Piezotronics
பைசோட்ரானிக்ஸ் விளைவு என்பது புதிய சாதனங்களை உருவாக்குவதற்கான சார்ஜ் கேரியர் போக்குவரத்து பண்புகளை டியூன்/கட்டுப்படுத்த "கேட்" மின்னழுத்தமாக பைசோ எலக்ட்ரிக் கொண்ட பொருட்களில் உருவாக்கப்பட்ட பைசோ எலக்ட்ரிக் திறனை (பைசோபோட்டன்ஷியல்) பயன்படுத்துகிறது. நீல் ஏ டவுனி, பீசோ எலக்ட்ரிக் பொருள் மற்றும் கார்பன் பீசோரேஸிஸ்டிவ் பொருளின் சாண்ட்விச்சைப் பயன்படுத்தி ஒரு பெரிய அளவில் எளிய செயல்விளக்கங்களை உருவாக்குவது எவ்வளவு எளிது என்பதைக் காட்டி, FET போன்ற பெருக்கும் சாதனத்தை உருவாக்கி, 2006 ஆம் ஆண்டில் மாணவர்களுக்கான அறிவியல் திட்டங்களின் புத்தகத்தில் வைத்தார். பைசோட்ரோனிக்ஸின் அடிப்படைக் கொள்கையை 2007 ஆம் ஆண்டில் ஜார்ஜியா இன்ஸ்டிடியூட் ஆப் டெக்னாலஜியில் பேராசிரியர் ஜாங் லின் வாங் அறிமுகப்படுத்தினார். 2006 முதல், இந்த விளைவின் அடிப்படையில் தொடர்ச்சியான மின்னணு சாதனங்கள் நிரூபிக்கப்பட்டுள்ளன, இதில் பைசோபோட்டன்ஷியல் கேட்டட் ஃபீல்ட்-எஃபெக்ட் டிரான்சிஸ்டர், பைசோபோட்டன்ஷியல் கேட்டட் டையோடு, ஸ்ட்ரெய்ன் சென்சார்கள், ஃபோர்ஸ்/ஃப்ளோ சென்சார்கள், ஹைப்ரிட் ஃபீல்ட்-எஃபெக்ட் டிரான்சிஸ்டர், பைசோட்ரோனிக் லாஜிக் கேட்ஸ், எலக்ட்ரோ மெக்கானிக்கல் மெமரிகள் போன்றவை அடங்கும். பைசோட்ரோனிக் சாதனங்கள் ஒரு புதிய குறைக்கடத்தி-சாதன வகையாகக் கருதப்படுகின்றன. பைசோட்ரோனிக்ஸ் சென்சார், மனித-சிலிக்கான் தொழில்நுட்ப இடைமுகம், எம். இ. எம். எஸ், நானோரோபோடிக்ஸ் மற்றும் செயலில் நெகிழ்வான மின்னணுவியல் ஆகியவற்றில் முக்கியமான பயன்பாடுகளைக் கொண்டிருக்க வாய்ப்புள்ளது. பொறிமுறை வுர்ட்ஸைட் கட்டமைக்கப்பட்ட ZnO, GaN மற்றும் InN போன்ற பொருட்களில் மையமற்ற சமச்சீர் காரணமாக, ஒரு அழுத்தத்தைப் பயன்படுத்துவதன் மூலம் படிகத்தில் ஒரு பைசோபோட்டன்ஷியல் உருவாக்கப்படுகிறது. பைசோ எலக்ட்ரிக் மற்றும் குறைக்கடத்தி பண்புகளை ஒரே நேரத்தில் வைத்திருப்பதால், படிகத்தில் உருவாக்கப்பட்ட பைசோபோட்டன்ஷியல் கேரியர் போக்குவரத்து செயல்பாட்டில் வலுவான விளைவைக் கொண்டுள்ளது. பொதுவாக, அடிப்படை பைசோட்ரோனிக் சாதனங்களின் கட்டுமானத்தை இரண்டு பிரிவுகளாகப் பிரிக்கலாம். இங்கே நாம் நானோ வயர்களை உதாரணமாகப் பயன்படுத்துகிறோம். முதல் வகை