Spin-transfer torque
சுழல்-பரிமாற்ற முறுக்கு (எஸ். டி. டி) என்பது ஒரு காந்த சுரங்கப்பாதை சந்திப்பு அல்லது சுழல் வால்வில் ஒரு காந்த அடுக்கின் நோக்குநிலையை சுழல்-துருவப்படுத்தப்பட்ட மின்னோட்டத்தைப் பயன்படுத்தி மாற்றியமைக்கக்கூடிய ஒரு விளைவு ஆகும். சார்ஜ் கேரியர்கள் (எலக்ட்ரான்கள் போன்றவை) சுழற்சி என்று அழைக்கப்படும் ஒரு பண்பைக் கொண்டுள்ளன, இது கேரியருக்கு உள்ளார்ந்த சிறிய அளவிலான கோண உந்தமாகும். ஒரு மின்சார மின்னோட்டம் பொதுவாக துருவப்படுத்தப்படாதது (50 சதவீதம் சுழற்சி மற்றும் 50 சதவீதம் சுழற்சி-கீழ் எலக்ட்ரான்களைக் கொண்டுள்ளது); ஒரு சுழற்சி துருவப்படுத்தப்பட்ட மின்னோட்டம் என்பது இரண்டு சுழற்சிகளிலும் அதிக எலக்ட்ரான்களைக் கொண்ட ஒன்றாகும். ஒரு தடிமனான காந்த அடுக்கு வழியாக (பொதுவாக "நிலையான அடுக்கு" என்று அழைக்கப்படுகிறது) ஒரு மின்னோட்டத்தை அனுப்புவதன் மூலம், ஒருவர் சுழல்-துருவப்படுத்தப்பட்ட மின்னோட்டத்தை உருவாக்க முடியும். இந்த சுழல்-துருவமுனைக்கப்பட்ட மின்னோட்டம் இரண்டாவது, மெல்லிய காந்த அடுக்குக்குள் ("இலவச அடுக்கு") இயக்கப்பட்டால், கோண உந்தத்தை இந்த அடுக்குக்கு மாற்றலாம், அதன் நோக்குநிலையை மாற்றலாம். இது அலைவுகளைத் தூண்டுவதற்கோ அல்லது காந்தத்தின் நோக்குநிலையை புரட்டுவதற்கோ பயன்படுத்தப்படலாம். இதன் விளைவுகள் பொதுவாக நானோமீட்டர் அளவிலான சாதனங்களில் மட்டுமே காணப்படுகின்றன. காந்த சீரற்ற அணுகல் நினைவகத்தில் செயலில் உள்ள கூறுகளை புரட்டுவதற்கு சுழல்-பரிமாற்ற முறுக்கு நினைவகம் சுழல்-பரிமாற்ற முறுக்கு பயன்படுத்தப்படலாம். சுழல்-பரிமாற்ற முறுக்கு காந்த சீரற்ற அணுகல் நினைவகம் (STT-RAM அல்லது STT-MRAM) என்பது பூஜ்ஜிய கசிவு மின் நுகர்வு கொண்ட ஒரு நிலையற்ற நினைவகமாகும், இது SRAM மற்றும் DRAM போன்ற சார்ஜ் அடிப்படையிலான நினைவகங்களை விட முக்கிய நன்மையாகும். செயலில் உள்ள கூறுகளை புரட்ட காந்தப்புலங்களைப் பயன்படுத்தும் வழக்கமான காந்தவியல் சீரற்ற அணுகல் நினைவகத்தை (எம்ஆர்ஏஎம்) விட குறைந்த மின் நுகர்வு மற்றும் சிறந்த அளவிடுதல் ஆகியவற்றின் நன்மைகளையும் எஸ்டிடி-ராம் கொண்டுள்ளது. சுழல்-பரிமாற்ற முறுக்கு தொழில்நுட்பம் குறைந்த மின்னோட்டத் தேவைகள் மற்றும் குறைந்த செலவை இணைத்து எம்ஆர்ஏஎம் சாதனங்களை சாத்தியமாக்கும் ஆற்றலைக் கொண்டுள்ளது; இருப்பினும், காந்தமயமாக்கலை மறுசீரமைக்க தேவையான மின்னோட்டத்தின் அளவு தற்போது பெரும்பாலான வணிக பயன்பாடுகளுக்கு மிக அதிகமாக உள்ளது, மேலும் இந்த மின்னோட்ட அடர்த்தியைக் குறைப்பது மட்டுமே சுழல் மின்னணுவியலில் தற்போதைய கல்வி ஆராய்ச்சிக்கு அடிப்படையாகும். தொழில்துறை வளர்ச்சி சோனி ஆராய்ச்சி மையம் S.P.I.N.O.R