Memory refresh
நினைவக புதுப்பிப்பு என்பது கணினி நினைவகத்தின் ஒரு பகுதியிலிருந்து அவ்வப்போது தகவல்களைப் படிக்கும் செயல்முறையாகும், மேலும் தகவல்களைப் பாதுகாக்கும் நோக்கத்திற்காக, மாற்றியமைக்காமல் அதே பகுதிக்கு வாசிப்புத் தகவலை உடனடியாக மீண்டும் எழுதுகிறது. நினைவக புதுப்பிப்பு என்பது குறைக்கடத்தி மாறும் சீரற்ற அணுகல் நினைவகத்தின் (டி. ஆர். ஏ. எம்) செயல்பாட்டின் போது தேவைப்படும் ஒரு பின்னணி பராமரிப்பு செயல்முறையாகும், இது மிகவும் பரவலாகப் பயன்படுத்தப்படும் கணினி நினைவக வகையாகும், மேலும் உண்மையில் இந்த வகை நினைவகத்தின் வரையறுக்கும் பண்பு ஆகும். ஒரு டி. ஆர். ஏ. எம் சிப்பில், நினைவகத் தரவின் ஒவ்வொரு பிட்டும் சிப்பில் உள்ள ஒரு சிறிய மின்தேக்கியில் மின்சார கட்டணம் இருப்பது அல்லது இல்லாததால் சேமிக்கப்படுகிறது. காலப்போக்கில், நினைவக செல்களில் உள்ள கட்டணங்கள் கசிகின்றன, எனவே புதுப்பிக்கப்படாமல் சேமிக்கப்பட்ட தரவு இறுதியில் இழக்கப்படும். இதைத் தடுக்க, வெளிப்புற சுற்றுகள் அவ்வப்போது ஒவ்வொரு கலத்தையும் படித்து அதை மீண்டும் எழுதுகின்றன, மின்தேக்கியில் உள்ள கட்டணத்தை அதன் அசல் நிலைக்கு மீட்டெடுக்கிறது. ஒவ்வொரு நினைவக புதுப்பிப்பு சுழற்சியும் நினைவக செல்களின் அடுத்தடுத்த பகுதியை புதுப்பிக்கிறது, இதனால் தொடர்ச்சியான சுழற்சியில் அனைத்து செல்களையும் மீண்டும் மீண்டும் புதுப்பிக்கிறது. இந்த செயல்முறை நினைவக சுற்றுவட்டத்தால் பின்னணியில் தானாகவே நடத்தப்படுகிறது மற்றும் பயனருக்கு வெளிப்படையானது. ஒரு புதுப்பிப்பு சுழற்சி நிகழும்போது, சாதாரண வாசிப்பு மற்றும் எழுதும் செயல்பாடுகளுக்கு நினைவகம் கிடைக்காது, ஆனால் நவீன நினைவகத்தில் இந்த "மேல்நிலை" நேரம் நினைவக செயல்பாட்டை கணிசமாக மெதுவாக்க போதுமானதாக இல்லை. புத்துணர்ச்சி தேவையில்லாத மின்னணு நினைவகம் கிடைக்கிறது, இது நிலையான சீரற்ற அணுகல் நினைவகம் (எஸ்ஆர்ஏஎம்) என்று அழைக்கப்படுகிறது. எஸ்ஆர்ஏஎம் சுற்றுகளுக்கு ஒரு சிப்பில் அதிக பரப்பளவு தேவைப்படுகிறது, ஏனெனில் ஒரு எஸ்ஆர்ஏஎம் மெமரி செல்லுக்கு நான்கு முதல் ஆறு டிரான்சிஸ்டர்கள் தேவைப்படுகின்றன, ஒற்றை டிரான்சிஸ்டர் மற்றும் டிஆர்ஏஎம்-க்கு ஒரு மின்தேக்கி தேவைப்படுகிறது. இதன் விளைவாக, DRAM ஐ விட SRAM சில்லுகளில் தரவு அடர்த்தி மிகவும் குறைவாக உள்ளது, மேலும் SRAM ஒரு பிடுக்கு அதிக விலையைக் கொண்டுள்ளது. எனவே, கணினிகள், வீடியோ கேம் கன்சோல்கள், கிராபிக்ஸ் கார்டுகள் மற்றும் பெரிய திறன்கள் மற்றும் குறைந்த செலவு தேவைப்படும் பயன்பாடுகளில் முக்கிய நினைவகத்திற்கு DRAM பயன்படுத்தப்படுகிறது. நினைவக புதுப்பிப்பின் தேவை DRAM நேரம் மற்றும் சுற்றுகளை SRAM சுற்றுகளை விட கணிசமாக