Tunnel junction
इलेक्ट्रॉनिक्स/स्पिनट्रॉनिक्स में, एक सुरंग जंक्शन एक बाधा है, जैसे कि एक पतली अवरोधक परत या विद्युत क्षमता, दो विद्युत प्रवाहक सामग्रियों के बीच। इलेक्ट्रॉन (या अर्ध-कण) क्वांटम टनलिंग की प्रक्रिया द्वारा बाधा से गुजरते हैं। शास्त्रीय रूप से, इलेक्ट्रॉन के बाधा से गुजरने की संभावना शून्य होती है। हालांकि, क्वांटम यांत्रिकी के अनुसार, इलेक्ट्रॉन में बाधा में एक गैर-शून्य तरंग आयाम होता है, और इसलिए इसकी बाधा से गुजरने की कुछ संभावना होती है। सुरंग जंक्शन विभिन्न प्रकार के उद्देश्यों को पूरा करते हैं। मल्टीजंक्शन फोटोवोल्टिक कोशिकाओं में, सुरंग जंक्शन लगातार पी-एन जंक्शनों के बीच संबंध बनाते हैं। वे एक अर्धचालक उपकरण के बीच में एक ओहमिक विद्युत संपर्क के रूप में कार्य करते हैं। चुंबकीय सुरंग जंक्शन में, इलेक्ट्रॉन एक चुंबकीय सामग्री से दूसरे में एक पतली अवरोधक बाधा के माध्यम से सुरंग बनाते हैं। यह एक मैग्नेटिक डिटेक्टर के लिए एक आधार के रूप में काम कर सकता है। सुपरकंडक्टिंग टनल जंक्शन सुपरकंडक्टिंग टनल जंक्शनों में, दो सुपरकंडक्टिंग इलेक्ट्रोड एक गैर-सुपरकंडक्टिंग बाधा द्वारा अलग किए जाते हैं। कूपर जोड़े क्वांटम टनलिंग द्वारा बाधा के माध्यम से अतिप्रवाह को ले जाते हैं, एक घटना जिसे जोसेफसन प्रभाव के रूप में जाना जाता है। यह सेटअप अत्यंत संवेदनशील मैग्नेटोमीटर, जिन्हें एसक्यूयूआईडी के रूप में जाना जाता है, के साथ-साथ कई अन्य उपकरणों के लिए आधार बना सकता है। सुरंग डायोड सुरंग डायोड में, एक डायोड कुछ वोल्टेज के लिए इलेक्ट्रॉनों की सुरंग बनाने की अनुमति देता है। यह उन्हें उच्च आवृत्ति संकेत उत्पन्न करने के लिए उपयोग करने की अनुमति देता है। स्कैनिंग टनलिंग माइक्रोस्कोप स्कैनिंग टनलिंग माइक्रोस्कोपी (एसटीएम) में, टिप/एयर/सब्सट्रेट (मेटल-इंसुलेटर-मेटल) को सुरंग जंक्शन के रूप में देखा जा सकता है। संदर्भ क्वांटम इलेक्ट्रॉनिक्स इलेक्ट्रोड मेसोस्कोपिक भौतिकी