Electron backscatter diffraction
எலக்ட்ரான் பேக்ஸ்கேட்டர் விவரக்குறிப்பு (ஈபிஎஸ்டி) என்பது ஒரு ஸ்கேனிங் எலக்ட்ரான் நுண்ணோக்கி (எஸ்இஎம்) நுட்பமாகும், இது பொருட்களின் படிகவியல் கட்டமைப்பை ஆய்வு செய்ய பயன்படுத்தப்படுகிறது. குறைந்தபட்சம் ஒரு பாஸ்போரேஸன்ட் திரை, ஒரு சிறிய லென்ஸ் மற்றும் குறைந்த ஒளி கேமராவைக் கொண்ட ஈபிஎஸ்டி டிடெக்டர் பொருத்தப்பட்ட ஸ்கேனிங் எலக்ட்ரான் நுண்ணோக்கியில் ஈபிஎஸ்டி மேற்கொள்ளப்படுகிறது. இந்த கட்டமைப்பில், SEM சம்பவக் கற்றை சாய்ந்த மாதிரியைத் தாக்குகிறது. பின்னோக்கி சிதறடிக்கப்பட்ட எலக்ட்ரான்கள் மாதிரியை விட்டு வெளியேறும்போது, அவை படிகத்தின் காலமுறை அணு லட்டீஸ் விமானங்களுடன் தொடர்பு கொள்கின்றன மற்றும் கிகுச்சி வடிவங்களை (ஈ. பி. எஸ். பி) உருவாக்கும் பாஸ்பர் திரையை அடைவதற்கு முன்பு பல்வேறு சிதறல் கோணங்களில் ப்ராக்கின் சட்டத்தின்படி வேறுபடுகின்றன. ஈபிஎஸ்டி இடஞ்சார்ந்த தீர்மானம் ஆய்வின் கீழ் உள்ள பொருளின் தன்மை மற்றும் மாதிரி தயாரிப்பு உள்ளிட்ட பல காரணிகளைப் பொறுத்தது. எனவே, பொருளின் தானிய அமைப்பு, தானிய நோக்குநிலை மற்றும் நுண் அளவில் கட்டம் பற்றிய தகவல்களை வழங்க EBSPகளை குறியிடலாம். அசுத்தங்கள் மற்றும் குறைபாடு ஆய்வுகள், பிளாஸ்டிக் சிதைவு மற்றும் சராசரி தவறான நோக்குநிலை, தானிய அளவு மற்றும் படிக அமைப்பு ஆகியவற்றிற்கான புள்ளிவிவர பகுப்பாய்வு ஆகியவற்றிற்கு ஈபிஎஸ்டி பயன்படுத்தப்படுகிறது. மேம்பட்ட கட்ட அடையாளம் மற்றும் பொருட்கள் கண்டுபிடிப்புக்காக ஆற்றல்-சிதறல் எக்ஸ்-ரே ஸ்பெக்ட்ரோஸ்கோபி (ஈ. டி. எஸ்), கேத்தோடோலுமினென்சென்ஸ் (சி. எல்) மற்றும் அலைநீளம்-சிதறல் எக்ஸ்-ரே ஸ்பெக்ட்ரோஸ்கோபி (டபிள்யூ. டி. எஸ்) ஆகியவற்றுடன் ஈ. பி. எஸ். டி இணைக்கப்படலாம். எலக்ட்ரான் பேக்ஸ்கேட்டர் வடிவங்களில் (ஈ. பி. எஸ். பி) மாற்றம் மற்றும் சீரழிவு வேறுபடும் அளவில் லட்டீஸ் சிதைவு பற்றிய தகவல்களை வழங்குகிறது. நெகிழ்வுத்தன்மையின் அளவை மதிப்பிடுவதற்கு முறை சீரழிவு (அதாவது, பரவலான தரம்) பயன்படுத்தப்படலாம். EBSP மண்டல அச்சு நிலையில் ஏற்படும் மாற்றங்கள் எஞ்சிய அழுத்தம் மற்றும் சிறிய லட்டிஸ் சுழற்சிகளை அளவிட பயன்படுத்தப்படலாம். வடிவியல் ரீதியாக தேவையான இடப்பெயர்வுகளின் (ஜி. என். டி) அடர்த்தி பற்றிய தகவல்களையும் ஈ. பி. எஸ். டி வழங்க முடியும். இருப்பினும், லட்டிஸ் விலகல் ஒரு குறிப்பு வடிவத்துடன் (EBSP0) ஒப்பிடுகையில் அளவிடப்படுகிறது. குறிப்பு வடிவத்தின் தேர்வு அளவீட்டு துல்லியத்தை பாதிக்கிறது; எ. கா., பதற்றத்தில் சிதைந்த ஒரு குறிப்பு முறை உயர் தெளிவுத்திறன் வரைபடத்திலிருந்து பெறப்பட்ட இழுவிசை திரிபு அளவை நேரடியாகக் குறைக்கும், அதே நேரத்தில் மறைமுகமாக மற்ற கூறுகளின் அளவு மற்றும் திரிபு இடஞ்சார்ந்த விநியோகத்தை பாதிக்கும். மேலும், EBSP0 இன் தேர்வு GND அடர்த்தி விநியோகம் மற்றும் அளவை சற்று பாதிக்கிறது. முறை உருவாக்கம் மற்றும் சேகரிப்பு அமைப்பு வடிவியல் மற்றும் முறை உருவாக்கம் எலக்ட்ரான் பின்னோக்கி சிதறல் விலகல் நுண்ணோக்கிக்கு, ஒரு தட்டையான மெருகூட்டப்பட்ட படிக மாதிரி பொதுவாக நுண்ணோக்கி அறைக்குள் வைக்கப்படுகிறது. ஸ்கானிங் எலக்ட்ரான் நுண்ணோக்கி (SEM) தட்டையான மாதிரி நிலைப்பாட்டிலிருந்து ~ 70 டிகிரியிலும், எலக்ட்ரான் பேக்ஸ்கேட்டர் டிஃப்ரக்ஷன் (EBSD) டிடெக்டருக்கு 110 டிகிரியிலும் மாதிரி சாய்க்கப்பட்டுள்ளது. மாதிரியை சாய்வது சாய்வு அச்சுக்கு செங்குத்தாக தொடர்பு அளவை நீட்டிக்கிறது, நெகிழ்வான சிதறல் காரணமாக அதிக எலக்ட்ரான்கள் மாதிரியை விட்டு வெளியேற அனுமதிக்கிறது, இது சிறந்த மாறுபாட்டை வழங்குகிறது. உயர் ஆற்றல் எலக்ட்ரான் கற்றை (பொதுவாக 20 kV) ஒரு சிறிய அளவில் கவனம் செலுத்துகிறது மற்றும் மாதிரி மேற்பரப்பில் ~ 20 nm இடஞ்சார்ந்த தெளிவுத்திறனில் சிதறுகிறது. கற்றை ஆற்றல், கோண அகலம், தொடர்பு அளவு, ஆய்வின் கீழ் உள்ள பொருளின் தன்மை மற்றும் மாதிரியின் தடிமனுடன் பரிமாற்றத்தில் கிகுச்சி விலகல் (டி. கே. டி) ஆகியவற்றைப் பொறுத்து இடஞ்சார்ந்த தீர்மானம் மாறுபடும்; இதனால், கற்றை ஆற்றலை அதிகரிப்பது தொடர்பு அளவை அதிகரிக்கிறது மற்றும் இடஞ்சார்ந்த தெளிவுத்திறனைக் குறைக்கிறது. EBSD டிடெக்டர் SEM இன் மாதிரி அறைக்குள் துருவத் துண்டுக்கு சுமார் 90 டிகிரி கோணத்தில் அமைந்துள்ளது. ஈபிஎஸ்டி டிடெக்டர் பொதுவாக ஒரு பாஸ்பர் திரையால் ஆனது, இது பின் சிதறிய எலக்ட்ரான்களால் தூண்டப்படுகிறது. திரை லென்ஸுடன் இணைக்கப்பட்டுள்ளது, இது பாஸ்பர் திரையில் இருந்து சார்ஜ்-கபுல்ட் சாதனம் (சிசிடி) அல்லது காம்ப்ளிமெண்டரி மெட்டல்-ஆக்சைடு-செமிகண்டக்டர் (சிஎம்ஓஎஸ்) கேமராவில் படத்தை மையமாகக் கொண்டுள்ளது. இந்த கட்டமைப்பில், இந்த பின்னோக்கி சிதறடிக்கப்பட்ட எலக்ட்ரான்கள் மாதிரியை விட்டு வெளியேறும்போது, அவை படிகத்தின் காலமுறை அணு லட்டிஸ் தளங்களுடன் தொடர்பு கொள்கின்றன மற்றும் பிராக்கின் சட்டத்தின்படி சிதறல் கோணங்களின் (θhkl) வரம்பில் வேறுபடுகின்றன. பின்னோக்கி சிதறடிக்கப்பட்ட எலக்ட்ரான்கள் கிகுச்சி கோடுகளை உருவாக்குகின்றன-வெவ்வேறு தீவிரங்களைக் கொண்டவை-ஒரு எலக்ட்ரான்-உணர்திறன் தட்டையான படலம்/திரையில் (பொதுவாக பாஸ்பர்), ஒரு கிகுச்சி பட்டையை உருவாக்க சேகரிக்கப்படுகின்றன. இந்த கிகுச்சி கோடுகள் பாஸ்பர் திரையின் தளத்துடன் கோசல் கூம்புகளின் குறுக்குவெட்டால் உருவாக்கப்பட்ட ஒரு ஹைபர்போலாவின் தடயமாகும். ஒரு கிகுச்சி பட்டையின் அகலம் சிதறல் கோணங்களுடன் தொடர்புடையது, எனவே, மில்லர் குறியீடுகள் h, k மற்றும் l கொண்ட லட்டிஸ் விமானங்களுக்கு இடையிலான தூரம். இந்த கிகுச்சி கோடுகள் மற்றும் வடிவங்கள் சீஷி கிகுச்சியின் பெயரால் பெயரிடப்பட்டன, அவருடன் சேர்ந்து, 1928 ஆம் ஆண்டில் டிரான்ஸ்மிஷன் எலக்ட்ரான் நுண்ணோக்கியைப் (TEM) பயன்படுத்தி இந்த விலகல் வடிவத்தை முதன்முதலில் கவனித்தார், இது வடிவவியலில் எக்ஸ்-ரே கோஸல் வடிவத்திற்கு ஒத்ததாகும். முறையாக ஒழுங்கமைக்கப்பட்ட கிகுச்சி பட்டைகள், அவற்றின் அகலத்துடன் ஒரு தீவிர வரம்பைக் கொண்டுள்ளன, ஆர்வமுள்ள பகுதிகளின் (ROI) மையத்தைச் சுற்றி