மிகவும் சிக்கலாக்குகிறது, ஆனால் DRAM இன் அடர்த்தி மற்றும் செலவு நன்மைகள் இந்த சிக்கலை நியாயப்படுத்துகின்றன. டி. ஆர். ஏ. எம் புதுப்பிப்பு எவ்வாறு செயல்படுகிறது நினைவகம் செயல்படும் போது, ஒவ்வொரு நினைவக கலமும் உற்பத்தியாளரால் குறிப்பிடப்பட்ட புதுப்பிப்புகளுக்கு இடையிலான அதிகபட்ச இடைவெளியில் மீண்டும் மீண்டும் புதுப்பிக்கப்பட வேண்டும், இது பொதுவாக மில்லி விநாடி பகுதியில் இருக்கும். புதுப்பித்தல் என்பது தரவை அணுக பயன்படுத்தப்படும் சாதாரண நினைவக செயல்பாடுகளை (படிக்க மற்றும் எழுதும் சுழற்சிகள்) பயன்படுத்துவதில்லை, ஆனால் புதுப்பிப்பு சுழற்சிகள் எனப்படும் சிறப்பு சுழற்சிகள் நினைவக சுற்றுவட்டத்தில் தனித்தனி எதிர் சுற்றுகளால் உருவாக்கப்படுகின்றன மற்றும் சாதாரண நினைவக அணுகல்களுக்கு இடையில் பிரிக்கப்படுகின்றன. ஒரு மெமரி சிப்பில் உள்ள சேமிப்பு செல்கள் வரிசைகள் மற்றும் நெடுவரிசைகளின் செவ்வக வரிசையில் அமைக்கப்பட்டுள்ளன. டி. ஆர். ஏ. எம். இல் உள்ள வாசிப்பு செயல்முறை அழிவுகரமானது மற்றும் நினைவக செல்களில் உள்ள கட்டணத்தை ஒரு முழு வரிசையில் நீக்குகிறது, எனவே சிப்பில் சென்ஸ் ஆம்ப்ளிஃபையர்கள் எனப்படும் சிறப்பு இணைப்புகளின் வரிசை உள்ளது, இது நினைவக செல்களின் ஒவ்வொரு நெடுவரிசைக்கும் ஒன்று, தரவை தற்காலிகமாக வைத்திருக்க. ஒரு சாதாரண வாசிப்பு செயல்பாட்டின் போது, புலனுணர்வு பெருக்கிகள் தரவைப் படித்து இணைத்த பிறகு, ஒரு நெடுவரிசையிலிருந்து வெளியீட்டிற்கு பிட்டை அனுப்புவதற்கு முன்பு அணுகப்பட்ட வரிசையில் உள்ள தரவை மீண்டும் எழுதுகின்றன. இதன் பொருள் சிப்பில் உள்ள சாதாரண ரீட் எலக்ட்ரானிக்ஸ் நினைவகத்தின் முழு வரிசையையும் இணையாக புதுப்பிக்க முடியும், இது புதுப்பிப்பு செயல்முறையை கணிசமாக துரிதப்படுத்துகிறது. ஒரு சாதாரண வாசிப்பு அல்லது எழுதும் சுழற்சி நினைவகத்தின் வரிசையை புதுப்பிக்கிறது, ஆனால் தேவையான நேரத்திற்குள் அனைத்து வரிசைகளையும் அடிக்க சாதாரண நினைவக அணுகல்களை நம்ப முடியாது, இதனால் ஒரு தனி புதுப்பிப்பு செயல்முறை தேவைப்படுகிறது. புதுப்பிப்பு செயல்பாட்டில் சாதாரண வாசிப்பு சுழற்சியைப் பயன்படுத்துவதற்குப் பதிலாக, நேரத்தை மிச்சப்படுத்த புதுப்பிப்பு சுழற்சி எனப்படும் சுருக்கமான சுழற்சி பயன்படுத்தப்படுகிறது. புதுப்பிப்பு சுழற்சி வாசிப்பு சுழற்சியைப் போன்றது, ஆனால் இரண்டு காரணங்களுக்காக வேகமாக செயல்படுகிறதுஃ புதுப்பிப்புக்கு, வரிசை முகவரி மட்டுமே தேவைப்படுகிறது, எனவே சிப் முகவரி சுற்றுகளுக்கு ஒரு நெடுவரிசை முகவரியைப் பயன்படுத்த வேண்டியதில்லை. செல்களில் இருந்து படிக்கப்படும் தரவை வெளியீட்டு இடையகங்களிலோ அல்லது தரவு பஸ்ஸிலோ CPU க்கு அனுப்ப வேண்டிய