Two-photon photovoltaic effect
இரண்டு ஃபோட்டான் ஒளிமின்னழுத்த விளைவு (TPP விளைவு) என்பது இரண்டு ஃபோட்டான் உறிஞ்சுதலை (TPA) அடிப்படையாகக் கொண்ட ஒரு ஆற்றல் சேகரிப்பு முறையாகும். டி. பி. பி விளைவு உயர் ஒளியியல் தீவிரங்களை உள்ளடக்கிய பாரம்பரிய ஒளிமின்னழுத்த விளைவுக்கு சமமான நேரியல் அல்லாததாக கருதப்படலாம். இரண்டு ஃபோட்டான்கள் ஒரே நேரத்தில் உறிஞ்சப்படும்போது இந்த விளைவு ஏற்படுகிறது, இதன் விளைவாக ஒரு எலக்ட்ரான்-துளை ஜோடி ஏற்படுகிறது. பின்னணி டி. பி. ஏ பொதுவாக குறைந்த ஒளி தீவிரங்களில் நேரியல் உறிஞ்சுதலை விட பலவீனமான அளவின் பல வரிசைகள் ஆகும். இது நேரியல் உறிஞ்சுதலில் இருந்து வேறுபடுகிறது, ஏனெனில் டி. பி. ஏ காரணமாக ஒளியியல் மாற்றம் விகிதம் ஒளி தீவிரத்தின் சதுரத்தைப் பொறுத்தது, எனவே இது ஒரு நேரியல் அல்லாத ஒளியியல் செயல்முறையாகும், மேலும் அதிக தீவிரங்களில் நேரியல் உறிஞ்சுதலில் ஆதிக்கம் செலுத்த முடியும். எனவே, அதிக தீவிரங்களைக் கையாளும் போது, கெர் மற்றும் ராமன் விளைவுகள் போன்ற நேரியல் அல்லாத ஒளியியல் தொடர்புகளின் அடிப்படையில் செயல்படும் குறைக்கடத்தி சாதனங்களில் டி. பி. ஏ-விலிருந்து மின்சாரம் சிதறல் மற்றும் அதன் விளைவாக ஏற்படும் இலவச கேரியர் சிதறல் ஆகியவை தீங்கு விளைவிக்கும் சிக்கல்களாகும். எரிசக்தி செயல்திறனில் இந்த இரட்டை நெருக்கடிக்கு சாத்தியமான தீர்வாக டிபிபி விளைவு ஆய்வு செய்யப்படுகிறது. கடந்த காலத்தில் இந்தத் துறையில் சில மேம்பாடுகள் மற்றும் தத்துவார்த்த விசாரணைகள் செய்யப்பட்டிருந்தாலும், விளைவின் உறுதியான பயன்பாடு முதன்முறையாக 2006 ஆம் ஆண்டில் சிலிக்கானில் பஹ்ராம் ஜலாலி மற்றும் சகாக்களால் எண்ணியல் மற்றும் சோதனை ரீதியாக பகுப்பாய்வு செய்யப்பட்டது. இயற்பியல் TPP விளைவு சாதனங்கள் பக்கவாட்டு p-n சந்தி டையோட்கள் கொண்ட அலை வழிகாட்டிகளை அடிப்படையாகக் கொண்டவை, இதில் TPA மற்றும் z-திசையில் இலவச-கேரியர் உறிஞ்சுதல் (NCA) காரணமாக பம்ப் சக்தி நேரியல் இல்லாமல் இழக்கப்படுகிறது, சந்திப்புக்கு செங்குத்தாக x-y குறுக்குவெட்டு. இணைக்கப்பட்ட ஒளியியல் தீவிரம் பின்வரும் சமன்பாட்டால் நிர்வகிக்கப்படுகிறதுஃ இங்கேஃ நேரியல் உறிஞ்சுதல் குணகம்; டி. பி. ஏ குணகம்; மற்றும் இது எஃப். சி. ஏ குணகம் என்று அழைக்கப்படுகிறது, இது சோரெப்பின் வெளிப்பாட்டால் வழங்கப்படுகிறது. கேரியர் ஃபோட்டோஜெனரேஷன் விகிதம் பின்வருமாறு வரையறுக்கப்படுகிறதுஃ ஃபோட்டானின் ஆற்றல் எங்கே மற்றும் காரணி