Leaky wave antenna
लीकी-वेव एंटीना (एल. डब्ल्यू. ए.) यात्रा तरंग एंटीना के अधिक सामान्य वर्ग से संबंधित है, जो मुख्य विकिरण तंत्र के रूप में एक मार्गदर्शक संरचना पर एक यात्रा तरंग का उपयोग करता है। ट्रेवलिंग-वेव एंटीना दो सामान्य श्रेणियों में आते हैं, स्लो-वेव एंटीना और फास्ट-वेव एंटीना, जिन्हें आमतौर पर लीकी-वेव एंटीना के रूप में जाना जाता है। परिचय एक लीकी-वेव एंटीना पर यात्रा करने वाली लहर एक तेज लहर है, जिसका चरण वेग प्रकाश की गति से अधिक होता है। इस प्रकार की तरंग अपनी लंबाई के साथ लगातार विकिरणित होती है, और इसलिए संचरण तरंग संख्या kz जटिल है, जिसमें एक चरण और एक क्षीणन स्थिरांक दोनों होते हैं। एक मनमाने ढंग से निर्दिष्ट कोण पर उच्च निर्देशात्मक किरणों को इस प्रकार के एंटीना के साथ कम साइडलोब स्तर के साथ प्राप्त किया जा सकता है। तरंग का चरण स्थिरांक β किरण कोण को नियंत्रित करता है (और यह आवृत्ति को बदलते हुए भिन्न हो सकता है), जबकि क्षीणन स्थिरांक α किरण चौड़ाई को नियंत्रित करता है। छिद्र वितरण को साइडलोब स्तर या बीम के आकार को नियंत्रित करने के लिए आसानी से छोटा किया जा सकता है। लीकी-वेव एंटेना को मार्गदर्शक संरचना के प्रकार के आधार पर दो महत्वपूर्ण श्रेणियों, समान और आवधिक में विभाजित किया जा सकता है। एक समान एल. डब्ल्यू. ए. एक समान संरचना में एक क्रॉस सेक्शन होता है जो संरचना की लंबाई के साथ एक समान (स्थिर) होता है, आमतौर पर एक वेवगाइड के रूप में जिसे आंशिक रूप से खोला जाता है ताकि विकिरण हो सके। समान संरचना पर निर्देशित तरंग एक तेज तरंग है, और इस प्रकार जैसे-जैसे यह फैलती है विकिरणित होती है। आवधिक एल. डब्ल्यू. ए. एक आवधिक रिसाव तरंग एंटीना संरचना वह है जिसमें एक समान संरचना होती है जो एक धीमी (गैर विकिरण) तरंग का समर्थन करती है जिसे समय-समय पर कुछ फैशन में संशोधित किया गया है। चूँकि एक धीमी लहर असंतुलन पर विकिरणित होती है, आवधिक परिवर्तन (असंतुलन) संरचना की लंबाई के साथ लहर को लगातार विकिरणित करने का कारण बनते हैं। अधिक परिष्कृत दृष्टिकोण से, आवधिक मॉडुलन एक निर्देशित तरंग बनाता है जिसमें अनंत संख्या में अंतरिक्ष हार्मोनिक्स (फ्लोक्वेट मोड) होते हैं। यद्यपि मुख्य (एन = 0) अंतरिक्ष हार्मोनिक एक धीमी तरंग है, अंतरिक्ष हार्मोनिक्स में से एक (आमतौर पर एन =-1) को एक तेज तरंग के रूप में डिज़ाइन किया गया है, और यह हार्मोनिक तरंग विकिरणित तरंग है। एक समान लीकी-वेव एंटीना का एक विशिष्ट उदाहरण एक अनुदैर्ध्य स्लॉट के साथ हवा से भरा आयताकार वेवगाइड है। यह सरल संरचना सभी समान