அவசியமில்லை. ஒவ்வொரு கலமும் புத்துணர்ச்சியடைவதை உறுதிசெய்ய, புத்துணர்வுச் சுற்றமைப்பு புத்துணர்வு நேர இடைவெளியில் சிப்பில் உள்ள ஒவ்வொரு வரிசையிலும் ஒரு புத்துணர்வு சுழற்சியைச் செய்ய வேண்டும். புதுப்பிப்பு சுற்றுகளின் வகைகள் சில ஆரம்பகால அமைப்புகளில் நுண்செயலி கட்டுப்படுத்தப்பட்ட புதுப்பிப்பு என்றாலும், ஒரு டைமருடன் ஒரு குறிப்பிட்ட குறுக்கீட்டைத் தூண்டுகிறது, இது புதுப்பிப்பைச் செய்யும் ஒரு சப்ரூட்டினை இயக்குகிறது, இதன் பொருள் நுண்செயலியை இடைநிறுத்தவோ, ஒற்றை-படி அல்லது ஆற்றல் சேமிப்பு உறக்கத்தில் வைக்கவோ முடியாது. எனவே நவீன அமைப்புகளில் புதுப்பிப்பு நினைவகக் கட்டுப்படுத்தியில் உள்ள சுற்றுகளால் கையாளப்படுகிறது, அவை சிப்பில் உட்பொதிக்கப்படலாம். சூடோஸ்டாடிக் ரேம் (பி. எஸ். ஆர். ஏ. எம்) போன்ற சில டி. ஆர். ஏ. எம் சில்லுகள், சிப்பில் உள்ள அனைத்து புதுப்பிப்பு சுற்றுகளையும் கொண்டுள்ளன, மேலும் கணினியின் மற்ற பகுதிகளைப் பொறுத்தவரை நிலையான ரேம் போல செயல்படுகின்றன. வழக்கமாக புதுப்பிப்பு சர்க்யூட்ரி ஒரு புதுப்பிப்பு கவுண்டரைக் கொண்டுள்ளது, இதில் புதுப்பிக்கப்பட வேண்டிய வரிசையின் முகவரி உள்ளது, இது சிப்பின் வரிசை முகவரி வரிகளில் பயன்படுத்தப்படுகிறது, மேலும் வரிசைகள் வழியாக படிப்படியாக கவுண்டரை அதிகரிக்கும் டைமர் உள்ளது. இந்த கவுண்டர் மெமரி கன்ட்ரோலர் சர்க்யூட்ரி அல்லது மெமரி சிப்பின் ஒரு பகுதியாக இருக்கலாம். இரண்டு திட்டமிடல் உத்திகள் பயன்படுத்தப்பட்டுள்ளனஃ வெடிப்பு புதுப்பிப்பு-அனைத்து வரிசைகளும் புதுப்பிக்கப்படும் வரை தொடர்ச்சியான புதுப்பிப்பு சுழற்சிகள் ஒன்றன் பின் ஒன்றாக செய்யப்படுகின்றன, அதன் பிறகு அடுத்த புதுப்பிப்பு தேவைப்படும் வரை சாதாரண நினைவக அணுகல்கள் நிகழ்கின்றன. நினைவகம் இல்லாதபோது நீண்ட காலத்திற்கு வெடிப்பு புதுப்பிப்பு விளைகிறது, எனவே விநியோகிக்கப்பட்ட புதுப்பிப்பு பெரும்பாலான நவீன அமைப்புகளில், குறிப்பாக நிகழ்நேர அமைப்புகளில் பயன்படுத்தப்படுகிறது. விநியோகிக்கப்பட்ட புதுப்பிப்பில், புதுப்பிப்பு சுழற்சிகளுக்கு இடையிலான இடைவெளி எடுத்துக்காட்டாக, டி. டி. ஆர் எஸ். டி. ஆர். ஏ. எம் 64 எம். எஸ் மற்றும் 8,192 வரிசைகளின் புதுப்பிப்பு நேரத்தைக் கொண்டுள்ளது, எனவே புதுப்பிப்பு சுழற்சி இடைவெளி 7.8 மைக்ரோஸ்கள் ஆகும். சமீபத்திய தலைமுறை DRAM சில்லுகள் ஒரு ஒருங்கிணைந்த புதுப்பிப்பு கவுண்டரைக் கொண்டுள்ளன, மேலும் நினைவகக் கட்டுப்பாட்டு சர்க்யூட்ரி இந்த கவுண்டரைப் பயன்படுத்தலாம் அல்லது வெளிப்புற கவுண்டரிலிருந்து ஒரு வரிசை முகவரியை வழங்கலாம். இந்த சில்லுகள் புதுப்பிப்பை வழங்க மூன்று நிலையான வழிகளைக் கொண்டுள்ளன, அவை "நெடுவரிசை தேர்வு" (சிஏஎஸ்) மற்றும் "வரிசை