Phosphorene
பாஸ்போரின் என்பது பாஸ்பரஸ் கொண்ட இரு பரிமாணப் பொருள் ஆகும். இது கருப்பு பாஸ்பரஸின் ஒற்றை அடுக்கைக் கொண்டுள்ளது, இது பாஸ்பரஸின் மிகவும் நிலையான அலோட்ரோப் ஆகும். பாஸ்போரின் கிராஃபீன் (ஒற்றை அடுக்கு கிராஃபைட்) போன்றது. இரு பரிமாணப் பொருட்களில், பாஸ்போரின் கிராஃபீனுக்கு ஒரு போட்டியாளராக உள்ளது, ஏனெனில் இது பூஜ்ஜியமற்ற அடிப்படை பட்டை இடைவெளியைக் கொண்டுள்ளது, இது திரிபு மற்றும் அடுக்குகளில் உள்ள அடுக்குகளின் எண்ணிக்கையால் மாற்றியமைக்கப்படலாம். ஃபாஸ்போரின் முதன்முதலில் 2014 ஆம் ஆண்டில் இயந்திர எக்ஸ்ஃபோலியேஷன் மூலம் தனிமைப்படுத்தப்பட்டது. திரவ எக்ஸ்ஃபோலியேஷன் என்பது அளவிடக்கூடிய பாஸ்போரின் உற்பத்திக்கு ஒரு நம்பிக்கைக்குரிய முறையாகும். 1914 ஆம் ஆண்டில் கருப்பு பாஸ்பரஸ், பாஸ்பரஸின் அடுக்கு, குறைக்கடத்தல் அலோட்ரோப், ஒருங்கிணைக்கப்பட்டது. இந்த அலோட்ரோப் அதிக கேரியர் இயக்கத்தை வெளிப்படுத்துகிறது. 2014 ஆம் ஆண்டில், பல குழுக்கள் கருப்பு பாஸ்பரஸின் மோனோலேயர் ஒற்றை அடுக்கு பாஸ்போரைனை தனிமைப்படுத்தியது. அதன் பேண்ட் இடைவெளி காரணமாக ஆப்டோ எலக்ட்ரானிக்ஸ் மற்றும் எலக்ட்ரானிக்ஸ் ஆகியவற்றில் அதன் திறன் காரணமாக இது புதுப்பிக்கப்பட்ட கவனத்தை ஈர்த்தது, இது அதன் தடிமன், அனிசோட்ரோபிக் ஃபோட்டோ எலக்ட்ரானிக் பண்புகள் மற்றும் கேரியர் இயக்கம் ஆகியவற்றை மாற்றியமைப்பதன் மூலம் மாற்றியமைக்கப்படலாம். ஃபாஸ்போரின் ஆரம்பத்தில் இயந்திர பிளவுகளைப் பயன்படுத்தி தயாரிக்கப்பட்டது, இது கிராஃபீன் உற்பத்தியில் பொதுவாகப் பயன்படுத்தப்படும் நுட்பமாகும். 2023 ஆம் ஆண்டில், ஆர்சனிக்-ஃபோஸ்போரின் உலோகக்கலவைகள் தூய பாஸ்போரின் விட அதிக துளை இயக்கத்தைக் காட்டின, மேலும் அவை காந்தமாகவும் இருந்தன. பாஸ்போரின் தொகுப்பு ஒரு குறிப்பிடத்தக்க சவாலாகும். தற்போது, பாஸ்போரின் உற்பத்திக்கு இரண்டு முக்கிய வழிகள் உள்ளனஃ ஸ்காட்ச்-டேப் அடிப்படையிலான மைக்ரோக்ளீவேஜ் மற்றும் திரவ எக்ஸ்ஃபோலியேஷன், அதே நேரத்தில் பல முறைகளும் உருவாக்கப்பட்டு வருகின்றன. பிளாஸ்மா பொறித்தலில் இருந்து பாஸ்போரின் உற்பத்தியும் பதிவாகியுள்ளது. ஸ்காட்ச்-டேப் அடிப்படையிலான மைக்ரோக்லீவேஜில், ஸ்காட்ச்-டேப்பைப் பயன்படுத்தி கருப்பு பாஸ்பரஸ் படிகத்தின் பெரும்பகுதியிலிருந்து பாஸ்போரின் இயந்திர ரீதியாக வெளியேற்றப்படுகிறது. ஃபாஸ்போரின் பின்னர் ஒரு சி/சிஓ 2 அடி மூலக்கூறில் மாற்றப்படுகிறது, பின்னர் அது அசிட்டோன், ஐசோபுரோபைல் ஆல்கஹால் மற்றும் மெத்தனால் ஆகியவற்றால் சுத்தம் செய்யப்பட்டு ஸ்காட்ச் டேப் எச்சங்களை அகற்றுகிறது. கரைப்பான் எச்சங்களை அகற்ற மாதிரி 180 டிகிரி செல்சியஸுக்கு சூடாக்கப்படுகிறது. திரவ எக்ஸ்ஃபோலியேஷன் முறையில், முதலில் ப்ரெண்ட் மற்றும் பலர் தெரிவித்தனர். 