Memory refresh
मेमोरी रिफ्रेश कंप्यूटर मेमोरी के एक क्षेत्र से समय-समय पर जानकारी को पढ़ने और जानकारी को संरक्षित करने के उद्देश्य से बिना किसी संशोधन के उसी क्षेत्र में तुरंत पढ़ने की जानकारी को फिर से लिखने की प्रक्रिया है। मेमोरी रिफ्रेश एक पृष्ठभूमि रखरखाव प्रक्रिया है जो सेमीकंडक्टर डायनामिक रैंडम-एक्सेस मेमोरी (डी. आर. ए. एम.) के संचालन के दौरान आवश्यक होती है, जो कंप्यूटर मेमोरी का सबसे व्यापक रूप से उपयोग किया जाने वाला प्रकार है, और वास्तव में मेमोरी के इस वर्ग की परिभाषित विशेषता है। डी. आर. ए. एम. चिप में, मेमोरी डेटा के प्रत्येक बिट को चिप पर एक छोटे संधारित्र पर विद्युत आवेश की उपस्थिति या अनुपस्थिति के रूप में संग्रहीत किया जाता है। जैसे-जैसे समय बीतता जाता है, स्मृति कोशिकाओं में आवेश दूर हो जाते हैं, इसलिए ताज़ा किए बिना संग्रहीत डेटा अंततः खो जाएगा। इसे रोकने के लिए, बाहरी सर्किटरी समय-समय पर प्रत्येक सेल को पढ़ती है और इसे फिर से लिखती है, जिससे संधारित्र पर चार्ज को उसके मूल स्तर पर बहाल किया जाता है। प्रत्येक स्मृति ताज़ा चक्र स्मृति कोशिकाओं के एक सफल क्षेत्र को ताज़ा करता है, इस प्रकार लगातार चक्र में सभी कोशिकाओं को बार-बार ताज़ा करता है। यह प्रक्रिया स्मृति परिपथ द्वारा पृष्ठभूमि में स्वचालित रूप से आयोजित की जाती है और उपयोगकर्ता के लिए पारदर्शी होती है। जबकि एक ताज़ा चक्र हो रहा है, स्मृति सामान्य पढ़ने और लिखने के संचालन के लिए उपलब्ध नहीं है, लेकिन आधुनिक स्मृति में यह "ऊपरी" समय स्मृति संचालन को काफी धीमा करने के लिए पर्याप्त नहीं है। इलेक्ट्रॉनिक मेमोरी जिसे ताज़ा करने की आवश्यकता नहीं होती है, वह उपलब्ध है, जिसे स्टैटिक रैंडम-एक्सेस मेमोरी (एसआरएएम) कहा जाता है। एस. आर. ए. एम. परिपथ को एक चिप पर अधिक क्षेत्र की आवश्यकता होती है, क्योंकि डी. आर. ए. एम. के लिए एकल ट्रांजिस्टर और एक संधारित्र की तुलना में एस. आर. ए. एम. स्मृति कक्ष को चार से छह ट्रांजिस्टर की आवश्यकता होती है। नतीजतन, डी. आर. ए. एम. की तुलना में एस. आर. ए. एम. चिप्स में डेटा घनत्व बहुत कम होता है, और एस. आर. ए. एम. की प्रति बिट कीमत अधिक होती है। इसलिए, डी. आर. ए. एम. का उपयोग कंप्यूटर, वीडियो गेम कंसोल, ग्राफिक्स कार्ड और बड़ी क्षमताओं और कम लागत वाले अनुप्रयोगों में मुख्य स्मृति के लिए किया जाता है। मेमोरी रिफ्रेश की आवश्यकता डी. आर. ए. एम. टाइमिंग और सर्किट को एस. आर. ए. एम. सर्किट की तुलना में काफी अधिक जटिल बनाती है, लेकिन डी. आर. ए. एम. के घनत्व और लागत लाभ इस जटिलता को सही ठहराते हैं। डी. आर. ए. एम. रीफ्रेश कैसे काम करता है जबकि मेमोरी काम कर रही होती है, प्रत्येक मेमोरी सेल को निर्माता द्वारा निर्दिष्ट रीफ्रेश के बीच