தேர்வு" (ஆர்ஏஎஸ்) வரிகளில் உள்ள வெவ்வேறு வகையான சமிக்ஞைகளால் தேர்ந்தெடுக்கப்படுகின்றனஃ "ஆர்ஏஎஸ் மட்டுமே புதுப்பிக்கப்படுகிறது"-இந்த பயன்முறையில் புதுப்பிப்பதற்கான வரிசையின் முகவரி முகவரி பஸ் கோடுகளால் வழங்கப்படுகிறது, எனவே இது நினைவகக் கட்டுப்படுத்தியில் வெளிப்புற கவுண்டர்களுடன் பயன்படுத்தப்படுகிறது. "சிஏஎஸ் முன் ஆர்ஏஎஸ் புதுப்பிப்பு" (சிபிஆர்)-இந்த முறையில் ஆன்-சிப் கவுண்டர் புதுப்பிக்கப்பட வேண்டிய வரிசையைக் கண்காணிக்கிறது மற்றும் வெளிப்புற சுற்று மட்டுமே புதுப்பிப்பு சுழற்சிகளைத் தொடங்குகிறது. நினைவக முகவரி பஸ் இடையகங்கள் இயக்கப்பட வேண்டியதில்லை என்பதால் இந்த முறை குறைந்த சக்தியைப் பயன்படுத்துகிறது. இது பெரும்பாலான நவீன கணினிகளில் பயன்படுத்தப்படுகிறது. "மறைக்கப்பட்ட புதுப்பிப்பு"-இது சிபிஆர் புதுப்பிப்பு சுழற்சியின் மாற்று பதிப்பாகும், இது முந்தைய வாசிப்பு அல்லது எழுதும் சுழற்சியுடன் இணைக்கப்படலாம். தரவு பரிமாற்றத்தின் போது புதுப்பிப்பு இணையாக செய்யப்படுகிறது, நேரத்தை மிச்சப்படுத்துகிறது. 2012 தலைமுறை டி. ஆர். ஏ. எம் சில்லுகளிலிருந்து, "ஆர். ஏ. எஸ் மட்டும்" முறை நீக்கப்பட்டுள்ளது, மேலும் புதுப்பிப்பை உருவாக்க உள் கவுண்டர் பயன்படுத்தப்படுகிறது. சிப் ஒரு கூடுதல் ஸ்லீப் பயன்முறையைக் கொண்டுள்ளது, கணினி ஸ்லீப் பயன்முறையில் இருக்கும்போது பயன்படுத்தப்படுகிறது, இதில் ஆன்-சிப் ஆஸிலேட்டர் உள் புதுப்பிப்பு சுழற்சிகளை உருவாக்குகிறது, இதனால் வெளிப்புற கடிகாரத்தை மூட முடியும். மேல்நோக்கி புதுப்பிக்க நினைவகம் புதுப்பிக்கும் நேரத்தின் ஒரு பகுதியை கணினி நேரத்திலிருந்து கணக்கிடலாம்ஃ எடுத்துக்காட்டாக, ஒரு எஸ். டி. ஆர். ஏ. எம் சிப்பில் 213 = 8,192 வரிசைகள், 64 எம். எஸ் புதுப்பிப்பு இடைவெளி, நினைவக பஸ் 133 மெகா ஹெர்ட்ஸ் வேகத்தில் இயங்குகிறது, புதுப்பிப்பு சுழற்சி 4 கடிகார சுழற்சிகளை எடுக்கும். ஒரு புதுப்பிப்பு சுழற்சிக்கான நேரம் எனவே நினைவக சிப்பின் நேரத்தில் 0.40% க்கும் குறைவானது புதுப்பிப்பு சுழற்சிகளால் எடுக்கப்படும். எஸ்டிஆர்ஏஎம் சில்லுகளில், ஒவ்வொரு சிப்பிலும் உள்ள நினைவகம் வங்கிகளாகப் பிரிக்கப்படுகிறது, அவை இணையாக புதுப்பிக்கப்படுகின்றன, மேலும் நேரத்தை மிச்சப்படுத்துகின்றன. எனவே தேவைப்படும் புதுப்பிப்பு சுழற்சிகளின் எண்ணிக்கை ஒரு வங்கியில் உள்ள வரிசைகளின் எண்ணிக்கை, விவரக்குறிப்புகளில் கொடுக்கப்பட்டுள்ளது, இது 2012 தலைமுறை சில்லுகளில் 8,192 ஆக உறைந்துள்ளது. புதுப்பிப்பு இடைவெளி புதுப்பிப்பு செயல்பாடுகளுக்கு இடையிலான அதிகபட்ச நேர இடைவெளி ஒவ்வொரு DRAM தொழில்நுட்பத்திற்கும் JEDEC ஆல் தரப்படுத்தப்படுகிறது, மேலும் இது