Vapor–liquid–solid method
நீராவி-திரவ-திட முறை (வி. எல். எஸ்) என்பது வேதியியல் நீராவி படிதலில் இருந்து நானோ வயர்கள் போன்ற ஒரு பரிமாண கட்டமைப்புகளின் வளர்ச்சிக்கான ஒரு பொறிமுறையாகும். ஒரு திடமான மேற்பரப்பில் ஒரு வாயு கட்டத்தை நேரடியாக உறிஞ்சுவதன் மூலம் ஒரு படிகத்தின் வளர்ச்சி பொதுவாக மிகவும் மெதுவாக இருக்கும். விஎல்எஸ் பொறிமுறை ஒரு வினையூக்கி திரவ அலாய் கட்டத்தை அறிமுகப்படுத்துவதன் மூலம் இதைச் சுற்றி வருகிறது, இது ஒரு நீராவியை விரைவாக மேற்பரப்பு நிலைகளுக்கு உறிஞ்சும், இதிலிருந்து திரவ-திட இடைமுகத்தில் நியூக்ளியேட்டட் விதைகளிலிருந்து படிக வளர்ச்சி ஏற்படலாம். இந்த முறையில் வளர்க்கப்படும் நானோ வயர்களின் இயற்பியல் பண்புகள், கட்டுப்படுத்தக்கூடிய வழியில், திரவ அலாய் அளவு மற்றும் இயற்பியல் பண்புகளைப் பொறுத்தது. வரலாற்று பின்னணி வி. எல். எஸ் பொறிமுறை 1964 ஆம் ஆண்டில் ஒரு சிலிக்கான் அடி மூலக்கூறின் மீது வைக்கப்பட்ட திரவ தங்கத் துளி முன்னிலையில் வாயு கட்டத்தில் இருந்து சிலிக்கான் விஸ்கர் வளர்ச்சிக்கான விளக்கமாக முன்மொழியப்பட்டது. மீசைகளில் அச்சு திருகு இடப்பெயர்வுகள் இல்லாதது (இது ஒரு வளர்ச்சி பொறிமுறையாகும்), வளர்ச்சிக்கு தங்கத் துளி தேவை மற்றும் முழு வளர்ச்சி செயல்முறையின் போது விஸ்கரின் முனையில் துளி இருப்பது ஆகியவற்றால் இந்த விளக்கம் உந்தப்பட்டது. விஎல்எஸ் பொறிமுறை பொதுவாக மூன்று நிலைகளில் விவரிக்கப்படுகிறதுஃ ஒரு கம்பி வளர்க்கப்பட வேண்டிய அடி மூலக்கூறின் மீது ஒரு திரவ அலாய் நீர்த்துளியைத் தயாரித்தல் ஆவியாக வளர்க்கப்பட வேண்டிய பொருளை அறிமுகப்படுத்துதல், இது திரவ மேற்பரப்பில் உறிஞ்சி, திரவ/திட இடைமுகத்தில் நீர்த்துளி மேற்பரப்பு மற்றும் நியூக்ளியேஷனுக்குள் பரவுகிறது, இது அச்சு படிக வளர்ச்சிக்கு வழிவகுக்கிறது சோதனை நுட்பம் விஎல்எஸ் செயல்முறை பின்வருமாறு நடைபெறுகிறதுஃ ஒரு மெல்லிய (~ 1-10 என்எம்) அவு படலம் சிலிக்கான் (சி) வேஃபர் அடி மூலக்கூறில் ஸ்பட்டர் படிவு அல்லது வெப்ப ஆவியாதல் மூலம் டெபாசிட் செய்யப்படுகிறது. ஓ-சி யூடெக்டிக் புள்ளியை விட அதிக வெப்பநிலையில் வேஃபர் அனீல் செய்யப்படுகிறது, இது வேஃபர் மேற்பரப்பில் ஓ-சி அலாய் நீர்த்துளிகளை உருவாக்குகிறது (ஓ படலம் தடிமனாக இருந்தால், பெரிய நீர்த்துளிகள்). சி உடன் ஏயூவை கலப்பது அலாய் கூறுகளுடன் ஒப்பிடும்போது அலாய் உருகுவதற்கான வெப்பநிலையை