Semiconductor memory
குறைக்கடத்தி நினைவகம் என்பது கணினி நினைவகம் போன்ற டிஜிட்டல் தரவு சேமிப்புக்கு பயன்படுத்தப்படும் டிஜிட்டல் மின்னணு குறைக்கடத்தி சாதனமாகும். இது பொதுவாக சிலிக்கான் ஒருங்கிணைந்த சுற்று நினைவக சிப்பில் உலோக-ஆக்சைடு-குறைக்கடத்தி (எம்ஓஎஸ்) நினைவக செல்களுக்குள் தரவு சேமிக்கப்படும் சாதனங்களைக் குறிக்கிறது. வெவ்வேறு குறைக்கடத்தி தொழில்நுட்பங்களைப் பயன்படுத்தும் பல்வேறு வகைகள் உள்ளன. சீரற்ற அணுகல் நினைவகத்தின் (ரேம்) இரண்டு முக்கிய வகைகள் நிலையான ரேம் (எஸ்ஆர்ஏஎம்) ஆகும், இது ஒரு நினைவக செல்லுக்கு பல டிரான்சிஸ்டர்களைப் பயன்படுத்துகிறது, மேலும் டைனமிக் ரேம் (டிஆர்ஏஎம்), இது ஒரு செல்லுக்கு ஒரு டிரான்சிஸ்டர் மற்றும் எம்ஓஎஸ் மின்தேக்கியைப் பயன்படுத்துகிறது. நிலையற்ற நினைவகம் (EPROM, EEPROM மற்றும் ஃபிளாஷ் நினைவகம் போன்றவை) மிதக்கும்-கேட் நினைவக செல்களைப் பயன்படுத்துகிறது, அவை ஒரு செல்லுக்கு ஒற்றை மிதக்கும்-கேட் டிரான்சிஸ்டரைக் கொண்டுள்ளன. பெரும்பாலான வகையான குறைக்கடத்தி நினைவகம் சீரற்ற அணுகலின் பண்பைக் கொண்டுள்ளது, அதாவது எந்த நினைவக இருப்பிடத்தையும் அணுக அதே அளவு நேரம் எடுக்கும், எனவே தரவை எந்த சீரற்ற வரிசையிலும் திறம்பட அணுக முடியும். இது ஹார்ட் டிஸ்க்குகள் மற்றும் சிடிக்கள் போன்ற தரவு சேமிப்பு ஊடகங்களுடன் முரண்படுகிறது, அவை தொடர்ச்சியாக தரவைப் படிக்கவும் எழுதவும் செய்கின்றன, எனவே தரவை அது எழுதப்பட்ட அதே வரிசையில் மட்டுமே அணுக முடியும். குறைக்கடத்தி நினைவகம் மற்ற வகை தரவு சேமிப்பை விட மிக விரைவான அணுகல் நேரங்களைக் கொண்டுள்ளது; ஒரு பைட் தரவை ஒரு சில நானோ விநாடிகளுக்குள் குறைக்கடத்தி நினைவகத்தில் இருந்து எழுதலாம் அல்லது படிக்கலாம், அதே நேரத்தில் ஹார்ட் டிஸ்க்குகள் போன்ற சுழலும் சேமிப்பிற்கான அணுகல் நேரம் மில்லி விநாடிகள் வரம்பில் உள்ளது. இந்த காரணங்களுக்காக இது முதன்மை சேமிப்பகத்திற்கு பயன்படுத்தப்படுகிறது, கணினி தற்போது பணிபுரியும் நிரல் மற்றும் தரவை வைத்திருக்க, பிற பயன்பாடுகளுடன். குறைக்கடத்தி நினைவக சில்லுகள் ஆண்டுதோறும் விற்கப்படுகின்றன, இது குறைக்கடத்தி தொழில்துறையின்% ஆகும். நினைவக முகவரி டிகோடிங் பொறிமுறை இல்லாத ஷிப்ட் பதிவேடுகள், செயலி பதிவேடுகள், தரவு இடையகங்கள் மற்றும் பிற சிறிய டிஜிட்டல் பதிவேடுகள் பொதுவாக நினைவகம் என்று குறிப்பிடப்படுவதில்லை, இருப்பினும் அவை டிஜிட்டல் தரவுகளையும் சேமிக்கிறது. ஒரு குறைக்கடத்தி நினைவக சிப்பில், பைனரி தரவின் ஒவ்வொரு பிட்டும் ஒன்று முதல் பல டிரான்சிஸ்டர்களைக் கொண்ட நினைவக செல் எனப்படும் ஒரு சிறிய சுற்றில் சேமிக்கப்படுகிறது. நினைவக செல்கள் சிப்பின் மேற்பரப்பில் செவ்வக வரிசைகளில் அமைக்கப்பட்டுள்ளன. 1-பிட் நினைவக