Semiconductor memory
सेमीकंडक्टर मेमोरी एक डिजिटल इलेक्ट्रॉनिक सेमीकंडक्टर उपकरण है जिसका उपयोग कंप्यूटर मेमोरी जैसे डिजिटल डेटा भंडारण के लिए किया जाता है। यह आम तौर पर उन उपकरणों को संदर्भित करता है जिनमें डेटा को सिलिकॉन इंटीग्रेटेड सर्किट मेमोरी चिप पर मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर (एम. ओ. एस.) मेमोरी कोशिकाओं के भीतर संग्रहीत किया जाता है। विभिन्न अर्धचालक प्रौद्योगिकियों का उपयोग करने वाले कई अलग-अलग प्रकार हैं। यादृच्छिक अभिगम स्मृति (आर. ए. एम.) के दो मुख्य प्रकार हैं स्थिर आर. ए. एम. (एस. आर. ए. एम.), जो प्रति स्मृति कक्ष में कई ट्रांजिस्टर का उपयोग करता है, और गतिशील आर. ए. एम. (डी. आर. ए. एम.), जो प्रति कक्ष में एक ट्रांजिस्टर और एक एम. ओ. एस. संधारित्र का उपयोग करता है। गैर-वाष्पशील मेमोरी (जैसे ई. पी. आर. ओ. एम., ई. ई. पी. आर. ओ. एम. और फ्लैश मेमोरी) फ्लोटिंग-गेट मेमोरी सेल का उपयोग करती है, जिसमें प्रति सेल एकल फ्लोटिंग-गेट ट्रांजिस्टर होता है। अधिकांश प्रकार की अर्धचालक स्मृति में यादृच्छिक अभिगम का गुण होता है, जिसका अर्थ है कि किसी भी स्मृति स्थान तक पहुँचने में समान समय लगता है, इसलिए डेटा को किसी भी यादृच्छिक क्रम में कुशलता से पहुँचा जा सकता है। यह डेटा भंडारण माध्यम जैसे हार्ड डिस्क और सीडी के विपरीत है जो लगातार डेटा को पढ़ते और लिखते हैं और इसलिए डेटा को केवल उसी अनुक्रम में एक्सेस किया जा सकता है जो इसे लिखा गया था। सेमीकंडक्टर मेमोरी में अन्य प्रकार के डेटा भंडारण की तुलना में बहुत तेज पहुंच का समय भी होता है; कुछ नैनोसेकंड के भीतर सेमीकंडक्टर मेमोरी से डेटा का एक बाईट लिखा या पढ़ा जा सकता है, जबकि हार्ड डिस्क जैसे घूर्णन भंडारण के लिए पहुंच का समय मिलीसेकंड की सीमा में होता है। इन कारणों से इसका उपयोग प्राथमिक भंडारण के लिए किया जाता है, अन्य उपयोगों के साथ-साथ उस प्रोग्राम और डेटा को रखने के लिए जिस पर कंप्यूटर वर्तमान में काम कर रहा है। सेमीकंडक्टर मेमोरी चिप्स सालाना बिकते हैं, जो सेमीकंडक्टर उद्योग का% हिस्सा है। शिफ्ट रजिस्टर, प्रोसेसर रजिस्टर, डेटा बफर और अन्य छोटे डिजिटल रजिस्टर जिनमें कोई मेमोरी एड्रेस डिकोडिंग तंत्र नहीं है, उन्हें आमतौर पर मेमोरी के रूप में संदर्भित नहीं किया जाता है, हालांकि वे डिजिटल डेटा को भी संग्रहीत करते हैं। विवरण एक अर्धचालक स्मृति चिप में, द्विआधारी डेटा का प्रत्येक बिट एक छोटे से परिपथ में संग्रहीत किया जाता है जिसे स्मृति कोशिका कहा जाता है जिसमें एक से कई ट्रांजिस्टर होते हैं। स्मृति कोशिकाओं को चिप की सतह पर आयताकार सरणी में रखा जाता है। 