Wien effect
वेन प्रभाव विद्युत क्षमता के बहुत उच्च ढाल पर आयनिक गतिशीलता या इलेक्ट्रोलाइट्स की चालकता में प्रयोगात्मक रूप से देखी गई वृद्धि है। लार्स ओन्सेगर द्वारा एक सैद्धांतिक व्याख्या प्रस्तावित की गई है। एक संबंधित घटना को द्वितीय वेन प्रभाव या पृथक्करण क्षेत्र प्रभाव के रूप में जाना जाता है, और इसमें उच्च विद्युत प्रवणता पर कमजोर एसिड के बढ़ते पृथक्करण स्थिरांक शामिल होते हैं। कमजोर रासायनिक क्षारों का पृथक्करण अप्रभावित है। बहुत उच्च विद्युत क्षेत्रों (108-109 वी/एम) में प्रभाव महत्वपूर्ण हैं, जैसे कि विद्युत दोहरी परतों में या विद्युत रसायन में इलेक्ट्रोड की सतहों पर देखा जाता है। अधिक आम तौर पर, प्रणालियों के रासायनिक व्यवहार (जैसे, प्रतिक्रिया दरों पर) पर विद्युत क्षेत्र प्रभाव (सीधे, रासायनिक बंधनों के बजाय अंतरिक्ष के माध्यम से) को क्षेत्र प्रभाव या प्रत्यक्ष प्रभाव के रूप में जाना जाता है। इन शब्दों का नाम मैक्स वीन के नाम पर रखा गया है। डेबी लंबाई इलेक्ट्रोविस्कस प्रभाव क्षेत्र प्रभाव (अर्धचालक) क्षेत्र प्रभाव गतिशीलता संदर्भ भौतिक रसायन विद्युत रसायन