வெட்டுகின்றன, இது ஆய்வு செய்யப்பட்ட தொகுதி படிகவியலை விவரிக்கிறது. இந்த பட்டைகள் மற்றும் அவற்றின் குறுக்குவெட்டுகள் கிகுச்சி வடிவங்கள் அல்லது எலக்ட்ரான் பேக்ஸ்கேட்டர் வடிவங்கள் (ஈ. பி. எஸ். பி) என்று அழைக்கப்படுகின்றன. மாறுபாட்டை மேம்படுத்த, நிலையான பின்னணி திருத்தம் அல்லது மாறும் பின்னணி திருத்தத்தைப் பயன்படுத்தி அனிசோட்ரோபிக்/நெகிழ்வான சிதறலை அகற்றுவதன் மூலம் வடிவங்களின் பின்னணி சரி செய்யப்படுகிறது. குறைந்தபட்சம் ஒரு பாஸ்பர் திரை, சிறிய லென்ஸ் மற்றும் குறைந்த ஒளி சார்ஜ்-இணைக்கப்பட்ட சாதனம் (சி. சி. டி) அல்லது நிரப்பு உலோக-ஆக்சைடு-குறைக்கடத்தி (சி. எம். ஓ. எஸ்) கேமராவைக் கொண்ட ஈ. பி. எஸ். டி டிடெக்டருடன் பொருத்தப்பட்ட ஒரு எஸ். இ. எம். ஐப் பயன்படுத்தி ஈ. பி. எஸ். டி டிடெக்டர்கள் நடத்தப்படுகின்றன. வணிக ரீதியாக கிடைக்கக்கூடிய ஈபிஎஸ்டி அமைப்புகள் பொதுவாக இரண்டு வெவ்வேறு சிசிடி கேமராக்களில் ஒன்றைக் கொண்டுள்ளனஃ விரைவான அளவீடுகளுக்கு, சிசிடி சிப் 640x480 பிக்சல்களின் சொந்த தெளிவுத்திறனைக் கொண்டுள்ளது; மெதுவான மற்றும் அதிக உணர்திறன் அளவீடுகளுக்கு, சிசிடி சிப் தீர்மானம் 1600x1200 பிக்சல்கள் வரை செல்லலாம். உயர் தெளிவுத்திறன் கண்டறிதலின் மிகப்பெரிய நன்மை அவற்றின் அதிக உணர்திறன் ஆகும், எனவே ஒவ்வொரு விலகல் வடிவத்திலும் உள்ள தகவல்களை மேலும் விரிவாக பகுப்பாய்வு செய்யலாம். அமைப்பு மற்றும் நோக்குநிலை அளவீடுகளுக்கு, விவரக்குறிப்பு வடிவங்கள் அவற்றின் அளவு மற்றும் கணக்கீட்டு நேரங்களைக் குறைக்க பிணைக்கப்பட்டுள்ளன. நவீன சிசிடி அடிப்படையிலான ஈபிஎஸ்டி அமைப்புகள் வினாடிக்கு 1800 வடிவங்கள் வரை வேகத்தில் குறியீட்டு வடிவங்களை உருவாக்க முடியும். இது விரைவான மற்றும் வளமான நுண் கட்டமைப்பு வரைபடங்களை உருவாக்க உதவுகிறது. மாதிரி தயாரிப்பு மாதிரி வெற்றிட நிலையானதாக இருக்க வேண்டும். இது பொதுவாக ஒரு கடத்தும் சேர்மத்தைப் பயன்படுத்தி பொருத்தப்படுகிறது (எ. கா. கியூ) நிரம்பிய ஒரு எபோக்சி தெர்மோசெட், இது எலக்ட்ரான் கற்றை கதிர்வீச்சின் கீழ் பட சறுக்கல் மற்றும் மாதிரி சார்ஜ் செய்வதைக் குறைக்கிறது. EBSP தரம் மேற்பரப்பு தயாரிப்புக்கு உணர்திறன் கொண்டது. பொதுவாக மாதிரி 240 முதல் 4000 கிரிட் வரை உள்ள சிஐசி காகிதங்களைப் பயன்படுத்தி தரைப்படுத்தப்படுகிறது, மேலும் வைர பேஸ்டைப் பயன்படுத்தி (9 முதல் 1 மைக்ரோமீட்டர் வரை) பின்னர் 50 என்எம் கூழ்மம் கொண்ட சிலிக்காவில் மெருகூட்டப்படுகிறது. பின்னர், இது எத்தனாலில் சுத்தம் செய்யப்பட்டு, டியோனைஸ் செய்யப்பட்ட தண்ணீரில் கழுவப்பட்டு, சூடான காற்று ஊதுகுழல் மூலம் உலர்த்தப்படுகிறது. இதைத் தொடர்ந்து இறுதி மேற்பரப்பு தயாரிப்புக்காக அயனி கற்றை மெருகூட்டுதல் செய்யப்படலாம். SEM இன் உள்ளே, அளவீட்டு பகுதியின் அளவு உள்ளூர் தீர்மானம் மற்றும் அளவீட்டு நேரத்தை தீர்மானிக்கிறது. உயர்தர ஈபிஎஸ்பிகளுக்கான வழக்கமான அமைப்புகள் 15 என்ஏ மின்னோட்டம், 20 கேவி பீம் ஆற்றல், 18 மிமீ வேலை தூரம், நீண்ட வெளிப்பாடு நேரம் மற்றும் குறைந்தபட்ச சிசிடி பிக்சல் பின்னிங் ஆகும். ஈபிஎஸ்டி பாஸ்பர் திரை 18 மிமீ வேலை தூரத்தில் அமைக்கப்பட்டுள்ளது மற்றும் திரிபு மற்றும் இடப்பெயர்ச்சி அடர்த்தி பகுப்பாய்விற்காக ஒரு வரைபடத்தின் படி அளவு 0,5 மைக்ரோமீட்டருக்கும் குறைவாக உள்ளது. நுண்ணோக்கிக்குள் எலக்ட்ரான் கற்றை மூலம் வாயு ஹைட்ரோகார்பன்களின் சிதைவு கார்பன் படிவு விளைவிக்கிறது, இது கையகப்படுத்தும் சாளரத்திற்கு வெளியே உள்ள ஈபிஎஸ்பிகளுடன் ஒப்பிடும்போது ஆய்வு செய்யப்பட்ட பகுதிக்குள் ஈபிஎஸ்பிகளின் தரத்தை குறைக்கிறது. வடிவ சீரழிவின் சாய்வு, டெபாசிட் செய்யப்பட்ட கார்பனின் வெளிப்படையான குவிப்புடன் ஆய்வு செய்யப்பட்ட மண்டலத்திற்குள் நகரும். கற்றை உடனடி தூண்டப்பட்ட கார்பன் படிதலில் இருந்து வரும் கருப்பு புள்ளிகள் திரட்டல் நடக்காவிட்டாலும் உடனடி படிதலை எடுத்துக்காட்டுகின்றன. ஆழத் தீர்மானத்தின் வரையறை குறித்து எந்த உடன்பாடும் இல்லை. எடுத்துக்காட்டாக, இது சமிக்ஞையின் ~92% உருவாக்கப்படும் ஆழமாக வரையறுக்கப்படலாம், அல்லது வடிவத்தின் தரத்தால் வரையறுக்கப்படலாம், அல்லது "பயனுள்ள தகவல்கள் பெறப்படும் இடத்தில்" போன்ற தெளிவற்றதாக இருக்கலாம். கொடுக்கப்பட்ட வரையறைக்கு கூட, எலக்ட்ரான் ஆற்றலுடன் ஆழத் தெளிவுத்திறன் அதிகரிக்கிறது மற்றும் ஆய்வு செய்யப்பட்ட பொருளை உருவாக்கும் தனிமங்களின் சராசரி அணு வெகுஜனத்துடன் குறைகிறதுஃ எடுத்துக்காட்டாக, இது 20 kV ஆற்றலில் Si க்கு 40 nm ஆகவும், Ni க்கு 10 nm ஆகவும் மதிப்பிடப்பட்டது. தடிமனுடன் கட்டமைப்பு மற்றும் கலவை மாறுபடும் பொருட்களுக்கு வழக்கத்திற்கு மாறாக சிறிய மதிப்புகள் தெரிவிக்கப்பட்டன. எடுத்துக்காட்டாக, மோனோகிரிஸ்டலின் சிலிக்கானை ஒரு சில என்எம் உருவமற்ற குரோமியத்துடன் பூசுவது 15 கே. வி ஆற்றலில் ஆழத் தெளிவுத்திறனை ஒரு சில என்எம் ஆகக் குறைக்கிறது. இதற்கு மாறாக, இசபெல் மற்றும் டேவிட் ஆகியோர் ஒரே மாதிரியான படிகங்களில் ஆழத் தெளிவுத்திறன் 1 மைக்ரோமீட்டர் வரை நீட்டிக்க முடியும் என்று முடிவு செய்தனர், ஏனெனில் நெகிழ்வான சிதறல் (தொடுகோட்டு ஸ்மியரிங் மற்றும் சேனலிங் விளைவு உட்பட). ஈபிஎஸ்டி ஆழத் தெளிவுத்திறன் குறித்த அறிக்கைகளுக்கு இடையிலான சமீபத்திய ஒப்பீடு, கோகோ மற்றும் பலர், பெரும்பாலான வெளியீடுகள் ஆழத் தெளிவுத்திறனின் வரையறைக்கு ஒரு காரணத்தை முன்வைக்கவில்லை என்பதைக் குறிக்கின்றன, அதே நேரத்தில் கற்றை அளவு, சாய்வு கோணம், பீம்-டு-சாம்பல் மற்றும் மாதிரி-டு-டிடெக்டர் தூரங்கள் பற்றிய தகவல்கள் சேர்க்கப்படவில்லை. ஆழத் தெளிவுத்திறனை தீர்மானிக்க அல்லது உருவகப்படுத்துவதற்கான முக்கியமான அளவுருக்கள் இவை. பீம் மின்னோட்டம் பொதுவாக சோதனைகள் அல்லது உருவகப்படுத்துதல்களில் ஆழத் தெளிவுத்திறனை பாதிக்கும் என்று கருதப்படுவதில்லை. இருப்பினும், இது பீம் ஸ்பாட் அளவு மற்றும் சமிக்ஞை-க்கு-சத்தம் விகிதத்தை பாதிக்கிறது, எனவே, மறைமுகமாக, வடிவத்தின் விவரங்கள் மற்றும் அதன் ஆழத் தகவல்கள். மான்டே கார்லோ உருவகப்படுத்துதல்கள் EBSPs