செல்கள் சொற்கள் எனப்படும் சிறிய அலகுகளாக தொகுக்கப்பட்டுள்ளன, அவை ஒற்றை நினைவக முகவரியாக ஒன்றாக அணுகப்படுகின்றன. நினைவகம் பொதுவாக இரண்டு, பொதுவாக N = 1,2,4 அல்லது 8 பிட்களின் சக்தியாக இருக்கும் சொல் நீளத்தில் தயாரிக்கப்படுகிறது. சிப்பின் முகவரி ஊசிகளில் பயன்படுத்தப்படும் நினைவக முகவரி எனப்படும் பைனரி எண் மூலம் தரவு அணுகப்படுகிறது, இது சிப்பில் உள்ள எந்த வார்த்தையை அணுக வேண்டும் என்பதைக் குறிப்பிடுகிறது. நினைவக முகவரி எம் பிட்களைக் கொண்டிருந்தால், சிப்பில் உள்ள முகவரிகளின் எண்ணிக்கை 2 எம் ஆகும், ஒவ்வொன்றும் ஒரு என் பிட் வார்த்தையைக் கொண்டிருக்கும். இதன் விளைவாக, ஒவ்வொரு சிப்பிலும் சேமிக்கப்படும் தரவின் அளவு N2M பிட்கள் ஆகும். முகவரிக் கோடுகளின் எம் எண்ணிக்கையின் நினைவக சேமிப்பு திறன் 2 எம் ஆல் வழங்கப்படுகிறது, இது பொதுவாக 2,4,8,16,32,64,128,256 மற்றும் 512 ஆகிய இரண்டின் சக்தியில் இருக்கும் மற்றும் கிலோபிட்டுகள், மெகாபிட்டுகள், ஜிகாபிட்டுகள் அல்லது டெராபிட்டுகள் போன்றவற்றில் அளவிடப்படுகிறது. மிகப்பெரிய குறைக்கடத்தி நினைவக சில்லுகள் சில ஜிகாபிட் தரவைக் கொண்டுள்ளன, ஆனால் அதிக திறன் கொண்ட நினைவகம் தொடர்ந்து உருவாக்கப்பட்டு வருகிறது. பல ஒருங்கிணைந்த சுற்றுகளை இணைப்பதன் மூலம், நினைவகத்தை ஒவ்வொரு சிப்பும் வழங்குவதை விட பெரிய சொல் நீளம் மற்றும்/அல்லது முகவரி இடமாக ஏற்பாடு செய்யலாம், பெரும்பாலும் ஆனால் இரண்டின் சக்தி அவசியமில்லை. ஒரு மெமரி சிப்பால் செய்யப்படும் இரண்டு அடிப்படை செயல்பாடுகள் "ரீட்" ஆகும், இதில் ஒரு மெமரி வார்த்தையின் தரவு உள்ளடக்கங்கள் படிக்கப்படுகின்றன (அழிவற்ற முறையில்), மேலும் "ரைட்" இதில் தரவு ஒரு மெமரி வார்த்தையில் சேமிக்கப்படுகிறது, முன்பு அங்கு சேமிக்கப்பட்ட எந்த தரவையும் மாற்றுகிறது. தரவு விகிதத்தை அதிகரிக்க, டி. டி. ஆர். எஸ். டி. ஆர். ஏ. எம் போன்ற சில சமீபத்திய வகை நினைவக சில்லுகளில் ஒவ்வொரு வாசிப்பு அல்லது எழுதும் செயல்பாட்டிலும் பல சொற்கள் அணுகப்படுகின்றன. தனித்த நினைவக சில்லுகளுக்கு கூடுதலாக, குறைக்கடத்தி நினைவகத்தின் தொகுதிகள் பல கணினி மற்றும் தரவு செயலாக்க ஒருங்கிணைந்த சுற்றுகளின் ஒருங்கிணைந்த பகுதிகளாகும். எடுத்துக்காட்டாக, கணினிகளை இயக்கும் நுண்செயலி சில்லுகள் செயல்பாட்டிற்காக காத்திருக்கும் அறிவுறுத்தல்களை சேமிக்க தற்காலிக சேமிப்பு நினைவகத்தைக் கொண்டுள்ளன. வகை நிலையற்ற நினைவகம் நிலையற்ற நினைவகம் நினைவக சிப்பின் சக்தி அணைக்கப்படும்போது அதன் சேமிக்கப்பட்ட தரவை இழக்கிறது. இருப்பினும் இது நிலையற்ற நினைவகத்தை விட வேகமாகவும் குறைந்த விலையிலும் இருக்கலாம். இந்த வகை பெரும்பாலான கணினிகளில் பிரதான நினைவகத்திற்கு பயன்படுத்தப்படுகிறது, ஏனெனில் கணினி முடக்கப்பட்டிருக்கும் போது தரவு