Piezophototronics
பைசோ-ஃபோட்டோட்ரானிக் விளைவு என்பது மையமற்ற சமச்சீர் குறைக்கடத்தி பொருட்களில் உள்ள பைசோ எலக்ட்ரிக், குறைக்கடத்தி மற்றும் ஃபோட்டோனிக் பண்புகளின் மூன்று வழி இணைப்பு விளைவு ஆகும், இது பைசோ எலக்ட்ரிக் திறனைப் (பைசோபோட்டன்ஷியல்) பயன்படுத்துகிறது, இது பைசோ எலக்ட்ரிக் கொண்ட ஒரு குறைக்கடத்தியில் ஒரு திரிபைப் பயன்படுத்துவதன் மூலம் உருவாக்கப்படுகிறது, இது கேரியர் உருவாக்கம், போக்குவரத்து, பிரிப்பு மற்றும்/அல்லது உலோக-குறைக்கடத்தி சந்திப்பு அல்லது பி. என் சந்திப்பில் மறுசீரமைப்பைக் கட்டுப்படுத்துகிறது. ஜார்ஜியா இன்ஸ்டிடியூட் ஆப் டெக்னாலஜியில் பேராசிரியர் ஜாங் லின் வாங் 2010 ஆம் ஆண்டில் இந்த விளைவின் அடிப்படை கொள்கையை முன்மொழிந்தார். ஒரு p-வகை குறைக்கடத்தி மற்றும் ஒரு n-வகை குறைக்கடத்தி ஒரு சந்திப்பை உருவாக்கும் போது, p-வகை பக்கத்தில் உள்ள துளைகள் மற்றும் n-வகை பக்கத்தில் உள்ள எலக்ட்ரான்கள் உள்ளூர் மின்சார புலத்தை சமநிலைப்படுத்த இடைமுகப் பகுதியைச் சுற்றி மறுவிநியோகம் செய்ய முனைகின்றன, இதன் விளைவாக ஒரு சார்ஜ் குறைப்பு அடுக்கு ஏற்படுகிறது. சந்திப்புப் பகுதியில் உள்ள எலக்ட்ரான்கள் மற்றும் துளைகளின் பரவல் மற்றும் மறுசீரமைப்பு சாதனத்தின் ஆப்டோ எலக்ட்ரானிக் பண்புகளுடன் நெருக்கமாக தொடர்புடையது, இது உள்ளூர் மின்சார புலம் விநியோகத்தால் பெரிதும் பாதிக்கப்படுகிறது. இடைமுகத்தில் பைசோ-கட்டணங்கள் இருப்பது மூன்று விளைவுகளை அறிமுகப்படுத்துகிறதுஃ அறிமுகப்படுத்தப்பட்ட உள்ளூர் ஆற்றல் காரணமாக உள்ளூர் மின்னணு பட்டை கட்டமைப்பில் மாற்றம், பைசோ எலக்ட்ரிக் குறைக்கடத்தியில் இருக்கும் துருவமுனைப்புக்காக சந்திப்பு பகுதியில் மின்னணு பட்டை கட்டமைப்பின் சாய்வு மற்றும் உள்ளூர் சார்ஜ் கேரியர்களின் மறுவிநியோகம் காரணமாக சார்ஜ் குறைப்பு அடுக்கில் மாற்றம் உள்ளூர் பைசோ-கட்டணங்களை சமநிலைப்படுத்த. சந்திப்பில் உள்ள நேர்மறை பைசோ எலக்ட்ரிக் கட்டணங்கள் ஆற்றல் பட்டையைக் குறைக்கின்றன மற்றும் எதிர்மறை பைசோ எலக்ட்ரிக் கட்டணங்கள் சந்திப்பு பகுதிக்கு அருகிலுள்ள n-வகை குறைக்கடத்தி பகுதியில் ஆற்றல் பட்டையை உயர்த்துகின்றன. எலக்ட்ரான்-துளை மறுசீரமைப்பு விகிதத்தை பெருமளவில் மேம்படுத்த முடியும், இது ஒளி உமிழும் டையோடின் செயல்திறனை மேம்படுத்துவதற்கு மிகவும் பயனுள்ளதாக இருக்கும் வகையில் பைசோபோட்டன்ஷியல் மூலம் உள்ளூர் பட்டையில் ஒரு மாற்றம் கட்டணங்களை சிக்க வைப்பதற்கு பயனுள்ளதாக இருக்கும். மேலும், சாய்ந்த பட்டை சந்திப்பை நோக்கி நகரும் கேரியர்களின் இயக்கத்தை மாற்ற முனைகிறது. பைசோ-ஃபோட்டோட்ரானிக்ஸ் பொருட்கள் மூன்று அடிப்படை பண்புகளைக் கொண்டிருக்க வேண்டும்ஃ பைசோ எலக்ட்ராசிட்டி, செமிகண்டக்டர் பண்பு மற்றும் ஃபோட்டான் கிளர்ச்சி பண்பு [5]. ZnO, GaN மற்றும் InN போன்ற வுர்ட்சைட் கட்டமைப்புகள் பொதுவான பொருட்கள் ஆகும். பைசோ எலக்ட்ரானிக்ஸ் (பைசோ எலக்ட்ரானிக்ஸ்-செமிகண்டக்டர் கப்லிங்), பைசோஃபோடோனிக்ஸ் (பைசோ எலக்ட்ரானிக்-ஃபோட்டான் எக்ஸைடேஷன் கப்லிங்), ஆப்டோ எலக்ட்ரானிக்ஸ் மற்றும் பைசோ-ஃபோட்டோ எலக்ட்ரானிக்ஸ் பைசோ எலக்ட்ரானிக்ஸ்-செமிகண்டக்டர்-ஃபோட்டோ எக்ஸைடேஷன்) ஆகியவற்றின் அடிப்படையான பைசோ எலக்ட்ரானிக்ஸ், ஃபோட்டோ எக்ஸைடேஷன் மற்றும் செமிகண்டக்டர் பண்புகளுக்கு இடையிலான மூன்று வழி இணைப்பு. இந்த இணைப்பின் மையப்பகுதி பைசோ எலக்ட்ரிக் பொருட்களால் உருவாக்கப்பட்ட பைசோபோடென்ஷியலை நம்பியுள்ளது. கிராஃபீன் மற்றும் இடைநிலை உலோக டைக்கால்கோஜெனைடுகளை (டிஎம்டி) அடிப்படையாகக் கொண்ட வான் டெர் வால்ஸ் பன்முக கட்டமைப்புகள் பைசோஃபோட்டோனிக் விளைவை உணர்ந்து கொள்வதற்கு நம்பிக்கைக்குரியவை. டிஎம்டி சாதனங்களில் பைசோஃபோட்டோட்ரானிக் விளைவை வெளிப்படுத்தும் இழுவிசை அழுத்தத்தின் மூலம் கிராஃபீன்/எம்ஓஎஸ் 2 சந்திப்பின் புகைப்பட-பதிலை சரிசெய்ய முடியும் என்று காட்டப்பட்டுள்ளது. குறிப்புகள் அமுக்கப்பட்ட பொருள் இயற்பியல் மின் நிகழ்வுகள் ஆற்றல் அறுவடை