உருவாக்கத்திற்கான ஆழத் தீர்மானத்தை அளவிடுவதற்கான ஒரு மாற்று அணுகுமுறையை வழங்குகின்றன, இது ப்ளோச் அலைக் கோட்பாட்டைப் பயன்படுத்தி மதிப்பிடப்படலாம், அங்கு பின்னோக்கி சிதறிய முதன்மை எலக்ட்ரான்கள்-படிக லட்டிஸுடன் தொடர்பு கொண்ட பிறகு-மேற்பரப்பில் இருந்து வெளியேறும், எலக்ட்ரான்களுடன் தொடர்பு கொள்ளும் அளவின் படிகத்தன்மை பற்றிய தகவல்களை எடுத்துச் செல்கின்றன. பின்னோக்கி சிதறடிக்கப்பட்ட எலக்ட்ரான்கள் (பிஎஸ்இ) ஆற்றல் விநியோகம் பொருளின் பண்புகள் மற்றும் கற்றை நிலைமைகளைப் பொறுத்தது. இந்த பிஎஸ்இ அலைப்புலம் வெப்பப் பரவலான சிதறல் செயல்முறையால் பாதிக்கப்படுகிறது, இது ஒத்திசைவற்ற மற்றும் நிலையற்ற (ஆற்றல் இழப்பு) சிதறலை ஏற்படுத்துகிறது-பிராக் விலகல் நிகழ்வுகளுக்குப் பிறகு-இது இன்னும் முழுமையான இயற்பியல் விளக்கத்தைக் கொண்டிருக்கவில்லை, இது ஈபிஎஸ்பி ஆழத் தீர்மானத்தை உருவாக்கும் வழிமுறைகளுடன் தொடர்புடையதாக இருக்கலாம். ஈபிஎஸ்டி சோதனை மற்றும் உருவகப்படுத்துதல்கள் இரண்டும் பொதுவாக இரண்டு அனுமானங்களைச் செய்கின்றனஃ மேற்பரப்பு பழமையானது மற்றும் ஒரே மாதிரியான ஆழத் தெளிவுத்திறனைக் கொண்டுள்ளது; இருப்பினும், அவை இரண்டும் சிதைந்த மாதிரிக்கு செல்லுபடியாகாது. அமைப்பு வடிவியல் நன்கு விவரிக்கப்பட்டிருந்தால், விலகல் வடிவத்தில் இருக்கும் பட்டைகளை எலக்ட்ரான் தொடர்பு தொகுதிக்குள் உள்ள பொருளின் அடிப்படை படிக மற்றும் படிகவியல் நோக்குநிலையுடன் தொடர்புபடுத்த முடியும். ஒவ்வொரு பட்டையும் அதை உருவாக்கிய விலகல் தளத்தின் மில்லர் குறியீடுகளால் தனித்தனியாக குறியிடப்படலாம். பெரும்பாலான பொருட்களில், மூன்று பட்டைகள்/விமானங்கள் மட்டுமே வெட்டுகின்றன, மேலும் அவை படிக நோக்குநிலைக்கு (அவற்றின் இடைநிலை கோணங்களின் அடிப்படையில்) ஒரு தனித்துவமான தீர்வை விவரிக்க வேண்டும். பெரும்பாலான வணிக அமைப்புகள் குறியீட்டிற்கு சர்வதேச படிக தரவுத்தளங்களுடன் தேடல் அட்டவணைகளைப் பயன்படுத்துகின்றன. இந்த படிக நோக்குநிலை ஒவ்வொரு மாதிரி புள்ளியின் நோக்குநிலையையும் ஒரு குறிப்பு படிக நோக்குநிலையுடன் தொடர்புபடுத்துகிறது. குறியீட்டு முறை பெரும்பாலும் முறை சேகரிப்புக்குப் பிறகு ஈபிஎஸ்டி செயல்முறையின் முதல் படியாகும். இது வடிவம் சேகரிக்கப்பட்ட மாதிரியின் ஒற்றை அளவில் படிக நோக்குநிலையை அடையாளம் காண அனுமதிக்கிறது. ஈபிஎஸ்டி மென்பொருளுடன், முறை பட்டைகள் பொதுவாக மாற்றியமைக்கப்பட்ட ஹாஃப் உருமாற்றத்தைப் பயன்படுத்தி ஒரு கணித வழக்கத்தின் மூலம் கண்டறியப்படுகின்றன, இதில் ஹாஃப் இடத்தில் உள்ள ஒவ்வொரு பிக்சலும் ஈபிஎஸ்பியில் ஒரு தனித்துவமான வரி/பட்டையைக் குறிக்கிறது. ஹாஃப் உருமாற்றம் பேண்ட் கண்டறிதலை செயல்படுத்துகிறது, இது அசல் EBSP இல் கணினி மூலம் கண்டுபிடிக்க கடினமாக உள்ளது. பட்டை இருப்பிடங்கள் கண்டறியப்பட்டவுடன், இந்த இடங்களை அடிப்படை படிக நோக்குநிலையுடன் தொடர்புபடுத்த முடியும், ஏனெனில் பட்டைகளுக்கு இடையிலான கோணங்கள் லட்டிஸ் விமானங்களுக்கு இடையிலான கோணங்களைக் குறிக்கின்றன. எனவே, மூன்று பட்டைகளுக்கு இடையிலான நிலை/கோணங்கள் அறியப்படும்போது ஒரு நோக்குநிலை தீர்வை தீர்மானிக்க முடியும். அதிக சமச்சீர் பொருட்களில், நோக்குநிலை அளவீட்டைப் பெறுவதற்கும் சரிபார்க்கவும் மூன்றுக்கும் மேற்பட்ட பட்டைகள் பொதுவாகப் பயன்படுத்தப்படுகின்றன. ஒலியை அகற்றுவதற்கும், டிடெக்டர் சிதைவுகளுக்கு சரிசெய்வதற்கும், தீவிரத்தை இயல்பாக்குவதற்கும் விலகல் முறை முன்கூட்டியே செயலாக்கப்படுகிறது. பின்னர், முன் பதப்படுத்தப்பட்ட விலகல் முறை ஆய்வு செய்யப்படும் பொருளுக்கான குறிப்பு வடிவங்களின் நூலகத்துடன் ஒப்பிடப்படுகிறது. பொருளின் அறியப்பட்ட படிக அமைப்பு மற்றும் படிக ஜல்லின் நோக்குநிலை ஆகியவற்றின் அடிப்படையில் குறிப்பு வடிவங்கள் உருவாக்கப்படுகின்றன. அளவிடப்பட்ட வடிவத்துடன் சிறந்த பொருத்தத்தை உருவாக்கும் படிக ஜல்லின் நோக்குநிலை பல்வேறு வழிமுறைகளைப் பயன்படுத்தி தீர்மானிக்கப்படுகிறது. பெரும்பாலான வணிக ஈபிஎஸ்டி மென்பொருளால் குறியீட்டின் மூன்று முன்னணி முறைகள் செய்யப்படுகின்றனஃ மூன்று முறை வாக்களிப்பு; சோதனை முறைக்கும் கணக்கீட்டு ரீதியாக தீர்மானிக்கப்பட்ட நோக்குநிலைக்கும் இடையிலான 'பொருத்தத்தை' குறைத்தல், அல்லது/மற்றும் அண்டை முறை சராசரி மற்றும் மறு குறியீட்டு முறை, என். பி. ஏ. ஆர்). குறியீடாக்கம் பின்னர் ஒற்றை படிக நோக்குநிலைக்கு ஒரு தனித்துவமான தீர்வைத் தருகிறது, இது புலத்தின் பார்வையில் உள்ள மற்ற படிக நோக்குநிலைகளுடன் தொடர்புடையது. முக்கோண வாக்களிப்பு என்பது படிக நோக்குநிலையின் வெவ்வேறு தீர்வுகளுடன் தொடர்புடைய பல 'முக்கோணங்களை' அடையாளம் காண்பதை உள்ளடக்கியது; ஒவ்வொரு முக்கோணத்திலிருந்தும் தீர்மானிக்கப்படும் ஒவ்வொரு படிக நோக்குநிலையும் ஒரு வாக்கைப் பெறுகிறது. நான்கு பட்டைகள் ஒரே படிக நோக்குநிலையை அடையாளம் கண்டால், பின்னர் நான்கு (நான்கு மூன்று, அதாவது) அந்த குறிப்பிட்ட தீர்வுக்கு வாக்குகள் போடப்படும். எனவே அதிக எண்ணிக்கையிலான வாக்குகளைக் கொண்ட வேட்பாளர் நோக்குநிலை தற்போதுள்ள அடிப்படை படிக நோக்குநிலைக்கு மிகவும் சாத்தியமான தீர்வாக இருக்கும். மொத்த வாக்குகளுடன் ஒப்பிடுகையில் தேர்ந்தெடுக்கப்பட்ட தீர்வுக்கான வாக்குகளின் எண்ணிக்கை அடிப்படை தீர்வின் மீதான நம்பிக்கையை விவரிக்கிறது. இந்த 'நம்பிக்கை குறியீட்டை' விளக்கும் போது கவனமாக இருக்க வேண்டும், ஏனெனில் சில போலி-சமச்சீர் நோக்குநிலைகள் ஒரு வேட்பாளர் தீர்வுக்கு எதிராக மற்றொருவருக்கு குறைந்த நம்பிக்கையை ஏற்படுத்தக்கூடும். பொருத்தத்தைக் குறைப்பது என்பது முக்கோணத்திற்கான சாத்தியமான அனைத்து நோக்குநிலைகளிலிருந்தும் தொடங்குவதை உள்ளடக்கியது. மேலும் பட்டைகள் சேர்க்கப்பட்டுள்ளன, இது வேட்பாளர் நோக்குநிலைகளின் எண்ணிக்கையைக் குறைக்கிறது. பட்டைகளின் எண்ணிக்கை அதிகரிக்கும் போது, சாத்தியமான நோக்குநிலைகளின் எண்ணிக்கை இறுதியில் ஒரு தீர்வுக்கு ஒருங்கிணைக்கிறது. அளவிடப்பட்ட நோக்குநிலைக்கும் கைப்பற்றப்பட்ட வடிவத்திற்கும் இடையிலான 'பொருத்தம்' தீர்மானிக்கப்படலாம். ஒட்டுமொத்தமாக, ஈபிஎஸ்டியில் உள்ள