अधिकतम अंतराल के भीतर बार-बार रीफ्रेश किया जाना चाहिए, जो आमतौर पर मिलीसेकंड क्षेत्र में होता है। रिफ्रेशिंग डेटा तक पहुँचने के लिए उपयोग किए जाने वाले सामान्य स्मृति संचालन (पढ़ने और लिखने के चक्र) को नियोजित नहीं करता है, लेकिन विशेष चक्र जिन्हें रिफ्रेश चक्र कहा जाता है, जो मेमोरी सर्किटरी में अलग-अलग काउंटर सर्किट द्वारा उत्पन्न होते हैं और सामान्य मेमोरी एक्सेस के बीच फैले होते हैं। मेमोरी चिप पर भंडारण कक्षों को पंक्तियों और स्तंभों की एक आयताकार सरणी में रखा जाता है। डी. आर. ए. एम. में पढ़ने की प्रक्रिया विनाशकारी होती है और पूरी पंक्ति में स्मृति कोशिकाओं पर चार्ज को हटा देती है, इसलिए चिप पर विशेष लैच की एक पंक्ति होती है जिसे सेंस एम्पलीफायर कहा जाता है, जो स्मृति कोशिकाओं के प्रत्येक स्तंभ के लिए एक होती है, ताकि अस्थायी रूप से डेटा को रखा जा सके। एक सामान्य रीड ऑपरेशन के दौरान, सेंस एम्पलीफायर डेटा को पढ़ने और जोड़ने के बाद, एक कॉलम से आउटपुट पर बिट भेजने से पहले एक्सेस की गई पंक्ति में डेटा को फिर से लिखते हैं। इसका मतलब है कि चिप पर सामान्य रीड इलेक्ट्रॉनिक्स समानांतर में मेमोरी की एक पूरी पंक्ति को ताज़ा कर सकता है, जो ताज़ा प्रक्रिया को काफी तेज़ कर सकता है। एक सामान्य पढ़ने या लिखने का चक्र स्मृति की एक पंक्ति को ताज़ा करता है, लेकिन आवश्यक समय के भीतर सभी पंक्तियों को हिट करने के लिए सामान्य स्मृति अभिगम पर भरोसा नहीं किया जा सकता है, जिससे एक अलग ताज़ा प्रक्रिया की आवश्यकता होती है। रिफ्रेश प्रक्रिया में सामान्य पढ़ने के चक्र का उपयोग करने के बजाय, समय बचाने के लिए एक संक्षिप्त चक्र का उपयोग किया जाता है जिसे रिफ्रेश चक्र कहा जाता है। रीफ्रेश चक्र पढ़ने के चक्र के समान है, लेकिन दो कारणों से तेजी से निष्पादित होता हैः रीफ्रेश के लिए, केवल पंक्ति पते की आवश्यकता होती है, इसलिए चिप पता परिपथ पर एक कॉलम पते को लागू करने की आवश्यकता नहीं होती है। कोशिकाओं से पढ़े गए डेटा को सीपीयू को भेजने के लिए आउटपुट बफर या डेटा बस में डालने की आवश्यकता नहीं होती है। रीफ्रेश सर्किटरी को रीफ्रेश समय अंतराल के भीतर चिप पर प्रत्येक पंक्ति पर एक रीफ्रेश चक्र करना चाहिए, ताकि यह सुनिश्चित किया जा सके कि प्रत्येक सेल रीफ्रेश हो जाए। रीफ्रेश परिपथ के प्रकार हालांकि कुछ प्रारंभिक प्रणालियों में माइक्रोप्रोसेसर नियंत्रित रीफ्रेश, एक टाइमर के साथ एक आवधिक व्यवधान को ट्रिगर करता है जो एक सबरूटीन चलाता है जो रीफ्रेश करता है, इसका मतलब है कि माइक्रोप्रोसेसर को रीफ्रेश प्रक्रिया को रोके बिना और स्मृति में डेटा खोए बिना रुका, एकल-कदम या ऊर्जा-बचत हाइबरनेशन में नहीं रखा जा सकता है। इसलिए आधुनिक प्रणालियों में रिफ्रेश को मेमोरी कंट्रोलर