Dopant activation
डोपेंट सक्रियण अर्धचालक पोषक में अशुद्ध प्रजातियों से वांछित इलेक्ट्रॉनिक योगदान प्राप्त करने की प्रक्रिया है। यह शब्द अक्सर डोपेंट के आयन प्रत्यारोपण के बाद तापीय ऊर्जा के अनुप्रयोग तक सीमित है। सबसे आम औद्योगिक उदाहरण में, फॉस्फोरस, आर्सेनिक और बोरॉन जैसे डोपेंट के आयन प्रत्यारोपण के बाद सिलिकॉन पर तेजी से तापीय प्रसंस्करण लागू किया जाता है। ऊँचे तापमान (1200 डिग्री सेल्सियस) पर उत्पन्न रिक्तियां इन प्रजातियों को अंतरालीय से संस्थागत जाली स्थलों तक ले जाने में मदद करती हैं, जबकि प्रत्यारोपण प्रक्रिया से अमोर्फीजेशन क्षति पुनः क्रिस्टलीकृत होती है। एक अपेक्षाकृत तेज प्रक्रिया, अवांछित रासायनिक प्रसार को कम करने के लिए चरम तापमान को अक्सर एक सेकंड से भी कम समय तक बनाए रखा जाता है। संदर्भ अर्धचालक गुण