Anisotropic conductive film
अनिसोट्रोपिक कंडक्टिव फिल्म (एसीएफ) एक चिपकने वाली इंटरकनेक्ट प्रणाली है जिसका उपयोग आमतौर पर लिक्विड क्रिस्टल डिस्प्ले निर्माण में चालक इलेक्ट्रॉनिक्स से एलसीडी के कांच के सब्सट्रेट तक विद्युत और यांत्रिक कनेक्शन बनाने के लिए किया जाता है। यह सामग्री एक पेस्ट के रूप में भी उपलब्ध है जिसे अनिसोट्रोपिक कंडक्टिव पेस्ट (एसीपी) कहा जाता है, और दोनों को अनिसोट्रोपिक कंडक्टिव एडहेसिव (एसीए) के रूप में एक साथ समूहीकृत किया जाता है। ए. सी. ए. का उपयोग हाल ही में हाथ में पकड़े जाने वाले इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों जैसे मोबाइल फोन, एम. पी. 3 प्लेयर या सी. एम. ओ. एस. कैमरा मॉड्यूल की असेंबली में उपयोग किए जाने वाले फ्लेक्स-टू-बोर्ड या फ्लेक्स-टू-फ्लेक्स कनेक्शन का प्रदर्शन करने के लिए किया गया है। 1970 के दशक के अंत और 1980 के दशक की शुरुआत में निप्पन ग्रेफाइट इंडस्ट्रीज द्वारा हीट सील कनेक्टर्स और हिताची केमिकल्स एंड डेक्सिरियल्स (पूर्व में सोनी केमिकल्स एंड इंफॉर्मेशन डिवाइसेस के रूप में जाना जाता था) द्वारा एसीएफ के साथ इतिहास एसीए का विकास हुआ। वर्तमान में हीट सील कनेक्टर और एसीए के कई निर्माता हैं, लेकिन बाजार हिस्सेदारी के मामले में हिताची और सोनी उद्योग पर हावी हैं। ए. सी. ए. के अन्य निर्माताओं में 3एम, लॉक्टाइट, डी. ई. एल. ओ., क्रिएटिव मैटेरियल्स, हेंकल, सन रे साइंटिफिक, क्योसेरा, थ्री बॉन्ड, पैनाकोल और बी. टेक शामिल हैं। बहुत शुरुआती वर्षों में, ए. सी. ए. रबर, ऐक्रेलिक और अन्य चिपकने वाले यौगिकों से बनाए गए थे, लेकिन वे तेजी से थर्मोसेट बाइफिनाइल प्रकार के एपॉक्सी रेजिन के कई अलग-अलग रूपों में परिवर्तित हो गए। हालाँकि, आवश्यक तापमान 170-180 C पर अपेक्षाकृत अधिक था, और बाजार के नेताओं सोनी और हिताची ने 2000 के दशक की शुरुआत में ऐक्रेलिक-आधारित सामग्री विकसित और जारी की, जिसने उपचार के समय को 10-12 दूसरी सीमा में रखते हुए उपचार के तापमान को 150C से नीचे ला दिया। उपयोग किए जाने वाले ऐक्रेलिक यौगिकों में आगे की प्रगति ने कई मामलों में उपचार चक्र के समय को 5 सेकंड से कम कर दिया, जहां वे इस लेखन के रूप में बने हुए हैं। विनिर्देशन पत्रक ऊपर सूचीबद्ध सभी निर्माताओं की साइटों पर उपलब्ध हैं। वर्तमान बाजार एसीएफ एसीए के लिए सबसे लोकप्रिय रूप कारक बना हुआ है, जो मुख्य रूप से सामग्री की मात्रा, किसी भी नमूने में कणों के घनत्व और नमूने के भीतर उन कणों के वितरण को सटीक रूप से नियंत्रित करने की क्षमता के कारण है। यह विशेष रूप से प्रदर्शन इंटरकनेक्ट्स के पारंपरिक एसीएफ गढ़ में सच है, लेकिन एसीएफ ने प्रदर्शन उद्योग से बाहर और लंबे समय से सतह-माउंट प्रौद्योगिकियों के प्रभुत्व वाले क्षेत्रों में भी मजबूत विकास देखा है। एक बहुत छोटे से XYZ स्थान में परस्पर संबंध बनाने की क्षमता इस विस्तार में प्रमुख चालक रही है, जो कुछ स्थितियों में घटक गणना या कुल उपयोग की गई सामग्री में कमी करके लागत को बहुत कम करने की क्षमता से मदद करती है। ए. सी. पी. का व्यापक रूप से निचले स्तर के अनुप्रयोगों में उपयोग किया जाता है, मुख्य रूप से आर. एफ. आई. डी. एंटीना सब्सट्रेट पर चिप्स की असेंबली में। इनका उपयोग कुछ बोर्ड या फ्लेक्स असेंबली अनुप्रयोगों में भी किया जाता है, लेकिन एसीएफ की तुलना में बहुत कम स्तर पर। जबकि ए. सी. पी. आम तौर पर ए. सी. एफ. की तुलना में कम लागत