர்ச்சியான மற்றும் சுழற்சி செயல்முறையாகும், இது தானியங்கி மற்றும் அளவிடப்படலாம். இது அடிப்படையில் பின்வரும் படிகளைக் கொண்டுள்ளதுஃ டிப் (டிப்-ஐஎல்ஜிஏஆர்) அல்லது ஸ்ப்ரே (ஸ்ப்ரே ஐஎல்ஜிஏஆர்) மூலம் ஒரு அடி மூலக்கூறில் ஒரு முன்னோடி கரைசலைப் பயன்படுத்துதல். ஹைட்ரஜன் சால்கோஜெனைடு வாயுவுடன் உலர்ந்த திடமான முன்னோடி அடுக்கின் எதிர்வினை. விரும்பிய அடுக்கு தடிமன் கிடைக்கும் வரை இந்த படிகள் மீண்டும் மீண்டும் செய்யப்படுகின்றன. ஸ்ப்ரே-ஐஎல்ஜிஏஆர் விஷயத்தில், அயனி அடுக்கின் தெளிப்பு படிவு வளிமண்டல அழுத்த ஏரோசல் உதவி இரசாயன நீராவி படிவு அல்லது தெளிப்பு பைரோலிசிஸ் போன்ற ஒத்த கருவிகளைப் பயன்படுத்தி செய்யப்படுகிறது. ஸ்ப்ரே பைரோலிசிஸ் ஸ்ப்ரே ஐஎல்ஜிஏஆர் செயல்முறையின் எளிமைப்படுத்தப்பட்ட பதிப்பாகக் கருதப்படலாம், அங்கு எதிர்வினை வாயுவுடன் முன்னோடி அடுக்கு எந்த எதிர்வினையும் இல்லை. இந்த செயல்முறையின் சுழற்சி தன்மை அணு அடுக்கு படிவு (ALD) போன்றது, இது இடையக அடுக்கு படிவு பயன்படுத்தப்படுகிறது. பயன்பாடுகள் ஹெல்மோல்ட்ஸ்-சென்ட்ரம் பெர்லினில் உள்ள ஐஎல்ஜிஏஆர் மற்றும் ஸ்ப்ரே-பைரோலிசிஸ் நுட்பங்களின் பயன்பாடுகள் முக்கியமாக சால்கோபிரைட் மெல்லிய படல சூரிய மின்கலங்கள் துறையில் உள்ளன, இருப்பினும் இந்த நுட்பங்கள் மெல்லிய படலங்களுடன் அடி மூலக்கூறு பூச்சு சம்பந்தப்பட்ட பிற பயன்பாடுகளுக்கு பயன்படுத்தப்படலாம். பின்வரும் பட்டியல் இந்த நுட்பங்களின் பயன்பாடுகளை சுருக்கமாகக் கூறுகிறதுஃ சால்கோபிரைட் அடிப்படையிலான மெல்லிய-படலம் சாதனங்களுக்கான இடையக அடுக்குகள்ஃ நிலையான சி. டி. எஸ்ஸை சுற்றுச்சூழல் ரீதியாக மிகவும் சாதகமான பொருட்களால் மாற்றுவது (இன் 2 எஸ் 3, போன்றவை) வெவ்வேறு உறிஞ்சும் பொருட்களில் ஸ்ப்ரே-இல்ஜர் பயன்படுத்தி டெபாசிட் செய்யப்படுகிறது. நானோ-புள்ளிகள் செயலற்ற அடுக்குகள்ஃ ஸ்ப்ரே ஐ. எல். ஜி. ஏ. ஆர் நுட்பத்தைப் பயன்படுத்தி நானோபாட்களை கட்டுப்படுத்தப்பட்ட வழியில் டெபாசிட் செய்யலாம். ZnS நானோடாட்டுகள் சால்கோபிரைட் அடிப்படையிலான மெல்லிய படல சூரிய மின்கலங்களில் செயலற்ற அடுக்குகள்-புள்ளி தொடர்பு இடையக அடுக்குகளாகப் பயன்படுத்தப்படுகின்றன. இந்த புள்ளிகள் (5-10 nm விட்டம்) உறிஞ்சும்-பஃபர் இடைமுகத்தில் ஒரு செயலற்ற அடுக்காக செயல்படுகின்றன, இதன் விளைவாக சில சந்தர்ப்பங்களில் 2 