45 nm process
अर्धचालकों के लिए अंतर्राष्ट्रीय प्रौद्योगिकी रोडमैप के अनुसार, 45 एनएम प्रक्रिया एक एम. ओ. एस. एफ. ई. टी. प्रौद्योगिकी नोड है जो लगभग 2007-2008 समय सीमा पर निर्मित मेमोरी सेल के औसत आधे-पिच का उल्लेख करती है। मात्सुशिता और इंटेल ने 2007 के अंत में 45 एनएम चिप्स का बड़े पैमाने पर उत्पादन शुरू किया, और एएमडी ने 2008 के अंत में 45 एनएम चिप्स का उत्पादन शुरू किया, जबकि आईबीएम, इनफिनियन, सैमसंग और चार्टर्ड सेमीकंडक्टर ने पहले ही एक सामान्य 45 एनएम प्रक्रिया मंच पूरा कर लिया है। 2008 के अंत में, एस. एम. आई. सी. 45 एन. एम. पर जाने वाली पहली चीन स्थित अर्धचालक कंपनी थी, जिसने आई. बी. एम. से थोक 45 एन. एम. प्रक्रिया का लाइसेंस प्राप्त किया था। 2008 में, टी. एस. एम. सी. 40एन. एम. प्रक्रिया की ओर बढ़ा। कई महत्वपूर्ण विशेषता आकार लिथोग्राफी (यानी, 193 एनएम और 248 एनएम) के लिए उपयोग किए जाने वाले प्रकाश की तरंग दैर्ध्य से छोटे होते हैं। उप-तरंग दैर्ध्य विशेषताओं को बनाने के लिए विभिन्न तकनीकों, जैसे कि बड़े लेंस का उपयोग किया जाता है। विशेषताओं के बीच की दूरी को कम करने में सहायता के लिए दोहरे पैटर्न को भी पेश किया गया है, विशेष रूप से यदि शुष्क लिथोग्राफी का उपयोग किया जाता है। यह उम्मीद की जाती है कि 45 एनएम नोड पर 193 एनएम तरंग दैर्ध्य के साथ अधिक परतों को पैटर्न किया जाएगा। पहले की ढीली परतों (जैसे धातु 4 और धातु 5) को 248 एनएम से 193 एनएम तरंग दैर्ध्य तक ले जाना जारी रहने की उम्मीद है, जो 193 एनएम फोटोरेसिस्ट के साथ कठिनाइयों के कारण लागत को आगे बढ़ाएगा। उच्च-κ परावैद्युत चिप निर्माताओं ने शुरू में रिसाव वर्तमान घनत्व को कम करने के उद्देश्य से गेट स्टैक में नई उच्च-κ सामग्री पेश करने के बारे में चिंता व्यक्त की है। हालाँकि, 2007 तक, आईबीएम और इंटेल दोनों ने घोषणा की है कि उनके पास उच्च-κ परावैद्युत और धातु द्वार समाधान हैं, जिन्हें इंटेल ट्रांजिस्टर डिजाइन में एक मौलिक परिवर्तन मानता है। एन. ई. सी. ने उत्पादन में उच्च-κ सामग्री भी डाली है। 2004 में, टी. एस. एम. सी. ने एक 0.296-square-micrometre 45 एन. एम. एस. आर. ए. एम. सेल का प्रदर्शन किया। 2008 में, टी. एस. एम. सी. 