க்கான முதல் ஜப்பான் காப்புரிமை விண்ணப்பத்தை வெளியிட்டது. (ஸ்பின் துருவமுனைக்கப்பட்ட ஊசி நிலையற்ற ஆர்த்தோகனல் ரீட்/ரைட் ரேம்), 1997 இல் எஸ். டி. டி ரேமின் முன்னோடியாகும். அதைத் தொடர்ந்து, ஐ. இ. டி. எம் 2005 இல், சோனி ஆராய்ச்சியாளர்கள் முதல் 4kb எஸ். டி. டி நினைவகத்தை ஸ்பின்-ராம் என்று பெயரிட்டனர், இது ஸ்பின்ஆர் நினைவகத்தின் பாரா காந்த இடைவெளி அடுக்கை எம்ஜிஓ மின்கடத்தா கொண்டு மாற்றியது. ஹைனிக்ஸ் செமிகண்டக்டர் மற்றும் கிராண்டிஸ் ஏப்ரல் 2008 இல் எஸ். டி. டி-ராம் தொழில்நுட்பத்தின் வணிக வளர்ச்சியை ஆராய ஒரு கூட்டணியை உருவாக்கினர். ஹிட்டாச்சி மற்றும் தோஹோகு பல்கலைக்கழகம் ஜூன் 2009 இல் 32-எம்பிட் எஸ். டி. டி-ராம்-ஐ நிரூபித்தன. ஆகஸ்ட் 1,2011 அன்று, கிராண்டிஸ் சாம்சங் எலக்ட்ரானிக்ஸ் நிறுவனத்தால் வெளியிடப்படாத தொகைக்கு வாங்கப்பட்டதாக அறிவித்தார். 2011 ஆம் ஆண்டில், குவால்காம் விஎல்எஸ்ஐ சுற்றுகள் குறித்த சிம்போசியத்தில் டிஎஸ்எம்சியின் 45 என்எம் எல்பி தொழில்நுட்பத்தில் தயாரிக்கப்பட்ட 1 எம்பிட் உட்பொதிக்கப்பட்ட எஸ்டிடி-எம்ஆர்ஏஎம்-ஐ வழங்கியது. மே 2011 இல், ரஷ்ய நானோ டெக்னாலஜி கார்ப்பரேஷன் க்ரோக்கஸ் நானோ எலக்ட்ரானிக்ஸ் (க்ரோக்கஸ் டெக்னாலஜியுடன் ஒரு கூட்டு முயற்சி) இல் 300 மில்லியன் டாலர் முதலீட்டை அறிவித்தது, இது ரஷ்யாவின் மாஸ்கோவில் ஒரு எம்ஆர்ஏஎம் தொழிற்சாலையை கட்டும். 2012 ஆம் ஆண்டில் எவர்ஸ்பின் டெக்னாலஜிஸ் வணிக ரீதியாக கிடைக்கக்கூடிய முதல் டி. டி. ஆர் 3 டூயல் இன்-லைன் மெமரி தொகுதி எஸ். டி-எம். ஆர். ஏ. எம் ஐ வெளியிட்டது, இது 64 எம்பி திறன் கொண்டது. ஜூன் 2019 இல் எவர்ஸ்பின் டெக்னாலஜிஸ் 28 என்எம் 1 ஜிபி எஸ்டிடி-எம்ஆர்ஏஎம் சில்லுகளுக்கான சோதனை உற்பத்தியைத் தொடங்கியது. டிசம்பர் 2019 இல் இன்டெல் எல் 4-கேச்சுக்கான எஸ்டிடி-எம்ஆர்ஏஎம்-ஐ 2022 இல் நிரூபித்தது டெக்இன்ஸைட்ஸ் ஃபிட்பிட் லக்ஸ் ஃபிட்னஸ் டிராக்கரின் எம்சியூ மற்றும் வணிக ரீதியாக கிடைக்கக்கூடிய பல அணியக்கூடிய தயாரிப்புகளில் 16 எம்பி உட்பொதிக்கப்பட்ட எஸ்டிடி-எம்ஆர்ஏஎம் நினைவகத்தைக் கண்டறிந்தது. பனிச்சரிவு தொழில்நுட்பம், குரோக்கஸ் தொழில்நுட்பம் மற்றும் சுழல் பரிமாற்ற தொழில்நுட்பங்கள் ஆகியவை STT-RAM இல் பணிபுரியும் பிற நிறுவனங்களில் அடங்கும். மேக்னடோசெஸ்டிவ் ரேம் ஸ்பின் (இயற்பியல்) மெமரிஸ்டர் ஸ்பின்ட்ரானிக்ஸ் குறிப்புகள் வெளிப்புற இணைப்புகள் ஸ்பின் டார்க் ஆப்லெட் ஜே. சி. ஸ்லோன்செவ்ஸ்கிஃ "காந்த பல அடுக்குகளின் தற்போதைய-உந்துதல் கிளர்ச்சி (1996)", காந்தவியல் மற்றும் காந்தப் பொருட்களின் தொகுதி 159, இதழ்கள் 1-2, ஜூன் 1996, பக்கங்கள் எல் 1-எல் 7 ஸ்பின்ட்ரானிக்ஸ்