Capacitively coupled plasma
கொள்ளளவு இணைக்கப்பட்ட பிளாஸ்மா (சி. சி. பி) என்பது தொழில்துறை பிளாஸ்மா ஆதாரங்களின் மிகவும் பொதுவான வகைகளில் ஒன்றாகும். இது அடிப்படையில் ஒரு சிறிய தூரத்தால் பிரிக்கப்பட்ட இரண்டு உலோக மின்முனைகளைக் கொண்டுள்ளது, இது ஒரு உலைக்குள் வைக்கப்படுகிறது. அணு உலையில் உள்ள வாயு அழுத்தம் வளிமண்டலத்தை விட குறைவாக இருக்கலாம் அல்லது அது வளிமண்டலமாக இருக்கலாம். ஒரு வழக்கமான சி. சி. பி அமைப்பு ஒற்றை ரேடியோ-அதிர்வெண் (ஆர்எஃப்) மின் விநியோகத்தால் இயக்கப்படுகிறது, பொதுவாக 13.56 மெகா ஹெர்ட்ஸ். இரண்டு மின்முனைகளில் ஒன்று மின் விநியோகத்துடன் இணைக்கப்பட்டுள்ளது, மற்றொன்று தரையிறக்கப்பட்டுள்ளது. இந்த உள்ளமைவு ஒரு மின்சார சுற்றில் ஒரு மின்தேக்கிக்கு கொள்கையளவில் ஒத்திருப்பதால், இந்த கட்டமைப்பில் உருவாகும் பிளாஸ்மா ஒரு கொள்ளளவு இணைக்கப்பட்ட பிளாஸ்மா என்று அழைக்கப்படுகிறது. மின்முனைகளுக்கு இடையில் ஒரு மின்சார புலம் உருவாகும்போது, அணுக்கள் அயனியாக்கப்பட்டு எலக்ட்ரான்களை வெளியிடுகின்றன. வாயுவில் உள்ள எலக்ட்ரான்கள் ஆர்எஃப் புலத்தால் துரிதப்படுத்தப்படுகின்றன, மேலும் மோதல்கள் மூலம் நேரடியாகவோ அல்லது மறைமுகமாகவோ வாயுவை அயனியாக்க முடியும், இது இரண்டாம் நிலை எலக்ட்ரான்களை உருவாக்குகிறது. மின்சார புலம் போதுமான அளவு வலுவாக இருக்கும்போது, அது எலக்ட்ரான் பனிச்சரிவு என்று அழைக்கப்படும் நிலைக்கு வழிவகுக்கும். பனிச்சரிவு முறிந்த பிறகு, ஏராளமான இலவச எலக்ட்ரான்கள் காரணமாக வாயு மின்சார கடத்தியாக மாறுகிறது. பெரும்பாலும் இது வாயுவில் உள்ள உற்சாகமான அணுக்கள் அல்லது மூலக்கூறுகளிலிருந்து ஒளி உமிழ்வுடன் வருகிறது. புலப்படும் ஒளி உற்பத்தி செய்யப்படும்போது, பிளாஸ்மா உற்பத்தியை வெறும் கண்களால் கூட மறைமுகமாக கவனிக்க முடியும். கொள்ளளவு இணைக்கப்பட்ட பிளாஸ்மாவில் ஒரு மாறுபாடு மின்முனைகளில் ஒன்றை தனிமைப்படுத்துவதை உள்ளடக்கியது, பொதுவாக ஒரு மின்தேக்கியுடன். மின்தேக்கி உயர் அதிர்வெண் ஆர்எஃப் புலத்திற்கு ஒரு குறுகிய சுற்று போல் தோன்றுகிறது, ஆனால் நேரடி மின்னோட்டம் (டிசி) புலத்திற்கு ஒரு திறந்த சுற்று போல. எலக்ட்ரான்கள் உறையில் உள்ள மின்முனையைத் தாக்குகின்றன, மேலும் மின்தேக்கி விரைவாக எதிர்மறை மின்னூட்டத்தை (அல்லது சுய-பயாஸ்) பெறுகிறது, ஏனெனில் மின்தேக்கி அதை தரையில் வெளியேற்ற அனுமதிக்காது. இது மாற்று மின்னோட்ட (ஏசி) புலத்திற்கு கூடுதலாக பிளாஸ்மா முழுவதும் ஒரு இரண்டாம் நிலை, டிசி புலத்தை அமைக்கிறது. மாபெரும் அயனிகளால் விரைவாக மாறிவரும் ஏசி புலத்திற்கு எதிர்வினையாற்ற முடியாது, ஆனால் வலுவான, நிலையான டிசி புலம் அவற்றை சுய பக்கச்சார்பான மின்முனையை நோக்கி துரிதப்படுத்துகிறது. இந்த ஆற்றல்மிக்க அயனிகள் தனிமைப்படுத்தப்பட்ட (சுய-சார்பு) மின்முனையில் ஒரு அடி மூலக்கூறை வைப்பதன் மூலம் பல மைக்ரோஃபேப்ரிகேஷன் செயல்முறைகளில் பயன்படுத்தப்படுகின்றன (எதிர்வினை-அயன் பொறித்தல் (RIE) ஐப் பார்க்கவும்). சி. சி. பி. க்கள் குறைக்கடத்தி பதப்படுத்தும் தொழில்துறையில் மெல்லிய படலம் படிதல் (ஸ்பட்டரிங், பிளாஸ்மா-மேம்படுத்தப்பட்ட இரசாயன நீராவி படிவு (பி. இ. சி. வி. டி)) மற்றும் பொறித்தல் ஆகியவற்றிற்கு பரந்த பயன்பாடுகளைக் கொண்டுள்ளன. பிளாஸ்மா எச்சிங் மல்டிபாக்டர் விளைவு பிளாஸ்மா இயற்பியல் கட்டுரைகளின் பட்டியல் குறிப்புகள் பிளாஸ்மா வகைகள் மின்னணுவியல் உற்பத்தி