2014 ஆம் ஆண்டில் மற்றும் மற்றவர்களால் மாற்றியமைக்கப்பட்ட, மொத்த கருப்பு பாஸ்பரஸ் முதலில் ஒரு மோட்டார் மற்றும் எறும்பில் தரையிறக்கப்பட்டு, பின்னர் குறைந்த சக்தி குளியல் சோனிகேஷனைப் பயன்படுத்தி ஒரு மந்த வளிமண்டலத்தின் கீழ் என். எம். பி போன்ற ஆக்ஸிஜனேற்றப்பட்ட, நீரற்ற கரிம திரவங்களில் சோனிகேட் செய்யப்படுகிறது. இடைநீக்கம் செய்யப்பட்ட கருப்பு பாஸ்பரஸை வடிகட்ட 30 நிமிடங்களுக்கு மையவிலக்கு செய்யப்படுகிறது. இதன் விளைவாக 2டி மோனோலேயர் மற்றும் சில அடுக்கு பாஸ்போரேன் ஆக்சிஜனேற்றப்படாத மற்றும் படிக அமைப்பு, அதே நேரத்தில் காற்றின் வெளிப்பாடு பாஸ்போரேனை ஆக்சிஜனேற்றம் செய்து அமிலத்தை உருவாக்குகிறது. திரவ எக்ஸ்ஃபோலியேஷனின் மற்றொரு மாறுபாடு "அடிப்படை என்-மெத்தில்-2-பைரோலிடோன் (என்எம்பி) திரவ எக்ஸ்ஃபோலியேஷன்" ஆகும். மொத்த கருப்பு பாஸ்போரின் ஒரு நிறைவுற்ற NaOH/NMP கரைசலில் சேர்க்கப்படுகிறது, இது திரவ எக்ஸ்ஃபோலியேஷனை நடத்த 4 மணி நேரம் சோனிகேட் செய்யப்படுகிறது. கரைசல் பின்னர் இரண்டு முறை மையவிலக்கு செய்யப்படுகிறது, முதலில் 10 நிமிடங்கள் எந்த இலைகளற்ற கருப்பு பாஸ்பரஸை அகற்றவும், பின்னர் 20 நிமிடங்கள் அதிக வேகத்தில் NMP இலிருந்து பாஸ்போரின் (5-12 அடுக்குகள்) தடிமனான அடுக்குகளை பிரிக்கவும். சூப்பர்னாடன்ட் பின்னர் ஃபாஸ்போரின் மெல்லிய அடுக்குகளை (1-7 அடுக்குகள்) பிரிக்க மேலும் 20 நிமிடங்களுக்கு அதிக வேகத்தில் மீண்டும் மையவிலக்கு செய்யப்படுகிறது. மையவிலக்கிலிருந்து வரும் வீழ்படிவு பின்னர் தண்ணீரில் மீண்டும் சிதறடிக்கப்பட்டு டியோனைஸ் செய்யப்பட்ட தண்ணீரால் பல முறை கழுவப்படுகிறது. பாஸ்போரின்/நீர் கரைசல் 280-nm SiO2 மேற்பரப்புடன் சிலிக்கான் மீது போடப்படுகிறது, அங்கு அது வெற்றிடத்தின் கீழ் மேலும் உலர்த்தப்படுகிறது. என். எம். பி திரவ எக்ஸ்ஃபோலியேஷன் முறை கட்டுப்படுத்தக்கூடிய அளவு மற்றும் அடுக்கு எண், சிறந்த நீர் நிலைத்தன்மை மற்றும் அதிக மகசூல் கொண்ட பாஸ்போரின் விளைச்சலை வழங்குவதாகக் காட்டப்பட்டது. தற்போதைய