வன்வட்டில் சேமிக்கப்படுகிறது. முக்கிய வகைகள்ஃ ரேம் (சீரற்ற அணுகல் நினைவகம்) இது எந்த குறைக்கடத்தி நினைவகத்திற்கும் ஒரு பொதுவான சொல்லாக மாறியுள்ளது, இது ரோம் (கீழே) க்கு மாறாக எழுதப்படலாம், அதே போல் படிக்கப்படலாம், இது படிக்க மட்டுமே முடியும். ரேம் மட்டுமல்லாமல் அனைத்து குறைக்கடத்தி நினைவகமும் சீரற்ற அணுகலின் பண்பைக் கொண்டுள்ளன. DRAM (டைனமிக் சீரற்ற அணுகல் நினைவகம்) இது ஒவ்வொரு பிட்டையும் சேமிக்க ஒரு MOSFET (MOS புலம்-விளைவு டிரான்சிஸ்டர்) மற்றும் ஒரு MOS மின்தேக்கி ஆகியவற்றைக் கொண்ட நினைவக செல்களைப் பயன்படுத்துகிறது. இந்த வகை ரேம் மலிவானது மற்றும் அடர்த்தியில் மிக உயர்ந்தது, எனவே இது கணினிகளில் முக்கிய நினைவகத்திற்கு பயன்படுத்தப்படுகிறது. இருப்பினும், நினைவக செல்களில் தரவைச் சேமிக்கும் மின்சார கட்டணம் மெதுவாக வெளியே கசிகிறது, எனவே நினைவக செல்கள் அவ்வப்போது புதுப்பிக்கப்பட வேண்டும் (மீண்டும் எழுதப்பட வேண்டும்) இதற்கு கூடுதல் சுற்று தேவைப்படுகிறது. புதுப்பிப்பு செயல்முறை கணினியால் உள்நாட்டில் கையாளப்படுகிறது மற்றும் அதன் பயனருக்கு வெளிப்படையானது. எஃப். பி. எம். டி. ஆர். ஏ. எம் (ஃபாஸ்ட் பேஜ் மோட் டி. ஆர். ஏ. எம்) ஒரு பழைய வகை ஒத்திசைவற்ற டி. ஆர். ஏ. எம், இது முந்தைய வகைகளை விட மேம்பட்டது, இது நினைவகத்தின் ஒரு "பக்கத்திற்கு" மீண்டும் மீண்டும் அணுகல்களை விரைவான விகிதத்தில் நிகழ அனுமதிக்கிறது. 1990களின் நடுப்பகுதியில் பயன்படுத்தப்பட்டது. ஈ. டி. ஓ. டி. ஆர். ஏ. எம் (நீட்டிக்கப்பட்ட தரவு வெளியே டி. ஆர். ஏ. எம்) ஒரு பழைய வகை ஒத்திசைவற்ற டி. ஆர். ஏ. எம், இது முந்தைய அணுகலில் இருந்து தரவு மாற்றப்படும்போது புதிய நினைவக அணுகலைத் தொடங்குவதன் மூலம் முந்தைய வகைகளை விட விரைவான அணுகல் நேரத்தைக் கொண்டிருந்தது. 1990களின் பிற்பகுதியில் பயன்படுத்தப்பட்டது. VRAM (வீடியோ சீரற்ற அணுகல் நினைவகம்) ஒரு காலத்தில் வீடியோ அடாப்டர்களின் (வீடியோ கார்டுகள்) பிரேம் இடையகங்களுக்கு பயன்படுத்தப்பட்ட பழைய வகை இரட்டை-போர்ட் நினைவகம். எஸ். டி. ஆர். ஏ. எம் (ஒத்திசைவான டைனமிக் சீரற்ற அணுகல் நினைவகம்) இது டி. ஆர். ஏ. எம் சிப்பில் கூடுதல் சுற்றமைப்பு ஆகும், இது கணினியின் நினைவக பேருந்தில் சேர்க்கப்பட்ட கடிகார சமிக்ஞையுடன் அனைத்து செயல்பாடுகளையும் ஒத்திசைக்கிறது. இது வேகத்தை அதிகரிக்க, குழாய் இணைப்பைப் பயன்படுத்தி ஒரே நேரத்தில் பல நினைவக கோரிக்கைகளை செயலாக்க சிப்பை அனுமதித்தது. சிப்பில் உள்ள தரவு வங்கிகளாகப் பிரிக்கப்பட்டுள்ளது, அவை ஒவ்வொன்றும் ஒரே நேரத்தில் நினைவக செயல்பாட்டில் வேலை செய்ய முடியும். இது சுமார் 2000 ஆம் ஆண்டில் கணினி நினைவகத்தின் மேலாதிக்க வகையாக மாறியது. டிடிஆர் எஸ்டிஆர்ஏஎம் (இரட்டை தரவு விகிதம் எஸ்டிஆர்ஏஎம்) இது