உற்பத்தியாளரின் சிப் விவரக்குறிப்புகளில் குறிப்பிடப்பட்டுள்ளது. இது வழக்கமாக டி. ஆர். ஏ. எம்-க்கு மில்லி விநாடிகள் மற்றும் ஈ. டி. ஆர். ஏ. எம்-க்கு மைக்ரோ விநாடிகள் வரம்பில் இருக்கும். டிடிஆர்2 எஸ்டிஆர்ஏஎம் சில்லுகளுக்கு இது 64 எம்எஸ் ஆகும். இது நினைவக செல் மின்தேக்கிகளில் சேமிக்கப்பட்டுள்ள சார்ஜ் மற்றும் கசிவு மின்னோட்டங்களின் விகிதத்தைப் பொறுத்தது. ஒவ்வொரு புதிய தலைமுறை நினைவக சில்லுகளுடனும் மின்தேக்கிகளின் வடிவியல் சுருங்கி வருகிறது என்ற உண்மை இருந்தபோதிலும், பிற்கால தலைமுறை மின்தேக்கிகள் குறைந்த கட்டணத்தை சேமிக்கின்றன, DRAM க்கான புதுப்பிப்பு நேரங்கள் மேம்பட்டு வருகின்றன; 1M சில்லுகளுக்கு 8 எம்எஸ், 16M சில்லுகளுக்கு 32 எம்எஸ், 256M சில்லுகளுக்கு 64 எம்எஸ். இந்த முன்னேற்றம் முக்கியமாக குறைந்த கசிவை ஏற்படுத்தும் டிரான்சிஸ்டர்களை உருவாக்குவதன் மூலம் அடையப்படுகிறது. நீண்ட புதுப்பிப்பு நேரம் என்பது சாதனத்தின் நேரத்தின் ஒரு சிறிய பகுதி புதுப்பிப்புடன் ஆக்கிரமிக்கப்பட்டுள்ளது, இது நினைவக அணுகல்களுக்கு அதிக நேரத்தை விட்டுச்செல்கிறது. முந்தைய டி. ஆர். ஏ. எம். களில் சிப் நேரத்தின் 10 சதவீதம் வரை புதுப்பிப்பு மேல்நிலை ஆக்கிரமிக்கப்பட்டிருந்தாலும், நவீன சில்லுகளில் இந்த பின்னம் 1 சதவீதத்திற்கும் குறைவாக உள்ளது. குறைக்கடத்திகளில் கசிவு நீரோட்டங்கள் வெப்பநிலையுடன் அதிகரிப்பதால், அதிக வெப்பநிலையில் புதுப்பிப்பு நேரங்களைக் குறைக்க வேண்டும். டிடிஆர்2 எஸ்டிஆர்ஏஎம் சில்லுகள் வெப்பநிலை ஈடுசெய்யப்பட்ட புதுப்பிப்பு கட்டமைப்பைக் கொண்டுள்ளன; சிப் கேஸ் வெப்பநிலையை மீறும் போது புதுப்பிப்பு சுழற்சி நேரம் பாதியாகக் குறைக்கப்பட வேண்டும். படிக்கக்கூடிய சார்ஜ் மதிப்புகளின் உண்மையான நிலைத்தன்மை மற்றும் இதனால் பெரும்பாலான DRAM நினைவக செல்களில் உள்ள தரவு புதுப்பிப்பு நேரத்தை விட மிக நீண்டது, 1-10 வினாடிகள் வரை. இருப்பினும், டிரான்சிஸ்டர் கசிவு நீரோட்டங்கள் செயல்முறை மாறுபாடு காரணமாக ஒரே சிப்பில் உள்ள வெவ்வேறு நினைவக செல்களுக்கு இடையில் பரவலாக வேறுபடுகின்றன. ஒரு பிட் இழக்கப்படுவதற்கு முன்பு அனைத்து நினைவக செல்களும் புதுப்பிக்கப்படுவதை உறுதிசெய்ய, உற்பத்தியாளர்கள் தங்கள் புதுப்பிப்பு நேரங்களை பழமைவாதமாக குறுகியதாக அமைக்க வேண்டும். இந்த தொடர்ச்சியான டி. ஆர். ஏ. எம் புதுப்பிப்பு காத்திருப்பு முறையில் குறைந்த சக்தி மின்னணு சாதனங்களால் வரையப்பட்ட மொத்த சக்தியில் மூன்றில் ஒரு பங்கைப் பயன்படுத்துகிறது. புதுப்பிப்பு விகிதத்தைக் குறைப்பதன் மூலம் கட்டணங்களுக்கு இடையில் பேட்டரி இயக்க நேரத்தை நீட்டிக்க ஆராய்ச்சியாளர்கள் பல அணுகுமுறைகளை