குறியீட்டு விவரக்குறிப்பு வடிவங்கள் ஒரு சிக்கலான வழிமுறைகள் மற்றும் கணக்கீடுகளை உள்ளடக்கியது, ஆனால் படிகவியல் அமைப்பு மற்றும் உயர் இடஞ்சார்ந்த தெளிவுத்திறனில் பொருட்களின் நோக்குநிலையை தீர்மானிக்க அவசியம். குறியீட்டு செயல்முறை தொடர்ந்து உருவாகி வருகிறது, செயல்முறையின் துல்லியம் மற்றும் வேகத்தை மேம்படுத்த புதிய வழிமுறைகள் மற்றும் நுட்பங்கள் உருவாக்கப்படுகின்றன. பின்னர், குறியீட்டு முடிவின் தரத்தை தீர்மானிக்க ஒரு நம்பிக்கை குறியீடு கணக்கிடப்படுகிறது. நம்பிக்கை குறியீடு அளவிடப்பட்ட மற்றும் குறிப்பு வடிவங்களுக்கு இடையிலான பொருளின் தரத்தை அடிப்படையாகக் கொண்டது. கூடுதலாக, இது சத்தம் நிலை, டிடெக்டர் தீர்மானம் மற்றும் மாதிரி தரம் போன்ற காரணிகளைக் கருத்தில் கொள்கிறது. ப்ராக் நிபந்தனையைப் பயன்படுத்தி இயக்கவியல் தீர்வு தொடர்பான இந்த வடிவியல் விளக்கம் மிகவும் சக்திவாய்ந்ததாகவும், நோக்குநிலை மற்றும் அமைப்பு பகுப்பாய்விற்கு பயனுள்ளதாகவும் இருந்தாலும், இது படிக ஜாலகத்தின் வடிவவியலை மட்டுமே விவரிக்கிறது. இது வேறுபடும் பொருளுக்குள் ஈடுபடும் பல இயற்பியல் செயல்முறைகளை புறக்கணிக்கிறது. எலக்ட்ரான் கற்றை சிதறல் முறைக்குள் (EBSP) சிறந்த அம்சங்களை போதுமான அளவு விவரிக்க, ஒருவர் பல-கற்றை இயக்கவியல் மாதிரியைப் பயன்படுத்த வேண்டும் (எ. கா. ஒரு சோதனை வடிவத்தில் பட்டை தீவிரங்களில் உள்ள மாறுபாடு கட்டமைப்பு காரணி தொடர்பான இயக்கவியல் தீர்வுக்கு பொருந்தாது). வடிவமைப்பு மையம் ஒரு படிகத்தின் நோக்குநிலையை தொடர்புபடுத்த, எக்ஸ்-ரே விலகல் (எக்ஸ்ஆர்டி) போலவே, அமைப்பின் வடிவவியலை அறிந்து கொள்ள வேண்டும். குறிப்பாக, வடிவம் மையம் கண்டறிதலுக்கான தொடர்பு அளவின் தூரத்தையும், பாஸ்பர் திரையில் உள்ள பாஸ்பருக்கும் மாதிரிக்கும் இடையிலான அருகிலுள்ள புள்ளியின் இருப்பிடத்தையும் விவரிக்கிறது. ஆரம்பகால வேலை SEM அறையில் செருகப்பட்ட அறியப்பட்ட நோக்குநிலையின் ஒற்றை படிகத்தைப் பயன்படுத்தியது, மேலும் EBSP இன் ஒரு குறிப்பிட்ட அம்சம் முறை மையத்துடன் ஒத்திருப்பதாக அறியப்பட்டது. பிற்கால முன்னேற்றங்கள் ஒரு ஈபிஎஸ்பியின் தலைமுறைக்கும் அறை வடிவவியலுக்கும் (நிழல் வார்ப்பு மற்றும் பாஸ்பர் இயக்கம்) இடையிலான பல்வேறு வடிவியல் உறவுகளைப் பயன்படுத்துவதை உள்ளடக்கியது. துரதிர்ஷ்டவசமாக, இந்த முறைகள் ஒவ்வொன்றும் சிக்கலானது மற்றும் ஒரு பொது ஆபரேட்டருக்கு சில முறையான பிழைகளுக்கு ஆளாகக்கூடும். பொதுவாக அவை பல குறிப்பிட்ட பயன்பாடுகளுடன் நவீன SEM களில் எளிதில் பயன்படுத்தப்பட முடியாது. எனவே, பெரும்பாலான வணிக ஈபிஎஸ்டி அமைப்புகள் படிக நோக்குநிலை மற்றும் பரிந்துரைக்கப்பட்ட முறை மைய இருப்பிடத்தின் மறு செய்கை இயக்கத்துடன் இணைந்து குறியீட்டு வழிமுறையைப் பயன்படுத்துகின்றன. சோதனை வடிவங்களுக்குள் அமைந்துள்ள பட்டைகள் மற்றும் தேடல் அட்டவணைகளில் உள்ளவற்றுக்கு இடையிலான பொருத்தத்தைக் குறைப்பது முறை மைய இருப்பிடத்தில் முறை அகலத்தின் ~ 0.5-1% துல்லியத்திற்கு ஒன்றிணைக்க முனைகிறது. ஆஸ்ட்ரோஇபிஎஸ்டி மற்றும் பிசி குளோபல், திறந்த மூல MATLAB குறியீடுகளின் சமீபத்திய வளர்ச்சி, முறை மையத்தை (பிசி) தீர்மானிப்பதற்கான துல்லியத்தை அதிகரித்தது மற்றும்-இதன் விளைவாக-ஈஎம்சாஃப்டைப் பயன்படுத்தி வடிவத்தை உருவகப்படுத்தும் ஒரு முறை பொருந்தும் அணுகுமுறையைப் பயன்படுத்துவதன் மூலம் நெகிழ்வான விகாரங்கள். ஈபிஎஸ்டி வரைபடம் குறியீட்டு முடிவுகள் ஆய்வு செய்யப்படும் மேற்பரப்பில் ஒவ்வொரு புள்ளியிலும் படிகவியல் நோக்குநிலையின் வரைபடத்தை உருவாக்க பயன்படுத்தப்படுகின்றன. எனவே, எலக்ட்ரான் கற்றை ஒரு பரிந்துரைக்கப்பட்ட பாணியில் ஸ்கேன் செய்வது (பொதுவாக ஒரு சதுர அல்லது அறுகோண கட்டத்தில், மாதிரி சாய்வு காரணமாக படத்தை முன்கூட்டியே சரிசெய்வது) பல பணக்கார மைக்ரோஸ்ட்ரக்சரல் வரைபடங்களில் விளைகிறது. இந்த வரைபடங்கள் ஆராயப்படும் பொருளின் படிக நோக்குநிலையை இடஞ்சார்ந்த முறையில் விவரிக்க முடியும், மேலும் மைக்ரோடெக்சர் மற்றும் மாதிரி உருவவியல் ஆகியவற்றை ஆராய பயன்படுத்தப்படலாம். சில வரைபடங்கள் தானிய நோக்குநிலை, எல்லை மற்றும் விலகல் முறை (படம்) தரத்தை விவரிக்கின்றன. பல்வேறு புள்ளிவிவர கருவிகள் சராசரி தவறான நோக்குநிலை, தானிய அளவு மற்றும் படிகவியல் அமைப்பை அளவிட முடியும். இந்த தரவுத்தொகுப்பிலிருந்து, ஏராளமான வரைபடங்கள், விளக்கப்படங்கள் மற்றும் அடுக்குகளை உருவாக்க முடியும். வண்ண குறியீடு, விளிம்பு கோடுகள் மற்றும் துருவ உருவங்கள் உள்ளிட்ட பல்வேறு நுட்பங்களைப் பயன்படுத்தி நோக்குநிலை தரவைக் காட்சிப்படுத்தலாம். நுண்ணோக்கி தவறான சீரமைப்பு, பட மாற்றம், ஸ்கேன் சிதைவு குறைந்து வரும் உருப்பெருக்கம், கடினத்தன்மை மற்றும் மாதிரி மேற்பரப்பின் மாசுபாடு, எல்லை குறியீட்டு செயலிழப்பு மற்றும் டிடெக்டர் தரம் ஆகியவை படிக நோக்குநிலையை தீர்மானிப்பதில் நிச்சயமற்ற தன்மைகளுக்கு வழிவகுக்கும். ஈபிஎஸ்டி சமிக்ஞை-க்கு-சத்தம் விகிதம் பொருளைப் பொறுத்தது மற்றும் அதிகப்படியான கையகப்படுத்தும் வேகம் மற்றும் பீம் மின்னோட்டத்தில் குறைகிறது, இதன் மூலம் அளவீட்டின் கோணத் தீர்மானத்தை பாதிக்கிறது. திரிபு அளவீட்டு முழு புல இடப்பெயர்ச்சி, நெகிழ்வான திரிபு மற்றும் ஜி. என். டி அடர்த்தி ஆகியவை நுண் அளவுகோலில் பொருளின் நெகிழ்வான மற்றும் பிளாஸ்டிக் நடத்தை பற்றிய அளவிடக்கூடிய தகவல்களை வழங்குகின்றன. நுண் அளவுகோலில் திரிபு அளவிடுவதற்கு நீளம்/வடிவத்தில் ஏற்படும் மாற்றத்தைத் தவிர மற்ற முக்கிய விவரங்களை கவனமாக பரிசீலிக்க வேண்டும் (எ. கா., உள்ளூர் அமைப்பு, தனிப்பட்ட தானிய நோக்குநிலைகள்). இந்த நுண்-அளவிலான அம்சங்களை வெவ்வேறு நுட்பங்களைப் பயன்படுத்தி அளவிட முடியும், எ. கா., துளை துளையிடுதல், ஒரே வண்ணமுடைய அல்லது பாலிக்ரோமாடிக் ஆற்றல்-சிதறல் எக்ஸ்-ரே விலகல் அல்லது நியூட்ரான் விலகல் (என். டி.). ஈபிஎஸ்டி அதிக இடஞ்சார்ந்த தெளிவுத்திறனைக் கொண்டுள்ளது மற்றும் மற்ற நுட்பங்களுடன் ஒப்பிடும்போது ஒப்பீட்டளவில் உணர்திறன் மற்றும் பயன்படுத்த