में सर्किट द्वारा नियंत्रित किया जाता है, जिसे चिप में ही एम्बेड किया जा सकता है। कुछ डी. आर. ए. एम. चिप्स, जैसे कि स्यूडोस्टैटिक आर. ए. एम. (पी. एस. आर. ए. एम.), में चिप पर सभी रिफ्रेश सर्किटरी होती है, और जहां तक बाकी कंप्यूटर का संबंध है, स्थिर आर. ए. एम. की तरह काम करता है। आम तौर पर रीफ्रेश सर्किटरी में एक रीफ्रेश काउंटर होता है जिसमें रीफ्रेश करने के लिए पंक्ति का पता होता है जिसे चिप की पंक्ति के पते पर लगाया जाता है, और एक टाइमर जो पंक्तियों के माध्यम से कदम रखने के लिए काउंटर को बढ़ाता है। यह काउंटर स्मृति नियंत्रक परिपथ का हिस्सा हो सकता है, या स्मृति चिप पर ही हो सकता है। दो समय निर्धारण रणनीतियों का उपयोग किया गया हैः बर्स्ट रिफ्रेश-सभी पंक्तियों को ताज़ा किए जाने तक ताज़ा चक्रों की एक श्रृंखला एक के बाद एक की जाती है, जिसके बाद सामान्य स्मृति पहुँच तब तक होती है जब तक कि अगले ताज़ा की आवश्यकता नहीं होती है वितरित ताज़ा-ताज़ा चक्र नियमित अंतराल पर किए जाते हैं, स्मृति पहुँच के साथ बिखरे हुए। बर्स्ट रीफ्रेश के परिणामस्वरूप लंबे समय तक मेमोरी उपलब्ध नहीं होती है, इसलिए वितरित रीफ्रेश का उपयोग अधिकांश आधुनिक प्रणालियों में किया गया है, विशेष रूप से वास्तविक समय प्रणालियों में। वितरित रीफ्रेश में, रीफ्रेश चक्रों के बीच का अंतराल है उदाहरण के लिए, डी. डी. आर. एस. डी. आर. ए. एम. में 64 एमएस और 8,192 पंक्तियों का रीफ्रेश समय होता है, इसलिए रीफ्रेश चक्र अंतराल 7.8 माइक्रोन है। डी. आर. ए. एम. चिपों की हाल की पीढ़ियों में एक अभिन्न ताज़ा काउंटर होता है, और स्मृति नियंत्रण परिपथ या तो इस काउंटर का उपयोग कर सकता है या बाहरी काउंटर से एक पंक्ति पता प्रदान कर सकता है। इन चिप्स में रिफ्रेश प्रदान करने के तीन मानक तरीके हैं, जिन्हें "कॉलम सेलेक्ट" (सीएएस) और "रो सेलेक्ट" (आरएएस) लाइनों पर संकेतों के विभिन्न पैटर्न द्वारा चुना जाता हैः "आरएएस केवल रिफ्रेश"-इस मोड में रिफ्रेश करने के लिए पंक्ति का पता एड्रेस बस लाइनों द्वारा प्रदान किया जाता है, इसलिए इसका उपयोग मेमोरी कंट्रोलर में बाहरी काउंटरों के साथ किया जाता है। "सीएएस बिफोर आरएएस रिफ्रेश" (सीबीआर)-इस मोड में ऑन-चिप काउंटर ताज़ा होने के लिए पंक्ति पर नज़र रखता है और बाहरी परिपथ केवल ताज़ा चक्रों की शुरुआत करता है। यह मोड कम बिजली का उपयोग करता है क्योंकि मेमोरी एड्रेस बस बफर को संचालित करने की आवश्यकता नहीं होती है। इसका उपयोग अधिकांश आधुनिक कंप्यूटरों में किया जाता है। "हिडन रिफ्रेश"-यह सी. बी. आर. रिफ्रेश चक्र का एक वैकल्पिक संस्करण है जिसे पिछले पढ़ने या लिखने के चक्र के साथ जोड़ा जा सकता है। डेटा हस्तांतरण के दौरान समान्तर रूप से ताज़ा किया जाता है, जिससे समय की बचत