Indium gallium zinc oxide
इंडियम गैलियम जिंक ऑक्साइड (आई. जी. जेड. ओ.) एक अर्धचालक पदार्थ है, जिसमें इंडियम (इन), गैलियम (जी. ए.), जिंक (जेड. एन.) और ऑक्सीजन (ओ.) होते हैं। आई. जी. जेड. ओ. थिन-फिल्म ट्रांजिस्टर (टी. एफ. टी.) का उपयोग फ्लैट-पैनल डिस्प्ले (एफ. पी. डी.) के टी. एफ. टी. बैकप्लेन में किया जाता है। आई. जी. जेड. ओ.-टी. एफ. टी. को टोक्यो प्रौद्योगिकी संस्थान और जापान विज्ञान और प्रौद्योगिकी एजेंसी (जे. एस. टी.) में हिदेओ होसोनो के समूह द्वारा 2003 में (क्रिस्टलीय आई. जी. जेड. ओ.-टी. एफ. टी.) और 2004 में (अनाकार आई. जी. जेड. ओ.-टी. एफ. टी.) विकसित किया गया था। आई. जी. जेड. ओ.-टी. एफ. टी. में अनाकार सिलिकॉन की इलेक्ट्रॉन गतिशीलता का 20-50 गुना होता है, जिसका उपयोग अक्सर तरल-क्रिस्टल डिस्प्ले (एल. सी. डी.) और ई-पेपर में किया जाता है। नतीजतन, आई. जी. जेड. ओ.-टी. एफ. टी. फ्लैट-पैनल डिस्प्ले की गति, रिज़ॉल्यूशन और आकार में सुधार कर सकता है। वर्तमान में इसका उपयोग जैविक प्रकाश उत्सर्जक डायोड (ओ. एल. ई. डी.) टीवी प्रदर्शनों में उपयोग के लिए पतली-फिल्म ट्रांजिस्टर के रूप में किया जाता है। आई. जी. जेड. ओ.-टी. एफ. टी. और इसके अनुप्रयोग जे. एस. टी. द्वारा पेटेंट किए गए हैं। इन्हें सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स (2011 में) और शार्प (2012 में) को लाइसेंस दिया गया है। 2012 में, शार्प ने पहली बार आई. जी. जेड. ओ.-टी. एफ. टी. को शामिल करते हुए एल. सी. डी. पैनलों का उत्पादन शुरू किया। शार्प स्मार्टफोन, टैबलेट और 32 "एलसीडी के लिए आईजीजेडओ-टीएफटी का उपयोग करता है। इनमें एल. सी. डी. के एपर्चर अनुपात में 20 प्रतिशत तक का सुधार होता है। एल. सी. डी. आइडलिंग स्टॉप तकनीक द्वारा बिजली की खपत में सुधार किया जाता है, जो आई. जी. जेड. ओ.-टी. एफ. टी. की उच्च गतिशीलता और कम ऑफ करंट के कारण संभव है। शार्प ने नोटबुक अनुप्रयोगों के लिए उच्च पिक्सेल-घनत्व पैनल जारी करना शुरू कर दिया है। आई. जी. जेड. ओ.-टी. एफ. टी. को फुजित्सु द्वारा आपूर्ति किए गए एक अल्ट्राबुक पी. सी. के 14 '3,200x1,800 एल. सी. डी. में भी नियोजित किया गया है, जिसका उपयोग रेज़र ब्लेड 14' (टचस्क्रीन संस्करण) गेमिंग लैपटॉप और एल. जी. इलेक्ट्रॉनिक्स द्वारा आपूर्ति किए गए 55 'ओ. एल. ई. डी. टीवी में भी किया जाता है। जिंक ऑक्साइड पर आई. जी. जेड. ओ. का लाभ यह है कि इसे ऑक्साइड अर्धचालकों के लिए सामान्य उच्च वाहक गतिशीलता को बनाए रखते हुए एक समान अनाकार चरण के रूप में जमा किया जा सकता है। ट्रांजिस्टर थोड़े से फोटो-सेंसिटिव होते हैं, लेकिन प्रभाव केवल गहरे बैंगनी से अल्ट्रा-बैंगनी (3 ईवी से ऊपर की फोटॉन ऊर्जा) सीमा में महत्वपूर्ण हो जाता है, जो पूरी तरह से पारदर्शी ट्रांजिस्टर की संभावना प्रदान करता है। बड़े पैमाने पर आई. जी. जेड. ओ. निर्माण में वर्तमान बाधा संश्लेषण विधि है। पारदर्शी संचालन ऑक्साइड (टी. सी. ओ.) संश्लेषण के लिए सबसे व्यापक रूप से उपयोग की जाने वाली तकनीक पल्स्ड लेजर डिपोजिशन (पी. एल. डी.) है। पी. एल. डी. में, ठोस मौलिक लक्ष्यों पर नैनो-आकार के धब्बों पर ध्यान केंद्रित करने के लिए एक लेजर का उपयोग किया जाता है। फिल्म की संरचना को नियंत्रित करने के लिए अनुपात में लक्ष्यों के बीच लेजर पल्स आवृत्तियाँ भिन्न होती हैं। कम तापमान जमा करने की क्षमता के कारण आई. जी. जेड. ओ. को क्वार्ट्ज, एकल-क्रिस्टल सिलिकॉन या यहां तक कि प्लास्टिक जैसे सब्सट्रेट पर जमा किया जा सकता है। सब्सट्रेट को पी. एल. डी. वैक्यूम चैम्बर में रखा जाता है, जो अनुकूल विद्युत गुणों को सुनिश्चित करने के लिए ऑक्सीजन के दबाव को नियंत्रित करता है। संश्लेषण के बाद, फिल्म को एनील किया जाता है, या धीरे-धीरे वातावरण में समायोजित करने के लिए हवा के संपर्क में लाया जाता है। जबकि पी. एल. डी. एक उपयोगी और बहुमुखी संश्लेषण तकनीक है, इसमें महंगे उपकरण और प्रत्येक नमूने के लिए नियमित वायुमंडलीय स्थितियों के अनुकूल होने के लिए बहुत समय की आवश्यकता होती है। यह औद्योगिक विनिर्माण के लिए उपयुक्त नहीं है। समाधान प्रसंस्करण एक अधिक लागत प्रभावी विकल्प है। विशेष रूप से, दहन संश्लेषण तकनीकों का उपयोग किया जा सकता है। किम एट अल। ऊष्माक्षेपी प्रतिक्रिया बनाने के लिए ऑक्सीडाइज़र के साथ धातु नाइट्रेट समाधान का उपयोग किया जाता है। दहन संश्लेषण का एक सामान्य प्रकार स्पिन कोटिंग है, जिसमें एक गर्म प्लेट पर इन और गा घोल परतों को जमा करना और लक्ष्य संरचना के आधार पर लगभग 200 और 400 डिग्री सेल्सियस के बीच तापमान पर एनीलिंग करना शामिल है। फिल्मों को हवा में प्रदर्शित किया जा सकता है, जो पी. एल. डी. पर एक बड़ा लाभ है। संदर्भ जापानी आविष्कार तरल क्रिस्टल अर्धचालक निर्माण सामग्री ऑक्साइड प्रदर्शित करता है