முறைகளின் குறைபாடுகளில் நீண்ட சோனிகேஷன் நேரம், அதிக கொதிநிலை கரைப்பான்கள் மற்றும் குறைந்த செயல்திறன் ஆகியவை அடங்கும். எனவே, திரவ எக்ஸ்ஃபோலியேஷனுக்கான பிற இயற்பியல் முறைகள் இன்னும் வளர்ச்சியில் உள்ளன. ஜெங் மற்றும் சக ஊழியர்களால் உருவாக்கப்பட்ட லேசர் உதவி முறை 5 நிமிடங்களுக்குள் 90 சதவீதம் வரை நம்பிக்கைக்குரிய விளைச்சலைக் காட்டியது. லேசர் ஃபோட்டான் மொத்த கருப்பு பாஸ்பரஸ் படிகத்தின் மேற்பரப்புடன் தொடர்பு கொள்கிறது, இதனால் பிளாஸ்மா மற்றும் கரைப்பான் குமிழிகள் இடை அடுக்கு தொடர்புகளை பலவீனப்படுத்துகின்றன. லேசர் ஆற்றலைப் பொறுத்து, கரைப்பான் (எத்தனால், மெத்தனால், ஹெக்சேன் போன்றவை) கதிர்வீச்சு நேரம், அடுக்கு எண் மற்றும் பாஸ்போரின் பக்கவாட்டு அளவு ஆகியவை கட்டுப்படுத்தப்பட்டன. பாஸ்போரேனின் அதிக மகசூல் உற்பத்தி கரைப்பான்களில் உள்ள பல குழுக்களால் நிரூபிக்கப்பட்டுள்ளது, ஆனால் இந்த பொருளின் சாத்தியமான பயன்பாடுகளை உணர, இந்த சுதந்திரமாக நிற்கும் நானோஷீட்களை கரைப்பான்களில் படிப்படியாக அடி மூலக்கூறுகளில் வைப்பது முக்கியம். எச். கவுர் மற்றும் பலர். லாங்முயர்-பிளாட்கெட் அசெம்பிளியைப் பயன்படுத்தி சில அடுக்கு செமிகண்டக்டிங் பாஸ்போரின் தொகுப்பு, இடைமுகத்தால் இயக்கப்படும் சீரமைப்பு மற்றும் அடுத்தடுத்த செயல்பாட்டு பண்புகளை நிரூபித்தது. ஃபாஸ்போரின் நானோ தாள்களை பல்வேறு ஆதரவுகளில் இணைத்து, பின்னர் இந்த தாள்களை மின்னணு சாதனத்தில் பயன்படுத்துவதற்கான சவாலுக்கு நேரடியான மற்றும் பல்துறை தீர்வை வழங்கும் முதல் ஆய்வு இதுவாகும். எனவே, லாங்முயர்-பிளாட்கெட் போன்ற ஈரமான அசெம்பிளிஸ் நுட்பங்கள் ஃபாஸ்போரின் மற்றும் பிற 2டி அடுக்கு கனிம பொருட்களின் மின்னணு மற்றும் ஆப்டோ-எலக்ட்ரானிக் பண்புகளை ஆராய்வதற்கான மிகவும் மதிப்புமிக்க புதிய நுழைவு புள்ளியாக செயல்படுகின்றன. கருப்பு பாஸ்போரின் நிலைத்தன்மை அடி மூலக்கூறுக்கு மிகவும் உணர்திறன் கொண்டிருப்பதால், 2டி பாஸ்போரின் நேரடியாக வளர்ப்பது இன்னும் ஒரு சவாலாக உள்ளது, இது கோட்பாட்டு உருவகப்படுத்துதல்கள் மூலம் புரிந்து கொள்ளப்படுகிறது. பண்புகள் கட்டமைப்பு ஃபாஸ்போரின் 2டி பொருட்கள் பெரும்பாலான பொருட்களில் காணப்படும் சகப்பிணைப்பு அல்லது அயனி பிணைப்புகளுக்கு பதிலாக வான் டெர் வால்ஸ் சக்திகளால் ஒன்றாக இணைக்கப்பட்ட தனிப்பட்ட அடுக்குகளால் ஆனவை. பாஸ்பரஸ் அணுவின் 3p சுற்றுப்பாதைகளில் ஐந்து