பெரிதும் குறைக்கிறது. Au: Si அலாய் உருகுதல் வெப்பநிலை அதன் கூறுகளின் விகிதம் 4:1 Au: Si ஆக இருக்கும்போது குறைந்தபட்சம் (~ 363 °C) அடையும், இது Au: Si யூடெக்டிக் புள்ளி என்றும் அழைக்கப்படுகிறது. நீர்த்துளிகளின் விட்டம் மற்றும் நிலையை கட்டுப்படுத்தவும் லித்தோகிராஃபி நுட்பங்களைப் பயன்படுத்தலாம் (நீங்கள் கீழே பார்ப்பது போல், இதன் விளைவாக நானோ வயர்கள்). ஒரு பரிமாண படிக நானோ வயர்கள் பின்னர் ஒரு திரவ உலோக-அலாய் துளி-வினையூக்கி இரசாயன அல்லது இயற்பியல் நீராவி படிவு செயல்முறையால் வளர்க்கப்படுகின்றன, இது ஒரு வெற்றிட படிவு அமைப்பில் நடைபெறுகிறது. அடி மூலக்கூறின் மேற்பரப்பில் உள்ள அவு-சி நீர்த்துளிகள் இயல்பான நீராவி-திட வளர்ச்சியின் செயல்படுத்தும் ஆற்றலைக் குறைக்கின்றன. எடுத்துக்காட்டாக, சாதாரண நீராவி-திட வளர்ச்சியில், 800 டிகிரி செல்சியஸுக்கு மேல் வெப்பநிலையில் மட்டுமே SiCl4: H2 வாயு கலவை எதிர்வினை (இரசாயன நீராவி படிவு) மூலம் Si ஐ டெபாசிட் செய்யலாம். மேலும், இந்த வெப்பநிலைக்கு கீழே வளர்ச்சி மேற்பரப்பில் கிட்டத்தட்ட எந்த சிஐ டெபாசிட்டும் இல்லை. இருப்பினும், Au துகள்கள் 363 டிகிரி செல்சியஸுக்கு மேல் வெப்பநிலையில் Au-Si யூடெக்டிக் நீர்த்துளிகளை உருவாக்கலாம் மற்றும் ஆவியில் இருந்து Si ஐ உறிஞ்சலாம் (ஏனெனில் Au ஆல் 100% வரை அனைத்து Si செறிவுகளுடன் ஒரு திட-கரைசலை உருவாக்க முடியும்). மேலும், நானோசைஸ் செய்யப்பட்ட அவு-சி நீர்த்துளிகள் மிகக் குறைந்த உருகுதல் புள்ளிகளைக் கொண்டுள்ளன, ஏனெனில் மேற்பரப்பு பரப்பளவு-தொகுதி விகிதம் அதிகரித்து, ஆற்றல் ரீதியாக சாதகமற்றதாகி வருகிறது, மேலும் நானோமீட்டர் அளவிலான துகள்கள் நீர்த்துளிகளை (கோளங்கள் அல்லது அரை கோளங்கள்) உருவாக்குவதன் மூலம் அவற்றின் மேற்பரப்பு ஆற்றலைக் குறைக்க செயல்படுகின்றன. சி யூடெக்டிக் அலாய் விட மிக உயர்ந்த உருகுதல் புள்ளியைக் கொண்டுள்ளது (~ 1414 டிகிரி செல்சியஸ்), எனவே சி அணுக்கள் திரவ-அலாய்/திட-சி இடைமுகத்தில் சூப்பர்சாச்சுரேட்டட் திரவ-அலாய் நீர்த்துளியிலிருந்து வெளியேறும், மேலும் நீர்த்துளி மேற்பரப்பில் இருந்து உயர்கிறது. இந்த செயல்முறை படம் 1 இல் விளக்கப்பட்டுள்ளது. விஎல்எஸ் முறையின் பொதுவான அம்சங்கள் இயல்பான நீராவி-திட வளர்ச்சியுடன் ஒப்பிடும்போது எதிர்வினை ஆற்றலை பெரிதும் குறைத்தன. உலோக வினையூக்கிகளால் செயல்படுத்தப்படும் பகுதிகளில் மட்டுமே