1-बिट स्मृति कोशिकाओं को छोटी इकाइयों में समूहीकृत किया जाता है जिन्हें शब्द कहा जाता है जिन्हें एकल स्मृति पते के रूप में एक साथ एक्सेस किया जाता है। स्मृति शब्द की लंबाई में निर्मित होती है जो आमतौर पर दो की शक्ति होती है, आमतौर पर एन = 1,2,4 या 8 बिट। डेटा को एक द्विआधारी संख्या के माध्यम से एक्सेस किया जाता है जिसे चिप के पता पिन पर लागू किया गया एक मेमोरी पता कहा जाता है, जो निर्दिष्ट करता है कि चिप में किस शब्द को एक्सेस किया जाना है। यदि स्मृति पते में एम बिट होते हैं, तो चिप पर पतों की संख्या 2 एम होती है, जिसमें से प्रत्येक में एक एन बिट शब्द होता है। नतीजतन, प्रत्येक चिप में संग्रहीत डेटा की मात्रा एन2एम बिट्स होती है। पता लाइनों की एम संख्या के लिए स्मृति भंडारण क्षमता 2 एम द्वारा दी जाती है, जो आमतौर पर दो की शक्ति में होती हैः 2,4,8,16,32,64,128,256 और 512 और किलोबिट, मेगाबिट, गीगाबिट या टेराबिट आदि में मापा जाता है। सबसे बड़े अर्धचालक मेमोरी चिप्स में कुछ गीगाबिट डेटा होता है, लेकिन उच्च क्षमता वाली मेमोरी लगातार विकसित की जा रही है। कई एकीकृत परिपथों के संयोजन से, स्मृति को प्रत्येक चिप द्वारा प्रदान की जाने वाली तुलना में एक बड़ी शब्द लंबाई और/या पता स्थान में व्यवस्थित किया जा सकता है, अक्सर लेकिन जरूरी नहीं कि दो की शक्ति हो। मेमोरी चिप द्वारा किए गए दो बुनियादी ऑपरेशन "रीड" हैं, जिसमें मेमोरी शब्द की डेटा सामग्री को पढ़ा जाता है (गैर-विनाशकारी रूप से), और "राइट" जिसमें डेटा को मेमोरी शब्द में संग्रहीत किया जाता है, किसी भी डेटा को प्रतिस्थापित करता है जो पहले वहां संग्रहीत किया गया था। डेटा दर को बढ़ाने के लिए, कुछ नवीनतम प्रकार के मेमोरी चिप्स जैसे कि डी. डी. आर. एस. डी. आर. ए. एम. में प्रत्येक पढ़ने या लिखने के संचालन के साथ कई शब्दों का उपयोग किया जाता है। स्टैंडअलोन मेमोरी चिप्स के अलावा, अर्धचालक मेमोरी के ब्लॉक कई कंप्यूटर और डेटा प्रोसेसिंग इंटीग्रेटेड सर्किट के अभिन्न अंग हैं। उदाहरण के लिए, कंप्यूटर चलाने वाले माइक्रोप्रोसेसर चिप्स में निष्पादन की प्रतीक्षा में निर्देशों को संग्रहीत करने के लिए कैश मेमोरी होती है। प्रकार वाष्पशील स्मृति वाष्पशील स्मृति अपने संग्रहीत डेटा को खो देती है जब स्मृति चिप की शक्ति बंद हो जाती है। हालाँकि यह गैर-वाष्पशील स्मृति की तुलना में तेज़ और कम खर्चीला हो सकता है। इस प्रकार का उपयोग अधिकांश कंप्यूटरों में मुख्य मेमोरी के लिए किया जाता है, क्योंकि कंप्यूटर बंद होने पर डेटा हार्ड डिस्क पर संग्रहीत किया जाता है। प्रमुख प्रकार हैंः रैम (यादृच्छिक-अभिगम स्मृति) यह किसी भी अर्धचालक स्मृति के लिए एक सामान्य शब्द बन गया है जिसे रोम (नीचे) के विपरीत लिखा और पढ़ा जा सकता है, जिसे केवल पढ़ा जा सकता है। केवल रैम ही नहीं, बल्कि सभी अर्धचालक स्मृति में यादृच्छिक अभिगम का गुण होता है। डी. आर. ए. एम. (डायनेमिक रैंडम-एक्सेस मेमोरी) यह प्रत्येक बिट को संग्रहीत करने के लिए एक एम. ओ. एस. एफ. ई. टी. (एम. ओ. एस. फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर) और एक एम. ओ. एस. संधारित्र से युक्त स्मृति कोशिकाओं का उपयोग करता है। इस प्रकार की रैम सबसे सस्ती और घनत्व में सबसे अधिक है, इसलिए इसका उपयोग कंप्यूटर में मुख्य मेमोरी के लिए किया जाता है। हालांकि, स्मृति कोशिकाओं में डेटा को संग्रहीत करने वाला विद्युत आवेश धीरे-धीरे बाहर निकलता है, इसलिए स्मृति कोशिकाओं को समय-समय पर ताज़ा (पुनर्लिखित) किया जाना चाहिए जिसके लिए अतिरिक्त परिपथ की आवश्यकता होती है। रीफ्रेश प्रक्रिया को कंप्यूटर द्वारा आंतरिक रूप से संभाला जाता है और यह अपने उपयोगकर्ता के लिए पारदर्शी है। एफ. पी. एम. डी. आर. ए. एम. (फास्ट पेज मोड डी. आर. ए. एम.) एक पुराने प्रकार का अतुल्यकालिक डी. आर. ए. एम. है जो पिछले प्रकारों में सुधार करता है और स्मृति के एकल "पृष्ठ" तक बार-बार पहुंच को तेज दर से होने की अनुमति देता है। 1990 के दशक के मध्य में उपयोग किया गया। ई. डी. ओ. डी. आर. ए. एम. (एक्सटेंडेड डेटा आउट डी. आर. ए. एम.) एक पुराने प्रकार का एसिंक्रोनस डी. आर. ए. एम. जिसमें एक नई मेमोरी एक्सेस शुरू करने में सक्षम होने के कारण पहले के प्रकारों की तुलना में तेजी से एक्सेस समय था, जबकि पिछले एक्सेस से डेटा अभी भी स्थानांतरित किया जा रहा था। 1990 के दशक के उत्तरार्ध में उपयोग किया गया। वी. आर. ए. एम. (वीडियो रैंडम एक्सेस मेमोरी) एक पुरानी प्रकार की दोहरी-पोर्टेड मेमोरी है जिसका उपयोग एक बार वीडियो एडेप्टर (वीडियो कार्ड) के फ्रेम बफर के लिए किया जाता था। एस. डी. आर. ए. एम. (सिंक्रोनस डायनामिक रैंडम-एक्सेस मेमोरी) यह डी. आर. ए. एम. चिप में सर्किटरी जोड़ता है जो कंप्यूटर की मेमोरी बस में जोड़े गए घड़ी संकेत के साथ सभी कार्यों को सिंक्रनाइज़ करता है। इसने चिप को गति बढ़ाने के लिए पाइपलाइनिंग का उपयोग करके एक साथ कई मेमोरी अनुरोधों को संसाधित करने की अनुमति दी। चिप पर डेटा को बैंकों में भी विभाजित किया गया है जो प्रत्येक मेमोरी ऑपरेशन पर एक साथ काम कर सकते हैं। यह वर्ष 2000 तक कंप्यूटर मेमोरी का प्रमुख प्रकार बन गया। डी. डी. आर. एस. डी. आर. ए. एम. (डबल डेटा रेट एस. डी. आर. ए. एम.) यह डबल पंपिंग (घड़ी की स्पंद के