எலக்ட்ரான்கள் உள்ளன, இதனால், பாஸ்போரின் கட்டமைப்பிற்குள் பாஸ்பரஸ் அணுவின் sp3 கலப்பினத்திற்கு வழிவகுக்கிறது. ஒற்றை அடுக்கு பாஸ்போரின் ஒரு நாற்கர பிரமிட்டின் கட்டமைப்பை வெளிப்படுத்துகிறது, ஏனெனில் P அணு பிணைப்பின் மூன்று எலக்ட்ரான்கள் மற்ற மூன்று P அணுக்களுடன் 2,18 Å இல் சகப்பிணைப்புடன் ஒரு தனி ஜோடியை விட்டுச் செல்கின்றன. இரண்டு பாஸ்பரஸ் அணுக்கள் ஒரு அடுக்கின் தளத்தில் ஒன்றிலிருந்து 99 டிகிரியில் உள்ளன, மூன்றாவது பாஸ்பரஸ் அடுக்குகளுக்கு இடையில் 103 டிகிரியில் உள்ளது, இது சராசரியாக 102 டிகிரி கோணத்தை அளிக்கிறது. அடர்த்தி செயல்பாட்டுக் கோட்பாட்டின் (டிஎஃப்டி) கணக்கீடுகளின்படி, ஃபாஸ்போரின் ஒரு தேன்கூடு ஜாலக கட்டமைப்பில் உருவாகிறது, இது கட்டமைப்பு முகடுகளின் வடிவத்தில் குறிப்பிடத்தக்க தெளிவற்ற தன்மையைக் கொண்டுள்ளது. கருப்பு பாஸ்பரஸின் படிக அமைப்பு உயர் அழுத்தத்தின் கீழ் வேறுபடுத்தப்படலாம் என்று கணிக்கப்பட்டுள்ளது. இது பெரும்பாலும் சமச்சீரற்ற படிக கட்டமைப்புகளின் காரணமாக கருப்பு பாஸ்பரஸின் அனிசோட்ரோபிக் சுருக்கத்தின் காரணமாகும். அதைத் தொடர்ந்து, வான் டெர் வால்ஸ் பிணைப்பு z-திசையில் பெரிதும் சுருக்கப்படலாம். இருப்பினும், ஆர்த்தோகனல் x-y தளத்தின் குறுக்கே சுருக்கத்தில் பெரும் மாறுபாடு உள்ளது. உற்பத்தியின் மையவிலக்கு வேகத்தைக் கட்டுப்படுத்துவது ஒரு பொருளின் தடிமனை ஒழுங்குபடுத்த உதவும் என்று தெரிவிக்கப்பட்டுள்ளது. எடுத்துக்காட்டாக, தொகுப்பின் போது 18000 ஆர். பி. எம். இல் மையவிலக்கு 210 என். எம் சராசரி விட்டம் மற்றும் 2.8 ± 1.5 என். எம் (2-7 அடுக்குகள்) தடிமன் கொண்ட பாஸ்போரின் உற்பத்தி செய்யப்பட்டது. பேண்ட் இடைவெளி மற்றும் கடத்துத்திறன் ஃபாஸ்போரின் ஒரு தடிமன் சார்ந்த நேரடி பேண்ட் இடைவெளியைக் கொண்டுள்ளது, இது ஒரு மோனோலேயரில் 1.88 eV ஆக மாறுகிறது. ஒற்றை அடுக்கு பாஸ்போரின் பட்டை இடைவெளி மதிப்பில் அதிகரிப்பு, இணைப்பின் மேற்பகுதி மற்றும் கடத்தல் பட்டையின் அடிப்பகுதிக்கு அருகில் இடை அடுக்கு கலப்பினமயமாக்கல் இல்லாததால் ஏற்படும் என்று கணிக்கப்பட்டுள்ளது. சுமார் 1.45 eV ஐ மையமாகக் கொண்ட ஒரு உச்சரிக்கப்படும் உச்சநிலை, மொத்த படிகங்களிலிருந்து சில அல்லது ஒற்றை அடுக்கு பாஸ்போரின் வேறுபாட்டில் பேண்ட் இடைவெளி கட்டமைப்பைக் குறிக்கிறது. வெற்றிடத்தில் அல்லது பலவீனமான அடி