எளிதானது. ஈபிஎஸ்டியைப் பயன்படுத்தி திரிபு அளவீடுகள் அதிக இடஞ்சார்ந்த தெளிவுத்திறனில் செய்யப்படலாம், இது ஒரு பொருளுக்குள் திரிபு உள்ள உள்ளூர் மாறுபாட்டை ஆய்வு செய்ய ஆராய்ச்சியாளர்களை அனுமதிக்கிறது. இந்த தகவல் பொருட்களின் சிதைவு மற்றும் இயந்திர நடத்தையை ஆய்வு செய்வதற்கும், வெவ்வேறு ஏற்றுதல் நிலைமைகளின் கீழ் பொருள் நடத்தையின் மாதிரிகளை உருவாக்குவதற்கும், பொருட்களின் செயலாக்கம் மற்றும் செயல்திறனை மேம்படுத்துவதற்கும் பயன்படுத்தப்படலாம். ஒட்டுமொத்தமாக, ஈபிஎஸ்டியைப் பயன்படுத்தி திரிபு அளவீடு என்பது பொருட்களின் சிதைவு மற்றும் இயந்திர நடத்தையைப் படிப்பதற்கான ஒரு சக்திவாய்ந்த கருவியாகும், மேலும் இது பொருள் அறிவியல் மற்றும் பொறியியல் ஆராய்ச்சி மற்றும் மேம்பாட்டில் பரவலாகப் பயன்படுத்தப்படுகிறது. முந்தைய சோதனைகள் எலக்ட்ரான் பேக்ஸ்கேட்டர் வடிவங்களில் (ஈ. பி. எஸ். பி) மாற்றம் மற்றும் சீரழிவு வேறுபடும் அளவு பற்றிய தகவல்களை வழங்குகிறது. முறை சீரழிவு (அதாவது, பரவலான தரம்) முறை/படத் தரம் (ஐக்யூ) மூலம் பிளாஸ்டிசிட்டியின் அளவை மதிப்பிட பயன்படுத்தப்படலாம், அங்கு வழக்கமான ஹாஃப் உருமாற்றத்தைப் பயன்படுத்தும் போது கண்டறியப்பட்ட சிகரங்களின் கூட்டுத்தொகையிலிருந்து ஐக்யூ கணக்கிடப்படுகிறது. வில்கின்சன் முதன்முதலில் உயர்-வரிசை கிகுச்சி வரி நிலைகளில் மாற்றங்களைப் பயன்படுத்தி நெகிழ்வான விகாரங்களைத் தீர்மானித்தார், இருப்பினும் குறைந்த துல்லியத்துடன் (0.3 சதவீதம் முதல் 1 சதவீதம் வரை); இருப்பினும், உலோகங்களில் எஞ்சியிருக்கும் நெகிழ்வான விகாரத்தை வகைப்படுத்த இந்த அணுகுமுறையைப் பயன்படுத்த முடியாது, ஏனெனில் மகசூல் புள்ளியில் நெகிழ்வான திரிபு பொதுவாக 0.2 சதவீதமாக இருக்கும். உயர்-வரிசை கிகுச்சி கோடுகளில் ஏற்படும் மாற்றத்தைக் கண்காணிப்பதன் மூலம் திரிபுகளை அளவிடுவது திரிபு சிறியதாக இருக்கும்போது நடைமுறைக்குரியது, ஏனெனில் பட்டை நிலை லட்டிஸ் அளவுருக்களில் ஏற்படும் மாற்றங்களுக்கு உணர்திறன் கொண்டது. 1990களின் முற்பகுதியில், ட்ரூஸ்ட் மற்றும் பலர். மற்றும் வில்கின்சன் மற்றும் பலர். மீதமுள்ள நெகிழ்வான விகாரங்கள் மற்றும் சிறிய லட்டிஸ் சுழற்சிகளை 0.02% துல்லியத்துடன் அளவிட மண்டல அச்சு நிலையில் முறை சீரழிவு மற்றும் மாற்றம் பயன்படுத்தப்பட்டது. உயர் தெளிவுத்திறன் கொண்ட எலக்ட்ரான் பேக்ஸ்கேட்டர் விவரக்குறிப்பு (HR-EBSD) குறுக்கு-தொடர்பு அடிப்படையிலான, உயர் கோண தெளிவுத்திறன் கொண்ட எலக்ட்ரான் பேக்ஸ்கேட்டர் விவரக்குறிப்பு (HR-EBSD)-வில்கின்சன் மற்றும் பலர் அறிமுகப்படுத்தினர். - என்பது தொடர்புடைய நெகிழ்வான விகாரங்கள் மற்றும் சுழற்சிகளை வரைபடமாக்குவதற்கும், படிகப் பொருட்களில் வடிவியல் ரீதியாக தேவையான இடப்பெயர்ச்சி (ஜி. என். டி) அடர்த்தியை மதிப்பிடுவதற்கும் ஒரு எஸ். இ. எம் அடிப்படையிலான நுட்பமாகும். எச். ஆர்-ஈ. பி. எஸ். டி முறை, வெவ்வேறு எலக்ட்ரான் பேக்ஸ்கேட்டர் விவரக்குறிப்பு வடிவங்களில் (ஈ. பி. எஸ். பி) ஆர்வமுள்ள பகுதிகளுக்கு (ஆர். ஓ. ஐ) இடையிலான முறை மாற்றங்களை துணை பிக்சல் துல்லியத்துடன் அளவிட பட குறுக்கு-தொடர்பைப் பயன்படுத்துகிறது. இதன் விளைவாக, ஒரு படிகத்தில் உள்ள இரண்டு புள்ளிகளுக்கு இடையிலான உறவினர் லட்டீஸ் சிதைவை குறைந்தது நான்கு இணைப்பில்லாத ROI இலிருந்து முறை மாற்றங்களைப் பயன்படுத்தி கணக்கிட முடியும். நடைமுறையில், சிதைவு சாய்வு டென்சருக்கு சிறந்த பொருத்தமான தீர்வைக் கண்டறிய ஒரு EBSP க்கு 20 க்கும் மேற்பட்ட ROI இல் முறை மாற்றங்கள் அளவிடப்படுகின்றன, இது உறவினர் லட்டீஸ் சிதைவைக் குறிக்கிறது. இடப்பெயர்ச்சி சாய்வு டென்சர் () (அல்லது உள்ளூர் லட்டிஸ் விலகல்) சேகரிக்கப்பட்ட புள்ளி () மற்றும் இணை (கோப்ளானர் அல்லாத) திசையன் (), மற்றும் குறிப்பு புள்ளி () முறை மற்றும் இணை திசையன் () ஆகியவற்றுக்கு இடையிலான வடிவத்தில் அளவிடப்பட்ட வடிவியல் மாற்றங்களை தொடர்புபடுத்துகிறது. எனவே, (முறை மாற்றம்) திசையன் () ஐ கீழே உள்ள சமன்பாடுகளில் உள்ளதைப் போல எழுதலாம், அங்கு மற்றும் திசையில் மற்றும் இடப்பெயர்ச்சி முறையே. மாற்றங்கள் பாஸ்பர் (டிடெக்டர்) பிளேன் () இல் அளவிடப்படுகின்றன, மேலும் உறவு எளிமைப்படுத்தப்படுகிறது; இதனால், ஒன்பது இடப்பெயர்ச்சி சாய்வு டென்சர் கூறுகளில் எட்டு ஈபிஎஸ்பியில் நான்கு தனித்துவமான, பரவலாக இடைவெளி பகுதிகளில் மாற்றத்தை அளவிடுவதன் மூலம் கணக்கிட முடியும். இந்த மாற்றம் பின்னர் மாதிரி சட்டகத்திற்கு சரி செய்யப்படுகிறது (Y-அச்சைச் சுற்றி புரட்டப்படுகிறது) ஏனெனில் EBSP பாஸ்பர் திரையில் பதிவு செய்யப்பட்டு கண்ணாடியில் உள்ளதைப் போல தலைகீழாக உள்ளது. அவை பின்னர் எக்ஸ்-அச்சைச் சுற்றி 24 டிகிரி (அதாவது, 20 டிகிரி மாதிரி சாய்வு மற்றும் ≈ 4 டிகிரி கேமரா சாய்வு மற்றும் கற்றை இயக்கத்திலிருந்து கோண விளைவு இல்லை என்று கருதி) சரிசெய்யப்படுகின்றன. எல்லையற்ற திரிபு கோட்பாட்டைப் பயன்படுத்தி, சிதைவு சாய்வு பின்னர் மீள் திரிபு (சமச்சீர் பகுதி, எங்கே), மற்றும் லட்டிஸ் சுழற்சிகள் (சமச்சீரற்ற பகுதி, எங்கே) என பிரிக்கப்படுகிறது. இந்த அளவீடுகள் அளவீட்டு/ஹைட்ரோஸ்டேடிக் திரிபு டென்சர்கள் பற்றிய தகவல்களை வழங்காது. மேற்பரப்பு () க்கு இயல்பான அழுத்தம் பூஜ்ஜியம் (அதாவது இழுவை இல்லாத மேற்பரப்பு) என்று ஒரு எல்லை நிபந்தனையை விதிப்பதன் மூலமும், ஹூக்கின் விதியை அனிசோட்ரோபிக் நெகிழ்வான விறைப்பு மாறிலிகளுடன் பயன்படுத்துவதன் மூலமும், இந்த கட்டுப்படுத்தப்பட்ட குறைப்பு சிக்கலில் காணாமல் போன ஒன்பதாவது டிகிரி சுதந்திரத்தை ஒரு நேரியல் அல்லாத தீர்வியைப் பயன்படுத்துவதன் மூலம் மதிப்பிட முடியும். படிக அனிசோட்ரோபிக் விறைப்பு டென்சர் எங்கே? காணாமல் போன ஒன்பதாவது (கோள) திரிபு டென்சர் உட்பட, சுத்திகரிக்கப்பட்ட நெகிழ்வான விலகல் திரிபு () ஐ மீண்டும் கணக்கிட இந்த இரண்டு சமன்பாடுகளும் தீர்க்கப்படுகின்றன. முழுமையைக் கருத்தில் கொள்ளும் ஒரு மாற்று அணுகுமுறையைக் காணலாம். இறுதியாக, ஸ்ட்ரெஸ் மற்றும் ஸ்ட்ரெய்ன் டென்சர்கள் கிரிஸ்டல் அனிசோட்ரோபிக் ஸ்டிஃப்னஸ் டென்சர் () ஐப் பயன்படுத்தி இணைக்கப்படுகின்றன, மேலும் ஸ்ட்ரெஸ் டென்சர்களின் () சமச்சீர்மையுடன் ஐன்ஸ்டீன் கூட்டுத்தொகை மரபைப் பயன்படுத்துவதன் மூலம் இணைக்கப்படுகின்றன. உற்பத்தி செய்யப்பட்ட தரவுகளின் தரத்தை அனைத்து ROI இன் தொடர்பு தீவிரம்/உச்சங்களின் வடிவியல் சராசரியை எடுத்துக்கொள்வதன் மூலம் மதிப்பிட முடியும். 