Polyfuse (PROM)
पॉलीफ्यूज एक बार प्रोग्राम करने योग्य मेमोरी घटक है जिसका उपयोग अर्धचालक परिपथों में चिप पहचान संख्या या मेमोरी मरम्मत डेटा जैसे अद्वितीय डेटा को संग्रहीत करने के लिए किया जाता है, लेकिन आमतौर पर केवल पढ़ने वाले मेमोरी उपकरणों या माइक्रोकंट्रोलर चिप्स का छोटी से मध्यम मात्रा में उत्पादन होता है। इनका उपयोग प्रोग्रामेबल ऐरे लॉजिक की अनुमति प्रोग्रामिंग के रूप में भी किया जाता था। फ्यूज के उपयोग ने उपकरण को निर्मित होने के कुछ समय बाद विद्युत रूप से प्रोग्राम करने और इसकी पैकेजिंग में सील करने की अनुमति दी। इससे पहले स्मृति निर्माण के समय फ्यूज को लेजर का उपयोग करके उड़ाया जाता था। पॉलीफ़्यूज़ को पहले के निकल-क्रोमियम (नी-क्रोम) फ़्यूज़ को बदलने के लिए विकसित किया गया था। क्योंकि नि-क्रोम में निकल होता है, नि-क्रोम फ्यूज, जिसे एक बार उड़ाया गया था, में वापस बढ़ने और स्मृति को अनुपयोगी बनाने की प्रवृत्ति थी। पहले पॉलीफ्यूज में एक पॉलीसिलिकॉन लाइन शामिल थी, जिसे पूरे उपकरण में एक उच्च (10V-15V) वोल्टेज लागू करके प्रोग्राम किया गया था। परिणामी धारा भौतिक रूप से उपकरण को बदल देती है और इसके विद्युत प्रतिरोध को बढ़ाती है। प्रतिरोध में इस परिवर्तन का पता लगाया जा सकता है और इसे तार्किक शून्य के रूप में दर्ज किया जा सकता है। एक गैर-क्रमादेशित पॉलीफ्यूज को तार्किक के रूप में पंजीकृत किया जाएगा। इन शुरुआती उपकरणों में उच्च प्रोग्रामिंग वोल्टेज और क्रमादेशित उपकरणों की अविश्वसनीयता जैसी गंभीर कमियां थीं। आधुनिक पॉलीफ्यूज आधुनिक पॉलीफ्यूज में एक सिलिसाइड पॉलीसिलिकॉन लाइन होती है, जिसे पूरे उपकरण में वोल्टेज लगाकर भी क्रमादेशित किया जाता है। पुनः, परिणामी धारा प्रतिरोध को स्थायी रूप से बदल देती है। पॉलीसिलिकॉन लाइन को कवर करने वाली सिलिसाइड परत इसके प्रतिरोध (प्रोग्रामिंग से पहले) को कम कर देती है, जिससे बहुत कम प्रोग्रामिंग वोल्टेज (1.8V-3.3V) का उपयोग किया जा सकता है। पॉलीफ्यूज को प्रोग्राम किए गए डेटा को विश्वसनीय रूप से संग्रहीत करने के लिए दिखाया गया है और इसे उच्च गति से प्रोग्राम किया जा सकता है। 100एनएस की प्रोग्रामिंग गति की सूचना दी गई है। प्रोग्रामेबल रीड-ओनली मेमोरी संदर्भ प्रतिरोधी घटक गैर-वाष्पशील मेमोरी कंप्यूटर मेमोरी भी देखें।