கம்பிகள் வளரும் மற்றும் கம்பிகளின் அளவு மற்றும் நிலை உலோக வினையூக்கிகளால் தீர்மானிக்கப்படுகிறது. இந்த வளர்ச்சி பொறிமுறை பல்வேறு பொருட்களிலிருந்து அதிக அனிசோட்ரோபிக் நானோவைர் வரிசைகளையும் உருவாக்க முடியும். வினையூக்கி துகள்களுக்கான தேவைகள் வினையூக்கிகளுக்கான தேவைகள்ஃ இது நானோ கம்பி வளர்ச்சி வெப்பநிலையில் வளர்க்கப்படுவதற்கு படிகப் பொருளுடன் ஒரு திரவக் கரைசலை உருவாக்க வேண்டும். அடி மூலக்கூறு பொருளின் திட மற்றும் திரவ கட்டங்களில் வினையூக்கி முகவரின் திட கரைதிறன் குறைவாக உள்ளது. திரவ அலாய் மீது வினையூக்கியின் சமநிலை நீராவி அழுத்தம் சிறியதாக இருக்க வேண்டும், இதனால் நீர்த்துளி ஆவியாகாது, அளவில் சுருங்காது (எனவே ஆரம்), இறுதியில், வளர்ச்சி நிறுத்தப்படும் வரை வளரும் கம்பியின் ஆரம் குறைகிறது. வினையூக்கி எதிர்வினை தயாரிப்புகளுக்கு (சி. வி. டி நானோவைர் வளர்ச்சியின் போது) மந்தமாக (எதிர்வினையாற்றாத) இருக்க வேண்டும். நீராவி-திட, நீராவி-திரவ மற்றும் திரவ-திட இடைமுக ஆற்றல்கள் நீர்த்துளிகளின் வடிவத்தில் முக்கிய பங்கு வகிக்கின்றன, எனவே பொருத்தமான வினையூக்கியைத் தேர்ந்தெடுப்பதற்கு முன்பு ஆராயப்பட வேண்டும்; நீர்த்துளி மற்றும் திடப்பொருளுக்கு இடையிலான சிறிய தொடர்பு கோணங்கள் பெரிய பகுதி வளர்ச்சிக்கு மிகவும் பொருத்தமானவை, அதே நேரத்தில் பெரிய தொடர்பு கோணங்கள் சிறிய (குறைந்த ஆரம்) மீசை உருவாக்கத்தை விளைவிக்கின்றன. நானோ கம்பிகளின் அதிக திசை வளர்ச்சியை உருவாக்க திட-திரவ இடைமுகம் படிகவியல் ரீதியாக நன்கு வரையறுக்கப்பட வேண்டும். இருப்பினும், திட-திரவ இடைமுகம் முற்றிலும் மென்மையாக இருக்க முடியாது என்பதையும் சுட்டிக்காட்டுவது முக்கியம். மேலும், திட திரவ இடைமுகம் அணு ரீதியாக மென்மையாக இருந்தால், திடப்பொருளுடன் இணைக்க முயற்சிக்கும் இடைமுகத்திற்கு அருகிலுள்ள அணுக்கள் ஒரு புதிய தீவு அணுக்கருக்கள் (அணுக்கள் படி விளிம்புகளில் இணைகின்றன) வரை இணைக்க இடமில்லை, இது மிகவும் மெதுவான வளர்ச்சி செயல்முறைக்கு வழிவகுக்கிறது. எனவே, "கரடுமுரடான" திடமான மேற்பரப்புகள் அல்லது அதிக எண்ணிக்கையிலான மேற்பரப்பு அணு படிகளைக் கொண்ட மேற்பரப்புகள் (1 அணு அகலம், பெரிய வளர்ச்சி விகிதங்களுக்கு) டெபாசிட் செய்யப்பட்ட அணுக்கள் இணைக்கவும், நானோவைர் வளர்ச்சி தொடரவும் தேவைப்படுகின்றன. வளர்ச்சி பொறிமுறை வினையூக்கி நீர்த்துளி