இந்த செயல்பாட்டில் இரண்டு ஃபோட்டான்கள் உள்ளன என்பதன் காரணமாகும். ஒரு யூனிட் நீளத்திற்கு ஃபோட்டோ கரண்ட்ஃ, அலை வழிகாட்டியின் பயனுள்ள பகுதி எங்கே மற்றும் எலக்ட்ரான் சார்ஜ் ஆகும். நீளத்தின் அலை வழிகாட்டிக்கு, நாம் இணைக்கப்பட்ட பம்ப் தீவிரத்தை வரையறுக்கிறோம். எனவே, பின்வரும் வெளிப்பாட்டை நாம் பெறுகிறோம்ஃ இந்த கடைசி வெளிப்பாடு பயனுள்ள நீளம் என்று அழைக்கப்படுகிறது, இது ஒளியியல் இழைகளில் வரையறுக்கப்பட்ட தொடர்பு நீளத்திற்கு சமமான நேரியல் அல்ல. கேரியர் உட்செலுத்துதல் மற்றும் மொத்த மின்னோட்டத்திற்கு மறுசீரமைப்புக்கான பங்களிப்பும் கருத்தில் கொள்ளப்பட வேண்டும், இதனால் மொத்த ஃபோட்டோடயோட் மின்னோட்டம் இவ்வாறு வெளிப்படுத்தப்படுகிறதுஃ ஷாக்லி சமன்பாடு ஒரு இலட்சியப்படுத்தப்பட்ட டயோடின் ஐ-வி (மின்னோட்டம்-மின்னழுத்தம்) பண்பைக் கொடுக்கிறதுஃ இதன் மதிப்பு தலைகீழ் சார்பு செறிவு மின்னோட்டம் என்று அழைக்கப்படுகிறது மற்றும் இதன் மூலம் வரையறுக்கப்படுகிறதுஃ எங்கே மற்றும் படத்தில் வரையறுக்கப்பட்டுள்ளன. 1 மற்றும் மீதமுள்ள அளவுருக்கள் குறிப்பு Sze இன் குறைக்கடத்தி சாதனங்களின் இயற்பியலில் வரையறுக்கப்பட்ட வழக்கமான பொருளைக் கொண்டுள்ளன. ஷாக்லி சமன்பாடு செல்லுபடியாகும், ஏனெனில் N மற்றும் P டோப் செய்யப்பட்ட பகுதிகளில் ஃபோட்டோஜெனரேஷன் p-n டையோடில் மிகக் குறைவு. இது வழக்கமான சூரிய மின்கலக் கோட்பாட்டை வேறுபடுத்துகிறது, அங்கு படத்தில் காட்டப்பட்டுள்ளபடி N மற்றும் P டோப் செய்யப்பட்ட பகுதிகளில் ஃபோட்டோஜெனரேஷன் முக்கியமாக நிகழ்கிறது. 2. பின் அமைப்பு காரணமாக (படம் 2) ஷாக்லி-ரீட்-ஹால் மறுசீரமைப்பால் நாம் தோராயமாக மதிப்பிடும் மறுசீரமைப்பு மின்னோட்டத்தை கணக்கில் எடுத்துக்கொள்ள வேண்டும்ஃ Fig.1 இல் வரையறுக்கப்பட்ட இடத்தில், பயனுள்ள கேரியர் அடர்த்தி மற்றும் எலக்ட்ரான் மற்றும் துளை மொத்த மறுசீரமைப்பு ஆயுட்காலம் முறையே. ஒரு சுற்றுவட்டத்தில், சக்தி சிதறல் என்பது மின்தடை கூறுகள் காரணமாக ஆற்றல் இழக்கப்படும் விகிதத்தைக் குறிக்கிறது மற்றும் பாரம்பரியமாக பின்வருமாறு வரையறுக்கப்படுகிறதுஃ இப்போது சேகரிப்பு செயல்திறனை வரையறுக்கிறோம், இது டி. பி. ஏ. ஆல் நுகரப்படும் கேரியர்கள்/ஃபோட்டான்களின் எண்ணிக்கையாகும்ஃ இது பெருக்கிகள் மற்றும் அலைநீள மாற்றிகள் போன்ற சாதனங்களுக்கு பொருத்தமானது, இதில் ஆற்றல் அறுவடை ஒரு பயனுள்ள துணை தயாரிப்பு, ஆனால் சாதனத்தின் முக்கிய செயல்பாடு அல்ல. டி. பி. பி விளைவு