रिसाव-तरंग एंटेना के लिए सामान्य बुनियादी गुणों को दर्शाती है। मौलिक टी. ई. 10 वेवगाइड मोड एक तेज तरंग है, जिसके साथ, जहाँ के0 वैक्यूम वेवनम्बर है। विकिरण के कारण ओपन वेवगाइड संरचना के भीतर प्रसार मोड की तरंग संख्या kz जटिल हो जाती है। स्थिर-चरण सिद्धांत के एक अनुप्रयोग के माध्यम से, यह वास्तव में पाया जा सकता है किः जहाँ θm ब्रॉडसाइड (x दिशा) से लिया गया अधिकतम विकिरण का कोण है, और λ0 प्रकाश वेग और निर्वात में तरंग दैर्ध्य है, और λg मार्गदर्शक तरंग दैर्ध्य है। जैसा कि एक समान एल. डब्ल्यू. ए. के लिए विशिष्ट है, बीम को ब्रॉडसाइड (θm = 0) के बहुत करीब स्कैन नहीं किया जा सकता है, क्योंकि यह वेवगाइड की कटऑफ आवृत्ति से मेल खाता है। इसके अलावा, बीम को एंडफायर (θm = 90°, z दिशा) के बहुत करीब स्कैन नहीं किया जा सकता है क्योंकि इसके लिए कटऑफ से काफी ऊपर की आवृत्तियों पर संचालन की आवश्यकता होती है, जहां उच्च क्रम मोड कम से कम हवा से भरे वेवगाइड के लिए प्रसार कर सकते हैं। सकारात्मक z दिशा में यात्रा करने वाली तरंग के लिए स्कैनिंग केवल आगे के चतुर्थांश (0 <θm <Π/2) तक सीमित है। इस एक-आयामी (1डी) रिसाव-तरंग छिद्र वितरण के परिणामस्वरूप एक "फैनबीम" होता है जिसका xz तल (एच तल) में एक संकीर्ण आकार होता है, और क्रॉस-तल में एक व्यापक आकार होता है। इस तरह के 1डी रेडिएटरों की एक श्रृंखला का उपयोग करके एक "पेंसिल बीम" बनाया जा सकता है। धीमी-तरंग संरचना के विपरीत, α का पर्याप्त रूप से छोटा मान चुनकर किसी भी कोण पर एक बहुत ही संकीर्ण किरण बनाई जा सकती है। बीम की चौड़ाई के लिए एक सरल सूत्र, जिसे अर्ध-शक्ति बिंदु () के बीच मापा जाता है, वह हैः जहाँ L रिसाव-तरंग एंटीना की लंबाई है, और Δθ को रेडियन में व्यक्त किया जाता है। विकिरणित बिजली के 90 प्रतिशत के लिए यह माना जा सकता हैः चूंकि रिसाव वेवगाइडिंग संरचना में स्लिट की लंबाई पर होता है, इसलिए पूरी लंबाई एंटीना के प्रभावी एपर्चर का गठन करती है जब तक कि रिसाव की दर इतनी अधिक न हो कि स्लिट के अंत तक पहुंचने से पहले बिजली प्रभावी रूप से लीक हो गई हो। एक बड़ा क्षीणन स्थिरांक एक छोटे प्रभावी छिद्र का संकेत देता है, ताकि विकिरणित किरण में एक बड़ी बीमविड्थ हो। इसके विपरीत, α के कम मान के परिणामस्वरूप एक लंबा प्रभावी छिद्र और एक संकीर्ण किरण होती है, बशर्ते भौतिक छिद्र पर्याप्त रूप से लंबा हो। चूँकि शक्ति लंबाई के साथ लगातार विकिरणित होती है, सख्ती से एक समान ज्यामिति के साथ एक रिसाव-तरंग एंटीना के छिद्र क्षेत्र में एक घातीय क्षय (आमतौर पर धीमा) होता है, ताकि