Indium arsenide antimonide phosphide
इंडियम आर्सेनाइड एंटीमोनाइड फॉस्फाइड () एक अर्धचालक पदार्थ है। आई. एन. ए. एस. बी. पी. का उपयोग अर्धचालक लेजर संरचनाओं के साथ-साथ मध्य-अवरक्त प्रकाश उत्सर्जक डायोड और लेजर, फोटोडिटेक्टर और थर्मोफोटोवोल्टिक कोशिकाओं के लिए परतों को अवरुद्ध करने के रूप में किया गया है। ए. एन. ए. एस. बी. पी. परतों को हेटेरोएपिटैक्सी द्वारा इंडियम आर्सेनाइड, गैलियम एंटीमोनाइड और अन्य सामग्रियों पर उगाया जा सकता है। एल्यूमीनियम गैलियम इंडियम फॉस्फाइड गैलियम इंडियम आर्सेनाइड एंटीमोनाइड फॉस्फाइड संदर्भ III-V अर्धचालक इंडियम यौगिक आर्सेनाइड एंटीमोनाइड फॉस्फाइड III-V यौगिक भी देखें।