ஒரு ஒளிமின்னழுத்த கலத்தில் பயன்படுத்தப்பட வேண்டும் என்றால், மின் செயல்திறனைக் கருத்தில் கொள்ள வேண்டும். முதலாவதாக, வெளிப்புற குவாண்டம் செயல்திறன் வழங்கப்படுகிறது, இது ஒளியை அலை வழிகாட்டிக்குள் இணைக்கும் செயல்திறனைக் குறிக்கிறது மற்றும் இதை தோராயமாக மதிப்பிடலாம்ஃ இறுதியாக, மின் செயல்திறன் பின்வருமாறு வழங்கப்படுகிறதுஃ இடைநிலை பேண்ட் வழக்கமான சூரிய மின்கலங்கள் ஒரு குறைக்கடத்தியின் வேலன்ஸ் (வி. பி) மற்றும் கடத்தல் பேண்ட் (சிபி) இடையே ஒரு ஃபோட்டான் மாற்றங்களை நம்பியுள்ளன. பேண்ட்கேப்பில் ஒரு இடைநிலை நிலையின் பயன்பாடு முதன்முதலில் 1997 இல் லூக் மற்றும் மார்டி ஆகியோரால் விவரிக்கப்பட்டது. ஒரு சூரிய மின்கலத்தின் பட்டை வரைபடத்தில் ஒரு இடைநிலை அளவைச் சேர்ப்பதன் மூலம், கோட்பாட்டு செயல்திறன் வரம்பை ஷாக்லி-கியூசர் மாதிரியைத் தாண்டி மேம்படுத்த முடியும் என்பதை அவர்கள் காட்டினர். துணை அலைவரிசை ஃபோட்டான்களைப் பிடிப்பதன் மூலம் இந்த முன்னேற்றம் சாத்தியமாகும். ஒரு இடைநிலை பட்டையின் இருப்பு அத்தகைய ஃபோட்டான்களை உறிஞ்ச அனுமதிக்கும், இதன் விளைவாக எலக்ட்ரான்-துளை ஜோடிகள் உருவாகி, நேரடி ஒளியியல் மாற்றங்களால் உருவாக்கப்பட்டவற்றைச் சேர்க்கும். இரண்டு சுயாதீன எலக்ட்ரான் தூண்டுதல்களில், ஃபோட்டான்கள் வேலன்ஸ் (விபி) இலிருந்து இடைநிலை பட்டை (ஐபி) மற்றும் இடைநிலை (ஐபி) இலிருந்து கடத்தல் பட்டை (விபி) க்கு மாறுவதன் மூலம் உறிஞ்சப்படுகின்றன. உகந்த முடிவுகளை அடைவதற்காக, எந்தவொரு சாதனங்களும் செயல்முறைகளும் சிறந்ததாகக் கருதப்படுகின்றன, ஏனெனில் அதனுடன் தொடர்புடைய நிலைமைகளில் எல்லையற்ற கேரியர் இயக்கம், விரும்பிய ஃபோட்டான்களின் முழு உறிஞ்சுதல், எலக்ட்ரான்களை நன்கொடையாக வழங்குவதற்கும் பெறுவதற்கும் IB இன் பகுதி நிரப்புதல் மற்றும் IB இலிருந்து மின்னோட்டத்தைப் பிரித்தெடுக்கும் வாய்ப்பு இல்லை. இந்த கட்டமைப்பிற்குள், ஒரு இடைநிலை-பேண்ட் சூரிய மின்கலத்தின் (ஐ. பி. எஸ். சி) வரையறுக்கப்பட்ட செயல்திறன் 63.1% ஆக கணக்கிடப்பட்டுள்ளது. ஒரு இடைநிலை பட்டை இருப்பது பல நுட்பங்களின் விளைவாக இருக்கலாம், ஆனால் குறிப்பாக படிக கட்டமைப்பில் அசுத்தங்களை அறிமுகப்படுத்தியது. பல அரிய-பூமி கூறுகள் இந்த வழியில் ஒரு குறைக்கடத்தி பொருளின் பட்டைகளுக்கு இடையில் தேவையான நிலைகளை உற்பத்தி செய்வதாக அறியப்படுகிறது. இத்தகைய அசுத்தங்களின் செறிவை அதிகரிப்பது ஒரு இடைநிலை பட்டையை வடிவமைப்பதற்கான சாத்தியத்திற்கு வழிவகுக்கிறது, இது Gaas உலோகக்கலவைகளில் நிரூபிக்கப்பட்டுள்ளது. குவாண்டம் டாட் தொழில்நுட்பத்தின் பயன்பாடு ஒரு சுவாரஸ்யமான மாற்றாகும். விரும்பிய வரையறுக்கப்பட்ட நிலையைத் தூண்டும் குவாண்டம் புள்ளி கட்டமைப்பின் ஒரு பகுதியை உள்ளடக்கும் வகையில் ஒரு சூரிய மின்கலனை வடிவமைக்க முடியும். 