Titanium trisulfide
टाइटेनियम ट्राइसल्फाइड (टी. आई. एस. 3) टाइटेनियम और सल्फर का एक अकार्बनिक रासायनिक यौगिक है। इसकी सूत्र इकाई में एक Ti4 + कैटायन, एक S2-आयनन और एक S22-होता है। टी. आई. एस. 3 में एक स्तरित क्रिस्टल संरचना होती है, जहां परतें एक-दूसरे से कमजोर रूप से जुड़ी होती हैं और एक चिपकने वाली टेप के साथ एक्सफोलिएट की जा सकती हैं। एक्सफोलिएटेड परतों में अल्ट्राथिन फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर में संभावित अनुप्रयोग होते हैं। टी. आई. एस. 3 की मिलीमीटर-लंबी क्रिस्टलीय मूंछों को रासायनिक वाष्प परिवहन द्वारा सी. ए. पर उगाया जा सकता है। 500 डिग्री सेल्सियस, परिवहन गैस के रूप में अतिरिक्त सल्फर का उपयोग करना। गुण TiS3 लगभग 1 eV के अप्रत्यक्ष बैंडगैप के साथ एक एन-प्रकार का अर्धचालक है। इसकी अलग-अलग परतें टीआईएस परमाणु श्रृंखलाओं से बनी होती हैं; इसलिए वे अनिसोट्रोपिक होती हैं और उनके गुण इन-प्लेन अभिविन्यास पर निर्भर करते हैं। उदाहरण के लिए, एक ही नमूने में, इलेक्ट्रॉन गतिशीलता बी-अक्ष के साथ 80 सेमी2/(वी·एस) और ए-अक्ष के साथ 40 सेमी2/(वी·एस) हो सकती है। संदर्भ सल्फाइड टाइटेनियम (IV) यौगिक मोनोलेयर