ஒவ்வொரு கடிகார சுழற்சியிலும் இரண்டு முறை தரவை (இரண்டு தொடர்ச்சியான சொற்கள்) இரட்டை உந்தி (கடிகார துடிப்பின் உயரும் மற்றும் விழும் விளிம்புகளில் தரவை மாற்றுவதன் மூலம்) மாற்ற முடியும். இந்த யோசனையின் விரிவாக்கங்கள் நினைவக அணுகல் விகிதம் மற்றும் செயல்திறனை அதிகரிக்க பயன்படுத்தப்படும் தற்போதைய (2012) நுட்பமாகும். மெமரி சில்லுகளின் உள் கடிகார வேகத்தை மேலும் அதிகரிப்பது கடினம் என்று நிரூபிக்கப்படுவதால், இந்த சில்லுகள் ஒவ்வொரு கடிகார சுழற்சியிலும் அதிக தரவு சொற்களை மாற்றுவதன் மூலம் பரிமாற்ற விகிதத்தை அதிகரிக்கின்றன டி. டி. ஆர் 2 எஸ். டி. ஆர். ஏ. எம். உள் கடிகார சுழற்சிக்கு தொடர்ச்சியாக 4 சொற்களை மாற்றுகிறது டி. டி. ஆர் 3 எஸ். டி. ஆர். ஏ. எம். உள் கடிகார சுழற்சிக்கு தொடர்ச்சியாக 8 சொற்களை மாற்றுகிறது. டி. டி. ஆர் 4 எஸ். டி. ஆர். ஏ. எம் உள் கடிகார சுழற்சிக்கு 16 தொடர்ச்சியான சொற்களை மாற்றுகிறது. ஆர். டி. ஆர். ஏ. எம் (ராம்பஸ் டி. ஆர். ஏ. எம்) ஒரு மாற்று இரட்டை தரவு வீத நினைவக தரநிலை, இது சில இன்டெல் அமைப்புகளில் பயன்படுத்தப்பட்டது, ஆனால் இறுதியில் டி. டி. ஆர். எஸ். டி. ஆர். ஏ. எம்-க்கு இழந்தது. எக்ஸ். டி. ஆர். டி. ஆர். ஏ. எம் (எக்ஸ்ட்ரீம் டேட்டா ரேட் டி. ஆர். ஏ. எம்) எஸ். ஜி. ஆர். ஏ. எம் (சின்க்ரோனஸ் கிராபிக்ஸ் ரேம்) கிராபிக்ஸ் அடாப்டர்களுக்காக (வீடியோ கார்டுகள்) உருவாக்கப்பட்ட ஒரு சிறப்பு வகை எஸ்டிஆர்ஏஎம் ஆகும். இது பிட் மாஸ்கிங் மற்றும் பிளாக் ரைட் போன்ற கிராபிக்ஸ் தொடர்பான செயல்பாடுகளைச் செய்ய முடியும், மேலும் ஒரே நேரத்தில் இரண்டு பக்க நினைவகத்தைத் திறக்கலாம். GDDR SDRAM (கிராபிக்ஸ் DDR SDRAM) GDDR2 GDDR3 SDRAM GDDR4 SDRAM GDDR5 SDRAM GDDR6 SDRAM HBM (உயர் அலைவரிசை நினைவகம்) தரவை வேகமாக மாற்றக்கூடிய கிராபிக்ஸ் கார்டுகளில் பயன்படுத்தப்படும் SDRAM இன் வளர்ச்சி. இது ஒருவருக்கொருவர் மேல் அடுக்கப்பட்ட பல மெமரி சில்லுகளைக் கொண்டுள்ளது, ஒரு பரந்த தரவு பஸ்ஸுடன். பிஎஸ்ஆர்ஏஎம் (சூடோஸ்டாடிக் ரேம்) இது டிஆர்ஏஎம் ஆகும், இது சிப்பில் நினைவக புதுப்பிப்பைச் செய்ய சுற்றுவட்டத்தைக் கொண்டுள்ளது, இதனால் இது எஸ்ஆர்ஏஎம் போல செயல்படுகிறது, இது ஆற்றலைச் சேமிக்க வெளிப்புற நினைவகக் கட்டுப்பாட்டாளரை மூட அனுமதிக்கிறது. இது வை போன்ற சில கேம் கன்சோல்களில் பயன்படுத்தப்படுகிறது. எஸ்ஆர்ஏஎம் (நிலையான சீரற்ற அணுகல் நினைவகம்) இது 4 முதல் 6 டிரான்சிஸ்டர்களால் ஆன ஃபிளிப்-ஃப்ளாப் எனப்படும் சுற்றுவட்டத்தில் ஒவ்வொரு பிட் தரவையும் சேமிக்கிறது. DRAM ஐ விட SRAM குறைவான அடர்த்தியானது மற்றும் ஒரு பிடுக்கு அதிக விலை கொண்டது, ஆனால் வேகமானது மற்றும் நினைவக புதுப்பிப்பு தேவையில்லை. இது கணினிகளில் சிறிய தற்காலிக சேமிப்பு