साइडलोब व्यवहार खराब हो। साइडलोब्स की उपस्थिति अनिवार्य रूप से इसलिए है क्योंकि संरचना z के साथ सीमित है। जब हम किसी बिंदु z पर α के मान को संशोधित करने के लिए मार्गदर्शक संरचना की क्रॉस-सेक्शनल ज्यामिति को बदलते हैं, तो यह संभावना है कि उस बिंदु पर β का मान भी थोड़ा संशोधित हो। हालाँकि, चूंकि β को बदला नहीं जाना चाहिए, इसलिए β के मान को बहाल करने के लिए ज्यामिति को और बदला जाना चाहिए, जिससे α भी कुछ हद तक बदल जाता है। व्यवहार में, इस कठिनाई के लिए दो-चरणीय प्रक्रिया की आवश्यकता हो सकती है। अभ्यास तब β स्थिरांक (जो कि अधिकतम विकिरण का कोण है) बनाए रखते हुए एक निर्दिष्ट तरीके से लंबाई के साथ धीरे-धीरे α के मूल्य को बदलना है, ताकि वांछित साइडलोब प्रदर्शन प्राप्त करने के लिए एपर्चर वितरण A (z) के आयाम को समायोजित किया जा सके। हम एक समान रिसाव-तरंग एंटेना को हवा से भरे और आंशिक रूप से अस्तरक से भरे एंटेना में विभाजित कर सकते हैं। पहले मामले में, चूंकि अनुप्रस्थ तरंग संख्या kt आवृत्ति के साथ एक स्थिरांक है, इसलिए विकिरण की बीमविड्थ बिल्कुल स्थिर रहती है क्योंकि बीम को आवृत्ति को बदलकर स्कैन किया जाता है। वास्तव में, क्योंकिः जहाँः आवृत्ति से स्वतंत्र (λc कटऑफ तरंग दैर्ध्य है)। इसके विपरीत, जब मार्गदर्शक संरचना आंशिक रूप से परावैद्युत से भरी होती है, तो अनुप्रस्थ तरंग संख्या kt आवृत्ति का एक कार्य होता है, ताकि बीम के आवृत्ति स्कैन किए जाने के साथ Δθ बदल जाए। दूसरी ओर, आवृत्ति संवेदनशीलता के संबंध में, अर्थात, आवृत्ति के रूप में बीम कोण कितनी जल्दी स्कैन होता है, आंशिक रूप से अस्तरक-भारित संरचना समान आवृत्ति भिन्नता के लिए कोणों की एक बड़ी श्रृंखला पर स्कैन कर सकती है, जैसा कि चित्र में स्पष्ट है। 2, और इसलिए इसे प्राथमिकता दी जाती है। गैर-विकिरण परावैद्युत तरंगदैर्ध्य (एन. आर. डी.) मिलीमीटर तरंगदैर्ध्य पर आवश्यकताओं के जवाब में, नए एंटेना आम तौर पर कम-हानि वाले खुले तरंगदैर्ध्य पर आधारित थे। विकिरण प्राप्त करने के लिए एक संभावित तंत्र एक पक्ष का पूर्वाभास करना है। उदाहरण के लिए गैर-रेडिएटिव डाइलेक्ट्रिक वेवगाइड (एन. आर. डी.) पर विचार करें। धातु की प्लेटों के बीच का अंतर λ0/2 से कम है ताकि समरूपता बनाए रखने वाले सभी जंक्शन और असंतुलन (वक्र भी) विकिरण सामग्री रखने के बजाय विशुद्ध रूप से प्रतिक्रियाशील हो जाएं। जब एन. आर. डी. गाइड में ऊर्ध्वाधर धातु की प्लेटें पर्याप्त रूप से लंबी होती हैं, तो प्रमुख-मोड क्षेत्र पूरी तरह से बंधा होता है, क्योंकि यह ऊपरी और निचले खुले सिरों तक पहुंचने पर नगण्य मानों में क्षय हो जाता है। यदि प्लेटों के ऊपरी हिस्से को पूर्व-संक्षिप्त किया गया है, जैसा कि चित्र में है। 