बढ़ते और गिरने वाले दोनों किनारों पर डेटा स्थानांतरित करना) द्वारा प्रत्येक घड़ी चक्र पर दो बार डेटा (लगातार दो शब्द) स्थानांतरित कर सकता है। इस विचार के विस्तार वर्तमान (2012) तकनीक हैं जिनका उपयोग स्मृति पहुंच दर और थ्रूपुट को बढ़ाने के लिए किया जा रहा है। चूँकि मेमोरी चिप्स की आंतरिक घड़ी की गति को और बढ़ाना मुश्किल साबित हो रहा है, ये चिप्स प्रत्येक घड़ी चक्र पर अधिक डेटा शब्दों को स्थानांतरित करके स्थानांतरण दर को बढ़ाते हैं DDR2 SDRAM प्रति आंतरिक घड़ी चक्र में लगातार 4 शब्दों को स्थानांतरित करता है DDR3 SDRAM प्रति आंतरिक घड़ी चक्र में लगातार 8 शब्दों को स्थानांतरित करता है। डी. डी. आर. 4 एस. डी. आर. ए. एम. प्रति आंतरिक घड़ी चक्र में लगातार 16 शब्दों को स्थानांतरित करता है। आर. डी. आर. ए. एम. (रैम्बस डी. आर. ए. एम.) एक वैकल्पिक दोहरा डेटा दर स्मृति मानक जिसका उपयोग कुछ इंटेल प्रणालियों पर किया गया था लेकिन अंततः डी. डी. आर. एस. डी. आर. ए. एम. से हार गया। एक्स. डी. आर. डी. आर. ए. एम. (एक्सट्रीम डेटा रेट डी. आर. ए. एम.) एस. जी. आर. ए. एम. (सिंक्रोनस ग्राफिक्स आर. ए. एम.) एक विशेष प्रकार का एस. डी. आर. ए. एम. है जो ग्राफिक्स एडाप्टर (वीडियो कार्ड) के लिए बनाया जाता है। यह ग्राफिक्स से संबंधित संचालन कर सकता है जैसे कि बिट मास्किंग और ब्लॉक राइट, और एक बार में मेमोरी के दो पृष्ठ खोल सकता है। जी. डी. डी. आर. एस. डी. आर. ए. एम. (ग्राफिक्स डी. डी. आर. एस. डी. आर. ए. एम.) जी. डी. डी. आर. 2 जी. डी. डी. आर. 3 एस. डी. आर. ए. एम. जी. डी. डी. आर. 4 एस. डी. आर. ए. एम. जी. डी. डी. आर. 5 एस. डी. आर. ए. एम. जी. डी. डी. आर. 6 एस. डी. आर. ए. एम. एच. बी. एम. (हाई बैंडविड्थ मेमोरी) ग्राफिक्स कार्ड में उपयोग किए जाने वाले एस. डी. आर. ए. एम. का एक विकास है जो तेजी से डेटा स्थानांतरित कर सकता है। इसमें एक दूसरे के ऊपर ढेर किए गए कई मेमोरी चिप्स होते हैं, जिसमें एक व्यापक डेटा बस होता है। पी. एस. आर. ए. एम. (स्यूडोस्टैटिक आर. ए. एम.) यह डी. आर. ए. एम. है जिसमें चिप पर मेमोरी रिफ्रेश करने के लिए सर्किटरी होती है, ताकि यह एस. आर. ए. एम. की तरह काम करे, जिससे ऊर्जा बचाने के लिए बाहरी मेमोरी नियंत्रक को बंद किया जा सके। इसका उपयोग वाईआई जैसे कुछ गेम कंसोल में किया जाता है। एस. आर. ए. एम. (स्टेटिक रैंडम-एक्सेस मेमोरी) यह डेटा के प्रत्येक बिट को एक सर्किट में संग्रहीत करता है जिसे 4 से 6 ट्रांजिस्टर से बना एक फ़्लिप-फ़्लॉप कहा जाता है। एस. आर. ए. एम. डी. आर. ए. एम. की तुलना में कम घना और प्रति बिट अधिक महंगा है, लेकिन तेज है और इसे मेमोरी