நினைவுகளுக்கு பயன்படுத்தப்படுகிறது. CAM (உள்ளடக்க முகவரி நினைவகம்) இது ஒரு சிறப்பு வகையாகும், இதில் ஒரு முகவரியைப் பயன்படுத்தி தரவை அணுகுவதற்குப் பதிலாக, ஒரு தரவு வார்த்தை பயன்படுத்தப்படுகிறது மற்றும் சொல் நினைவகத்தில் சேமிக்கப்பட்டால் நினைவகம் இருப்பிடத்தைத் திருப்பித் தருகிறது. இது பெரும்பாலும் மைக்ரோப்ராசசர்கள் போன்ற பிற சில்லுகளில் இணைக்கப்பட்டுள்ளது, அங்கு இது கேச் நினைவகத்திற்கு பயன்படுத்தப்படுகிறது. நிலையற்ற நினைவகம் நிலையற்ற நினைவகம் (என். வி. எம்) சிப்பின் சக்தி அணைக்கப்படும் காலங்களில் அதில் சேமிக்கப்பட்ட தரவைப் பாதுகாக்கிறது. எனவே, டிஸ்க்குகள் இல்லாத சிறிய சாதனங்களில் உள்ள நினைவகத்திற்கும், அகற்றக்கூடிய நினைவக அட்டைகளுக்கும் இது பயன்படுத்தப்படுகிறது. முக்கிய வகைகள்ஃ ரோம் (ரீட்-ஒன்லி மெமரி) இது நிரந்தர தரவை வைத்திருக்க வடிவமைக்கப்பட்டுள்ளது, மேலும் சாதாரண செயல்பாட்டில் இருந்து மட்டுமே படிக்கப்படுகிறது, எழுதப்படவில்லை. பல வகைகளுக்கு எழுத முடியும் என்றாலும், எழுதும் செயல்முறை மெதுவாக உள்ளது மற்றும் பொதுவாக சிப்பில் உள்ள அனைத்து தரவுகளும் ஒரே நேரத்தில் மீண்டும் எழுதப்பட வேண்டும். கணினியைத் தொடங்கும் பயோஸ் நிரல் மற்றும் சிறிய சாதனங்கள் மற்றும் மைக்ரோகண்ட்ரோலர்கள் போன்ற உட்பொதிக்கப்பட்ட கணினிகளுக்கான மென்பொருள் (மைக்ரோகோடு) போன்ற கணினிக்கு உடனடியாக அணுகக்கூடிய கணினி மென்பொருளை சேமிக்க இது பொதுவாகப் பயன்படுத்தப்படுகிறது. எம். ஆர். ஓ. எம் (மாஸ்க் புரோகிராம் செய்யப்பட்ட ரோம் அல்லது மாஸ்க் ரோம்) இந்த வகைகளில் சிப் தயாரிக்கப்படும்போது தரவு சிப்பில் புரோகிராம் செய்யப்படுகிறது, எனவே இது பெரிய உற்பத்தி ஓட்டங்களுக்கு மட்டுமே பயன்படுத்தப்படுகிறது. புதிய தரவுகளுடன் அதை மீண்டும் எழுத முடியாது. PROM (புரோகிராமபிள் ரீட்-ஒன்லி மெமரி) இந்த வகை தரவு சுற்றுவட்டத்தில் நிறுவப்படுவதற்கு முன்பு ஏற்கனவே உள்ள PROM சிப்பில் எழுதப்படுகிறது, ஆனால் அதை ஒரு முறை மட்டுமே எழுத முடியும். PROM புரோகிராமர் எனப்படும் சாதனத்தில் சிப்பை செருகுவதன் மூலம் தரவு எழுதப்படுகிறது. EPROM (அழிக்கக்கூடிய புரோகிராமபிள் ரீட்-ஒன்லி மெமரி அல்லது UVEPROM) இந்த வகைகளில் சர்க்யூட் போர்டில் இருந்து சிப்பை அகற்றி, ஏற்கனவே உள்ள தரவை அழிக்க புற ஊதா ஒளியில் வெளிப்படுத்தி, அதை ஒரு PROM புரோகிராமரில் செருகுவதன் மூலம் அதில் உள்ள தரவை மீண்டும் எழுதலாம். ஐசி தொகுப்பில் புற ஊதா ஒளியை அனுமதிக்க மேலே ஒரு சிறிய வெளிப்படையான "சாளரம்" உள்ளது. இது பெரும்பாலும் முன்மாதிரிகள் மற்றும் சிறிய உற்பத்தி இயங்கும் சாதனங்களுக்கு பயன்படுத்தப்படுகிறது, அங்கு அதில் உள்ள நிரலை தொழிற்சாலையில் மாற்ற வேண்டியிருக்கும். EEPROM (மின்சாரத்தால் அழிக்கக்கூடிய