होती है। डी. आर. ए. एम. चिप्स की 2012 की पीढ़ी के बाद से, "आर. ए. एस. केवल" मोड को समाप्त कर दिया गया है, और आंतरिक काउंटर का उपयोग ताज़ा करने के लिए किया जाता है। चिप में एक अतिरिक्त स्लीप मोड होता है, जब कंप्यूटर स्लीप मोड में होता है, जिसमें एक ऑन-चिप ऑसिलेटर आंतरिक ताज़ा चक्र उत्पन्न करता है ताकि बाहरी घड़ी को बंद किया जा सके। रीफ्रेश ओवरहेड पर मेमोरी के खर्च होने वाले समय का अंश, रीफ्रेश ओवरहेड, की गणना सिस्टम के समय से की जा सकती हैः उदाहरण के लिए, एक एस. डी. आर. ए. एम. चिप में 214 = 8,192 पंक्तियाँ होती हैं, 64 एमएस का रीफ्रेश अंतराल होता है, मेमोरी बस 133 मेगाहर्ट्ज पर चलती है, और रीफ्रेश चक्र में 4 घड़ी चक्र लगते हैं। रीफ्रेश चक्र के लिए समय है तो रीफ्रेश चक्रों द्वारा मेमोरी चिप के समय का 0.40% से भी कम समय लिया जाएगा। एस. डी. आर. ए. एम. चिप्स में, प्रत्येक चिप में मेमोरी को बैंकों में विभाजित किया जाता है जो समानांतर रूप से ताज़ा किए जाते हैं, जिससे आगे समय की बचत होती है। इसलिए आवश्यक ताज़ा चक्रों की संख्या एकल बैंक में पंक्तियों की संख्या है, जो विनिर्देशों में दी गई है, जिसे 2012 की पीढ़ी के चिप्स में 8,192 पर स्थिर किया गया है। ताज़ा अंतराल ताज़ा संचालन के बीच अधिकतम समय अंतराल प्रत्येक डी. आर. ए. एम. तकनीक के लिए जे. ई. डी. ई. सी. द्वारा मानकीकृत किया जाता है, और निर्माता के चिप विनिर्देशों में निर्दिष्ट किया जाता है। यह आमतौर पर डी. आर. ए. एम. के लिए मिलीसेकंड और ई. डी. आर. ए. एम. के लिए माइक्रोसेकंड की सीमा में होता है। डी. डी. आर. 2 एस. डी. आर. ए. एम. चिप्स के लिए यह 64 एमएस है। यह स्मृति सेल संधारित्रों में संग्रहीत आवेश और रिसाव धाराओं के अनुपात पर निर्भर करता है। इस तथ्य के बावजूद कि संधारित्रों की ज्यामिति मेमोरी चिप्स की प्रत्येक नई पीढ़ी के साथ सिकुड़ रही है, इसलिए बाद की पीढ़ी के संधारित्र कम चार्ज संग्रहीत करते हैं, डीआरएएम के लिए ताज़ा समय में सुधार हो रहा है; 1एम चिप्स के लिए 8 एमएस से, 16एम चिप्स के लिए 32 एमएस से, 256एम चिप्स के लिए 64 एमएस तक। यह सुधार मुख्य रूप से ट्रांजिस्टर विकसित करके प्राप्त किया जाता है जो काफी कम रिसाव का कारण बनते हैं। लंबे रिफ्रेश समय का मतलब है कि डिवाइस के समय का एक छोटा हिस्सा रिफ्रेश के साथ भरा हुआ है, जिससे मेमोरी एक्सेस के लिए अधिक समय बचता है। हालांकि पहले के डी. आर. ए. एम. में रीफ्रेश ओवरहेड चिप के समय का 10 प्रतिशत तक होता था, लेकिन आधुनिक चिप्स में यह अंश 1 प्रतिशत से भी कम है। चूँकि अर्धचालकों में रिसाव धाराएँ तापमान के साथ बढ़ती हैं, इसलिए उच्च तापमान पर ताज़ा होने का समय कम किया जाना चाहिए। डी. डी. आर. 2 एस. डी. आर. ए. एम. चिप्स में तापमान-क्षतिपूर्ति