என்னவென்றால், பைசோ எலக்ட்ரிக் நானோவைர் மின்முனைகளால் இரண்டு முனைகள் சரிசெய்யப்பட்ட நெகிழ்வான அடி மூலக்கூறில் வைக்கப்பட்டது. இந்த விஷயத்தில், அடி மூலக்கூறு வளைக்கப்படும்போது, நானோ கம்பி முற்றிலும் நீட்டப்படும் அல்லது சுருக்கப்படும். பைசோபோட்டன்ஷியல் அதன் அச்சில் அறிமுகப்படுத்தப்படும். இது தொடர்பு பகுதியில் மின்சார புலம் அல்லது ஷாட்கி தடை (எஸ். பி) உயரத்தை மாற்றியமைக்கும். ஒரு முனையில் தூண்டப்பட்ட நேர்மறை பைசோபோட்டன்ஷியல் எஸ். பி உயரத்தைக் குறைக்கும், மறுமுனையில் எதிர்மறை பைசோபோட்டன்ஷியல் அதை அதிகரிக்கும். இவ்வாறு மின்சார போக்குவரத்து பண்புகள் மாற்றப்படும். பைசோட்ரோனிக் சாதனத்தின் இரண்டாவது வகை என்னவென்றால், நானோ கம்பியின் ஒரு முனை மின்முனையுடன் சரிசெய்யப்பட்டுள்ளது, அதே நேரத்தில் மற்ற முனை இலவசமாக உள்ளது. இந்த விஷயத்தில், நானோ கம்பியின் சுதந்திர முனையில் அதை வளைக்க ஒரு விசை பயன்படுத்தப்படும்போது, பைசோபோட்டன்ஷியல் விநியோகம் நானோ கம்பியின் அச்சுக்கு செங்குத்தாக இருக்கும். அறிமுகப்படுத்தப்பட்ட பைசோ எலக்ட்ரிக் புலம் எலக்ட்ரான் போக்குவரத்து திசைக்கு செங்குத்தாக உள்ளது, பாரம்பரிய புலம்-விளைவு டிரான்சிஸ்டரில் ஒரு கேட் மின்னழுத்தத்தைப் பயன்படுத்துவதைப் போலவே. இவ்வாறு எலக்ட்ரான் போக்குவரத்து பண்புகளும் மாற்றப்படும். பைசோட்ரானிக்ஸ்க்கான பொருட்கள் ZnO, GaN மற்றும் InN போன்ற பைசோ எலக்ட்ரிக் குறைக்கடத்திகளாக இருக்க வேண்டும். பைசோ எலக்ட்ரானிக்ஸ் (பைசோ எலக்ட்ரானிக்ஸ்-செமிகண்டக்டர் கப்லிங்), பைசோஃபோடோனிக்ஸ் (பைசோ எலக்ட்ரானிக்-ஃபோட்டான் எக்ஸைடேஷன் கப்லிங்), ஆப்டோ எலக்ட்ரானிக்ஸ் மற்றும் பைசோஃபோட்ரோனிக்ஸ் (பைசோ எலக்ட்ரானிக்ஸ்-செமிகண்டக்டர்-ஃபோட்டோ எக்ஸைடேஷன்) ஆகியவற்றின் அடிப்படையாக பைசோ எலக்ட்ரானிக்ஸ், ஃபோட்டோ எக்ஸைடேஷன் மற்றும் செமிகண்டக்டர் இடையே மூன்று வழி இணைப்பு உள்ளது. இந்த இணைப்பின் மையப்பகுதி பைசோ எலக்ட்ரிக் பொருட்களால் உருவாக்கப்பட்ட பைசோபோடென்ஷியலை நம்பியுள்ளது. மேலும் காண்க துருவ குறைக்கடத்திகளில் பைசோ எலக்ட்ரிக் அல்லாத நேரியல் பைசோ எலக்ட்ரிக் விளைவுகள் வுர்ட்ஸைட்-ஐரோப்பிய ஒன்றிய திட்டம் குறிப்புகள் நுண் தொழில்நுட்பம் நானோ எலக்ட்ரானிக்ஸ் குறைக்கடத்தி சாதனங்கள்