சதவீதம் வரை செயல்திறன் ஆதாயம் ஏற்படுகிறது. Al2O3 தடுப்பு அடுக்குகள்ஃ எஃகு படலம் போன்ற உலோக அடி மூலக்கூறுகளில் உள்ள மெல்லிய படல சூரிய தொகுதிகளுக்கு மின் காப்பு மற்றும் உறிஞ்சிக்குள் தீங்கு விளைவிக்கும் இரும்பு பரவுவதைத் தடுக்க அடி மூலக்கூறுக்கும் மோ பின்-தொடர்புக்கும் இடையில் ஒரு தடுப்பு அடுக்கு தேவைப்படுகிறது. மேலும் கண்ணாடி அடி மூலக்கூறில் இருந்து கட்டுப்பாடற்ற சோடியம் பரவலை ஒரு தடையால் நிறுத்த முடியும், வேண்டுமென்றே உறிஞ்சியை விரும்பிய அளவு சோடியத்துடன் ஊசி போடுவதற்கு முன்பு. தெளிப்பு-பைரோலிசிஸ் மூலம் டெபாசிட் செய்யப்பட்ட Al2O3 அடுக்குகள் ZnO சாளர அடுக்குகளுக்கு மேலே கூறப்பட்ட நிகழ்வுகளுக்கு முழுமையாக செயல்படும் தடை அடுக்குகளை விளைவிக்கின்றனஃ உயர் தரமான i-ZnO சாளர அடுக்குகள் தெளிப்பு பைரோலிசிஸ் மூலம் வளர்க்கப்படுகின்றன மற்றும் நிலையான சிதைந்த i-ZnO அடுக்குகளுக்கு ஒரு சாத்தியமான மாற்றாக அமைகின்றன. சால்கோபைரைட் உறிஞ்சும் அடுக்குகள்ஃ ஸ்ப்ரே-ஐஎல்ஜிஏஆர் என்பது குறைந்த வெப்பநிலை நுட்பமாகும், இது கியூஐஎன்எஸ் 2 போன்ற சால்கோபைரைட் உறிஞ்சும் அடுக்குகளின் வளர்ச்சியை செயல்படுத்துகிறது. ஸ்ப்ரே-இல்ஜர் கியூஇன்ஸ்2 அடுக்குகளை மெல்லிய படல சூரிய மின்கலங்களில் உறிஞ்சிகளாகப் பயன்படுத்தலாம். மேற்பரப்பு பூச்சுஃ வினையூக்கி நோக்கங்களுக்காக மட்பாண்டங்கள், உலோகம், கண்ணாடி மற்றும் பிளாஸ்டிக்குகளின் மேற்பரப்பு பூச்சு மற்றும் அரிப்பு எதிர்ப்பு, ஆன்டிஸ்டாடிக் அல்லது இயந்திர பாதுகாப்பு ஆகியவை ஐஎல்ஜிஏஆர் நுட்பத்தைப் பயன்படுத்தி சாத்தியமாகும். இரசாயன குளியல் படிதலுக்கு மாற்றாக ஐஎல்ஜிஏஆர் இரசாயன குளியல் படிதலுடன் (சிபிடி) ஒப்பிடும்போது ஐஎல்ஜிஏஆர்-இன் நன்மை என்னவென்றால், உயர் தரமான முன்னோடி அடுக்குகளை டெபாசிட் செய்வது மற்றும் அவற்றை சால்கோஜெனைடு மெல்லிய படலங்களை நேரடியாக டெபாசிட் செய்வதை விட சால்கோஜெனைடாக மாற்றுவது எளிது. முன்னோடிகள் அல்லது செயல்முறை அளவுருக்களை மாற்றுவதன் மூலம் தரப்படுத்தப்பட்ட பண்புகள் அல்லது கலவைகளுடன் படங்களை வளர்க்கவும் முடியும். மேலும், ஐஎல்ஜிஏஆர் என்பது ஒரு இன்-லைன் செயல்முறையாகும், அதே நேரத்தில் இரசாயன குளியல் படிவு என்பது உள்ளார்ந்த ஒரு தொகுதி செயல்முறையாகும். குறிப்புகள் குறைக்கடத்தி சாதன புனையமைப்பு மெல்லிய படலம் படிவு பூச்சுகள்