ताज़ा संरचना होती है; चिप केस तापमान से अधिक होने पर ताज़ा चक्र का समय आधा किया जाना चाहिए। पठनीय आवेश मानों की वास्तविक दृढ़ता और इस प्रकार अधिकांश डी. आर. ए. एम. स्मृति कोशिकाओं में डेटा ताज़ा समय की तुलना में बहुत लंबा होता है, 1-10 सेकंड तक। हालाँकि ट्रांजिस्टर रिसाव धाराएँ प्रक्रिया भिन्नता के कारण एक ही चिप पर अलग-अलग स्मृति कोशिकाओं के बीच व्यापक रूप से भिन्न होती हैं। यह सुनिश्चित करने के लिए कि एक बिट खो जाने से पहले सभी स्मृति कोशिकाओं को ताज़ा किया जाता है, निर्माताओं को अपना ताज़ा समय कम निर्धारित करना चाहिए। यह लगातार डी. आर. ए. एम. रिफ्रेश स्टैंडबाय मोड में कम-शक्ति वाले इलेक्ट्रॉनिक्स उपकरणों द्वारा खींची गई कुल शक्ति का एक तिहाई खपत करता है। शोधकर्ताओं ने ताज़ा दर को कम करके चार्ज के बीच बैटरी रन-टाइम बढ़ाने के लिए कई तरीकों का प्रस्ताव दिया है, जिसमें तापमान-क्षतिपूर्ति ताज़ा (टी. सी. आर.) और डी. आर. ए. एम. (आर. ए. पी. आई. डी.) में प्रतिधारण-जागरूक नियुक्ति शामिल है। प्रयोगों से पता चलता है कि एक विशिष्ट ऑफ-द-शेल्फ डी. आर. ए. एम. चिप में, केवल कुछ कमजोर कोशिकाओं को वास्तव में सबसे खराब स्थिति 64 एमएस ताज़ा अंतराल की आवश्यकता होती है, और फिर भी केवल अपनी निर्दिष्ट तापमान सीमा के उच्च छोर पर। कमरे के तापमान पर (जैसे। ), उन्हीं कमजोर कोशिकाओं को सही संचालन के लिए हर 500 एमएस में एक बार ताज़ा करने की आवश्यकता होती है। यदि प्रणाली सबसे कमजोर 1 प्रतिशत पृष्ठों का उपयोग करने से बच सकती है, तो शेष 99 प्रतिशत पृष्ठों के सही संचालन के लिए एक विशिष्ट डी. आर. ए. एम. को केवल सेकंड में एक बार ताज़ा करने की आवश्यकता होती है। कुछ प्रयोग इन दो पूरक तकनीकों को जोड़ते हैं, जो 10 सेकंड के ताज़ा अंतराल पर कमरे के तापमान पर सही संचालन देते हैं। त्रुटि-सहिष्णु अनुप्रयोगों के लिए (जैसे। ग्राफिक्स अनुप्रयोग), डी. आर. ए. एम. या ई. डी. आर. ए. एम. में संग्रहीत गैर-महत्वपूर्ण डेटा को उनकी प्रतिधारण अवधि से कम दर पर ताज़ा करने से मामूली गुणवत्ता के नुकसान के साथ ऊर्जा की बचत होती है, जो अनुमानित कंप्यूटिंग का एक उदाहरण है। एस. आर. ए. एम. और डी. आर. ए. एम. स्मृति प्रौद्योगिकियां एस. आर. ए. एम. स्थिर यादृच्छिक अभिगम स्मृति (एस. आर. ए. एम.) में, एक अन्य प्रकार की अर्धचालक स्मृति, डेटा को संधारित्र पर आवेश के रूप में संग्रहीत नहीं किया जाता है, बल्कि एक क्रॉस-युग्मित इन्वर्टर की एक जोड़ी में संग्रहीत किया जाता है, इसलिए एस. आर. ए. एम. को ताज़ा करने की आवश्यकता नहीं होती है। दो बुनियादी प्रकार की स्मृति के फायदे और नुकसान हैं। चालू रहते हुए स्थिर स्मृति को स्थायी माना जा सकता है, अर्थात। एक बार लिखने के बाद स्मृति विशेष रूप से बदले जाने