3, परिमित आयाम का एक यात्रा-तरंग क्षेत्र तब ऊपरी खुले छोर पर मौजूद होता है, और यदि प्रमुख एन. आर. डी. गाइड मोड तेज है (यह आवृत्ति के आधार पर तेज या धीमा हो सकता है), तो शक्ति इस खुले छोर से एक कोण पर विकिरणित होगी। एक अन्य संभावित तंत्र विषमता है। चित्र में दर्शाए गए असममित एनआरडी-गाइड एंटीना में। 4, संरचना को पहले एक धातु की दीवार के साथ क्षैतिज रूप से विभाजित किया जाता है, ताकि केवल एक छोर से विकिरण प्रदान किया जा सके; चूंकि इस मध्य तल पर विद्युत क्षेत्र विशुद्ध रूप से ऊर्ध्वाधर है, इसलिए क्षेत्र संरचना द्विभाजन द्वारा परिवर्तित नहीं होती है। इसके बाद विषमता पैदा करने के लिए परावैद्युत क्षेत्र में एक वायु अंतराल डाला जाता है। नतीजतन, शुद्ध क्षैतिज विद्युत क्षेत्र की एक छोटी मात्रा का निर्माण होता है, जो समानांतर-प्लेट वायु क्षेत्र में एक मोड का उत्पादन करता है, जो एक टीईएम मोड है, जो समानांतर प्लेटों के बीच एक कोण पर फैलता है जब तक कि यह खुले छोर तक नहीं पहुंच जाता है और रिस जाता है। वायु क्षेत्र में समानांतर प्लेटों को पर्याप्त रूप से लंबे समय तक बनाए रखना आवश्यक है ताकि मूल मोड का ऊर्ध्वाधर विद्युत-क्षेत्र घटक (नीचे-कटऑफ टी. एम. 1 मोड द्वारा समानांतर-प्लेट गाइड में दर्शाया गया है) खुले छोर पर नगण्य मानों में क्षय हो गया है। फिर TEM मोड, अपने क्षैतिज विद्युत क्षेत्र के साथ, एंटीना एपर्चर पर एकमात्र क्षेत्र बचा है, और क्षेत्र ध्रुवीकरण तब अनिवार्य रूप से शुद्ध होता है (खुले छोर पर असंतुलन किसी भी क्रॉस-ध्रुवीकृत क्षेत्र घटकों को पेश नहीं करता है)। ग्रूव गाइड ग्रूव गाइड (चित्र में दिखाया गया है। 5) मिलीमीटर तरंगों के लिए एक कम नुकसान वाली खुली तरंग मार्गदर्शिका है, जो कुछ हद तक एन. आर. डी. मार्गदर्शिका के समान हैः परावैद्युत केंद्रीय क्षेत्र को बड़ी चौड़ाई (λ0/2 से अधिक) के वायु क्षेत्र द्वारा प्रतिस्थापित किया जाता है। ऊपर और नीचे संकीर्ण चौड़ाई वाले क्षेत्रों में क्षेत्र फिर से तेजी से क्षय हो जाता है। लीकी-वेव एंटीना पहले ग्रूव गाइड को क्षैतिज रूप से द्विभाजित करके बनाया जाता है। यह एक स्टब-लोडेड आयताकार वेवगाइड से भी मिलता-जुलता है। जब स्टब ऑफ-सेंटर्ड होता है, तो प्राप्त असममित संरचना विकिरणित होगी। जब ऑफसेट बढ़ाया जाता है, तो क्षीणन स्थिरांक α बढ़ेगा और बीमविड्थ भी बढ़ेगी। जब स्टब को एक छोर तक रखा जाता है, तो परिणाम एक एल-आकार की संरचना होती है जो बहुत दृढ़ता