VMOS
ஒரு VMOS () (செங்குத்து உலோக ஆக்சைடு குறைக்கடத்தி அல்லது V-க்ரூவ் MOS) டிரான்சிஸ்டர் என்பது ஒரு வகை உலோக-ஆக்சைடு-குறைக்கடத்தி புலம்-விளைவு டிரான்சிஸ்டர் (MOSFET) ஆகும். அடி மூலக்கூறுக்குள் செங்குத்தாக வெட்டப்பட்ட வி-க்ரூவ் வடிவத்தை விவரிக்கவும் விஎம்ஓஎஸ் பயன்படுத்தப்படுகிறது. MOSFET இன் வாயிலின் "V" வடிவம் சாதனத்தை மூலத்திலிருந்து சாதனத்தின் வடிகால் வரை அதிக அளவு மின்னோட்டத்தை வழங்க அனுமதிக்கிறது. குறைப்பு பகுதியின் வடிவம் ஒரு பரந்த கால்வாயை உருவாக்குகிறது, இதன் மூலம் அதிக மின்னோட்டம் பாய அனுமதிக்கிறது. தடுப்பு முறையில் செயல்பாட்டின் போது, மிக உயர்ந்த மின்சார புலம் N +/p + சந்திப்பில் நிகழ்கிறது. பள்ளத்தின் அடிப்பகுதியில் ஒரு கூர்மையான மூலையில் இருப்பது குறைப்பு பகுதியில் கால்வாயின் விளிம்பில் உள்ள மின்சார புலத்தை மேம்படுத்துகிறது, இதனால் சாதனத்தின் முறிவு மின்னழுத்தம் குறைகிறது. இந்த மின்சார புலம் எலக்ட்ரான்களை கேட் ஆக்சைடுக்குள் செலுத்துகிறது, இதன் விளைவாக, சிக்கியுள்ள எலக்ட்ரான்கள் MOSFET இன் நுழைவாயில் மின்னழுத்தத்தை மாற்றுகின்றன. இந்த காரணத்திற்காக, வி-க்ரூவ் கட்டமைப்பு இனி வணிக சாதனங்களில் பயன்படுத்தப்படுவதில்லை. V வடிவத்தின் மேற்புறத்தில் அதிகபட்ச மின்சார புலத்தைக் குறைப்பதற்காக UMOS (அல்லது ட்ரெஞ்ச்-கேட் MOS) போன்ற பொருத்தமான வடிவவியல்கள் அறிமுகப்படுத்தப்படும் வரை சாதனத்தின் பயன்பாடு ஒரு சக்தி சாதனமாக இருந்தது, இதனால் VMOS ஐ விட அதிக அதிகபட்ச மின்னழுத்தங்களுக்கு வழிவகுக்கிறது. முதல் MOSFET (வி-க்ரூவ் இல்லாமல்) 1959 ஆம் ஆண்டில் பெல் லேப்ஸில் முகமது அடல்லா மற்றும் டாவோன் காங் ஆகியோரால் கண்டுபிடிக்கப்பட்டது. வி-க்ரூவ் கட்டுமானம் 1969 ஆம் ஆண்டில் ஜுன்-இச்சி நிஷிஸாவாவால் முன்னோடியாக இருந்தது, ஆரம்பத்தில் நிலையான தூண்டல் டிரான்சிஸ்டர் (எஸ். ஐ. டி), ஒரு வகை சந்திப்பு புலம்-விளைவு டிரான்சிஸ்டர் (ஜே. எஃப். இ. டி). 1969 ஆம் ஆண்டில் ஹிட்டாச்சியால் VMOS கண்டுபிடிக்கப்பட்டது, அவர்கள் ஜப்பானில் முதல் செங்குத்து சக்தி MOSFET ஐ அறிமுகப்படுத்தினர். டி. ஜே. ரோட்ஜர்ஸ், ஸ்டான்போர்ட் பல்கலைக்கழகத்தில் மாணவராக இருந்தபோது, 1973 ஆம் ஆண்டில் விஎம்ஓஎஸ்-க்கான அமெரிக்க காப்புரிமையை தாக்கல் செய்தார். சிலிக்கானிக்ஸ் 1975 ஆம் ஆண்டில் ஒரு வி. எம். ஓ. எஸ்ஸை வணிக ரீதியாக அறிமுகப்படுத்தியது. விஎம்ஓஎஸ் பின்னர் செங்குத்து டிஎம்ஓஎஸ் (விடிஎம்ஓஎஸ்) என்று அறியப்பட்டது. 1978 ஆம் ஆண்டில், அமெரிக்கன் மைக்ரோசிஸ்டம்ஸ் (ஏஎம்ஐ) எஸ் 2811 ஐ வெளியிட்டது. இது டிஜிட்டல் சிக்னல் செயலியாக (டிஎஸ்பி) குறிப்பாக வடிவமைக்கப்பட்ட முதல் ஒருங்கிணைந்த சர்க்யூட் சிப் ஆகும், மேலும் இது விஎம்ஓஎஸ் என்ற தொழில்நுட்பத்தைப் பயன்படுத்தி தயாரிக்கப்பட்டது, இது முன்பு வெகுஜன உற்பத்தி செய்யப்படவில்லை. குறிப்புகள் டிரான்சிஸ்டர் வகைகள் MOSFET இன் ஜப்பானிய கண்டுபிடிப்புகள்