Stress-induced leakage current
तनाव-प्रेरित रिसाव धारा (एस. आई. एल. सी.) एम. ओ. एस. एफ. ई. टी. के गेट रिसाव धारा में वृद्धि है, जिसका उपयोग अर्धचालक भौतिकी में किया जाता है। यह विद्युत दबाव के दौरान गेट ऑक्साइड में उत्पन्न दोषों के कारण होता है। एस. आई. एल. सी. संभवतः उपकरण लघुकरण को रोकने वाला सबसे बड़ा कारक है। बढ़े हुए रिसाव इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों की विफलता का एक सामान्य तरीका है। ऑक्साइड दोष रिसाव धारा में सहायता करने वाले सबसे अच्छी तरह से अध्ययन किए गए दोष वे हैं जो ऑक्साइड में चार्ज ट्रैपिंग द्वारा उत्पन्न होते हैं। यह मॉडल हमले का एक बिंदु प्रदान करता है और ऑक्साइड के नाइट्रस ऑक्साइड (एन2ओ) नाइट्राइडेशन जैसे तंत्र द्वारा चार्ज ट्रैपिंग की दर को कम करने के तरीकों को विकसित करने के लिए शोधकर्ताओं को प्रेरित करता है। अर्धचालक उपकरण दोष