रिफ्रेश की आवश्यकता नहीं है। इसका उपयोग कंप्यूटर में छोटी कैश मेमोरी के लिए किया जाता है। सी. ए. एम. (कंटेंट-एड्रेसेबल मेमोरी) यह एक विशेष प्रकार है जिसमें, एक पते का उपयोग करके डेटा तक पहुंचने के बजाय, एक डेटा शब्द लागू किया जाता है और यदि शब्द मेमोरी में संग्रहीत होता है तो मेमोरी उस स्थान को लौटाती है। यह ज्यादातर माइक्रोप्रोसेसर जैसे अन्य चिप्स में शामिल किया जाता है जहां इसका उपयोग कैश मेमोरी के लिए किया जाता है। गैर-वाष्पशील स्मृति गैर-वाष्पशील स्मृति (एन. वी. एम.) चिप की बिजली बंद होने की अवधि के दौरान इसमें संग्रहीत डेटा को संरक्षित करती है। इसलिए, इसका उपयोग पोर्टेबल उपकरणों में मेमोरी के लिए किया जाता है, जिनमें डिस्क नहीं होती हैं, और अन्य उपयोगों के बीच हटाने योग्य मेमोरी कार्ड के लिए भी किया जाता है। प्रमुख प्रकार हैंः रॉम (केवल पढ़ने के लिए स्मृति) यह स्थायी डेटा रखने के लिए डिज़ाइन किया गया है, और सामान्य संचालन में केवल पढ़ा जाता है, न कि लिखा जाता है। हालांकि कई प्रकारों को लिखा जा सकता है, लेखन प्रक्रिया धीमी है और आमतौर पर चिप में सभी डेटा को एक बार में फिर से लिखा जाना चाहिए। इसका उपयोग आमतौर पर सिस्टम सॉफ़्टवेयर को संग्रहीत करने के लिए किया जाता है जो कंप्यूटर के लिए तुरंत सुलभ होना चाहिए, जैसे कि बी. आई. ओ. एस. प्रोग्राम जो कंप्यूटर को शुरू करता है, और पोर्टेबल उपकरणों और एम्बेडेड कंप्यूटर जैसे माइक्रोकंट्रोलर के लिए सॉफ़्टवेयर (माइक्रोकॉड)। एम. आर. ओ. एम. (मास्क प्रोग्राम्ड रॉम या मास्क रॉम) इस प्रकार में चिप के निर्माण के समय डेटा को चिप में प्रोग्राम किया जाता है, इसलिए इसका उपयोग केवल बड़े उत्पादन के लिए किया जाता है। इसे नए डेटा के साथ फिर से नहीं लिखा जा सकता है। पी. आर. ओ. एम. (प्रोग्रामेबल रीड-ओनली मेमोरी) इस प्रकार में डेटा को सर्किट में स्थापित करने से पहले एक मौजूदा पी. आर. ओ. एम. चिप में लिखा जाता है, लेकिन इसे केवल एक बार लिखा जा सकता है। डेटा को PROM प्रोग्रामर नामक उपकरण में चिप को प्लग करके लिखा जाता है। ई. पी. आर. ओ. एम. (इरेजेबल प्रोग्रामेबल रीड-ओनली मेमोरी या यू. वी. ई. पी. आर. ओ. एम.) इस प्रकार में डेटा को सर्किट बोर्ड से चिप को हटाकर, मौजूदा डेटा को मिटाने के लिए इसे पराबैंगनी प्रकाश में उजागर करके और इसे पी. आर. ओ. एम. प्रोग्रामर में प्लग करके फिर से लिखा जा सकता है। आई. सी. पैकेज में यू. वी. प्रकाश को स्वीकार करने के लिए शीर्ष में एक छोटी पारदर्शी "खिड़की" होती है। इसका उपयोग अक्सर प्रोटोटाइप और छोटे उत्पादन चलाने वाले उपकरणों के लिए किया जाता है, जहां इसमें कार्यक्रम