से विकिरण करती है। इसके अलावा, यह पाया गया है कि β का मान बहुत कम बदलता है क्योंकि स्टब को स्थानांतरित किया जाता है, और α बहुत बड़ी सीमा में बदलता है। यह सुविधा साइडलोब्स को नियंत्रित करने के लिए एंटीना एपर्चर को कम करने की अनुमति देती है। तथ्य यह है कि एल-आकार की संरचना दृढ़ता से रिसाव एक अन्य रिसाव तंत्र से भी संबंधित हो सकती हैः रिसाव वाले उच्च मोड का उपयोग। विशेष रूप से, यह पाया जा सकता है कि सभी ग्रूव-गाइड उच्च मोड रिसाव वाले हैं। उदाहरण के लिए, पहले उच्च एंटीसिमेट्रिक मोड पर विचार करें। संरचना की समरूपता और विद्युत-क्षेत्र रेखाओं की दिशाओं के कारण, संरचना को एल-आकार प्राप्त करने के लिए दो बार विभाजित किया जा सकता है, जैसा कि चित्र में दर्शाया गया है। 6. टी-जंक्शन नेटवर्क पर आधारित अनुप्रस्थ समतुल्य नेटवर्क का उपयोग करके एंटीना का विश्लेषण किया जा सकता है। नेटवर्क तत्वों के लिए अभिव्यक्तियाँ सरल बंद रूपों में प्राप्त की जा सकती हैं और फिर भी बहुत सटीक हैं। परिणामी परिपथ को चित्र में दिखाया गया है। 7. आमतौर पर, स्टब की लंबाई केवल आधी तरंग दैर्ध्य या उससे कम होनी चाहिए यदि स्टब संकीर्ण है। मुद्रित-परिपथ तकनीकों की संभावना का लाभ उठाने के लिए, पिछली संरचना का एक मुद्रित-परिपथ संस्करण विकसित किया गया है। इस तरह से निर्माण प्रक्रिया फोटोलिथोग्राफी का उपयोग कर सकती है, और साइडलोब नियंत्रण के लिए टेपर डिज़ाइन को निर्माण में स्वचालित रूप से संभाला जा सकता है। संरचना को चित्र के इनसेट में दर्शाया गया है। 8. इस नई एंटीना संरचना के लिए अनुप्रस्थ समतुल्य नेटवर्क पिछले की तुलना में थोड़ा अधिक जटिल है, और परावैद्युत माध्यम को ध्यान में रखने के लिए नेटवर्क तत्वों के लिए अभिव्यक्तियों को उचित रूप से संशोधित किया जाना चाहिए। इसके अलावा, ट्रांसफॉर्मर के ऊपर, एक अतिरिक्त संवेदनशीलता दिखाई देती है। स्टब और मुख्य गाइड अब समान नहीं हैं, इसलिए उनकी तरंग संख्या और विशेषता प्रवेश भी अलग हैं। फिर से, α को स्लॉट स्थान d को बदलकर बदला जा सकता है, जैसा कि यह Fig.8 में स्पष्ट है। हालाँकि, यह पाया गया कि a 'भी इस उद्देश्य के लिए बदलने के लिए एक अच्छा पैरामीटर है, जैसा कि Fig.9 में दिखाया गया है। स्टेप्ड गाइड (रिज) पिछली संरचनाओं की एक दिलचस्प भिन्नता विकसित और विश्लेषण की गई है। यह एक आयताकार वेवगाइड के बजाय एक रिज या स्टेप्ड वेवगाइड पर आधारित है। आयताकार वेवगाइड पर आधारित संरचनाओं में, विषमता को स्टब गाइड को रखकर, या शीर्ष सतह पर ऑफ-सेंटर, अनुदैर्ध्य स्लॉट का पता लगाकर प्राप्त किया गया था। यहाँ शीर्ष सतह सममित है, और मुख्य-मार्गदर्शक भाग के नीचे प्रत्येक तरफ असमान लंबाई होने से विषमता पैदा होती है, जैसा कि चित्र में दिखाया गया है। 