மூலக்கூறில், நானோகுழாய் மூலம் ஃபாஸ்போரின் விளிம்பை முடிவுக்குக் கொண்டுவருவதன் மூலம் ஒரு சுவாரஸ்யமான புனரமைப்பு மிகவும் எளிதானது, இது ஃபாஸ்போரின் விளிம்பை உலோகத்திலிருந்து குறைக்கடத்தலுக்கு மாற்றுகிறது. காற்று ஸ்திரத்தன்மை பாஸ்போரின் ஒரு முக்கிய குறைபாடு அதன் வரையறுக்கப்பட்ட காற்று ஸ்திரத்தன்மை ஆகும். ஹைக்ரோஸ்கோபிக் பாஸ்பரஸ் மற்றும் மிக அதிக மேற்பரப்பு-தொகுதி விகிதத்துடன், பாஸ்போரின் நீர் நீராவி மற்றும் ஆக்ஸிஜனுடன் வினைபுரிந்து காணக்கூடிய ஒளியின் உதவியுடன் மணிநேரத்திற்குள் சிதைகிறது. சீரழிவு செயல்முறையின் மூலம், பாஸ்போரின் (திட) ஆக்சிஜன்/தண்ணீருடன் வினைபுரிந்து மேற்பரப்பில் திரவ கட்ட அமில 'குமிழிகளை' உருவாக்குகிறது, இறுதியாக ஆவியாகி (நீராவி) முழுமையாக மறைந்துவிடும் (எஸ்-பி-வி சீரழிவு) மற்றும் ஒட்டுமொத்த தரத்தை கடுமையாக குறைக்கிறது. பயன்பாடுகள் டிரான்சிஸ்டர் ஆராய்ச்சியாளர்கள் உண்மையான சாதனங்களில் அதன் செயல்திறனை ஆராய பாஸ்போரின் டிரான்சிஸ்டர்களை உருவாக்கியுள்ளனர். பாஸ்போரின் அடிப்படையிலான டிரான்சிஸ்டர் 1 மைக்ரோமீட்டர் கொண்ட ஒரு சேனலைக் கொண்டுள்ளது மற்றும் 2 முதல் 20 நானோமீட்டர் வரை மாறுபடும் தடிமன் கொண்ட சில அடுக்கு பாஸ்போரின் பயன்படுத்துகிறது. கேட் மின்னழுத்தம் குறைந்து மொத்த எதிர்ப்பின் குறைப்பு காணப்படுகிறது, இது பாஸ்போரின் பி-வகை பண்பைக் குறிக்கிறது. குறைந்த வடிகால் சார்புகளில் டிரான்சிஸ்டரின் நேரியல் I-V உறவு பாஸ்போரின்/உலோக இடைமுகத்தில் நல்ல தொடர்பு பண்புகளைக் குறிக்கிறது. அதிக வடிகால் சார்பு மதிப்புகளில் நல்ல மின்னோட்ட செறிவு காணப்பட்டது. இருப்பினும், மொத்த கருப்பு பாஸ்பரஸ் உடன் ஒப்பிடும்போது சில அடுக்கு பாஸ்போரேனில் இயக்கம் குறைகிறது என்பது கண்டறியப்பட்டது. ஃபாஸ்போரின் அடிப்படையிலான டிரான்சிஸ்டரின் கள-விளைவு இயக்கம் ஒரு வலுவான தடிமன் சார்பைக் காட்டுகிறது, இது சுமார் 5 நானோமீட்டரில் உச்சத்தை அடைகிறது மற்றும் படிக தடிமன் மேலும் அதிகரிப்புடன் சீராகக் குறைகிறது. அணு அடுக்கு படிவு (ALD) மின்கடத்தா அடுக்கு மற்றும்/அல்லது ஹைட்ரோபோபிக் பாலிமர் சாதனத்தின் சீரழிவு மற்றும் தோல்வியைத் தடுக்க என்கேப்சுலேஷன் அடுக்குகளாகப் பயன்படுத்தப்படுகிறது. பாஸ்போரின் சாதனங்கள் மூடப்பட்ட அடுக்குடன் பல வாரங்கள் தங்கள் செயல்பாட்டை பராமரிப்பதாக தெரிவிக்கப்பட்டுள்ளது, அதேசமயம் சுற்றுப்புற நிலைக்கு ஆளாகும்போது ஒரு