को कारखाने में बदलना पड़ सकता है। EEPROM (इलेक्ट्रिकली इरेजेबल प्रोग्रामेबल रीड-ओनली मेमोरी) इस प्रकार में डेटा को इलेक्ट्रिकली फिर से लिखा जा सकता है, जबकि चिप सर्किट बोर्ड पर होती है, लेकिन लिखने की प्रक्रिया धीमी होती है। इस प्रकार का उपयोग फर्मवेयर को रखने के लिए किया जाता है, निम्न स्तर का माइक्रोकोड जो हार्डवेयर उपकरणों को चलाता है, जैसे कि अधिकांश कंप्यूटरों में बी. आई. ओ. एस. प्रोग्राम, ताकि इसे अद्यतन किया जा सके। एन. वी. आर. ए. एम. (नॉन-वोलेटाइल रैंडम-एक्सेस मेमोरी) एफ. आर. ए. एम. (फेरोइलेक्ट्रिक रैम) एक प्रकार की नॉन-वोलेटाइल रैम है। फ्लैश मेमोरी इस प्रकार में लेखन प्रक्रिया EEPROMS और RAM मेमोरी के बीच की गति में मध्यवर्ती है; इसे लिखा जा सकता है, लेकिन मुख्य मेमोरी के रूप में काम करने के लिए पर्याप्त तेज़ नहीं है। इसका उपयोग अक्सर फ़ाइलों को संग्रहीत करने के लिए हार्ड डिस्क के अर्धचालक संस्करण के रूप में किया जाता है। इसका उपयोग पोर्टेबल उपकरणों जैसे पीडीए, यूएसबी फ्लैश ड्राइव और डिजिटल कैमरों और सेलफोन में उपयोग किए जाने वाले हटाने योग्य मेमोरी कार्ड में किया जाता है। प्रारंभिक कंप्यूटर मेमोरी में मैग्नेटिक-कोर मेमोरी शामिल थी, क्योंकि बाइपोलर जंक्शन ट्रांजिस्टर (बीजेटी) जैसे ट्रांजिस्टर सहित प्रारंभिक सॉलिड-स्टेट इलेक्ट्रॉनिक अर्धचालक डिजिटल भंडारण तत्वों (मेमोरी सेल) के रूप में उपयोग के लिए अव्यावहारिक थे। सबसे पुरानी अर्धचालक स्मृति 1960 के दशक की शुरुआत की है, जिसमें द्विध्रुवी स्मृति है, जिसमें द्विध्रुवी ट्रांजिस्टर का उपयोग किया जाता है। असतत उपकरणों से बनी द्विध्रुवीय अर्धचालक स्मृति को पहली बार 1961 में टेक्सास इंस्ट्रूमेंट्स द्वारा संयुक्त राज्य वायु सेना को भेजा गया था। उसी वर्ष, एक एकीकृत परिपथ (आईसी) चिप पर ठोस-अवस्था स्मृति की अवधारणा फेयरचाइल्ड सेमीकंडक्टर में अनुप्रयोग अभियंता बॉब नॉर्मन द्वारा प्रस्तावित की गई थी। पहला एकल-चिप मेमोरी आई. सी. बी. जे. टी. 16-बिट आई. बी. एम. एस. पी. 95 था जिसे दिसंबर 1965 में पॉल कैस्ट्रुकी द्वारा निर्मित किया गया था। जबकि द्विध्रुवीय स्मृति ने चुंबकीय-कोर स्मृति की तुलना में बेहतर प्रदर्शन की पेशकश की, यह चुंबकीय-कोर स्मृति की कम कीमत के साथ प्रतिस्पर्धा नहीं कर सकी, जो 1960 के दशक के अंत तक प्रमुख रही। द्विध्रुवीय स्मृति चुंबकीय-कोर स्मृति को बदलने में विफल रही क्योंकि द्विध्रुवीय फ़्लिप-फ़्लॉप परिपथ बहुत बड़े और महंगे थे। एम. ओ. एस. स्मृति 1959 में बेल लैब्स में मोहम्मद एम. अटाला और डावोन काहंग द्वारा आविष्कार किए गए धातु-ऑक्साइड-अर्धचालक