0. 25 க்கும் குறைவான மதிப்பு EBSP களின் தரத்தில் உள்ள சிக்கல்களைக் குறிக்க வேண்டும். மேலும், வடிவியல் ரீதியாக தேவையான இடப்பெயர்ச்சி (ஜி. என். டி) அடர்த்தியை எச். ஆர்-ஈ. பி. எஸ். டி அளவிடப்பட்ட லட்டிஸ் சுழற்சிகளிலிருந்து, சுழற்சி அச்சு மற்றும் அண்டை வரைபட புள்ளிகளுக்கு இடையிலான கோணத்தை நீயின் டென்சரைப் பயன்படுத்தி ஒரு பொருளின் இடப்பெயர்ச்சி வகைகள் மற்றும் அடர்த்திகளுடன் தொடர்புபடுத்துவதன் மூலம் மதிப்பிடலாம். துல்லியம் மற்றும் மேம்பாடு HR-EBSD முறையானது இடப்பெயர்ச்சி சாய்வு டென்சர்களின் கூறுகளில் ± 10−4 துல்லியத்தை அடைய முடியும் (அதாவது, ரேடியன்களில் திரிபு மற்றும் சுழற்சி) ± 0.05 பிக்சல்களின் முறை படத் தெளிவுத்திறனில் மாற்றங்களை அளவிடுவதன் மூலம். பிரிட்டனும் வில்கின்சனும் சுழற்சி வரம்பை ~ 11 டிகிரியாக உயர்த்தும் வரை இது சிறிய விகாரங்கள் மற்றும் சுழற்சிகளுக்கு (> 1.5 டிகிரி) மட்டுப்படுத்தப்பட்டது, இது ஒரு மறு வரைபட நுட்பத்தைப் பயன்படுத்துவதன் மூலம் முதல் குறுக்கு-தொடர்பு மறு செய்கையிலிருந்து கணக்கிடப்பட்ட சுழற்சி மேட்ரிக்ஸ் () மூலம் வடிவங்களை மாற்றிய பின்னர் திரிபுகளை மறுபரிசீலனை செய்தது. இருப்பினும், மேலும் ஜல்லி சுழற்சி, பொதுவாக கடுமையான பிளாஸ்டிக் சிதைவுகளால் ஏற்படுகிறது, நெகிழ்வான திரிபு கணக்கீடுகளில் பிழைகளை உருவாக்கியது. இந்தப் பிரச்சினையைத் தீர்க்க, ரக்லஸ் மற்றும் பலர். குறுக்கு-தொடர்புக்கு பதிலாக தலைகீழ் கலவையான காஸ்-நியூட்டன் அடிப்படையிலான (ஐசிஜிஎன்) முறையைப் பயன்படுத்தி, 12 டிகிரி லட்டிஸ் சுழற்சியில் கூட, எச்ஆர்-இபிஎஸ்டி துல்லியத்தை மேம்படுத்தியது. EBSPகளை சிறிய ROIகளாகப் பிரிப்பதற்குப் பதிலாக ஒரு முழு-புல ஒருங்கிணைந்த டிஜிட்டல் படத் தொடர்பு (IDIC) கட்டமைப்பைப் பயன்படுத்தி இடப்பெயர்ச்சி சாய்வு கூறுகளில் ±10−5 துல்லியத்தை அடையும் ஒரு முறையையும் வெர்மெய்ஜ் மற்றும் ஹோஃப்நாகல்ஸ் நிறுவினர். ஐ. டி. ஐ. சி. யில் உள்ள வடிவங்கள் சிதைவு-சரிசெய்யப்பட்டு ~ 14 டிகிரி வரை மறுவடிவமைப்பின் தேவையை நிராகரிக்கின்றன. இந்த அளவீடுகள் ஹைட்ரோஸ்டேடிக் அல்லது அளவீட்டு விகாரங்களைப் பற்றிய தகவல்களை வழங்கவில்லை, ஏனெனில் லட்டிஸ் விமானங்களின் (படிகவியல் திசைகள்) நோக்குநிலையில் எந்த மாற்றமும் இல்லை, ஆனால் கிகுச்சி பட்டைகளின் நிலை மற்றும் அகலத்தில் மட்டுமே மாற்றங்கள் உள்ளன. குறிப்பு முறை சிக்கல் ஆயினும்கூட, HR-EBSD பகுப்பாய்வில், லட்டிஸ் விலகல் புலம் இன்னும் வரைபடத்தில் ஒரு தானியத்திற்கு ஒரு குறிப்பு முறை அல்லது புள்ளி (EBSP0) உடன் ஒப்பிடுகையில் கணக்கிடப்படுகிறது, மேலும் இது புள்ளியில் உள்ள லட்டிஸ் விலகலைப் பொறுத்தது. ஒவ்வொரு தானியத்திலும் உள்ள லட்டிஸ் விலகல் புலம் இந்த புள்ளியைப் பொறுத்து அளவிடப்படுகிறது; எனவே, குறிப்பு புள்ளியில் (கட்டுப்பாடற்ற படிகத்துடன் ஒப்பிடுகையில்) முழுமையான லட்டிஸ் விலகல் HR-EBSD நெகிழ்வான திரிபு மற்றும் சுழற்சி வரைபடங்களிலிருந்து விலக்கப்பட்டுள்ளது. இந்த 'குறிப்பு முறை சிக்கல்' எக்ஸ்ரே விலகலில் உள்ள 'd0 சிக்கலைப்' ஒத்திருக்கிறது, மேலும் HR-EBSD அழுத்த புலங்களின் பெயரளவு அளவை பாதிக்கிறது. இருப்பினும், குறிப்பு வடிவத்தைத் தேர்ந்தெடுப்பது (EBSP0) ஒரு முக்கிய பங்கைக் கொண்டுள்ளது, ஏனெனில் கடுமையாக சிதைந்த EBSP0 வரைபட மதிப்புகளுக்கு பேண்டம் லேட்டிஸ் சிதைவுகளைச் சேர்க்கிறது, இதனால் அளவீட்டு துல்லியம் குறைகிறது. EBSP0 இல் உள்ள உள்ளூர் லட்டிஸ் சிதைவு விளைவாக HR-EBSD வரைபடத்தை பாதிக்கிறது, எ. கா., பதற்றத்தில் சிதைந்த ஒரு குறிப்பு முறை நேரடியாக HR-EBSD வரைபட இழுவிசை திரிபு அளவைக் குறைக்கும், அதே நேரத்தில் மறைமுகமாக மற்ற கூறு அளவு மற்றும் திரிபு இடஞ்சார்ந்த விநியோகத்தை பாதிக்கும். மேலும், EBSP0 இன் தேர்வு GND அடர்த்தி விநியோகம் மற்றும் அளவை சற்று பாதிக்கிறது, மேலும் அதிக GND அடர்த்தியுடன் ஒரு குறிப்பு வடிவத்தைத் தேர்ந்தெடுப்பது குறுக்கு-தொடர்பு தரத்தைக் குறைக்கிறது, இடஞ்சார்ந்த விநியோகத்தை மாற்றுகிறது மற்றும் அதிக லட்டிஸ் விலகலுடன் ஒரு குறிப்பு வடிவத்தைத் தேர்ந்தெடுப்பதை விட அதிக பிழைகளைத் தூண்டுகிறது. கூடுதலாக, EBSP0 இன் IQ க்கும் EBSP0 இன் உள்ளூர் லட்டிஸ் சிதைவுக்கும் இடையே வெளிப்படையான தொடர்பு இல்லை. முழுமையான திரிபு அளவீட்டிற்கான உருவகப்படுத்தப்பட்ட குறிப்பு வடிவங்களைப் பயன்படுத்துவது இன்னும் ஆராய்ச்சி மற்றும் ஆய்வின் ஒரு செயலில் உள்ள பகுதியாகும், ஏனெனில் ஆழத்துடன் நெகிழ்வான எலக்ட்ரான் சிதறலின் மாறுபாட்டால் சிரமங்கள் எழுகின்றன, இது இயக்கவியல் விலகல் உருவகப்படுத்துதல் மாதிரிகளின் துல்லியத்தை கட்டுப்படுத்துகிறது, மேலும் வடிவ மையத்தின் துல்லியமற்ற தீர்மானிப்பு இது சோதனை ரீதியாக பெறப்பட்ட குறிப்பு வடிவங்களைப் பயன்படுத்தும் போது ரத்துசெய்யப்படும் பேண்டம் திரிபு கூறுகளுக்கு வழிவகுக்கிறது. EBSP0 இல் உள்ள முழுமையான திரிபு படிக பிளாஸ்டிசிட்டி வரையறுக்கப்பட்ட-உறுப்பு (CPFE) உருவகப்படுத்துதல்களைப் பயன்படுத்தி தீர்மானிக்கப்படலாம் என்று பிற முறைகள் கருதுகின்றன, பின்னர் அவை HR-EBSD தரவுகளுடன் இணைக்கப்படலாம் (எ. கா., நேரியல் 'டாப்-அப்' முறை அல்லது இடப்பெயர்ச்சி ஒருங்கிணைப்பைப் பயன்படுத்தி) முழுமையான லட்டிஸ் சிதைவுகளைக் கணக்கிட. கூடுதலாக, ஜி. என். டி அடர்த்தி மதிப்பீடு பெயரளவில் ஈ. பி. எஸ். பி. 