உருவாக்கம் பயன்படுத்தப்படும் பொருள் அமைப்பு, அதே போல் வெற்றிட அமைப்பின் தூய்மை மற்றும் எனவே மாசுபாட்டின் அளவு மற்றும்/அல்லது பரிசோதனையின் போது நீர்த்துளி மற்றும் வேஃபர் மேற்பரப்பில் ஆக்சைடு அடுக்குகள் இருப்பது, இவை இரண்டும் நீர்த்துளி/மேற்பரப்பு இடைமுகத்தில் இருக்கும் சக்திகளின் முழுமையான அளவை பெரிதும் பாதிக்கின்றன, இதையொட்டி, நீர்த்துளிகளின் வடிவத்தை தீர்மானிக்கின்றன. துளியின் வடிவம், அதாவது. தொடர்பு கோணம் (β0, படம் 4 ஐப் பார்க்கவும்), கணித ரீதியாக மாதிரியாக இருக்கலாம், இருப்பினும், வளர்ச்சியின் போது இருக்கும் உண்மையான சக்திகளை சோதனை ரீதியாக அளவிடுவது மிகவும் கடினம். ஆயினும்கூட, ஒரு படிக அடி மூலக்கூறின் மேற்பரப்பில் ஒரு வினையூக்கி துகள்களின் வடிவம் மேற்பரப்பு பதற்றம் மற்றும் திரவ-திட இடைமுக பதற்றம் ஆகியவற்றின் சமநிலையால் தீர்மானிக்கப்படுகிறது. நீர்த்துளியின் ஆரம் தொடர்பு கோணத்துடன் மாறுபடும்ஃ இங்கு r0 என்பது தொடர்பு பகுதியின் ஆரம் மற்றும் β0 என்பது மாற்றியமைக்கப்பட்ட யங் சமன்பாட்டால் வரையறுக்கப்படுகிறதுஃ இது மேற்பரப்பு (σs) மற்றும் திரவ-திட இடைமுகம் (σls) பதட்டங்கள், அத்துடன் ஒரு கூடுதல் கோடு பதற்றம் (τ) ஆகியவற்றைப் பொறுத்தது, இது நீர்த்துளியின் ஆரம்ப ஆரம் சிறியதாக (நானோசைஸ்) இருக்கும்போது நடைமுறைக்கு வருகிறது. ஒரு நானோ கம்பி வளரத் தொடங்கும் போது, அதன் உயரம் ஒரு அளவு டிஹெச் அதிகரிக்கிறது மற்றும் தொடர்பு பகுதியின் ஆரம் ஒரு அளவு டிஆர் குறைகிறது (படம் 4 ஐப் பார்க்கவும்). வளர்ச்சி தொடரும்போது, நானோ வயர்களின் அடிப்பகுதியில் உள்ள சாய்வு கோணம் (α, விஸ்கர் வளர்ச்சிக்கு முன் பூஜ்ஜியமாக அமைக்கப்பட்டது) அதிகரிக்கிறது, β0:. எனவே கோடு பதற்றம் வினையூக்கி தொடர்பு பகுதியை பெரிதும் பாதிக்கிறது. இந்த முடிவிலிருந்து மிகவும் முக்கியமான விளைவு என்னவென்றால், வெவ்வேறு வரி பதட்டங்கள் வெவ்வேறு வளர்ச்சி முறைகளை ஏற்படுத்தும். கோடு பதட்டங்கள் மிகப் பெரியதாக இருந்தால், நானோஹில்லாக் வளர்ச்சி ஏற்படும், இதனால் வளர்ச்சி நிறுத்தப்படும். நானோவிஸ்கர் விட்டம் வளர்க்கப்படும் நானோ கம்பியின் விட்டம் அலாய் நீர்த்துளியின் பண்புகளைப் பொறுத்தது. நானோ அளவிலான கம்பிகளின் வளர்ச்சிக்கு அடி மூலக்கூறில் நானோ அளவிலான நீர்த்துளிகள் தயாரிக்க வேண்டும். ஒரு சமநிலை சூழ்நிலையில் இது சாத்தியமில்லை, ஏனெனில் ஒரு உலோகத் துளியின் குறைந்தபட்ச