2001 இல், மார்டி மற்றும் பலர். பாதி நிரம்பிய பேண்டின் நிபந்தனையை பூர்த்தி செய்ய ஒரு சாத்தியமான முறையை முன்மொழிந்தார். அத்தகைய விரும்பிய பண்புகள் மற்றும் அத்தகைய பொருட்களின் தொகுப்பு ஆகியவற்றை எந்த பொருட்கள் நிரூபிக்கின்றன என்பது குறித்து இன்னும் செயலில் ஆராய்ச்சி உள்ளது. ஒரு ஐ. பி. எஸ். சி சாதனத்தின் அடிப்படை செயல்பாடுகள் முதலில் ஒரு ஃபோட்டோகிரண்ட் உற்பத்தியில் பயனுள்ளதாக இருக்கும் என்று மார்ட்டி மற்றும் பலர் நிரூபித்தனர். 2006இல். படிக கட்டமைப்பில் அசுத்தங்களை ("ஊக்கமருந்து") அறிமுகப்படுத்துவதன் மூலம் அவற்றின் கடத்தும் பண்புகளை பயனுள்ள வழிகளில் மாற்ற முடியும் என்பதால் குறைக்கடத்தி பொருட்கள் மிகவும் பொருத்தமானவை. ஒரே படிகத்தில் இரண்டு வெவ்வேறு-டோப் செய்யப்பட்ட பகுதிகள் இருக்கும்போது, ஒரு குறைக்கடத்தி சந்திப்பு உருவாக்கப்படுகிறது. இந்த சந்திப்புகளின் வளர்ச்சி டையோட்கள், டிரான்சிஸ்டர்கள் மற்றும் அனைத்து நவீன மின்னணுவியல் பொருட்களின் அடிப்படையாகும். சிலிக்கான், ஜெர்மானியம், காலியம் ஆர்சனைடு ஆகியவை குறைக்கடத்திகளுக்கு எடுத்துக்காட்டுகளாகும். சிலிக்கானுக்குப் பிறகு, காலியம் ஆர்சனைடு இரண்டாவது மிகவும் பொதுவான குறைக்கடத்தி ஆகும். வலுவான சிலிக்கான் உற்பத்தி உள்கட்டமைப்பைப் பயன்படுத்திக் கொண்டு குறைந்த விலை ஃபோட்டோனிக் சாதனங்களை உருவாக்குவதற்கான விருப்பத்தின் காரணமாக 1980 களின் பிற்பகுதியிலும் 1990 களின் முற்பகுதியிலும் சோரெஃப் மற்றும் பீட்டர்மேனின் முன்னோடி படைப்புகளிலிருந்து சிலிக்கான் (சி) ஃபோட்டோனிக்ஸ் பரவலாக ஆய்வு செய்யப்பட்டுள்ளது. சிலிக்கான் செதில்கள் மிகக் குறைந்த விலை (ஒரு யூனிட் பகுதிக்கு) மற்றும் எந்த குறைக்கடத்தி பொருளின் மிக உயர்ந்த படிக தரத்தைக் கொண்டுள்ளன. இருப்பினும், சிலிக்கான் ஃபோட்டோனிக்ஸ் வழக்கு இன்னும் வலுவானது. சிலிக்கான் ஃபோட்டோனிக் சாதனங்களில் முக்கியமான சிறந்த பொருள் பண்புகளைக் கொண்டுள்ளதுஃ அதிக வெப்ப கடத்துத்திறன் (GaAகளை விட ~ 10 × அதிகமாக), அதிக ஒளியியல் சேத வரம்பு (GaAகளை விட ~ 10 × அதிகமாக), உயர் மூன்றாம்-வரிசை ஒளியியல் நேரியல் அல்லாதவை