10. नेटवर्क तत्वों के लिए संबंधित अभिव्यक्तियों के साथ अनुप्रस्थ समतुल्य नेटवर्क को इन नई संरचनाओं पर लागू करने के लिए अनुकूलित और विस्तारित किया गया था। समतुल्य परिपथ को चित्र में दर्शाया गया है। 11. एंटीना व्यवहार का एक विश्लेषण इंगित करता है कि यह ज्यामिति प्रभावी रूप से अधिकतम विकिरण θm के कोण और बीमविड्थ Δθ के स्वतंत्र नियंत्रण की अनुमति देती है। आइए हम दो ज्यामितीय मापदंडों को परिभाषित करते हैंः सापेक्ष औसत भुजा लंबाई bm/a जहाँ bm = (bl + br)/2, और सापेक्ष असंतुलन αb/bm जहाँ αb = (bl + br)/2। चित्र 10: चरणबद्ध मार्गदर्शिका। यह तब पता चलता है कि bm/a को बदलने से कोई भी α/k0 को ज्यादा बदले बिना β/k0 के मूल्य को समायोजित कर सकता है, और यह कि αb/bm को बदलने से कोई भी β/k0 को ज्यादा प्रभावित किए बिना एक बड़ी सीमा में α/k0 को बदल सकता है। साइडलॉब स्तर को नियंत्रित करने के लिए टेपर डिज़ाइन में इसलिए केवल सापेक्ष असंतुलन δb/bm शामिल होगा। अनुप्रस्थ समतुल्य नेटवर्क वेवगाइड की ऊंचाई में दो अतिरिक्त परिवर्तनों की उपस्थिति से थोड़ा जटिल है, जिसे शंट संवेदनशीलता और आदर्श ट्रांसफॉर्मर के माध्यम से मॉडल किया जा सकता है। आदर्श ट्रांसफॉर्मर विशेषता प्रतिबाधा में परिवर्तन के लिए जिम्मेदार है, जबकि प्रतिक्रियाशील ऊर्जा के भंडारण को संवेदनशीलता के माध्यम से ध्यान में रखा जाता है। स्कैनिंग सरणी लीकी-वेव लाइन-सोर्स एंटेना की एक आयामी चरणबद्ध सरणी बनाकर दो आयामों में स्कैनिंग प्राप्त करती है। अलग-अलग रेखा स्रोतों को आवृत्ति में बदलाव करके ऊंचाई में स्कैन किया जाता है। क्रॉस प्लेन में स्कैनिंग, और इसलिए अजीमुथ में, लाइन स्रोतों की एक-आयामी सरणी की फ़ीड संरचना में व्यवस्थित चरण शिफ्टर्स द्वारा उत्पादित किया जाता है। इसलिए विकिरण पेंसिल-बीम के रूप में होगा और शंक्वाकार-स्कैन तरीके से ऊंचाई और अजीमुथ दोनों में स्कैन करेगा। रेखा स्रोतों के बीच की दूरी को इस तरह से चुना जाता है कि कोई ग्रेटिंग लोब न हो, और सटीक विश्लेषण से पता चलता है कि कहीं भी कोई अंधे धब्बे दिखाई नहीं देते हैं। वर्णित सरणियों का इकाई-कोशिका दृष्टिकोण द्वारा सटीक विश्लेषण किया गया है जो सभी पारस्परिक-युग्मन प्रभावों को ध्यान में रखता है। प्रत्येक इकाई कोशिका में एक अलग लाइन-स्रोत एंटीना शामिल होता है, लेकिन अन्य सभी की उपस्थिति में। इकाई कोशिका पर विकिरण समाप्ति अनुप्रस्थ समतुल्य नेटवर्क को संशोधित