Ion plating
அயன் பூசுதல் (ஐபி) என்பது ஒரு இயற்பியல் நீராவி படிவு (பிவிடி) செயல்முறையாகும், இது சில நேரங்களில் அயனி உதவி படிவு (ஐஎடி) அல்லது அயனி நீராவி படிவு (ஐவிடி) என்று அழைக்கப்படுகிறது மற்றும் இது வெற்றிட படிவின் மாற்றியமைக்கப்பட்ட பதிப்பாகும். அயன் பூச்சு அடி மூலக்கூறின் ஒரே நேரத்தில் அல்லது அவ்வப்போது குண்டுவீச்சைப் பயன்படுத்துகிறது, மேலும் அயனிகள் எனப்படும் அணு அளவிலான ஆற்றல்மிக்க துகள்களால் படலத்தை வைக்கிறது. படிதலுக்கு முன் குண்டுவீச்சு அடி மூலக்கூறு மேற்பரப்பை சுத்தம் செய்ய பயன்படுத்தப்படுகிறது. டெபாசிஷனின் போது குண்டுவீச்சு டெபாசிட்டிங் படத்தின் பண்புகளை மாற்றியமைக்கவும் கட்டுப்படுத்தவும் பயன்படுத்தப்படுகிறது. அணு ரீதியாக சுத்தமான இடைமுகத்தை பராமரிக்க செயல்முறையின் சுத்தம் மற்றும் படிவு பகுதிகளுக்கு இடையில் குண்டுவீச்சு தொடர்ந்து இருப்பது முக்கியம். இந்த இடைமுகம் சரியாக சுத்தம் செய்யப்படாவிட்டால், அது பலவீனமான பூச்சு அல்லது மோசமான ஒட்டுதலுக்கு வழிவகுக்கும். அவை டெபாசிட் செய்யப்பட்ட பூச்சுகளை வெற்றிடமாக்குவதற்கான பல்வேறு செயல்முறைகளாகும், இதில் அவை அரிப்பு எதிர்ப்பு மற்றும் பொருள் மீது தேய்மானம் போன்ற பல்வேறு பயன்பாடுகளுக்கு பயன்படுத்தப்படுகின்றன. செயல்முறை அயனி பூசுதலில், குண்டுவீச்சு உயிரினங்களின் ஆற்றல், பாய்வு மற்றும் நிறை மற்றும் குண்டுவீச்சு துகள்கள் மற்றும் டெபாசிட்டிங் துகள்களின் விகிதம் ஆகியவை முக்கியமான செயலாக்க மாறிகளாகும். சேமிக்கும் பொருள் ஆவியாதல், துளைத்தல் (சார்பு துளைத்தல்), வளைவு ஆவியாக்கம் அல்லது ஒரு இரசாயன நீராவி முன்னோடி இரசாயன நீராவி படிவு (சி. வி. டி) சிதைவு மூலம் ஆவியாக்கப்படலாம். குண்டுவீச்சுக்கு பயன்படுத்தப்படும் ஆற்றல்மிக்க துகள்கள் பொதுவாக ஒரு மந்த அல்லது எதிர்வினை வாயுவின் அயனிகள் அல்லது சில சந்தர்ப்பங்களில், ஒடுக்கப்பட்ட படலப் பொருளின் அயனிகள் ("திரைப்பட அயனிகள்") ஆகும். அயன் பூச்சு ஒரு பிளாஸ்மா சூழலில் செய்யப்படலாம், அங்கு குண்டுவீச்சுக்கான அயனிகள் பிளாஸ்மாவிலிருந்து பிரித்தெடுக்கப்படுகின்றன அல்லது இது ஒரு வெற்றிட சூழலில் செய்யப்படலாம், அங்கு குண்டுவீச்சுக்கான அயனிகள் ஒரு தனி அயன் துப்பாக்கியில் உருவாகின்றன. பிந்தைய அயனி பூச்சு அமைப்பு பெரும்பாலும் அயன் பீம் உதவி படிவு (ஐ. பி. ஏ. டி) என்று அழைக்கப்படுகிறது. பிளாஸ்மாவில் ஒரு எதிர்வினை வாயு அல்லது