Paul Richman
पॉल रिचमैन (जन्म 17 नवंबर, 1942) एक अमेरिकी अर्धचालक भौतिक विज्ञानी और लेखक हैं। शिक्षा 1963 में रिचमैन ने एम. आई. टी. में अध्ययन किया। और इलेक्ट्रिकल इंजीनियरिंग में विज्ञान स्नातक के साथ स्नातक किया। 1964 में उन्होंने कोलंबिया विश्वविद्यालय से इलेक्ट्रिकल इंजीनियरिंग में मास्टर ऑफ साइंस की उपाधि प्राप्त की। 1971 में, रिचमैन ने एक अनुसंधान और विकास फर्म के रूप में स्टैंडर्ड माइक्रोसिस्टम्स कॉर्प (एस. एम. एस. सी.) की सह-स्थापना की। एस. एम. एस. सी. की सह-स्थापना से पहले, उन्होंने जनरल टेलीफोन एंड इलेक्ट्रॉनिक्स में अर्धचालक भौतिक विज्ञानी के रूप में काम किया। 1987 में, वह अपने परिवार के साथ जापान चले गए और उन्होंने स्टैंडर्ड माइक्रोसिस्टम्स जापान नामक एक सहयोग शुरू किया। 1971 और 1999 के बीच, उन्होंने स्टैंडर्ड माइक्रोसिस्टम्स के मुख्य कार्यकारी अधिकारी, अध्यक्ष और अध्यक्ष के रूप में कार्य किया। उनके कार्यकाल के दौरान, एस. एम. एस. सी. लॉन्ग आइलैंड पर सबसे बड़ी चिप निर्माता बन गई, और इंटेल कॉर्प ने कंपनी में हिस्सेदारी हासिल कर ली। न्यूजडे ने उन्हें कंप्यूटर चिप उद्योग में अग्रणी बताया है। उन्होंने संचालन गति बढ़ाते हुए ट्रांजिस्टर को एक दूसरे के करीब ले जाकर चिप्स के आकार को कम करने के लिए एक विधि पेश की और इसके परिणामस्वरूप उपकरण जल्दी और कुशलता से काम करते हैं। एक शिक्षाविद के रूप में, रिचमैन ने 1974 और 1975 के बीच न्यूयॉर्क शहर विश्वविद्यालय में इलेक्ट्रिकल इंजीनियरिंग के विजिटिंग प्रोफेसर के रूप में और 1975 और 1987 के बीच स्टोनी ब्रुक में न्यूयॉर्क राज्य विश्वविद्यालय में कार्य किया। 1998 से 2002 तक, उन्होंने मैसाचुसेट्स इंस्टीट्यूट ऑफ टेक्नोलॉजी की इलेक्ट्रिकल इंजीनियरिंग और कंप्यूटर विज्ञान के लिए विजिटिंग कमेटी में काम किया। रिचमैन ने COPLAMOS प्रौद्योगिकी के लिए बुनियादी पेटेंट विकसित और धारण किया, जिसने धातु-ऑक्साइड-अर्धचालक (एम. ओ. एस.) में क्षेत्र-डोप्ड, स्थानीय रूप से ऑक्सीकृत संरचनाओं के उपयोग का बीड़ा उठाया। एकीकृत परिपथ। वह माइक्रोचिप्स पर दो प्रारंभिक, मौलिक पुस्तकों के लेखक भी थे, जिनका बाद में जापानी, स्पेनिश, फ्रेंच और रूसी में अनुवाद किया गया। उनकी पुस्तकों का जापानी, स्पेनिश, रूसी और फ्रेंच में अनुवाद किया गया है। पुरस्कार 1978: माइक्रोचिप्स के विकास में उनके योगदान के लिए इलेक्ट्रॉनिक्स (पत्रिका) से वार्षिक उपलब्धि पुरस्कार। 1982: इंस्टीट्यूट ऑफ इलेक्ट्रिकल एंड इलेक्ट्रॉनिक्स इंजीनियर्स, आई. ई. ई. ई. के फेलो चुने गए। 1998: आई. ई. ई. ई. का हेरोल्ड ए. व्हीलर पुरस्कार। 2000: आई. ई. ई. ई. का तीसरा सहस्राब्दी पदक। 2012: लॉन्ग आइलैंड टेक्नोलॉजी हॉल ऑफ फेम के लिए चुने गए। पेटेंट पूरक वृद्धि प्रकार एम. ओ. एस. ट्रांजिस्टर। धातु-ऑक्साइड सिलिकॉन उपकरणों के निर्माण की विधि। सिलिकॉन वेफर में विभिन्न सतह आवेश घनत्वों के क्षेत्रों को चुनिंदा रूप से स्थापित करने की विधि। आयन प्रत्यारोपण का उपयोग करके एम. ओ. एस. उपकरणों की विद्युत विशेषताओं को संशोधित करने की विधि। चयनात्मक रूप से संशोधित इन्सुलेशन परत के साथ अर्धचालक एकीकृत परिपथ संरचना। अर्धचालक एकीकृत परिपथ के लिए हर्मेटिक प्लास्टिक दोहरी-इन-लाइन पैकेज। सॉलिड स्टेट फील्ड इफेक्ट उपकरण। इन्सुलेटेड-गेट फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर एक उच्च प्रतिरोधी सब्सट्रेट का उपयोग करते हैं। एम. ओ. एस. फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर संरचना मेसा जैसे संपर्क और द्वार क्षेत्रों और चुनिंदा रूप से गहरे जंक्शनों के साथ। द्विध्रुवीय एम. ओ. एस. क्षेत्र प्रभाव ट्रांजिस्टर। चयनात्मक रूप से गठित प्रतिरोधी क्षेत्रों वाले सब्सट्रेट के साथ एम. ओ. एस. एकीकृत परिपथ। एक चयनात्मक प्रसार और ऑक्सीकरण मास्क के रूप में गेट का उपयोग करते हुए उच्च घनत्व अपवर्तक धातु गेट एम. ओ. एस. एकीकृत परिपथ बनाने की विधि। एकीकृत एम. ओ. एस. परिपथ। धातु-ऑक्साइड-अर्धचालक प्रकार के एक समग्र उपकरण के निर्माण की विधि, कम सतही प्रतिरोधकता के साथ इलेक्ट्रोड को नियंत्रित करें, और प्राप्त उपकरण। एम. ओ. एस. एकीकृत परिपथ संरचना और इसके निर्माण की विधि। संदर्भ 1942 जन्म अमेरिकी लेखक जीवित लोग