புரோகிராமபிள் ரீட்-ஒன்லி மெமரி) இந்த வகைகளில் தரவை மின்சாரத்தால் மீண்டும் எழுதலாம், அதே நேரத்தில் சிப் சர்க்யூட் போர்டில் இருக்கும், ஆனால் எழுதும் செயல்முறை மெதுவாக இருக்கும். பெரும்பாலான கணினிகளில் உள்ள பயோஸ் நிரல் போன்ற வன்பொருள் சாதனங்களை இயக்கும் குறைந்த அளவிலான மைக்ரோகோடு ஃபார்ம்வேரை வைத்திருக்க இந்த வகை பயன்படுத்தப்படுகிறது, இதனால் அதை புதுப்பிக்க முடியும். NVRAM (நிலையற்ற சீரற்ற அணுகல் நினைவகம்) FRAM (ஃபெரோ எலக்ட்ரிக் ரேம்) ஒரு வகை நிலையற்ற ரேம். ஃப்ளாஷ் நினைவகம் இந்த வகையில் எழுதும் செயல்முறை EEPROMS மற்றும் RAM நினைவகத்திற்கு இடையிலான வேகத்தில் இடைநிலை ஆகும்; இது எழுதப்படலாம், ஆனால் முக்கிய நினைவகமாக செயல்படும் அளவுக்கு வேகமாக இல்லை. கோப்புகளைச் சேமிக்க, இது பெரும்பாலும் வட்டு வட்டின் குறைக்கடத்தி பதிப்பாகப் பயன்படுத்தப்படுகிறது. இது பி. டி. ஏக்கள், யூ. எஸ். பி ஃபிளாஷ் டிரைவ்கள் மற்றும் டிஜிட்டல் கேமராக்கள் மற்றும் செல்போன்களில் பயன்படுத்தப்படும் அகற்றக்கூடிய மெமரி கார்டுகள் போன்ற சிறிய சாதனங்களில் பயன்படுத்தப்படுகிறது. ஆரம்பகால கணினி நினைவகம் காந்த-மைய நினைவகத்தைக் கொண்டிருந்தது, ஏனெனில் பைபோலார் ஜங்ஷன் டிரான்சிஸ்டர் (பி. ஜே. டி) போன்ற டிரான்சிஸ்டர்கள் உட்பட ஆரம்பகால திட-நிலை மின்னணு குறைக்கடத்திகள் டிஜிட்டல் சேமிப்பு கூறுகளாக (நினைவக செல்கள்) பயன்படுத்துவதற்கு சாத்தியமற்றவை. ஆரம்பகால குறைக்கடத்தி நினைவகம் 1960 களின் முற்பகுதியில் உள்ளது, இருமுனை நினைவகத்துடன், இது இருமுனை டிரான்சிஸ்டர்களைப் பயன்படுத்தியது. தனித்துவமான சாதனங்களிலிருந்து தயாரிக்கப்பட்ட இருமுனை குறைக்கடத்தி நினைவகம் முதன்முதலில் டெக்சாஸ் இன்ஸ்ட்ரூமென்ட்ஸ் மூலம் 1961 இல் அமெரிக்க விமானப்படைக்கு அனுப்பப்பட்டது. அதே ஆண்டு, ஒருங்கிணைந்த சுற்று (ஐசி) சிப்பில் திட-நிலை நினைவகம் என்ற கருத்தை ஃபேர்சைல்ட் செமிகண்டக்டரில் பயன்பாட்டு பொறியாளர் பாப் நார்மன் முன்மொழிந்தார். 1965 டிசம்பரில் பால் காஸ்ட்ருச்சியால் வடிவமைக்கப்பட்ட பிஜேடி 16-பிட் ஐபிஎம் எஸ்பி95 தான் முதல் ஒற்றை-சிப் நினைவக ஐசி ஆகும். இருமுனை நினைவகம் காந்த-மைய நினைவகத்தை விட மேம்பட்ட செயல்திறனை வழங்கினாலும், காந்த-மைய நினைவகத்தின் குறைந்த விலையுடன் போட்டியிட முடியவில்லை, இது 1960 களின் பிற்பகுதி வரை ஆதிக்கம் செலுத்தியது. இருமுனை ஃபிளிப்-ஃப்ளாப் சுற்றுகள் மிகப் பெரியதாகவும் விலையுயர்ந்ததாகவும் இருந்ததால் இருமுனை நினைவகம் காந்த-மைய நினைவகத்தை மாற்றத் தவறிவிட்டது. 