ஆரம் Vl என்பது துளியின் மோலார் அளவு, σlv என்பது திரவ-நீராவி மேற்பரப்பு ஆற்றல் மற்றும் s என்பது நீராவியின் மேற்பரப்பு செறிவூட்டலின் அளவு. இந்த சமன்பாடுகள் நீர்த்துளியின் குறைந்தபட்ச விட்டத்தையும், அதிலிருந்து வளர்க்கக்கூடிய எந்த படிகங்களையும் கட்டுப்படுத்துகின்றன, பொதுவாக நானோமீட்டர் மட்டத்திற்கு மேலே உள்ள நிலைமைகளின் கீழ். சிறிய நீர்த்துளிகளை உருவாக்குவதற்கான பல நுட்பங்கள் உருவாக்கப்பட்டுள்ளன, இதில் அடி மூலக்கூறில் குறைந்த நீர்த்தலில் பரவியிருக்கும் மோனோடிஸ்பெர்ஸ் நானோ துகள்களின் பயன்பாடு மற்றும் ஒரு அடி மூலக்கூறு-வினையூக்கி கலவையின் லேசர் நீக்குதல் ஆகியவை அடங்கும், இதனால் ஒரு பிளாஸ்மாவை உருவாக்குகிறது, இது வினையூக்கியின் நன்கு பிரிக்கப்பட்ட நானோக்ளஸ்டர்களை அமைப்புகள் குளிர்ச்சியடையும் போது உருவாக்க அனுமதிக்கிறது. விஸ்கர் வளர்ச்சி இயக்கவியல் விஎல்எஸ் விஸ்கர் வளர்ச்சியின் போது, மீசை வளரும் விகிதம் விஸ்கர் விட்டத்தைப் பொறுத்ததுஃ விஸ்கர் விட்டம் எவ்வளவு பெரியதாக இருக்கிறதோ, நானோவைர் அச்சில் வேகமாக வளரும். ஏனென்றால், உலோக-அலாய் வினையூக்கி () இன் மேற்பரப்பு நானோஹிஸ்கர் வளர்ச்சிக்கான முக்கிய உந்து சக்தியாகும், மேலும் விஸ்கர் விட்டம் குறைந்து வருவதால் குறைகிறது (கிப்ஸ்-தாம்சன் விளைவு என்றும் அழைக்கப்படுகிறது): மீண்டும், நானோஹிஸ்கர் வளர்ச்சிக்கு (உலோகத் துளியின் மேற்பரப்பு) முக்கிய உந்து சக்தியாக α உள்ளது. மேலும் குறிப்பாக, நீராவி மற்றும் திட விஸ்கர் கட்டத்தில் டெபாசிட் செய்யும் இனங்களின் (மேலே உள்ள எடுத்துக்காட்டில் Si) வேதியியல் ஆற்றலுக்கு இடையிலான வேறுபாடு ஆகும். Δμ0 என்பது விச்கர் வளர்ச்சியைத் தொடரும் ஆரம்ப வேறுபாடு (எப்போது), அதே நேரத்தில் Si இன் அணு அளவு மற்றும் கம்பி மேற்பரப்பின் குறிப்பிட்ட இலவச ஆற்றல் ஆகும். மேலே உள்ள சமன்பாட்டை ஆராய்ந்தால், சிறிய விட்டம் (100 என்எம்) விச்கர் வளர்ச்சிக்கு சிறிய உந்து சக்திகளை வெளிப்படுத்துகிறது, அதே நேரத்தில் பெரிய கம்பி விட்டம் பெரிய உந்து சக்திகளை வெளிப்படுத்துகிறது. தொடர்புடைய வளர்ச்சி நுட்பங்கள் லேசர்-உதவி வளர்ச்சி என்பது உலோகம் கொண்ட திட இலக்குகளிலிருந்து பொருளை அகற்றுவதை உள்ளடக்கியது, இது அதிக சக்திவாய்ந்த (~ 100 mJ/துடிப்பு) குறுகிய (10 ஹெர்ட்ஸ்) லேசர் துடிப்புகளுடன் மேற்பரப்பை கதிர்வீச்சு செய்வதன் மூலம், பொதுவாக புற ஊதா (புற ஊதா) அலைநீளங்களுடன் ஒளி நிறமாலையின் பகுதி. அத்தகைய லேசர் துடிப்பு ஒரு திடமான இலக்கால் உறிஞ்சப்படும்போது, இலக்கின் மேற்பரப்பு பகுதியிலிருந்து வரும் பொருள் லேசர் ஆற்றலை உறிஞ்சி, (அ) மேற்பரப்பில் இருந்து ஆவியாகிறது அல்லது பதங்குகிறது அல்லது (ஆ) பிளாஸ்மாவாக மாற்றப்படுகிறது (லேசர் நீக்கத்தைப் பார்க்கவும்). இந்த துகள்கள் எளிதில் அடி மூலக்கூறுக்கு மாற்றப்படுகின்றன, அங்கு அவை நியூக்ளியேட் செய்யப்பட்டு நானோ வயர்களாக வளர முடியும். அதிக உருகுதல் வெப்பநிலை கொண்ட நானோ வயர்கள், பன்முக கூறுகள் அல்லது டோப் செய்யப்பட்ட நானோ வயர்கள் மற்றும் மிக உயர்ந்த படிகத் தரத்துடன் கூடிய நானோ வயர்கள் ஆகியவற்றை வளர்ப்பதற்கு லேசர் உதவியுடன் வளர்ச்சி நுட்பம் குறிப்பாக பயனுள்ளதாக இருக்கும். இலக்கில் லேசர் துடிப்பு சம்பவத்தின் அதிக தீவிரம், மிக அதிக வெப்பநிலை எதிர்ப்பு அல்லது எலக்ட்ரான் குண்டுவீச்சு வெப்பத்தைப் பயன்படுத்தி பொருளை ஆவியாக்க முயற்சிக்காமல், அதிக உருகுநிலைப் பொருட்களின் படிவு அனுமதிக்கிறது. மேலும், இலக்குகளை வெறுமனே பொருட்களின் கலவை அல்லது ஒரு திரவத்திலிருந்து கூட உருவாக்க முடியும். இறுதியாக, லேசர் உறிஞ்சுதல் செயல்பாட்டின் போது உருவாக்கப்பட்ட பிளாஸ்மா சார்ஜ் செய்யப்பட்ட துகள்களின் படிவு மற்றும் இலக்கு கூறுகளுக்கு இடையிலான எதிர்வினைகளின் செயல்பாட்டு தடையை குறைக்க ஒரு வினையூக்கி வழிமுறையை அனுமதிக்கிறது. வெப்ப ஆவியாதல் சில மிகவும் சுவாரஸ்யமான நானோ வயர்கள் நுண் கட்டமைப்புகளை வெறுமனே வெப்ப ஆவியாதல் திடப்பொருட்கள் மூலம் பெறலாம். இந்த நுட்பத்தை இரட்டை மண்டல வெற்றிட உலை கொண்ட ஒப்பீட்டளவில் எளிய அமைப்பில் மேற்கொள்ள முடியும். உலையின் சூடான முனையில் ஆவியாதல் மூலப்பொருள் உள்ளது, அதே நேரத்தில் ஆவியாதல் துகள்கள் கீழ்நோக்கி, (ஒரு கேரியர் வாயு வழியாக) உலையின் குளிர்ந்த முனையில் அவை உறிஞ்சவும், நியூக்ளியேட் செய்யவும், விரும்பிய அடி மூலக்கூறில் வளரவும் முடியும். உலோக-வினையூக்கி மூலக்கூறு பீம் எபிடாக்ஸி மூலக்கூறு பீம் எபிடாக்ஸி (எம். பி. இ) 2000 ஆம் ஆண்டு முதல் வி. எல். எஸ் வளர்ச்சி பொறிமுறையின் அடிப்படையில் உயர்தர குறைக்கடத்தி கம்பிகளை உருவாக்க பயன்படுத்தப்படுகிறது. இருப்பினும், உலோக-வினையூக்கி MBE இல் உலோகத் துகள்கள் முன்னோடிகளுக்கு இடையிலான எதிர்வினையை ஊக்குவிக்காது, மாறாக நீராவி கட்டத் துகள்களை