0 தேர்வுக்கு உணர்ச்சியற்றது (அல்லது மிகக் குறைவாகவே சார்ந்துள்ளது), ஏனெனில் ஜி. என். டி அடர்த்தி கணக்கீட்டிற்கு லட்டிஸ் சுழற்சி வரைபடங்களில் அண்டை புள்ளி-க்கு-புள்ளி வேறுபாடுகள் மட்டுமே பயன்படுத்தப்படுகின்றன. இருப்பினும், EBSP0 இன் முழுமையான லட்டிஸ் விலகல் உறவினர் லட்டிஸ் சுழற்சி வரைபட கூறுகளை ஒரு நிலையான மதிப்பால் மட்டுமே மாற்றுகிறது என்று இது கருதுகிறது, இது வழித்தோன்றல் செயல்பாடுகளின் போது மறைந்துவிடும், அதாவது, லட்டிஸ் விலகல் விநியோகம் EBSP0 தேர்வுக்கு உணர்திறன் இல்லாதது. EBSP0 தேர்வுக்கான குறிப்பு முறை அளவுகோல்களைத் தேர்ந்தெடுப்பது ஒன்று அல்லது கலவையாக இருக்கலாம்ஃ குறைந்த ஜிஎன்டி அடர்த்தி அல்லது குறைந்த கர்னல் சராசரி தவறான நோக்குநிலை (கேஏஎம்) கொண்ட புள்ளிகளிலிருந்து ஹாஃப் அளவிடப்பட்ட உள்ளூர் தானிய தவறான நோக்குநிலைகளின் அடிப்படையில் தேர்ந்தெடுப்பது; உயர் படத் தரம் (ஐக்யூ) கொண்ட புள்ளிகளிலிருந்து தேர்ந்தெடுப்பது, அதன் எலக்ட்ரான் தொடர்பு தொகுதிக்குள் குறைந்த குறைபாடு அடர்த்தியைக் கொண்டிருக்கலாம், எனவே இது ஒரு பாலிக்ரிஸ்டலின் பொருளின் குறைந்த அழுத்தப் பகுதியாகும். இருப்பினும், IQ ஒரு தெளிவான இயற்பியல் பொருளைக் கொண்டிருக்கவில்லை, மேலும் அளவிடப்பட்ட உறவினர் லட்டீஸ் சிதைவின் அளவுகள் EBSP0 இன் IQ க்கு உணர்ச்சியற்றவை; அகநிலை அளவுகோல்களைப் பயன்படுத்தி தானிய எல்லைகள், சேர்ப்புகள் அல்லது விரிசல்கள் போன்ற சாத்தியமான அழுத்த செறிவுகளிலிருந்து வெகு தொலைவில் இருக்க EBSP0 ஐ கைமுறையாகத் தேர்ந்தெடுக்கலாம்; குறுக்கு-தொடர்பு அளவுருவிற்கும் கோணப் பிழைக்கும் இடையிலான அனுபவ உறவை ஆராய்ந்த பிறகு ஒரு EBSP0 ஐத் தேர்ந்தெடுப்பது, HR-EBSD இன் துல்லியத்தை அதிகரிக்கும் உகந்த குறிப்பு வடிவத்தை அடையாளம் காண ஒரு மறு செய்கை வழிமுறையில் பயன்படுத்தப்படுகிறது. இந்த அளவுகோல்கள் குறிப்பு புள்ளியில் திரிபு நிலைமைகளைக் குறிக்க முடியும் என்று கருதுகின்றன, இது 3 × 10−4 நெகிழ்வான திரிபு வரை துல்லியமான அளவீடுகளை உருவாக்க முடியும். இருப்பினும், சோதனை அளவீடுகள் விமானத்திற்கு வெளியே உள்ள வெட்டு திரிபு கூறுகளின் விநியோகம் மற்றும் அளவை தீர்மானிப்பதில் HR-EBSD இன் துல்லியமற்ற தன்மையை சுட்டிக்காட்டுகின்றன. பயன்பாடுகள் பொருள் அறிவியல் மற்றும் பொறியியல், புவியியல் மற்றும் உயிரியல் ஆராய்ச்சி உள்ளிட்ட பரந்த அளவிலான பயன்பாடுகளில் ஈபிஎஸ்டி பயன்படுத்தப்படுகிறது. பொருள் அறிவியல் மற்றும் பொறியியலில், உலோகங்கள், மட்பாண்டங்கள் மற்றும் பாலிமர்களின் நுண் கட்டமைப்பை ஆய்வு செய்வதற்கும், பொருள் நடத்தை மாதிரிகளை உருவாக்குவதற்கும் ஈபிஎஸ்டி பயன்படுத்தப்படுகிறது. புவியியலில், கனிமங்கள் மற்றும் பாறைகளின் படிகவியல் கட்டமைப்பை ஆய்வு செய்ய ஈபிஎஸ்டி பயன்படுத்தப்படுகிறது. உயிரியல் ஆராய்ச்சியில், உயிரியல் திசுக்களின் நுண் கட்டமைப்பை ஆய்வு செய்வதற்கும் எலும்பு மற்றும் பற்கள் போன்ற உயிரியல் பொருட்களின் கட்டமைப்பை ஆராய்வதற்கும் ஈபிஎஸ்டி பயன்படுத்தப்படுகிறது. சிதறிய எலக்ட்ரான் இமேஜிங் ஈபிஎஸ்டிடி டிடெக்டர்கள் கீழே, நடுவில் (எம்எஸ்டி) மற்றும் டிடெக்டரின் மேற்புறத்தில் முன்னோக்கி சிதறிய எலக்ட்ரான் டையோட்களை (எஃப்எஸ்டி) கொண்டிருக்கலாம். முன்னோக்கி சிதறிய எலக்ட்ரான் (எஃப்எஸ்இ) இமேஜிங் என்பது ஒரு மாதிரியின் மேற்பரப்பில் இருந்து சிறிய கோணங்களில் சிதறிய எலக்ட்ரான்களை சேகரிப்பதை உள்ளடக்கியது, இது மேற்பரப்பு நிலப்பரப்பு மற்றும் கலவை பற்றிய தகவல்களை வழங்குகிறது. எஃப்எஸ்இ சமிக்ஞை மாதிரியின் படிகவியல் நோக்குநிலைக்கும் உணர்திறன் கொண்டது. எஃப்எஸ்இ சமிக்ஞையின் தீவிரம் மற்றும் மாறுபாட்டை பகுப்பாய்வு செய்வதன் மூலம், படத்தில் உள்ள ஒவ்வொரு பிக்சலிலும் படிகவியல் நோக்குநிலையை ஆராய்ச்சியாளர்கள் தீர்மானிக்க முடியும். எஃப்எஸ்இ சமிக்ஞை பொதுவாக இபிஎஸ்டி பகுப்பாய்வில் பிஎஸ்இ சமிக்ஞையுடன் ஒரே நேரத்தில் சேகரிக்கப்படுகிறது. பிஎஸ்இ சமிக்ஞை மாதிரியின் சராசரி அணு எண்ணுக்கு உணர்திறன் கொண்டது, மேலும் மேற்பரப்பு நிலப்பரப்பு மற்றும் கலவையின் படத்தை உருவாக்க பயன்படுகிறது. படிகவியல் நோக்குநிலை பற்றிய தகவல்களை வழங்க பிஎஸ்இ படத்தில் எஃப்எஸ்இ சமிக்ஞை மிகைப்படுத்தப்பட்டுள்ளது. ஈபிஎஸ்டி டிடெக்டரை ஒரு இமேஜிங் சாதனமாகப் பயன்படுத்தும் போது படத் தலைமுறைக்கு நிறைய சுதந்திரம் உள்ளது. டையோட்களின் கலவையைப் பயன்படுத்தி உருவாக்கப்பட்ட ஒரு படம் மெய்நிகர் அல்லது விஎஃப்எஸ்டி என்று அழைக்கப்படுகிறது. ஈபிஎஸ்டி சிசிடி கேமராவை அதிகமாக பின்னல் செய்வதன் மூலம் எஸ்இஎம்மில் மெதுவான ஸ்கேன் இமேஜிங் போன்ற விகிதத்தில் படங்களைப் பெற முடியும். ஒரே நேரத்தில் கைப்பற்றப்பட்ட படங்களிலிருந்து கலப்பு படங்களை உருவாக்குவதன் மூலம் ஆர்வத்தின் மாறுபாட்டை அடக்கவோ அல்லது தனிமைப்படுத்தவோ முடியும், இது பல்வேறு மைக்ரோஸ்ட்ரக்சர் பண்புகளை மதிப்பிடுவதற்கு பரந்த அளவிலான சேர்க்கைகளை வழங்குகிறது. இருப்பினும், வி. எஃப். எஸ். டி படங்கள் பாரம்பரிய ஈ. பி. எஸ். டி வரைபடங்களில் உள்ளார்ந்த அளவு தகவல்களைக் கொண்டிருக்கவில்லை; அவை வெறுமனே நுண் கட்டமைப்பின் பிரதிநிதித்துவங்களை வழங்குகின்றன. ஒருங்கிணைந்த ஈபிஎஸ்டி/ஈடிஎஸ் வரைபடம் ஒரே நேரத்தில் ஈடிஎஸ்/ஈபிஎஸ்டி சேகரிப்பை அடைய முடியும் போது, இரண்டு நுட்பங்களின் திறன்களையும் மேம்படுத்த முடியும். ஒத்த கலவை காரணமாக மாதிரி வேதியியல் அல்லது கட்டத்தை ஈ. டி. எஸ் மூலம் மட்டும் வேறுபடுத்த முடியாது, மேலும் தெளிவற்ற கட்டமைப்பு தீர்வுகள் காரணமாக கட்டமைப்பை ஈ. பி. எஸ். டி மூலம் மட்டுமே தீர்க்க முடியாது. ஒருங்கிணைந்த வரைபடத்தை நிறைவேற்ற, பகுப்பாய்வு பகுதி ஸ்கேன் செய்யப்படுகிறது, மேலும் ஒவ்வொரு கட்டத்திலும், ஹாஃப் சிகரங்கள் மற்றும் ஈடிஎஸ் பிராந்தியத்தின் வட்டி எண்ணிக்கைகள் சேமிக்கப்படுகின்றன. கட்டங்களின் நிலைகள் எக்ஸ்ரே வரைபடங்களில் தீர்மானிக்கப்படுகின்றன, மேலும் ஒவ்வொரு தனிமத்தின் அளவிடப்பட்ட ஈடிஎஸ் தீவிரங்களும் விளக்கப்படங்களில் கொடுக்கப்பட்டுள்ளன. தானியங்களைத் தேர்ந்தெடுக்க ஒவ்வொரு கட்டத்திற்கும் வேதியியல் தீவிர வரம்புகள் அமைக்கப்பட்டுள்ளன. அனைத்து வடிவங்களும் பின்னர் ஆஃப்லைனில் மீண்டும் குறியிடப்படுகின்றன. பதிவு செய்யப்பட்ட வேதியியல் ஒவ்வொரு புள்ளியையும் குறியிட எந்த கட்டம்/படிக-கட்டமைப்பு கோப்பு பயன்படுத்தப்படுகிறது என்பதை தீர்மானிக்கிறது. ஒவ்வொரு வடிவமும் ஒரு