तक बनी रहती है और इस प्रकार, इसका उपयोग प्रणाली डिजाइन के मामले में सरल होता है। हालांकि, प्रत्येक एस. आर. ए. एम. सेल के आंतरिक निर्माण के लिए डी. आर. ए. एम. सेल के लिए आवश्यक एकल ट्रांजिस्टर की तुलना में छह ट्रांजिस्टर की आवश्यकता होती है, इसलिए एस. आर. ए. एम. का घनत्व बहुत कम है और कीमत-प्रति-बिट डी. आर. ए. एम. की तुलना में बहुत अधिक है। सीपीयू-आधारित ताज़ा कुछ प्रारंभिक माइक्रोप्रोसेसर (जैसे. जिलॉग जेड80) ने विशेष आंतरिक रजिस्टर प्रदान किए जो गतिशील स्मृति कोशिकाओं को ताज़ा करने के लिए पंक्ति-पता स्ट्रोब (आरएएस) प्रदान कर सकते हैं, प्रत्येक ताज़ा चक्र पर रजिस्टर को बढ़ाया जा रहा है। यह प्रणाली में पहले से ही उपयोग किए जा रहे अन्य एकीकृत परिपथों द्वारा भी पूरा किया जा सकता है, यदि ये पहले से ही रैम (जैसे। मोटोरोला 6845)। जेड80 जैसे सीपीयू में, आरएएस रिफ्रेश की उपलब्धता इसके सरल हार्डवेयर डिजाइन के कारण एक बड़ा विक्रय-बिंदु था। यहाँ, आर. ए. एस. रिफ्रेश को परिचालन रूप से अनावश्यक घड़ी चक्रों (टी-स्टेट्स) के दौरान पते और नियंत्रण तारों के एक अद्वितीय संयोजन द्वारा संकेत दिया जाता है, अर्थात। निर्देश डिकोड/निष्पादन के दौरान जब बसों की आवश्यकता नहीं हो सकती है। ऐसे टी-राज्यों के दौरान बस के निष्क्रिय होने के बजाय, ताज़ा परिपथ को इंगित करने के लिए नियंत्रण तारों के संयोजन के साथ ताज़ा रजिस्टर पता बस पर प्रस्तुत किया जाएगा। जेड80 के शुरुआती संस्करणों में, 16 के. बी. रैम चिप्स की सर्वव्यापीता (अर्थात। 128 पंक्तियाँ होने के कारण) और दूरदर्शिता की कमी के कारण आर रजिस्टर केवल 7 बिट-वाइड रेंज (0-127, यानी। 128 पंक्तियाँ); 8वां बिट उपयोगकर्ता द्वारा सेट किया जा सकता है, लेकिन आंतरिक साइक्लिंग द्वारा अपरिवर्तित छोड़ दिया जाएगा। 64 kbit + DRAM चिप्स (8 बिट आरएएस के साथ) के तेजी से आगमन के साथ, लापता 8वें बिट को संश्लेषित करने और कुछ मिलीसेकंड के बाद स्मृति के ब्लॉकों को नष्ट होने से रोकने के लिए ताज़ा संकेत के आसपास अतिरिक्त सर्किटरी या तर्क का निर्माण करना पड़ा। कुछ संदर्भों में, उचित समय पर 8वें बिट को पलटने के लिए इंटरप्ट का उपयोग करना संभव था और इस प्रकार आर रजिस्टर (256 पंक्तियों) की पूरी सीमा को कवर किया जा सकता था। एक अन्य विधि, शायद अधिक सार्वभौमिक लेकिन हार्डवेयर के मामले में अधिक जटिल, एक 8-बिट काउंटर चिप का उपयोग करना था, जिसका आउटपुट आर रजिस्टर के बजाय रिफ्रेश आरएएस पता प्रदान करेगाः सीपीयू से रिफ्रेश सिग्नल का उपयोग इस काउंटर के लिए घड़ी के रूप में किया गया था, जिसके परिणामस्वरूप प्रत्येक रिफ्रेश चक्र के साथ मेमोरी पंक्ति को ताज़ा किया जाना था। जेड80 कोर के बाद के संस्करणों और लाइसेंस प्राप्त "वर्क-अलाइक" ने स्वचालित