40 एन. एम. प्रक्रिया की ओर बढ़ा। जनवरी 2006 में, इंटेल ने एक 0.346-square-micrometre 45 nm नोड SRAM सेल का प्रदर्शन किया। अप्रैल 2006 में, एएमडी ने एक 0.370-square-micrometre 45 एनएम एसआरएएम सेल का प्रदर्शन किया। जून 2006 में, टेक्सास इंस्ट्रूमेंट्स ने इमर्शन लिथोग्राफी की मदद से एक 0.24-square-micrometre 45 nm SRAM सेल की शुरुआत की। नवंबर 2006 में, यू. एम. सी. ने घोषणा की कि उसने इमर्शन लिथोग्राफी और लो-के डाइलेक्ट्रिक्स का उपयोग करके 0.25-square-micrometre से कम के सेल आकार के साथ 45 एन. एम. एस. आर. ए. एम. चिप विकसित की है। 2006 में, सैमसंग ने एक 40nm प्रक्रिया विकसित की। 45 एनएम प्रौद्योगिकी के उत्तराधिकारी 32 एनएम, 22 एनएम और फिर 14 एनएम प्रौद्योगिकियां हैं। वाणिज्यिक परिचय मात्सुशिता इलेक्ट्रिक इंडस्ट्रियल कंपनी ने जून 2007 में 45एनएम प्रक्रिया प्रौद्योगिकी पर आधारित डिजिटल उपभोक्ता उपकरणों के लिए सिस्टम-ऑन-ए-चिप (एसओसी) आईसी का बड़े पैमाने पर उत्पादन शुरू किया। इंटेल ने नवंबर 2007 में अपना पहला 45एनएम प्रोसेसर, ज़ीऑन 5400 श्रृंखला भेजा। पेनरीन के बारे में कई विवरण अप्रैल 2007 के इंटेल डेवलपर फोरम में दिखाई दिए। इसके उत्तराधिकारी को नेहालम कहा जाता है। महत्वपूर्ण प्रगति में नए निर्देशों को जोड़ना (एस. एस. ई. 4 सहित, जिसे पेनरीन न्यू इंस्ट्रक्शंस के रूप में भी जाना जाता है) और नई निर्माण सामग्री (सबसे महत्वपूर्ण रूप से एक हैफनियम-आधारित परावैद्युत) शामिल हैं। एएमडी ने 2008 के अंत में 45एनएम प्रक्रिया प्रौद्योगिकी का उपयोग करते हुए अपने सेम्प्रोन II, एथलॉन II, ट्यूरियन II और फेनोम II (आम तौर पर प्रदर्शन के बढ़ते क्रम में) के साथ-साथ शंघाई ऑप्टेरॉन प्रोसेसर जारी किए। 2010 में जारी किए गए एक्सबॉक्स 360 एस में 45 एनएम प्रक्रिया में निर्मित ज़ेनॉन प्रोसेसर है। प्लेस्टेशन 3 स्लिम मॉडल ने 45 एनएम प्रक्रिया में सेल ब्रॉडबैंड इंजन पेश किया। उदाहरण-इंटेल की 45 एनएम प्रक्रिया आई. ई. डी. एम. 2007 में, इंटेल की 45 एनएम प्रक्रिया के अधिक तकनीकी विवरण सामने आए। चूँकि यहाँ इमर्शन लिथोग्राफी का उपयोग नहीं किया जाता है, इसलिए लिथोग्राफिक पैटर्न बनाना अधिक कठिन है। इसलिए, इस 45 एनएम प्रक्रिया के लिए एक लाइन-कटिंग डबल पैटर्निंग विधि का स्पष्ट रूप से उपयोग किया जाता है। इसके अलावा, गेट रिसाव के मुद्दों को संबोधित करने के लिए पहली बार उच्च-κ परावैद्युत पराबैद्युत का उपयोग शुरू किया गया है। 32 एनएम नोड के लिए, इंटेल द्वारा इमर्शन लिथोग्राफी का उपयोग किया जाना शुरू हो जाएगा। 