வாரத்திற்குள் சாதன செயலிழப்பை அனுபவிக்கிறது. லித்தியம்-அயன் மின்கலன்கள் போன்ற ரீசார்ஜ் செய்யக்கூடிய மின்கலன்களுக்கான நம்பிக்கைக்குரிய அனோட் பொருளாக மின்கல மின்முனை ஃபாஸ்போரின் கருதப்படுகிறது. இடை அடுக்கு இடம் லித்தியம் சேமிப்பு மற்றும் பரிமாற்றத்தை அனுமதிக்கிறது. ஃபாஸ்போரின் அடுக்கு எண் மற்றும் பக்கவாட்டு அளவு அனோடின் நிலைத்தன்மை மற்றும் திறனை பாதிக்கிறது. இன்வெர்ட்டர் ஆராய்ச்சியாளர்கள் ஒரு பாஸ்போரின் பிஎம்ஓஎஸ் டிரான்சிஸ்டரை எம்ஓஎஸ்2 என்எம்ஓஎஸ் டிரான்சிஸ்டருடன் இணைப்பதன் மூலம் சிஎம்ஓஎஸ் இன்வெர்ட்டரை (லாஜிக் சர்க்யூட்) உருவாக்கியுள்ளனர், இது சாத்தியமான மின்னணு பயன்பாடுகளுக்கான புதிய சேனல் பொருளாக செமிகண்டக்டிங் பாஸ்போரின் படிகங்களின் உயர் பன்முக ஒருங்கிணைப்பை அடைகிறது. இன்வெர்ட்டரில், மின் விநியோக மின்னழுத்தம் 1 வி ஆக அமைக்கப்பட்டுள்ளது. வெளியீட்டு மின்னழுத்தம்-10 முதல்-2 வி வரையிலான உள்ளீட்டு மின்னழுத்த வரம்பிற்குள் வி. டி. டியிலிருந்து 0 க்கு ஒரு தெளிவான மாற்றத்தைக் காட்டுகிறது. சூரிய மின்கல நன்கொடையாளர் பொருள் (ஆப்டோ எலக்ட்ரானிக்ஸ்) சூரிய மின்கலப் பொருட்களில் கலப்பு இரு அடுக்கு பாஸ்போரின் சாத்தியமான பயன்பாடுகளும் ஆய்வு செய்யப்பட்டன. சிறந்த நிலைமின்னியல் கட்டுப்பாடு மற்றும் சிறந்த இயந்திர நெகிழ்வுத்தன்மையுடன் கூடிய அதி மெல்லிய தன்மை காரணமாக நெகிழ்வான நானோ அமைப்புகளுக்கு ஃபாஸ்போரின் ஒரு நம்பிக்கைக்குரிய தேர்வாகும். சில அடுக்கு பாஸ்பரஸை அடிப்படையாகக் கொண்ட நெகிழ்வான டிரான்சிஸ்டர்கள், சுற்றுகள் மற்றும் ஏஎம் டிமோட்யுலேட்டரை ஆராய்ச்சியாளர்கள் நிரூபித்துள்ளனர், இது ~ 310 செமீ2/விஎஸ் வரை அதிக அறை வெப்பநிலை கேரியர் இயக்கம் மற்றும் வலுவான மின்னோட்ட செறிவு ஆகியவற்றைக் கொண்ட மேம்பட்ட ஏஎம் இருமுனை போக்குவரத்தைக் காட்டுகிறது. டிஜிட்டல் இன்வெர்ட்டர், மின்னழுத்த பெருக்கி மற்றும் அதிர்வெண் இரட்டை உள்ளிட்ட அடிப்படை சுற்று அலகுகள் உணரப்பட்டுள்ளன. உயர் அதிர்வெண் நெகிழ்வான ஸ்மார்ட் நானோ அமைப்புகளில் சாத்தியமான பயன்பாடுகளுக்காக 20 ஜிகாஹெர்ட்ஸ் மிக உயர்ந்த உள்ளார்ந்த வெட்டு அதிர்வெண் கொண்ட ரேடியோ அதிர்வெண் (ஆர். எஃப்) டிரான்சிஸ்டர்கள் உணரப்பட்டுள்ளன. மேலும் காண்க போரோஃபீன் ஜெர்மானீன் கிராஃபீன் சிலிசீன் ஸ்டானீன் குறிப்புகள் பாஸ்பரஸ் குறைக்கடத்தி பொருட்கள் வளர்ந்து வரும் தொழில்நுட்பங்கள் மோனோலெயர்கள்