கட்டத்தால் மட்டுமே குறியிடப்படுகிறது, மேலும் தனித்துவமான கட்டங்களைக் காட்டும் வரைபடங்கள் உருவாக்கப்படுகின்றன. ஈ. டி. எஸ் மற்றும் ஈ. பி. எஸ். டி. க்கான தொடர்பு அளவுகள் கணிசமாக வேறுபட்டவை (பல்லாயிரக்கணக்கான நானோமீட்டர்களுடன் ஒப்பிடும்போது மைக்ரோமீட்டர்களின் வரிசையில்), மேலும் அதிக சாய்ந்த மாதிரியைப் பயன்படுத்தி இந்த தொகுதிகளின் வடிவம் கட்ட பாகுபாட்டிற்கான வழிமுறைகளில் தாக்கங்களை ஏற்படுத்தக்கூடும். ஈபிஎஸ்டி, கேத்தோடோலுமினென்சென்ஸ் (சிஎல்), அலைநீளம் சிதறல் எக்ஸ்-ரே ஸ்பெக்ட்ரோஸ்கோபி (டபிள்யூடிஎஸ்) மற்றும்/அல்லது ஈடிஎஸ் போன்ற பிற இன்-எஸ்இஎம் நுட்பங்களுடன் இணைந்து பயன்படுத்தப்படும்போது, மாதிரியின் பண்புகள் குறித்து ஆழமான நுண்ணறிவை வழங்கலாம் மற்றும் கட்ட அடையாளத்தை மேம்படுத்தலாம். எடுத்துக்காட்டாக, கனிமங்கள் கால்சைட் (சுண்ணாம்புக்கல்) மற்றும் அரகோனைட் (ஷெல்) ஒரே இரசாயன கலவையைக் கொண்டுள்ளன-கால்சியம் கார்பனேட் (சிஏசிஓ 3) எனவே ஈடிஎஸ்/டபிள்யூடிஎஸ் அவற்றைப் பிரிக்க முடியாது, ஆனால் அவை வெவ்வேறு மைக்ரோகிரிஸ்டலின் கட்டமைப்புகளைக் கொண்டுள்ளன, எனவே ஈபிஎஸ்டி அவற்றுக்கிடையே வேறுபடுத்திக் காட்ட முடியும். ஒருங்கிணைந்த ஈபிஎஸ்டி/டிஐசி மேப்பிங் ஈபிஎஸ்டி மற்றும் டிஜிட்டல் பட தொடர்பு (டிஐசி) ஆகியவை பொருட்களின் நுண் கட்டமைப்பு மற்றும் சிதைவு நடத்தையை பகுப்பாய்வு செய்ய ஒன்றாக பயன்படுத்தப்படலாம். டிஐசி என்பது பொருட்களில் உள்ள சிதைவு மற்றும் திரிபு புலங்களை அளவிட டிஜிட்டல் பட செயலாக்க நுட்பங்களைப் பயன்படுத்தும் ஒரு முறையாகும். ஈபிஎஸ்டி மற்றும் டிஐசி ஆகியவற்றை இணைப்பதன் மூலம், ஆராய்ச்சியாளர்கள் ஒரே நேரத்தில் ஒரு பொருளைப் பற்றிய படிகவியல் மற்றும் இயந்திரத் தகவல்களைப் பெற முடியும். இது நுண் கட்டமைப்புக்கும் இயந்திர நடத்தைக்கும் இடையிலான உறவைப் பற்றிய விரிவான புரிதலை அனுமதிக்கிறது, இது பொருள் அறிவியல் மற்றும் பொறியியல் போன்ற துறைகளில் குறிப்பாக பயனுள்ளதாக இருக்கும். டிஐசி ஒரு பொருளில் திரிபு உள்ளூர்மயமாக்கலின் பகுதிகளை அடையாளம் காண முடியும், அதே நேரத்தில் ஈபிஎஸ்டி இந்த பிராந்தியங்களில் மைக்ரோஸ்ட்ரக்சர் பற்றிய தகவல்களை வழங்க முடியும். இந்த நுட்பங்களை இணைப்பதன் மூலம், கவனிக்கப்பட்ட திரிபு உள்ளூர்மயமாக்கலுக்கு காரணமான வழிமுறைகளைப் பற்றிய நுண்ணறிவுகளை ஆராய்ச்சியாளர்கள் பெற முடியும். எடுத்துக்காட்டாக, சிதைவுக்கு முன்னும் பின்னும் தானிய நோக்குநிலைகள் மற்றும் எல்லை தவறான நோக்குநிலைகளைத் தீர்மானிக்க ஈபிஎஸ்டி பயன்படுத்தப்படலாம். இதற்கு மாறாக, சிதைவின் போது பொருளில் உள்ள திரிபு புலங்களை அளவிட டிஐசி பயன்படுத்தப்படலாம். அல்லது சிதைவின் போது வெவ்வேறு சீட்டு அமைப்புகளின் செயல்பாட்டை அடையாளம் காண EBSD ஐப் பயன்படுத்தலாம், அதே நேரத்தில் தொடர்புடைய திரிபு புலங்களை அளவிட DIC ஐப் பயன்படுத்தலாம். இந்தத் தரவுகளை தொடர்புபடுத்துவதன் மூலம், பொருளின் இயந்திர நடத்தையில் வெவ்வேறு சிதைவு வழிமுறைகளின் பங்கை ஆராய்ச்சியாளர்கள் நன்கு புரிந்து கொள்ள முடியும். ஒட்டுமொத்தமாக, ஈ. பி. எஸ். டி மற்றும் டி. ஐ. சி ஆகியவற்றின் கலவையானது பொருட்களின் நுண் கட்டமைப்பு மற்றும் சிதைவு நடத்தையை ஆராய்வதற்கான ஒரு சக்திவாய்ந்த கருவியை வழங்குகிறது. இந்த அணுகுமுறை பரந்த அளவிலான பொருட்கள் மற்றும் சிதைவு நிலைமைகளுக்கு பயன்படுத்தப்படலாம் மற்றும் இயந்திர நடத்தையின் அடிப்படையிலான அடிப்படை வழிமுறைகளைப் பற்றிய நுண்ணறிவுகளை வழங்கும் திறனைக் கொண்டுள்ளது. 3டி ஈபிஎஸ்டி 3டி ஈபிஎஸ்டி ஒரு பொருளின் படிகவியல் கட்டமைப்பின் முப்பரிமாண வரைபடத்தை உருவாக்குவதற்கு தொடர் பிரிவு முறைகளுடன் ஈபிஎஸ்டியை ஒருங்கிணைக்கிறது. இந்த நுட்பம் ஒரு மாதிரியை மெல்லிய துண்டுகளாக வரிசைப்படுத்துவதை உள்ளடக்கியது, பின்னர் ஒவ்வொரு துண்டின் படிகவியல் நோக்குநிலையை வரைபடமாக்க EBSD ஐப் பயன்படுத்துகிறது. இதன் விளைவாக வரும் நோக்குநிலை வரைபடங்கள் பின்னர் இணைக்கப்பட்டு பொருளின் படிகவியல் கட்டமைப்பின் 3D வரைபடத்தை உருவாக்குகின்றன. இயந்திர மெருகூட்டல், மையப்படுத்தப்பட்ட அயனி கற்றை (எஃப். ஐ. பி) அரைத்தல் அல்லது அல்ட்ரா மைக்ரோடமி உள்ளிட்ட பல்வேறு முறைகளைப் பயன்படுத்தி தொடர் பிரிவுகளைச் செய்யலாம். பிரிப்பு முறையின் தேர்வு மாதிரியின் அளவு மற்றும் வடிவம், அதன் வேதியியல் கலவை, வினைத்திறன் மற்றும் இயந்திர பண்புகள், அத்துடன் 3D வரைபடத்தின் விரும்பிய தீர்மானம் மற்றும் துல்லியம் ஆகியவற்றைப் பொறுத்தது. பாரம்பரிய 2டி ஈபிஎஸ்டியை விட 3டி ஈபிஎஸ்டிக்கு பல நன்மைகள் உள்ளன. முதலாவதாக, இது ஒரு பொருளின் படிகவியல் கட்டமைப்பின் முழுமையான படத்தை வழங்குகிறது, இது நுண் கட்டமைப்பின் மிகவும் துல்லியமான மற்றும் விரிவான பகுப்பாய்வை அனுமதிக்கிறது. இரண்டாவதாக, கலப்பு பொருட்கள் அல்லது பல கட்ட உலோகக்கலவைகளில் காணப்படும் சிக்கலான நுண் கட்டமைப்புகளை ஆய்வு செய்ய இது பயன்படுத்தப்படலாம். மூன்றாவதாக, சிதைவு அல்லது வெப்ப சிகிச்சையின் போது போன்ற காலப்போக்கில் நுண் கட்டமைப்பின் பரிணாம வளர்ச்சியைப் படிக்க இது பயன்படுத்தப்படலாம். இருப்பினும், 3டி ஈபிஎஸ்டிக்கும் சில வரம்புகள் உள்ளன. இதற்கு விரிவான தரவு கையகப்படுத்தல் மற்றும் செயலாக்கம் தேவைப்படுகிறது, துண்டுகளுக்கு இடையில் சரியான சீரமைப்பு தேவைப்படுகிறது, மேலும் இது நேரத்தை எடுக்கும் மற்றும் கணக்கீட்டு ரீதியாக தீவிரமானதாக இருக்கலாம். கூடுதலாக, 3டி வரைபடத்தின் தரம் தனிப்பட்ட ஈபிஎஸ்டி வரைபடங்களின் தரத்தைப் பொறுத்தது, இது மாதிரி தயாரிப்பு, தரவு கையகப்படுத்தல் அளவுருக்கள் மற்றும் பகுப்பாய்வு முறைகள் போன்ற காரணிகளால் பாதிக்கப்படலாம். ஒட்டுமொத்தமாக, 3டி ஈபிஎஸ்டி என்பது மூன்று பரிமாணங்களில் உள்ள பொருட்களின் படிகவியல் கட்டமைப்பைப் படிப்பதற்கான ஒரு சக்திவாய்ந்த நுட்பமாகும், மேலும் இது பொருள் அறிவியல் மற்றும் பொறியியல் ஆராய்ச்சி மற்றும் மேம்பாட்டில் பரவலாகப் பயன்படுத்தப்படுகிறது. குறிப்புகள் மேலும் வாசிப்பு வெளிப்புற இணைப்புகள் குறியீடுகள் வீடியோக்கள் விலகல் அறிவியல் நுட்பங்கள் ஸ்பெக்ட்ரோஸ்கோபி