वाले होते हैं, वे ए. सी. एफ. के रूप में चिपकने वाली मात्रा और कण फैलाव में समान स्तर का नियंत्रण प्रदान नहीं कर सकते हैं। इस कारण से उच्च घनत्व वाले अनुप्रयोगों के लिए उनका उपयोग करना बहुत मुश्किल है। प्रौद्योगिकी अवलोकन एसीएफ प्रौद्योगिकी का उपयोग चिप-ऑन-ग्लास (सीओजी), फ्लेक्स-ऑन-ग्लास (एफओजी), फ्लेक्स-ऑन-बोर्ड (एफओबी), फ्लेक्स-ऑन-फ्लेक्स (एफओएफ), चिप-ऑन-फ्लेक्स (सीओएफ), चिप-ऑन-बोर्ड (सीओबी), और उच्च संकेत घनत्व और छोटे समग्र पैकेजों के लिए इसी तरह के अनुप्रयोगों में किया जाता है। ए. सी. पी. का उपयोग आम तौर पर केवल कम घनत्व और लागत आवश्यकताओं वाले चिप-ऑन-फ्लेक्स (सी. ओ. एफ.) अनुप्रयोगों में किया जाता है, जैसे कि आर. एफ. आई. डी. एंटेना के लिए, या हाथ से पकड़े जाने वाले इलेक्ट्रॉनिक्स में एफ. ओ. एफ. और एफ. ओ. बी. संयोजनों में। सी. ओ. जी., विशेष रूप से, प्रदर्शन से जुड़ने के लिए सोने के धक्कों का भी उपयोग करता है। सभी मामलों में अनिसोट्रोपिक सामग्री, उदाहरण के लिए, एक थर्मोसेटिंग राल जिसमें प्रवाहकीय कण होते हैं, पहले आधार सब्सट्रेट पर जमा किया जाता है। यह एसीएफ के लिए एक लेमिनेशन प्रक्रिया का उपयोग करके किया जा सकता है, या या तो एसीपी के लिए एक वितरण या मुद्रण प्रक्रिया का उपयोग करके किया जा सकता है। इसके बाद उपकरण या द्वितीयक सब्सट्रेट को आधार सब्सट्रेट के ऊपर रखा जाता है और दोनों पक्षों को माध्यमिक सब्सट्रेट या उपकरण को आधार सब्सट्रेट पर स्थापित करने के लिए एक साथ दबाया जाता है। कई मामलों में यह माउंटिंग प्रक्रिया बिना किसी गर्मी या न्यूनतम मात्रा में गर्मी के साथ की जाती है जो कि अनिसोट्रोपिक सामग्री को थोड़ा पेचीदा बनाने के लिए पर्याप्त है। प्रवाहकीय कणों वाले थर्मोसेटिंग राल का उपयोग करने के मामले में, कण सब्सट्रेट और घटक के बीच इलेक्ट्रोड जैसे प्रमुख बिंदुओं के बीच फंस जाते हैं, जिससे उनके बीच एक विद्युत संबंध बन जाता है। अन्य कण थर्मोसेटिंग राल द्वारा अछूते होते हैं। कुछ मामलों में इस बढ़ते कदम को छोड़ दिया जाता है और दोनों पक्ष सीधे प्रक्रिया के बंधन भाग में जाते हैं। उच्च मात्रा के विनिर्माण में, हालांकि, यह विनिर्माण प्रक्रिया में अक्षमताओं को जन्म देगा, इसलिए प्रत्यक्ष बंधन आमतौर पर केवल प्रयोगशाला में या छोटे पैमाने के निर्माण में किया जाता है। ए. सी. एफ. संयोजन को पूरा करने के लिए आवश्यक तीसरी और अंतिम प्रक्रिया बंधन है। पहली दो प्रक्रियाओं में तापमान परिवेश से लेकर 100 डिग्री सेल्सियस तक हो सकता है, जिसमें 1 सेकंड या उससे कम समय के लिए गर्मी लगाई जाती है। बंधन के लिए, पहले चिपकने वाले को प्रवाहित करने और दोनों पक्षों को विद्युत संपर्क में आने की अनुमति देने की आवश्यकता के कारण आवश्यक तापीय ऊर्जा की मात्रा अधिक होती है, और फिर चिपकने वाले को ठीक करने और एक स्थायी विश्वसनीय बंधन बनाने के लिए। इन प्रक्रियाओं के लिए आवश्यक तापमान, समय और दबाव भिन्न हो सकते हैं जैसा कि निम्नलिखित तालिका में दिखाया गया है। तालिका 1: सामान्य ए. सी. एफ. संयोजन की शर्तें फ्लेक्स संयोजनों (एफ. ओ. जी., एफ. ओ. बी., एफ. ओ. एफ.) के लिए दबाव को बॉन्डहेड के तहत पूरे क्षेत्र में मापा जाता है। चिप संयोजनों (सी. ओ. जी., सी. ओ. एफ.) के लिए दबाव की गणना चिप पर धक्कों के संचयी सतह क्षेत्र पर की जाती है। इलास्टोमेरिक कनेक्टर, एक अन्य जोड़ने वाली तकनीक एल. सी. डी. संदर्भ तरल क्रिस्टल प्रदर्शन भी देखें।