करती है। सरणी विश्लेषण की एक प्रमुख नई विशेषता स्कैन कोण के एक कार्य के रूप में द्वि-आयामी वातावरण में इकाई कोशिका के सक्रिय प्रवेश का निर्धारण है। यदि β और α के मान चरण परिवर्तन के साथ नहीं बदलते हैं, तो स्कैन बिल्कुल शंक्वाकार होगा। हालाँकि, यह पाया गया है कि ये मान केवल थोड़े बदलते हैं, ताकि शंक्वाकार स्कैन से विचलन छोटा हो। इसके बाद हम विचार करते हैं कि अंधे धब्बे मौजूद हैं या नहीं। ब्लाइंड स्पॉट उन कोणों को संदर्भित करते हैं जिन पर सरणी विकिरण नहीं कर सकती है या कोई शक्ति प्राप्त नहीं कर सकती है; यदि कोई ब्लाइंड स्पॉट किसी कोण पर होता है, तो α का मान उस स्कैन कोण पर तेजी से शून्य हो जाएगा। अंधे धब्बों की जाँच करने के लिए, हम स्कैन कोण के कार्य के रूप में α/k0 के वक्रों में किसी भी तेज गिरावट की तलाश करेंगे। इस तरह की डुबकी कभी नहीं मिली। इस प्रकार के विशिष्ट डेटा α/k0 के लिए काफी सपाट व्यवहार प्रदर्शित करते हैं जब तक कि वक्र जल्दी से शून्य तक नहीं गिर जाते हैं क्योंकि वे शंक्वाकार-स्कैन सीमा के अंत तक पहुंच जाते हैं, जहां बीम जमीन से टकराती है। संदर्भ सी. एच. वाल्टर, ट्रेवलिंग वेव एंटीना, मैकग्रा-हिल, 1965, डोवर, 1970, पेनिनसुला पब्लिशिंग, लॉस अल्टोस, कैलिफोर्निया, 1990 द्वारा पुनर्मुद्रित। एन. मार्कुविट्ज़, वेवगाइड हैंडबुक, मैकग्रा-हिल, 1951, पीटर पेरेग्रिनस लिमिटेड, लंदन, 1986 द्वारा पुनर्मुद्रित। वी. वी. शेवचेंको, ओपन वेवगाइड में निरंतर संक्रमणः सिद्धांत का परिचय, रूसी संस्करण, मॉस्को, 1969, द गोलेम प्रेस, बोल्डर, कोलोराडो 1971। टी. रोज़ी और एम. मोंगियार्डो, ओपन इलेक्ट्रोमैग्नेटिक वेवगाइड्स, द इंस्टीट्यूशन ऑफ इलेक्ट्रिकल इंजीनियर्स (आई. ई. ई.), लंदन, 1997। एम. जे. अब्लोविट्ज़ और ए. एस. फोकास, जटिल चरः परिचय और अनुप्रयोग, दूसरा संस्करण, कैम्ब्रिज यूनिवर्सिटी प्रेस, 2003। ए. ए. ओलाइनर (प्रमुख अन्वेषक), स्कैन करने योग्य मिलीमीटर तरंग सरणियाँ, आर. ए. डी. सी. अनुबंध संख्या पर अंतिम रिपोर्ट। एफ 19628-84-के-0025, पॉलिटेक्निक विश्वविद्यालय, न्यूयॉर्क, 1988। ए. ए. ओलिनर, रेडिएटिंग पीरियोडिक स्ट्रक्चर्सः एनालिसिस इन टर्म्स ऑफ के वर्सेज बीटा डायग्राम, शॉर्ट कोर्स ऑन माइक्रोवेव फील्ड एंड नेटवर्क टेक्निक्स, पॉलिटेक्निक इंस्टीट्यूट ऑफ ब्रुकलिन, न्यूयॉर्क, 1963। ए. ए. ऑलाइनर (प्रमुख अन्वेषक), मिलीमीटर तरंगों के लिए लम्प्ड-एलिमेंट और लीकी-वेव एंटीना, आरएडीसी अनुबंध संख्या पर अंतिम रिपोर्ट। एफ 19628-81-के-0044, पॉलिटेक्निक इंस्टीट्यूट ऑफ न्यूयॉर्क, 1984। एफ. जे. ज़ुकर, "सरफेस एंड लीकी-वेव एंटेना", एंटेना इंजीनियरिंग हैंडबुक का अध्याय 16, एच. जे. जैसिक, संपादक, मैकग्रा-हिल, न्यूयॉर्क, 1961। ए. ए. ओलाइनर और टी. तामिर, "निर्देशित जटिल तरंग, भाग I: एक इंटरफेस पर क्षेत्र", प्रोसी। आई. ई. ई., वॉल्यूम. 110, पीपी। 