இந்த கடைசி புள்ளி உண்மையில் TPP விளைவை ஆராய்வதற்கு அவசியம். சிலிக்கான் (n = 3.45) மற்றும் SiO2 (n = 1.45) ஆகியவற்றுக்கு இடையிலான உயர் குறியீட்டு வேறுபாடு ஃபோட்டோனிக் சாதனங்களை நூற்றுக்கணக்கான நானோமீட்டர் நிலைக்கு அளவிடுவதை சாத்தியமாக்குகிறது. IC செயலாக்கத்துடன் உண்மையான பொருந்தக்கூடிய தன்மைக்கு இத்தகைய பக்கவாட்டு மற்றும் செங்குத்து பரிமாணங்கள் தேவைப்படுகின்றன. கூடுதலாக, பெரிய குறியீட்டு மாறுபாட்டிலிருந்து (Si மற்றும் SiO2 க்கு இடையில்) எழும் உயர் ஒளியியல் தீவிரம், சிப்-ஸ்கேல் சாதனங்களில் ராமன் மற்றும் கெர் விளைவுகள் போன்ற நேரியல் அல்லாத ஒளியியல் தொடர்புகளைக் கவனிக்க உதவுகிறது. இந்த காரணங்களுக்காக, சிலிக்கான் பொதுவாக வழக்கமான ஒளிமின்னழுத்த விளைவுக்கான பொருளாக பயன்படுத்தப்படுகிறது. ஷாக்லி-கியூசர் வரம்பு காரணமாக, ஒரு ஒற்றை p-n சந்திப்பு ஒளிமின்னழுத்த செல் அதிகபட்ச சூரிய மாற்று செயல்திறன் 1.34eV என்ற பேண்ட்கேப்பிற்கு 33.7% என்று அறியப்படுகிறது. இருப்பினும், சிலிக்கான் 32 சதவீதம் செயல்திறனுடன் தொடர்புடைய 1.1eV பேண்ட்கேப்பைக் கொண்டுள்ளது. இருப்பினும், டிபிபி விளைவுக்கு (7) இல் வரையறுக்கப்பட்ட சேகரிப்பு செயல்திறனின் முடிவுகள் படம் 4 இல் வெவ்வேறு பம்ப் தீவிரங்களுடன் மின்னழுத்தத்தின் செயல்பாடாக வரையறுக்கப்பட்டுள்ளன. ஒரு நல்ல ஒப்பந்தம் படத்தில் காட்டப்பட்டுள்ளது. 4 சோதனை, பகுப்பாய்வு மற்றும் எண் உருவகப்படுத்தப்பட்ட மாதிரிகள். தரவுகளின் இடைக்கணிப்பு குறைந்த உயர் விசையியக்கக் குழாய்களில் சுமார் 43 சதவீதம் சேகரிப்பு செயல்திறனைக் காட்ட முடியும், இது உண்மையில் 50 சதவீதத்தில் நிர்ணயிக்கப்பட்ட கோட்பாட்டு வரம்பை அணுகுகிறது. இருப்பினும், அதிக பம்ப் தீவிரத்திற்கு இது சரியாக இல்லை. சேகரிப்பு செயல்திறனின் இந்த வரம்பு ஒப்பீட்டளவில் குறைந்த உள்ளார்ந்த செயல்திறனை சுமார் 5.5 சதவீதமாக வழிநடத்துகிறது. பீட்டாவை மேம்படுத்தும் எந்தவொரு கற்பனையான வழிமுறையும் தற்போதைய அணுகுமுறையின் சக்தி செயல்திறனை மேம்படுத்தலாம் மற்றும் குறுகிய அலைநீளங்கள் அதிகரிக்கும் போது எஃப். சி. ஏ குறைவாக இருக்கும். இந்த இரண்டு விளைவுகளையும் இணைப்பது கணிக்கப்பட்ட TPP விளைவில் அதிக வரம்பு செயல்திறனாக மொழிபெயர்க்கப்படலாம். காலியம் ஆர்சனைடு (GaAs) காலியம் ஆர்சனைடு (GaAs) என்பது அதிக விலை, அதிக செயல்திறன் கொண்ட சூரிய மின்கலங்களுக்கான ஒரு முக்கியமான குறைக்கடத்தி பொருள் ஆகும், மேலும் இது