160 एनएम गेट पिच (65 एनएम पीढ़ी का 73 प्रतिशत) 200 एनएम अलगाव पिच (65 एनएम पीढ़ी का 91 प्रतिशत) ट्रांजिस्टरों के बीच अलगाव दूरी के स्केलिंग को धीमा करने का संकेत देता है डमी तांबे की धातु और डमी गेटों का व्यापक उपयोग 35 एनएम गेट की लंबाई (65 एनएम पीढ़ी के समान) 1 एनएम समकक्ष ऑक्साइड मोटाई, 0.7 एनएम संक्रमण परत के साथ गेट-अंतिम प्रक्रिया डमी पॉलीसिलिकॉन और डैमासिन धातु गेट का उपयोग करके गेट का वर्ग एक दूसरे फोटोरेसिस्ट कोटिंग का उपयोग करके समाप्त होता है कार्बन-डोप्ड ऑक्साइड और सीयू इंटरकनेक्ट की 9 परतें, अंतिम एक मोटी "पुनर्वितरण" परत संपर्क है जो स्थानीय इंटरकनेक्ट्स के लिए वृत्त की तुलना में आयताकार आकार की होती है। अधिकांश खाई संपर्क छोटी रेखाएँ थीं जो प्रसार को कवर करने वाले द्वारों के समानांतर थीं, जबकि द्वार संपर्क जहां छोटी रेखाएँ भी द्वारों के लंबवत थीं। हाल ही में यह पता चला कि नेहालम और एटम दोनों माइक्रोप्रोसेसरों ने वोल्टेज स्केलिंग को बेहतर ढंग से समायोजित करने के लिए पारंपरिक छह के बजाय आठ ट्रांजिस्टर वाली एसआरएएम कोशिकाओं का उपयोग किया। इसके परिणामस्वरूप 30 प्रतिशत से अधिक का क्षेत्र जुर्माना लगाया गया। 45 एनएम तकनीक का उपयोग करने वाले प्रोसेसर मात्सुशिता ने 2007 में 45 एनएम यूनिफियर जारी किया। वोल्फडेल, वोल्फडेल-3एम, यॉर्कफील्ड, यॉर्कफील्ड एक्सई और पेनरीन इंटेल प्रोसेसर कोर 2 ब्रांड के तहत बेचे गए। क्लार्क्सफील्ड, ब्लूमफील्ड और लिनफील्ड जैसे पहली पीढ़ी के इंटेल कोर आई3, आई5 और आई7 श्रृंखला के प्रोसेसर। डायमंडविले, पाइनव्यू इंटेल एटम ब्रांड के तहत बेचे जाने वाले हाइपर-थ्रेडिंग के साथ इंटेल कोर हैं। एएमडी थुबन (फेनोम II), कैलिस्टो, हेका, प्रोपस, डेनेब, जोस्मा (फेनोम II) और शंघाई (ऑप्टेरॉन) क्वाड-कोर प्रोसेसर, रेगर (एथलॉन II) डुअल कोर प्रोसेसर, कैस्पियन (ट्यूरियन II) मोबाइल डुअल कोर प्रोसेसर। Xbox 360 S मॉडल में ज़ेनॉन प्रोसेसर। सोनी/तोशिबा सेल ब्रॉडबैंड इंजन प्लेस्टेशन 3 स्लिम मॉडल में-सितंबर 2009। सैमसंग एस5पीसी110, जिसे हमिंगबर्ड के नाम से जाना जाता है। टेक्सास इंस्ट्रूमेंट्स ओएमएपी 3 और 4 श्रृंखला। आईबीएम पावर7 और जेड196 फुजित्सु स्पार्क64 VIIIfx श्रृंखला वाई यू "एस्प्रेसो" आईबीएम सीपीयू। संदर्भ बाहरी लिंक पैनासोनिक ने 45-एनएम जनरेशन एसओसी का बड़े पैमाने पर उत्पादन शुरू किया इंटेल 45 एनएम प्रक्रिया इंटेल को उम्मीद से जल्दी 45एनएम पर ले जाने के लिए अच्छी है? चिप निर्माताओं ने आई. ई. डी. एम. 00045 ताइवानी आविष्कारों में इंटेल इंटेल 45 एन. एम. प्रक्रिया से 45 एन. एम. प्रौद्योगिकी का नामकरण करने वाली एन. एन. एम. प्रक्रिया की एक ए. एम. डी. अद्यतन स्लैशडॉट चर्चा के निर्माण बाधाओं के लिए कमर कस ली है।