நீராவியைப் பயன்படுத்துவதன் மூலம், கூட்டு பொருட்களின் படலங்கள் டெபாசிட் செய்யப்படலாம். அயன் பூசுதல் கருவிகள், பின்பற்றப்பட்ட உலோக பூச்சுகள், அதிக அடர்த்தியுடன் கூடிய ஒளியியல் பூச்சுகள் மற்றும் சிக்கலான மேற்பரப்புகளில் இணக்கமான பூச்சுகள் ஆகியவற்றில் கலப்பு பொருட்களின் கடினமான பூச்சுகளை டெபாசிட் செய்ய பயன்படுத்தப்படுகிறது. மற்ற முறைகளை விட சிறந்த மேற்பரப்பு கவரேஜ் (இயற்பியல் நீராவி படிவு, ஸ்பட்டர் படிவு). குண்டுவீச்சு இனங்களின் மேற்பரப்பில் அதிக ஆற்றல் கிடைக்கிறது, இதன் விளைவாக முழுமையான பிணைப்பு ஏற்படுகிறது. அயனி குண்டுவீச்சின் மட்டத்துடன் நெகிழ்வுத்தன்மை. குண்டுவீச்சு இனங்களின் மேற்பரப்புக்கு பிளாஸ்மா மற்றும் ஆற்றலை வழங்கும்போது மேம்பட்ட இரசாயன எதிர்வினைகள். பொருளின் ஆயுள் குறைந்தது 8 மடங்கு அதிகமாக மேம்படுகிறது. மற்ற நுட்பங்களுடன் ஒப்பிடும்போது கணக்கில் எடுத்துக் கொள்ள வேண்டிய அதிகரித்த மாறிகள். பூசுதலின் சீரான தன்மை எப்போதும் நிலையானதாக இருக்காது அடி மூலக்கூறு அழுத்தத்திற்கு அதிகப்படியான வெப்பம் இந்த செயல்முறை விலை உயர்ந்தது மற்றும் நேரம் எடுக்கும் அயனி பூச்சு பற்றிய பின்னணி தகவல் அயனி பூச்சு செயல்முறை முதன்முதலில் 1964 ஆம் ஆண்டில் சாண்டியா தேசிய ஆய்வகங்களின் டொனால்ட் எம். மேட்டாக்ஸ் தொழில்நுட்ப இலக்கியத்தில் விவரிக்கப்பட்டது. இந்தக் கட்டுரையில் விவரிக்கப்பட்டுள்ளபடி, இது ஆரம்பத்தில் பட ஒட்டுதலை மேம்படுத்தவும் மேற்பரப்பு அளவை மேம்படுத்தவும் பயன்படுத்தப்பட்டது. இந்த செயல்முறை முதன்முதலில் 1960 களில் பயன்படுத்தப்பட்டது மற்றும் குறிப்பிட்ட துப்புரவு நுட்பங்கள் மற்றும் திரைப்பட வளர்ச்சி எதிர்வினை மற்றும் அரை எதிர்வினை படிவு நுட்பங்களைப் பயன்படுத்தி நேரம் முழுவதும் தொடர்ந்தது. அறிவியல் மேற்பரப்புகளை சுத்தம் செய்ய 1950 களில் இருந்து ஸ்பட்டர் துப்புரவு பயன்படுத்தப்படுகிறது. 1970 களில், உயர் விகித டிசி மேக்னட்ரான் ஸ்பட்டரிங் குண்டுவீச்சு படங்களை அடர்த்தியாக்கியது மற்றும் பொருட்களின் கடினத்தன்மைக்கு உதவியது என்பதைக் காட்டுகிறது. நாம் மேலும் முன்னேறும்போது, 1983இல் குண்டுவீச்சு என்பது சேர்க்கப்பட்ட வாயு அயனிகளின் ஒரே நேரத்தில் குண்டுவீச்சாகப் பயன்படுத்தப்பட்டது என்பதை அறிந்தோம். குறிப்புகள் மேலும் வாசிப்பு பூச்சு நுட்பங்கள் பற்றிய கூடுதல் தகவல்கள் பூச்சு நுட்பங்களின் பட்டியல் வெளிப்புற இணைப்புகள் இரசாயன செயல்முறைகள் மெல்லிய படலம் படிவு