Capacitively coupled plasma
कैपेसिटिवली कपल्ड प्लाज्मा (सी. सी. पी.) औद्योगिक प्लाज्मा स्रोतों के सबसे आम प्रकारों में से एक है। इसमें अनिवार्य रूप से दो धातु इलेक्ट्रोड होते हैं जो एक छोटी दूरी से अलग होते हैं, जिन्हें एक रिएक्टर में रखा जाता है। रिएक्टर में गैस का दबाव वायुमंडल से कम हो सकता है या यह वायुमंडलीय हो सकता है। विवरण एक विशिष्ट सीसीपी प्रणाली एकल रेडियो-आवृत्ति (आरएफ) बिजली आपूर्ति द्वारा संचालित होती है, आमतौर पर 13.56 मेगाहर्ट्ज पर। दो इलेक्ट्रोडों में से एक बिजली की आपूर्ति से जुड़ा हुआ है, और दूसरा ग्राउंड है। चूँकि यह विन्यास सिद्धांत रूप से एक विद्युत परिपथ में एक संधारित्र के समान है, इस विन्यास में बने प्लाज्मा को कैपेसिटिवली कपल्ड प्लाज्मा कहा जाता है। जब इलेक्ट्रोड के बीच एक विद्युत क्षेत्र उत्पन्न होता है, तो परमाणु आयनित होते हैं और इलेक्ट्रॉनों को छोड़ते हैं। गैस में इलेक्ट्रॉनों को आर. एफ. क्षेत्र द्वारा त्वरित किया जाता है और वे प्रत्यक्ष या अप्रत्यक्ष रूप से टकराव द्वारा गैस को आयनित कर सकते हैं, जिससे द्वितीयक इलेक्ट्रॉनों का उत्पादन होता है। जब विद्युत क्षेत्र काफी मजबूत होता है, तो यह इलेक्ट्रॉन हिमस्खलन के रूप में जाना जाता है। हिमस्खलन टूटने के बाद, प्रचुर मात्रा में मुक्त इलेक्ट्रॉनों के कारण गैस विद्युत प्रवाहकीय हो जाती है। अक्सर यह गैस में उत्तेजित परमाणुओं या अणुओं से प्रकाश उत्सर्जन के साथ होता है। जब दृश्यमान प्रकाश उत्पन्न होता है, तो प्लाज्मा उत्पादन को अप्रत्यक्ष रूप से नंगी आंखों से भी देखा जा सकता है। कैपेसिटिवली कपल्ड प्लाज्मा पर एक भिन्नता में इलेक्ट्रोड में से एक को अलग करना शामिल है, आमतौर पर एक कैपेसिटर के साथ। संधारित्र उच्च आवृत्ति आर. एफ. क्षेत्र के लिए एक लघु परिपथ की तरह दिखाई देता है, लेकिन प्रत्यक्ष धारा (डी. सी.) क्षेत्र के लिए एक खुले परिपथ की तरह। आवरण में इलेक्ट्रोड पर इलेक्ट्रॉनों का प्रभाव पड़ता है, और इलेक्ट्रोड जल्दी से एक नकारात्मक आवेश (या स्व-आधार) प्राप्त कर लेता है क्योंकि संधारित्र इसे जमीन पर निर्वहन करने की अनुमति नहीं देता है। यह वैकल्पिक धारा (एसी) क्षेत्र के अलावा प्लाज्मा में एक द्वितीयक, डीसी क्षेत्र स्थापित करता है। विशाल आयन तेजी से बदलते एसी क्षेत्र पर प्रतिक्रिया करने में असमर्थ होते हैं, लेकिन मजबूत, स्थायी डीसी क्षेत्र उन्हें स्व-पक्षपाती इलेक्ट्रोड की ओर गति देता है। इन ऊर्जावान आयनों का उपयोग कई सूक्ष्म-निर्माण प्रक्रियाओं में किया जाता है (प्रतिक्रियाशील-आयन नक़्क़ाशी (आर. आई. ई.) देखें) जिसमें पृथक (स्व-पक्षपाती) इलेक्ट्रोड पर एक सब्सट्रेट रखा जाता है। सीसीपी के अर्धचालक प्रसंस्करण उद्योग में पतली फिल्म जमा करने (स्पटरिंग, प्लाज्मा-वर्धित रासायनिक वाष्प जमा (पीईसीवीडी) देखें) और नक़्क़ाशी के लिए व्यापक अनुप्रयोग हैं। यह भी देखें कि प्रेरणात्मक रूप से युग्मित प्लाज्मा एचिंग बहु-कारक प्रभाव प्लाज्मा भौतिकी लेखों की सूची संदर्भ प्लाज्मा प्रकार इलेक्ट्रॉनिक्स विनिर्माण