1959 ஆம் ஆண்டில் பெல் ஆய்வகத்தில் முகமது எம். அடல்லா மற்றும் டாவோன் காங் ஆகியோரால் கண்டுபிடிக்கப்பட்ட உலோக-ஆக்சைடு-குறைக்கடத்தி புலம்-விளைவு டிரான்சிஸ்டரின் (MOSFET) வருகை, உலோக-ஆக்சைடு-குறைக்கடத்தி (MOS) டிரான்சிஸ்டர்களை நினைவக செல் சேமிப்பு கூறுகளாகப் பயன்படுத்த உதவியது, இது முன்பு கணினி நினைவகத்தில் காந்த மையங்களால் சேவை செய்யப்பட்டது. எம்ஓஎஸ் நினைவகம் 1964 ஆம் ஆண்டில் ஃபேர்சைல்ட் செமிகண்டக்டரில் ஜான் ஷ்மிட் என்பவரால் உருவாக்கப்பட்டது. அதிக செயல்திறனுடன் கூடுதலாக, எம்ஓஎஸ் நினைவகம் மலிவானது மற்றும் காந்த-கோர் நினைவகத்தை விட குறைவான சக்தியை பயன்படுத்தியது. இது இறுதியில் கணினி நினைவகத்தில் நிலையான சேமிப்பு கூறுகளாக காந்த மையங்களை மாற்றுவதற்கு MOSFET களுக்கு வழிவகுத்தது. 1965இல் ஜே. ராயல் ரேடார் எஸ்டாபிளிஷ்மென்ட்டின் வூட் மற்றும் ஆர். பால் ஆகியோர் CMOS (நிரப்பு MOS) நினைவக செல்களைப் பயன்படுத்தும் டிஜிட்டல் சேமிப்பு அமைப்புகளை முன்மொழிந்தனர், மேலும் மின் விநியோகத்திற்கான MOSFET மின் சாதனங்கள், சுவிட்ச் குறுக்கு-இணைப்பு, சுவிட்சுகள் மற்றும் தாமத-வரி சேமிப்பு ஆகியவற்றைப் பயன்படுத்துகின்றனர். 1968 ஆம் ஆண்டில் ஃபேர்சைல்டில் ஃபெடரிகோ ஃபாக்ஜினால் சிலிக்கான்-கேட் எம்ஓஎஸ் ஒருங்கிணைந்த சுற்று (எம்ஓஎஸ் ஐசி) தொழில்நுட்பத்தின் வளர்ச்சி எம்ஓஎஸ் மெமரி சில்லுகளின் உற்பத்திக்கு உதவியது. என்எம்ஓஎஸ் நினைவகம் 1970களின் முற்பகுதியில் ஐபிஎம் நிறுவனத்தால் வணிகமயமாக்கப்பட்டது. எம்ஓஎஸ் நினைவகம் 1970 களின் முற்பகுதியில் காந்த மைய நினைவகத்தை ஆதிக்கம் செலுத்தும் நினைவக தொழில்நுட்பமாக முந்தியது. "நினைவகம்" என்ற சொல் கணினிகளைக் குறிக்கப் பயன்படுத்தப்படும்போது பெரும்பாலும் நிலையற்ற சீரற்ற அணுகல் நினைவகத்தை (ரேம்) குறிக்கிறது. நிலையற்ற ரேமின் இரண்டு முக்கிய வகைகள் நிலையான சீரற்ற அணுகல் நினைவகம் (எஸ்ஆர்ஏஎம்) மற்றும் மாறும் சீரற்ற அணுகல் நினைவகம் (டிஆர்ஏஎம்) ஆகும். பைபோலார் எஸ்ஆர்ஏஎம் 1963 ஆம் ஆண்டில் ஃபேர்சைல்டு செமிகண்டக்டரில் ராபர்ட் நார்மனால் கண்டுபிடிக்கப்பட்டது, அதைத் தொடர்ந்து 1964 ஆம் ஆண்டில் ஃபேர்சைல்டில் ஜான் ஷ்மிட் என்பவரால் எம்ஓஎஸ் எஸ்ஆர்ஏஎம் உருவாக்கப்பட்டது. SRAM காந்த-மைய நினைவகத்திற்கு மாற்றாக மாறியது, ஆனால் ஒவ்வொரு பிட் தரவுகளுக்கும் ஆறு MOS டிரான்சிஸ்டர்கள் தேவைப்பட்டன. 1965 ஆம் ஆண்டில் சிஸ்டம்/360 மாடல் 95 க்கான ஐ. பி. எம் தங்கள் எஸ். பி 95 எஸ். ஆர். ஏ. எம் சிப்பை அறிமுகப்படுத்தியபோது எஸ். ஆர். ஏ. எம் இன் வணிக பயன்பாடு தொடங்கியது. தோஷிபா 1965 ஆம் ஆண்டில் அதன் டோஸ்கல் பி. சி-1411 மின்னணு கால்குலேட்டருக்காக இருமுனை டி. ஆர். ஏ. எம் நினைவக செல்களை அறிமுகப்படுத்தியது. இது காந்த-மைய நினைவகத்தை விட மேம்பட்ட செயல்திறனை வழங்கியிருந்தாலும், இருமுனை டி. ஆர். ஏ. எம் அப்போதைய மேலாதிக்க காந்த-மைய நினைவகத்தின் குறைந்த விலையுடன் போட்டியிட முடியவில்லை. எம்ஓஎஸ் தொழில்நுட்பம் நவீன டி. ஆர். ஏ. எம்-க்கு அடிப்படையாகும். 