ஒற்றை-படிக மெல்லிய படல சூரிய மின்கலங்களுக்கும், பல-இணைப்பு சூரிய மின்கலங்களுக்கும் பயன்படுத்தப்படுகிறது. TPA ஆல் இழக்கப்படும் ஒவ்வொரு இரண்டு ஃபோட்டான்களும் குறைக்கடத்தி பொருளில் ஒரு எலக்ட்ரான்-துளை ஜோடியை உருவாக்குகின்றன, மேலும் இந்த ஃபோட்டோஜெனரேட்டட் கேரியர்கள் ஒளிமின்னழுத்தத்தை மின்சார சக்தியாக மாற்றுவதற்கு கிடைக்கின்றன, இது படம் 5 இல் இரண்டு குறிப்பிட்ட அலைநீளங்களுக்கு () காட்டப்பட்டுள்ளது. காலியம் ஆர்சனைடு (GaA) மற்றும் அதன் குணகம், β ஆகியவற்றில் TPA சோதனை ரீதியாகக் காணப்பட்டுள்ளது, GaA களில் 1.33 மைக்ரோமீட்டரில் கணக்கிடப்படுவது 42.5 செமீ/GW ஆகும் (சிலிக்கானை விட மிக அதிகமாக உள்ளதுஃ 3.3 செமீ/GW). மேலும், 1.5 மைக்ரோ மீட்டர் தொலைத்தொடர்பு அலைநீளத்தில், சிலிக்கானில் 0.7 செமீ/ஜிகாவாட்டுடன் ஒப்பிடும்போது GaA களில் β சுமார் 15 செமீ/ஜிகாவாட்டாக இருப்பதாக தெரிவிக்கப்பட்டுள்ளது. எனவே, GaA களில் TPP விளைவு வலுவாக இருக்கும் என்று எதிர்பார்க்கப்படுகிறது. தத்துவார்த்த பகுப்பாய்வுடன் ஒப்பிடுவதற்கு சோதனைத் தரவைப் பெறுவதற்காக, படம் 6 ஒரு p-i-n சந்திப்பு டையோடைப் பயன்படுத்தி ஒற்றை-முறை Gaas/AlGaas அலை வழிகாட்டியில் TPP ஐ எவ்வாறு உணர முடியும் என்பதை விளக்குகிறது. ஷாக்லி-ரீட்-ஹால் மறுசீரமைப்பு இந்த முறையில் கணக்கில் எடுத்துக் கொள்ளப்படுகிறது, l பொறி ஆற்றல் நிலை பேண்ட்கேப்பின் நடுவில் அமைந்துள்ளது என்று கருதுகிறது. எலக்ட்ரான் மற்றும் துளை மொத்த மறுசீரமைப்பு ஆயுட்காலம், மற்றும், மொத்த GaA களில் 10−8 s வரிசையில் உள்ளன, மொத்த சிலிக்கானில் உள்ளதை விட சுமார் 2 வரிசை அளவு சிறியது. எலக்ட்ரான்கள் மற்றும் துளைகள் தொடர்புகளில் சேகரிக்கப்படுவதற்கு முன்பு மீண்டும் இணைவதால் மேற்பரப்பு மறுசீரமைப்பு TPP விளைவின் சக்தி செயல்திறனைக் குறைக்கிறது. பெரிய β காரணமாக 976 nm இல் TPP விளைவு மிகவும் திறமையானது. 150 மெகாவாட் மின் செயல்திறனில் 5 சென்டிமீட்டர் நீளமுள்ள சாதனத்திற்கு 8 சதவீதம் வரை கோட்பாட்டளவில் கணிக்கப்பட்டுள்ளது, இது சிலிக்கானில் அடையக்கூடியதை விட அதிகமாக உள்ளது. சாத்தியமான பயன்பாடுகள் இரண்டு-ஃபோட்டான் ஒளிமின்னழுத்த விளைவின் சாத்தியமான பயன்பாடு என்பது மின் தீப்பொறிகள் ஆபத்தான மற்றும் செம்பு கேபிள்கள் தவிர்க்கப்பட வேண்டிய முக்கியமான சூழல்களில் நிறுவப்பட்ட இயற்பியல் சென்சார்களுக்கு தொலைநிலை சக்தி விநியோகமாகும். குறிப்புகள் மின் நிகழ்வுகள் ஆற்றல் மாற்றம்