क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर (एम. ओ. एस. एफ. ई. टी.) के आगमन ने स्मृति कोशिका भंडारण तत्वों के रूप में धातु-ऑक्साइड-अर्धचालक (एम. ओ. एस.) ट्रांजिस्टर के व्यावहारिक उपयोग को सक्षम किया, एक कार्य जो पहले कंप्यूटर स्मृति में चुंबकीय कोर द्वारा प्रदान किया जाता था। एम. ओ. एस. स्मृति 1964 में फेयरचाइल्ड सेमीकंडक्टर में जॉन श्मिट द्वारा विकसित की गई थी। उच्च प्रदर्शन के अलावा, एम. ओ. एस. स्मृति सस्ती थी और चुंबकीय-कोर स्मृति की तुलना में कम शक्ति की खपत करती थी। इसने एम. ओ. एस. एफ. ई. टी. को अंततः कंप्यूटर मेमोरी में मानक भंडारण तत्वों के रूप में चुंबकीय कोर की जगह लेने के लिए प्रेरित किया। 1965 में जे. रॉयल रडार इस्टैब्लिशमेंट के वुड और आर. बॉल ने डिजिटल भंडारण प्रणालियों का प्रस्ताव रखा जो बिजली आपूर्ति, स्विच क्रॉस-कपलिंग, स्विच और डिले-लाइन भंडारण के लिए एम. ओ. एस. एफ. ई. टी. बिजली उपकरणों के अलावा सी. एम. ओ. एस. (पूरक एम. ओ. एस.) स्मृति कोशिकाओं का उपयोग करते हैं। 1968 में फेयरचाइल्ड में फेडेरिको फेगिन द्वारा सिलिकॉन-गेट एम. ओ. एस. इंटीग्रेटेड सर्किट (एम. ओ. एस. आई. सी.) तकनीक के विकास ने एम. ओ. एस. मेमोरी चिप्स के उत्पादन को सक्षम बनाया। 1970 के दशक की शुरुआत में आई. बी. एम. द्वारा एन. एम. ओ. एस. स्मृति का व्यावसायीकरण किया गया था। एम. ओ. एस. स्मृति ने 1970 के दशक की शुरुआत में प्रमुख स्मृति प्रौद्योगिकी के रूप में चुंबकीय कोर स्मृति को पीछे छोड़ दिया। "मेमोरी" शब्द का उपयोग जब कंप्यूटर के संदर्भ में किया जाता है तो अक्सर अस्थिर यादृच्छिक-अभिगम मेमोरी (RAM) को संदर्भित करता है। अस्थिर रैम के दो मुख्य प्रकार स्थिर यादृच्छिक अभिगम स्मृति (एस. आर. ए. एम.) और गतिशील यादृच्छिक अभिगम स्मृति (डी. आर. ए. एम.) हैं। बाइपोलर एसआरएएम का आविष्कार रॉबर्ट नॉर्मन द्वारा 1963 में फेयरचाइल्ड सेमीकंडक्टर में किया गया था, इसके बाद 1964 में फेयरचाइल्ड में जॉन श्मिट द्वारा एमओएस एसआरएएम का विकास किया गया था। एस. आर. ए. एम. मैग्नेटिक-कोर मेमोरी का एक विकल्प बन गया, लेकिन प्रत्येक बिट डेटा के लिए छह एम. ओ. एस. ट्रांजिस्टर की आवश्यकता थी। एस. आर. ए. एम. का व्यावसायिक उपयोग 1965 में शुरू हुआ, जब आई. बी. एम. ने सिस्टम/360 मॉडल 95 के लिए अपनी एस. पी. 95 एस. आर. ए. एम. चिप पेश की। तोशिबा ने 1965 में अपने टोस्कल बी. सी.-1411 इलेक्ट्रॉनिक कैलकुलेटर के लिए द्विध्रुवीय डी. आर. ए. एम. स्मृति कोशिकाओं की शुरुआत की। जबकि इसने चुंबकीय-कोर स्मृति पर बेहतर प्रदर्शन की पेशकश की, द्विध्रुवीय डी. आर. ए. एम. तत्कालीन प्रमुख चुंबकीय-कोर स्मृति की कम कीमत के साथ प्रतिस्पर्धा नहीं कर सका। एम. ओ. एस. प्रौद्योगिकी आधुनिक डी. आर. ए. एम. का आधार है। 