முன்மொழிந்துள்ளனர், இதில் வெப்பநிலை-ஈடுசெய்யப்பட்ட புதுப்பிப்பு (டி. சி. ஆர்) மற்றும் டி. ஆர். ஏ. எம் (ரேபிட்) இல் தக்கவைப்பு-விழிப்புணர்வு இடம் ஆகியவை அடங்கும். ஒரு வழக்கமான ஆஃப்-தி-ஷெல்ஃப் டி. ஆர். ஏ. எம் சிப்பில், ஒரு சில பலவீனமான செல்களுக்கு மட்டுமே உண்மையில் மோசமான-வழக்கு 64 எம். எஸ் புதுப்பிப்பு இடைவெளி தேவைப்படுகிறது, அப்போதும் கூட அதன் குறிப்பிட்ட வெப்பநிலை வரம்பின் உயர் முனையில் மட்டுமே. அறை வெப்பநிலையில் (எ. கா. ), அதே பலவீனமான செல்கள் சரியான செயல்பாட்டிற்கு ஒவ்வொரு 500 மில்லி மீட்டருக்கும் ஒரு முறை புதுப்பிக்கப்பட வேண்டும். கணினி பலவீனமான 1 சதவீத பக்கங்களைப் பயன்படுத்துவதைத் தவிர்க்க முடிந்தால், மீதமுள்ள 99 சதவீத பக்கங்களின் சரியான செயல்பாட்டிற்கு ஒரு வழக்கமான டி. ஆர். ஏ. எம் வினாடிக்கு ஒரு முறை மட்டுமே புதுப்பிக்கப்பட வேண்டும். சில சோதனைகள் இந்த இரண்டு நிரப்பு நுட்பங்களையும் இணைத்து, அறை வெப்பநிலையில் 10 விநாடிகள் புதுப்பிப்பு இடைவெளியில் சரியான செயல்பாட்டை அளிக்கின்றன. பிழை தாங்கும் பயன்பாடுகளுக்கு (எ. கா. கிராபிக்ஸ் பயன்பாடுகள்), DRAM அல்லது eDRAM இல் சேமிக்கப்பட்ட முக்கியமான அல்லாத தரவை அவற்றின் தக்கவைப்பு காலத்தை விட குறைவான விகிதத்தில் புதுப்பிப்பது சிறிய தர இழப்புடன் ஆற்றலைச் சேமிக்கிறது, இது தோராயமான கம்ப்யூட்டிங்கிற்கு ஒரு எடுத்துக்காட்டு. எஸ்ஆர்ஏஎம் மற்றும் டிஆர்ஏஎம் நினைவக தொழில்நுட்பங்கள் எஸ்ஆர்ஏஎம் நிலையான சீரற்ற அணுகல் நினைவகத்தில் (எஸ்ஆர்ஏஎம்), மற்றொரு வகை குறைக்கடத்தி நினைவகம், தரவு ஒரு மின்தேக்கியில் கட்டணமாக சேமிக்கப்படுவதில்லை, ஆனால் ஒரு ஜோடி குறுக்கு-இணைக்கப்பட்ட இன்வெர்ட்டர்களில் சேமிக்கப்படுகிறது, எனவே எஸ்ஆர்ஏஎம் புதுப்பிக்கப்பட வேண்டியதில்லை. இரண்டு அடிப்படை வகையான நினைவகம் நன்மைகள் மற்றும் தீமைகளைக் கொண்டுள்ளன. இயக்கப்படும் போது நிலையான நினைவகம் நிரந்தரமாகக் கருதப்படலாம், அதாவது. ஒருமுறை எழுதப்பட்ட நினைவகம் குறிப்பாக மாற்றப்படும் வரை இருக்கும், எனவே, அதன் பயன்பாடு கணினி வடிவமைப்பின் அடிப்படையில் எளிமையாக இருக்கும். இருப்பினும், ஒவ்வொரு எஸ். ஆர். ஏ. எம் செல்லின் உள் கட்டுமானத்திற்கும் ஆறு டிரான்சிஸ்டர்கள் தேவைப்படுகின்றன, இது ஒரு டி. ஆர். ஏ. எம் செல்லிற்குத் தேவையான ஒற்றை டிரான்சிஸ்டருடன் ஒப்பிடும்போது, எனவே எஸ். ஆர். ஏ. எம்-இன் அடர்த்தி மிகவும் குறைவாக உள்ளது மற்றும் ஒரு பிட்டுக்கு விலை டி. ஆர். ஏ. எம்-ஐ விட மிக அதிகமாக உள்ளது. CPU-அடிப்படையிலான புதுப்பிப்பு சில ஆரம்பகால நுண்செயலிகள் (எ. கா. Zilog Z80) சிறப்பு உள் பதிவேடுகளை வழங்கியது, அவை மாறும் நினைவக செல்களைப் புதுப்பிக்க வரிசை-முகவரி ஸ்ட்ரோப்பை (ஆர்ஏஎஸ்) வழங்க முடியும், ஒவ்வொரு புதுப்பிப்பு சுழற்சியிலும் பதிவு அதிகரிக்கப்படுகிறது. ஏற்கனவே ரேம் முழுவதும் சைக்கிள் அணுகல்களை உருவாக்கியிருந்தால், ஏற்கனவே கணினியில் பயன்படுத்தப்படும் பிற ஒருங்கிணைந்த சுற்றுகளாலும் இதை நிறைவேற்ற முடியும் (எ. கா. மோட்டோரோலா 6845). Z80 போன்ற CPU களில், ஒரு ஆர்ஏஎஸ் புதுப்பிப்பு கிடைப்பது அதன் எளிமைப்படுத்தும் வன்பொருள் வடிவமைப்பு காரணமாக ஒரு பெரிய விற்பனை புள்ளியாக இருந்தது. இங்கே, செயல்பாட்டில் தேவையற்ற கடிகார சுழற்சிகளின் (டி-ஸ்டேட்ஸ்) போது முகவரி மற்றும் கட்டுப்பாட்டு கம்பிகளின் தனித்துவமான கலவையால் ஆர்ஏஎஸ் புதுப்பிப்பு சமிக்ஞை செய்யப்படுகிறது, அதாவது. அறிவுறுத்தலின் போது டிகோட்/செயல்படுத்தலின் போது பேருந்துகள் தேவையில்லை. அத்தகைய டி-ஸ்டேட்டுகளின் போது பஸ் செயலற்ற நிலையில் இருப்பதற்குப் பதிலாக, புதுப்பிப்பு சுற்றுவட்டத்தைக் குறிக்க கட்டுப்பாட்டு கம்பிகளின் கலவையுடன் முகவரி பஸ்ஸில் புதுப்பிப்பு பதிவேடு வழங்கப்படும். Z80 இன் ஆரம்ப பதிப்புகளில், 16 kB ரேம் சில்லுகளின் எங்கும் (அதாவது. 128 வரிசைகளைக் கொண்டிருப்பது) மற்றும் தொலைநோக்கு இல்லாததன் விளைவாக ஆர் பதிவேடு 7 பிட் அகல வரம்பிற்கு மேல் மட்டுமே அதிகரிக்கிறது (0-127, அதாவது. 128 வரிசைகள்); 8 வது பிட்டை பயனரால் அமைக்க முடியும், ஆனால் உள் சுழற்சியால் மாறாமல் விடப்படும். 64 kbit + DRAM சில்லுகளின் விரைவான வருகையுடன் (8 பிட் ஆர்ஏஎஸ் உடன்), காணாமல் போன 8 வது பிட்டை ஒருங்கிணைக்கவும், சில மில்லி விநாடிகளுக்குப் பிறகு நினைவகத் தொகுதிகள் இழக்கப்படுவதைத் தடுக்கவும் புதுப்பிப்பு சமிக்ஞையைச் சுற்றி கூடுதல் சுற்று அல்லது தர்க்கம் கட்டப்பட வேண்டியிருந்தது. சில சூழல்களில், பொருத்தமான நேரத்தில் 8 வது பிட்டை புரட்ட குறுக்கீடுகளைப் பயன்படுத்த முடியும், இதனால் ஆர் பதிவேட்டின் முழு வரம்பையும் (256 வரிசைகள்) உள்ளடக்கியது. மற்றொரு முறை, ஒருவேளை மிகவும் உலகளாவிய ஆனால் வன்பொருளைப் பொறுத்தவரை மிகவும் சிக்கலானது, ஒரு 8-பிட் கவுண்டர் சிப்பைப் பயன்படுத்துவதாகும், அதன் வெளியீடு ஆர் பதிவேட்டிற்கு பதிலாக புதுப்பிப்பு ஆர்ஏஎஸ் முகவரியை வழங்கும்ஃ CPU இலிருந்து புதுப்பிப்பு சமிக்ஞை இந்த கவுண்டருக்கான கடிகாரமாகப் பயன்படுத்தப்பட்டது, இதன் விளைவாக ஒவ்வொரு புதுப்பிப்பு சுழற்சியிலும் நினைவக வரிசையை புதுப்பிக்க வேண்டும். Z80 கோரின் பிந்தைய பதிப்புகள் மற்றும் உரிமம் பெற்ற "வேலை-ஒத்தவை" தானியங்கி சைக்கிள் ஓட்டுதலில் 8 வது பிட்டைச் சேர்க்காததை சரிசெய்தன, மேலும் நவீன CPU கள் DRAM புதுப்பிப்புக்கான பணக்கார ஆல் இன் ஒன் தீர்வுகளை வழங்குவதற்காக அத்தகைய அடிப்படை