1966 ஆம் ஆண்டில், ஐபிஎம் தாமஸ் ஜே. வாட்சன் ஆராய்ச்சி மையத்தில் டாக்டர் ராபர்ட் எச். டெனார்ட் எம்ஓஎஸ் நினைவகத்தில் பணியாற்றி வந்தார். எம்ஓஎஸ் தொழில்நுட்பத்தின் சிறப்பியல்புகளை ஆராய்ந்தபோது, அது மின்தேக்கிகளை உருவாக்கும் திறன் கொண்டது என்பதைக் கண்டறிந்தார், மேலும் எம்ஓஎஸ் மின்தேக்கியில் ஒரு சார்ஜ் அல்லது எந்த சார்ஜ் சேமித்து வைப்பது ஒரு பிட்டின் 1 மற்றும் 0 ஐக் குறிக்க முடியும், அதே நேரத்தில் எம்ஓஎஸ் டிரான்சிஸ்டர் மின்தேக்கிக்கு சார்ஜ் எழுதுவதைக் கட்டுப்படுத்த முடியும். இது ஒற்றை-டிரான்சிஸ்டர் DRAM நினைவக செல்லின் வளர்ச்சிக்கு வழிவகுத்தது. 1967 ஆம் ஆண்டில், எம்ஓஎஸ் தொழில்நுட்பத்தை அடிப்படையாகக் கொண்ட ஒற்றை-டிரான்சிஸ்டர் டி. ஆர். ஏ. எம் மெமரி செல்லுக்காக டெனார்ட் ஐபிஎம்-இன் கீழ் காப்புரிமையை தாக்கல் செய்தார். இது அக்டோபர் 1970 இல் முதல் வணிக ரீதியான DRAM IC சிப், இன்டெல் 1103 க்கு வழிவகுத்தது. ஒத்திசைவான டைனமிக் சீரற்ற அணுகல் நினைவகம் (எஸ். டி. ஆர். ஏ. எம்) பின்னர் 1992 இல் சாம்சங் கே. எம். 48 எஸ். எல் 2000 சிப்புடன் அறிமுகமானது. "நினைவகம்" என்ற சொல் பெரும்பாலும் நிலையற்ற நினைவகத்தைக் குறிக்கப் பயன்படுத்தப்படுகிறது, குறிப்பாக ஃபிளாஷ் நினைவகம். இது ரீட்-ஒன்லி மெமரி (ரோம்) மூலம் உருவானது. புரோகிராமபிள் ரீட்-ஒன்லி மெமரி (பி. ஆர். ஓ. எம்) 1956 ஆம் ஆண்டில் வென் சிங் சோவ் என்பவரால் கண்டுபிடிக்கப்பட்டது, அமெரிக்க போஷ் ஆர்மா கார்ப்பரேஷனின் ஆர்மா பிரிவில் பணிபுரிந்தபோது. 1967 ஆம் ஆண்டில், பெல் லேப்ஸின் டாவோன் காங் மற்றும் சைமன் ஸ்ஸே ஆகியோர் ஒரு எம்ஓஎஸ் குறைக்கடத்தி சாதனத்தின் மிதக்கும் வாயிலை மறுசீரமைக்கக்கூடிய ரீட்-ஒன்லி மெமரி (ரோம்) செல்லிற்கு பயன்படுத்தலாம் என்று முன்மொழிந்தனர், இது இன்டெல்லின் டோவ் ஃப்ரோமேன் 1971 இல் ஈபிரோம் (அழிக்கக்கூடிய ப்ரோம்) கண்டுபிடிக்க வழிவகுத்தது. EEPROM (மின்சாரத்தால் அழிக்கக்கூடிய PROM) 1972 ஆம் ஆண்டில் ஜப்பானின் சர்வதேச வர்த்தக மற்றும் தொழில்துறை அமைச்சகத்தின் (MITI) எலக்ட்ரோடெக்னிக்கல் ஆய்வகத்தில் யாசுவோ தாருய், யுடாகா ஹயாஷி மற்றும் கியோகோ நாகா ஆகியோரால் உருவாக்கப்பட்டது. ஃப்ளாஷ் மெமரி 1980 களின் முற்பகுதியில் தோஷிபாவில் ஃபுஜியோ மசுவோகாவால் கண்டுபிடிக்கப்பட்டது. மசுவோகா மற்றும் அவரது சகாக்கள் 1984 ஆம் ஆண்டில் NOR ஃபிளாஷ் மற்றும் பின்னர் 1987 ஆம் ஆண்டில் NAND ஃபிளாஷ் கண்டுபிடிப்பை வழங்கினர். தோஷிபா 1987 ஆம் ஆண்டில் NAND ஃபிளாஷ் நினைவகத்தை வணிகமயமாக்கியது. பயன்பாடுகள் மேலும் காண்க அதிகம் விற்பனையாகும் மின்னணு சாதனங்களின் பட்டியல் செமிகண்டக்டர் தொழில் குறிப்புகள் டிஜிட்டல் மின்னணுவியல் கணினி நினைவக ஒருங்கிணைந்த சுற்றுகள் MOSFET கள்