உறிஞ்சுகின்றன. ஏனென்றால், திரவ நிலைக்குள் நுழைவதன் மூலம் நீராவியின் இரசாயன ஆற்றலை வெகுவாகக் குறைக்கலாம். மூல அணுக்கள் அல்லது மூலக்கூறுகளின் சராசரி-இலவச-பாதை (மோதல்களுக்கு இடையிலான தூரம்) மீட்டர்களின் வரிசையில் இருக்கும் அல்ட்ரா-ஹை வாக்யூம் (UHV) நிலைமைகளின் கீழ் MBE மேற்கொள்ளப்படுகிறது. எனவே, ஆவியாக்கப்பட்ட மூல அணுக்கள் (ஒரு உமிழ்வு கலத்திலிருந்து) அடி மூலக்கூறை நோக்கி இயக்கப்படும் துகள்களின் கற்றை போல செயல்படுகின்றன. செயல்முறையின் வளர்ச்சி விகிதம் மிகவும் மெதுவாக உள்ளது, படிவு நிலைமைகள் மிகவும் சுத்தமாக உள்ளன, இதன் விளைவாக மற்ற படிவு முறைகளுடன் ஒப்பிடும்போது நான்கு உயர்ந்த திறன்கள் எழுகின்றனஃ UHV நிலைமைகள் வளர்ந்து வரும் கட்டமைப்புகளின் ஆக்சிஜனேற்றம்/மாசுபாட்டின் அளவைக் குறைக்கின்றன ஒப்பீட்டளவில் குறைந்த வளர்ச்சி வெப்பநிலை நானோ அளவிலான பன்முக கட்டமைப்புகளின் இடை-பரவலை (கலவை) தடுக்கிறது மிக மெல்லிய படலம் பகுப்பாய்வு நுட்பங்களை உள்ளூரில் (வளர்ச்சியின் போது) பயன்படுத்தலாம், அதாவது பிரதிபலிப்பு உயர் ஆற்றல் எலக்ட்ரான் விலகல் (RHEED) அடி மூலக்கூறின் மேற்பரப்பில் உள்ள நுண் கட்டமைப்பையும் வேதியியல் கலவையையும் கண்காணிக்க, ஆகர் எலக்ட்ரான் ஸ்பெக்ட்ரோஸ்கோபியைப் பயன்படுத்தி. நானோவைர் கட்டமைப்புகள் போன்ற "ஹேஷ்டேக்கின்" கீழ்-மேல் தொகுப்பு இந்த நுட்பம் மோனோகிரிஸ்டலின் இன்எஸ்பி நானோவைர் நெட்வொர்க்கின் கீழ்-மேல் தொகுப்பாகும், இது நான்கு குறுக்கு சந்திப்புகள் அல்லது 'ஹேஷ்டேக்குகள்' வரை நெட்வொர்க்குகளை உருவாக்குகிறது மற்றும் பிரிக்கப்பட்ட சூப்பர் கண்டக்டிங் தீவுகளின் வளர்ச்சியையும் உருவாக்குகிறது. பயன்படுத்தப்படும் செயல்முறை அகழிகளுடன் ஒரு அடி மூலக்கூறை உருவாக்குவதிலும், சாய்ந்த அம்சங்களில் தங்கத் துளிகளை வைப்பதிலும் அடங்கும், இவை இரண்டும் எலக்ட்ரான்-பீம் லித்தோகிராஃபி மூலம் செயல்படுகின்றன. நீராவி-திரவ-திட பொறிமுறையின் மூலம், நானோ கம்பிகள் தங்கத் துளிகளுக்கு மேலே வளரும், மேலும், அம்சங்களும் தங்கத் துளிகளும் சாய்ந்திருக்கும் போது, நானோ கம்பிகள் ஒன்றையொன்று நோக்கி வளர்ந்து, ஒரு வலையமைப்பில் இணைகின்றன. குறிப்புகள் வெளிப்புற இணைப்புகள் ஆய்வக லீபர் ஆராய்ச்சிக் குழுவில் வளர்ந்து வரும் படிகங்கள் முகப்பு பக்கம்-ஹார்வர்ட் பல்கலைக்கழக நானோ மெட்டீரியல்ஸ் வேதியியல் செயல்முறைகள் டாஃ நானோத்ரா d#Fremstilling