साइकिलिंग में 8वें बिट के गैर-समावेश को ठीक किया, और आधुनिक सीपीयू ने डीआरएएम रिफ्रेश के लिए समृद्ध ऑल-इन-वन समाधान प्रदान करने के लिए इस तरह के बुनियादी प्रावधान पर बहुत विस्तार किया है। स्यूडोस्टैटिक डी. आर. ए. एम. स्यूडोस्टैटिक आर. ए. एम. (पी. एस. आर. ए. एम. या पी. एस. डी. आर. ए. एम.) अंतर्निहित ताज़ा और पता-नियंत्रण परिपथ के साथ गतिशील आर. ए. एम. है जिससे यह स्थिर आर. ए. एम. (एस. आर. ए. एम.) के समान व्यवहार करता है। यह वास्तविक एस. आर. ए. एम. के उपयोग में आसानी के साथ डी. आर. ए. एम. के उच्च घनत्व को जोड़ता है। पी. एस. आर. ए. एम. (न्यूमोनिक्स द्वारा निर्मित) का उपयोग एप्पल आईफ़ोन और अन्य अंतर्निहित प्रणालियों में किया जाता है। कुछ डी. आर. ए. एम. घटकों में एक "स्व-ताज़ा मोड" होता है, जिसमें छद्म-स्थिर संचालन के लिए आवश्यक अधिकांश तर्क शामिल होते हैं, लेकिन यह मोड अक्सर एक स्टैंडबाय मोड के बराबर होता है। यह मुख्य रूप से एक प्रणाली को डी. आर. ए. एम. में संग्रहीत डेटा को खोए बिना बिजली बचाने के लिए अपने डी. आर. ए. एम. नियंत्रक के संचालन को निलंबित करने की अनुमति देने के लिए प्रदान किया जाता है, बल्कि एक अलग डी. आर. ए. एम. नियंत्रक के बिना संचालन की अनुमति नहीं देता है जैसा कि पी. एस. आर. ए. एम. के मामले में है। पी. एस. आर. ए. एम. का एक अंतर्निहित संस्करण एम. ओ. एस. आई. द्वारा 1टी-एस. आर. ए. एम. के नाम से बेचा जाता है। यह तकनीकी रूप से डी. आर. ए. एम. है, लेकिन काफी हद तक एस. आर. ए. एम. की तरह व्यवहार करता है, और इसका उपयोग गेमक्यूब और वाई. आई. कंसोल में किया जाता है। रीफ्रेश का उपयोग करने वाली अन्य स्मृति प्रौद्योगिकियों कई प्रारंभिक कंप्यूटर स्मृति प्रौद्योगिकियों को भी स्मृति रीफ्रेश करने के उद्देश्य से आवधिक प्रक्रियाओं की आवश्यकता होती है। विलियम्स ट्यूब में निकटतम समानता है, क्योंकि, डी. आर. ए. एम. के साथ, यह अनिवार्य रूप से एक कैपेसिटिव मेमोरी है जिसमें प्रत्येक बिट के लिए संग्रहीत मान धीरे-धीरे क्षय हो जाते हैं जब तक कि ताज़ा नहीं किया जाता है। मैग्नेटिक-कोर मेमोरी में, प्रत्येक मेमोरी सेल बिजली बंद होने पर भी डेटा को अनिश्चित काल तक बनाए रख सकता है, लेकिन किसी भी मेमोरी सेल से डेटा को पढ़ने से इसकी सामग्री मिट जाती है। परिणामस्वरूप, स्मृति नियंत्रक आम तौर पर प्रत्येक पठन चक्र के बाद एक ताज़ा चक्र जोड़ता है ताकि एक गैर-विनाशकारी पठन संचालन का भ्रम पैदा किया जा सके। विलंब-रेखा स्मृति को निरंतर ताज़ा करने की आवश्यकता होती है क्योंकि डेटा वास्तव में एक संचरण रेखा में एक संकेत के रूप में संग्रहीत किया जाता है। इस मामले में, ताज़ा दर स्मृति पहुँच समय की तुलना में है। मेमोरी स्क्रबिंग रो हैमर संदर्भ कंप्यूटर मेमोरी भी देखें।