310-324, फरवरी 1963। ए. ए. ओलिनर और टी. तामिर, "निर्देशित जटिल तरंग, भाग II: विकिरण पैटर्न से संबंध", प्रोसी। आई. ई. ई., वॉल्यूम. 110, पीपी। 325-334, फरवरी 1963। ए. ए. ओलिनर, \लीकी-वेव एंटीना ", एंटीना इंजीनियरिंग हैंडबुक में अध्याय 10, आर. सी. जॉनसन, संपादक, तीसरा संस्करण, मैकग्रा-हिल, न्यूयॉर्क, 1993,59 पृष्ठ। ए. हेसल, "ट्रैवलिंग-वेव एंटेना की सामान्य विशेषताएँ", एंटेना थ्योरी में अध्याय 19, आर. ई. कॉलिन और एफ. जे. ज़ुकर, संपादक, मैकग्रा-हिल, न्यूयॉर्क, 1969, पीपी। 151-257। एफ. जे. जुकर, "सरफेस-वेव एंटीना", एंटीना थ्योरी में अध्याय 21, आर. ई. कॉलिन और एफ. जे. जुकर, संपादक, मैकग्रा-हिल, न्यूयॉर्क, 1969, पीपी. 298-348। एफ. श्वेरिंग और एस. टी. पेंग, मिलीमीटर-वेव अनुप्रयोगों के लिए समय-समय पर नालीदार परावैद्युत एंटेना का डिजाइन, ब्रुकलिन, न्यूयॉर्क के पॉलिटेक्निक संस्थान, 1983,22 पृष्ठ। एस. टी. पेंग और ए. ए. ओलाइनर, "खुले परावैद्युत तरंग मार्गदर्शकों के एक वर्ग के मार्गदर्शन और रिसाव गुणः भाग I-गणितीय सूत्रीकरण", आई. ई. ई. ई. माइक्रोवेव सिद्धांत और तकनीकों पर लेनदेन, खंड। एम. टी. टी.-29 सितंबर 1981, पीपी. 843-855। ए. ए. ओलिनर, एस. टी. पेंग, टी. आई. सू, और ए. सांचेज़, खुले परावैद्युत तरंग मार्गदर्शकों के एक वर्ग के मार्गदर्शन और रिसाव गुणः भाग II-नए भौतिक प्रभाव, "माइक्रोवेव सिद्धांत और तकनीकों पर आई. ई. ई. ई. लेनदेन, खंड। एम. टी. टी.-29 सितंबर 1981, पृ. 855-869। ए. ए. ओलिनर और आर. जी. मालेक, "म्यूचुअल कपलिंग इन इनफाइनाइट स्कैनिंग एरेज़", माइक्रोवेव स्कैनिंग एंटीना में अध्याय 3, खंड। II, आर. सी. हैनसेन, संपादक, अकादमिक, न्यूयॉर्क, 1966। एफ. मोंटिकोन, और ए. अलू, "लीकी-वेव थ्योरी, टेक्निक्स एंड एप्लीकेशनः फ्रॉम माइक्रोवेव्स टू विजिबल फ्रीक्वेंसीज", प्रोसीडिंग्स ऑफ आई. ई. ई. ई., वॉल्यूम। 103, नं. 5, पीपी। 793-821, मई 26,2015. डोईः 10.1109/JPROC.2015.2399419 एम. पोवेडा-गार्सिया, जे. ओलिवा-सांचेज़, आर. सांचेज़-इबोरा, डी. कैनेटे-रेबेनाक, जे. एल. गोमेज़-टॉर्नेरो, "फ्रीक्वेंसी-स्कैन किए गए बीमिंग का उपयोग करके लागत-प्रभावी वायरलेस सेंसर नेटवर्क के लिए गतिशील वायरलेस पावर ट्रांसफर"। आई. ई. ई. ई. एक्सेस, 7,8081-8094। डोईः 10.1109/ACCESS.2018.2886448 एंटीना (रेडियो)