ஏற்பாட்டில் பெரிதும் விரிவடைந்துள்ளன. சூடோஸ்டாடிக் டி. ஆர். ஏ. எம் சூடோஸ்டாடிக் ரேம் (பி. எஸ். ஆர். ஏ. எம் அல்லது பி. எஸ். டி. ஆர். ஏ. எம்) என்பது நிலையான ரேம் (எஸ். ஆர். ஏ. எம்) போலவே செயல்படுவதற்கு உள்ளமைக்கப்பட்ட புதுப்பிப்பு மற்றும் முகவரி-கட்டுப்பாட்டு சுற்றுகளுடன் மாறும் ரேம் ஆகும். இது DRAM இன் அதிக அடர்த்தியை உண்மையான SRAM இன் பயன்பாட்டின் எளிமையுடன் ஒருங்கிணைக்கிறது. பிஎஸ்ஆர்ஏஎம் (நியூமோனிக்ஸால் உருவாக்கப்பட்டது) ஆப்பிள் ஐபோன் மற்றும் பிற உட்பொதிக்கப்பட்ட அமைப்புகளில் பயன்படுத்தப்படுகிறது. சில டி. ஆர். ஏ. எம் கூறுகள் ஒரு "சுய-புதுப்பித்தல் முறை" ஐக் கொண்டுள்ளன, இது போலி-நிலையான செயல்பாட்டிற்குத் தேவையான அதே தர்க்கத்தை உள்ளடக்கியது, ஆனால் இந்த முறை பெரும்பாலும் காத்திருப்பு முறைக்கு சமம். இது முதன்மையாக DRAM இல் சேமிக்கப்பட்ட தரவை இழக்காமல் சக்தியை சேமிக்க அதன் DRAM கட்டுப்படுத்தியின் செயல்பாட்டை இடைநிறுத்த ஒரு அமைப்பை அனுமதிக்க வழங்கப்படுகிறது, மாறாக PSRAM ஐப் போலவே ஒரு தனி DRAM கட்டுப்படுத்தி இல்லாமல் செயல்பாட்டை அனுமதிக்காது. பிஎஸ்ஆர்ஏஎம் இன் உட்பொதிக்கப்பட்ட மாறுபாடு 1டி-எஸ்ஆர்ஏஎம் என்ற பெயரில் அமைச்சர்களால் விற்கப்படுகிறது. இது தொழில்நுட்ப ரீதியாக DRAM ஆகும், ஆனால் SRAM ஐப் போலவே செயல்படுகிறது, மேலும் இது கேம் கியூப் மற்றும் வை கன்சோல்களில் பயன்படுத்தப்படுகிறது. புதுப்பிப்பைப் பயன்படுத்தும் பிற நினைவக தொழில்நுட்பங்கள் பல ஆரம்பகால கணினி நினைவக தொழில்நுட்பங்களுக்கும் நினைவக புத்துணர்ச்சியைப் போன்ற குறிப்பிட்ட கால செயல்முறைகள் தேவைப்பட்டன. வில்லியம்ஸ் குழாய் மிக நெருக்கமான ஒற்றுமையைக் கொண்டுள்ளது, ஏனெனில், DRAM ஐப் போலவே, இது அடிப்படையில் ஒரு கொள்ளளவு நினைவகமாகும், இதில் ஒவ்வொரு பிட்டிற்கும் சேமிக்கப்பட்ட மதிப்புகள் புதுப்பிக்கப்படாவிட்டால் படிப்படியாக சிதைந்துவிடும். காந்த-மைய நினைவகத்தில், ஒவ்வொரு நினைவக கலமும் மின்சாரம் முடக்கப்பட்டாலும் கூட தரவை காலவரையின்றி தக்க வைத்துக் கொள்ள முடியும், ஆனால் எந்த நினைவக கலத்திலிருந்தும் தரவைப் படிப்பது அதன் உள்ளடக்கங்களை அழிக்கிறது. இதன் விளைவாக, நினைவகக் கட்டுப்படுத்தி பொதுவாக ஒவ்வொரு வாசிப்பு சுழற்சிக்குப் பிறகும் ஒரு புதுப்பிப்பு சுழற்சியைச் சேர்த்து, அழிவில்லாத வாசிப்பு செயல்பாட்டின் மாயையை உருவாக்குகிறது. தாமத-வரி நினைவகத்திற்கு நிலையான புத்துணர்ச்சி தேவைப்படுகிறது, ஏனெனில் தரவு உண்மையில் ஒரு பரிமாற்ற வரியில் ஒரு சமிக்ஞையாக சேமிக்கப்படுகிறது. இந்த வழக்கில், புதுப்பிப்பு விகிதம் நினைவக அணுகல் நேரத்துடன் ஒப்பிடத்தக்கது. மேலும் காண்க மெமரி ஸ்க்ரப்பிங் ரோ ஹேமர் குறிப்புகள் கணினி நினைவகம்