1966 में आई. बी. एम. थॉमस जे. वाटसन रिसर्च सेंटर में डॉ. रॉबर्ट एच. डेनार्ड एम. ओ. एस. मेमोरी पर काम कर रहे थे। एम. ओ. एस. प्रौद्योगिकी की विशेषताओं की जांच करते समय, उन्होंने पाया कि यह संधारित्र बनाने में सक्षम था, और एम. ओ. एस. संधारित्र पर एक चार्ज या कोई चार्ज संग्रहीत करना एक बिट के 1 और 0 का प्रतिनिधित्व कर सकता है, जबकि एम. ओ. एस. ट्रांजिस्टर संधारित्र को चार्ज लिखने को नियंत्रित कर सकता है। इससे उनका एकल-ट्रांजिस्टर डी. आर. ए. एम. स्मृति कोशिका का विकास हुआ। 1967 में, डेनार्ड ने एम. ओ. एस. प्रौद्योगिकी पर आधारित एकल-ट्रांजिस्टर डी. आर. ए. एम. मेमोरी सेल के लिए आई. बी. एम. के तहत एक पेटेंट दायर किया। इसने अक्टूबर 1970 में पहली वाणिज्यिक डी. आर. ए. एम. आई. सी. चिप, इंटेल 1103 का नेतृत्व किया। सिंक्रोनस डायनामिक रैंडम-एक्सेस मेमोरी (एस. डी. आर. ए. एम.) ने बाद में 1992 में सैमसंग के. एम. 48. एस. एल. 2000 चिप के साथ शुरुआत की। "मेमोरी" शब्द का उपयोग अक्सर गैर-वाष्पशील मेमोरी, विशेष रूप से फ्लैश मेमोरी को संदर्भित करने के लिए भी किया जाता है। इसकी उत्पत्ति रीड-ओनली मेमोरी (रॉम) में हुई है। प्रोग्रामेबल रीड-ओनली मेमोरी (पी. आर. ओ. एम.) का आविष्कार वेन त्सिंग चाउ ने 1956 में अमेरिकी बॉश आर्मा कॉर्पोरेशन के आर्मा डिवीजन के लिए काम करते हुए किया था। 1967 में, बेल लैब्स के डावोन काहंग और साइमन सेज़ ने प्रस्ताव दिया कि एक एम. ओ. एस. अर्धचालक उपकरण के तैरते गेट का उपयोग एक रिप्रोग्रामेबल रीड-ओनली मेमोरी (आर. ओ. एम.) की कोशिका के लिए किया जा सकता है, जिसके कारण इंटेल के डॉव फ्रोहमैन ने 1971 में ई. पी. आर. ओ. एम. (इरेजेबल पी. आर. ओ. एम.) का आविष्कार किया। EEPROM (इलेक्ट्रिकली इरेजेबल PROM) को 1972 में जापान के अंतर्राष्ट्रीय व्यापार और उद्योग मंत्रालय (MITI) इलेक्ट्रोटेक्निकल प्रयोगशाला में यासुओ तारुई, युटाका हयाशी और कियोको नागा द्वारा विकसित किया गया था। फ्लैश मेमोरी का आविष्कार 1980 के दशक की शुरुआत में तोशिबा में फुजियो मासुओका द्वारा किया गया था। मासुओका और उनके सहयोगियों ने 1984 में एन. ओ. आर. फ्लैश और फिर 1987 में एन. ए. एन. डी. फ्लैश का आविष्कार प्रस्तुत किया। तोशिबा ने 1987 में नैंड फ्लैश मेमोरी का व्यावसायीकरण किया। अनुप्रयोग भी देखें सबसे अधिक बिकने वाले इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों की सूची अर्धचालक उद्योग संदर्भ डिजिटल इलेक्ट्रॉनिक्स कंप्यूटर मेमोरी इंटीग्रेटेड सर्किट MOSFETs