Nir Tessler
निर टेस्लर (हिब्रूः νειρ τσλρ; जन्म 1962) इलेक्ट्रिकल और कंप्यूटर इंजीनियरिंग के संकाय में बारबरा और नॉर्मन सीडेन प्रोफेसर हैं और टेक्नियन-इज़राइल इंस्टीट्यूट ऑफ टेक्नोलॉजी में माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स और नैनोइलेक्ट्रॉनिक्स केंद्रों के प्रमुख हैं। प्रारंभिक जीवन और शिक्षा निर टेस्लर का जन्म हाइफा, इज़राइल में हुआ था। उन्होंने हिब्रू रियाली स्कूल में पढ़ाई की और 1980 से 1985 तक इजरायली वायु सेना में सेवा की। टेस्लर ने 1989 में इलेक्ट्रिकल इंजीनियरिंग में बी. एस. सी. (सुम्मा कम लाउड) और इलेक्ट्रिकल इंजीनियरिंग में एम. एस. सी. (1992) प्राप्त किया। उनकी पी. एच. डी. की डिग्री 1995 में टेक्नीयन से प्राप्त हुई थी। टेस्लर ने गैडी आइजेनस्टीन की देखरेख में डायनेमिक प्रॉपर्टीज ऑफ इनवर्टेड क्यूडब्ल्यू लेजर स्ट्रक्चर नामक शोध प्रबंध लिखा। कैरियर टेस्लर एक शोध सहयोगी थे और बाद में 1995 से 1999 तक कैवेंडिश प्रयोगशाला, कैम्ब्रिज विश्वविद्यालय, यू. के. में ई. पी. एस. आर. सी. के एक उन्नत अध्येता थे। इसके बाद वे टेक्नीयन में इलेक्ट्रिकल इंजीनियरिंग के संकाय में एक वरिष्ठ व्याख्याता के रूप में शामिल हुए। टेस्लर 2003 में एसोसिएट प्रोफेसर बने और 2008 में पूर्ण प्रोफेसर बने। 2010 से, टेस्लर टेक्नीयन में माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स और नैनोइलेक्ट्रॉनिक्स केंद्रों के प्रमुख हैं। अप्रैल 2022 तक, टेस्लर ने 27 स्नातक छात्रों की देखरेख की है, और 200 से अधिक वैज्ञानिक प्रकाशन लिखे हैं। रिसर्च टेस्लर का शोध कार्य नई सामग्रियों और उपकरण प्रदर्शन के साथ उनके रासायनिक और भौतिकी गुणों के संबंध पर केंद्रित है; उपकरण रासायनिक-भौतिकी और उपकरण संरचनात्मक डिजाइन। इसमें प्रकाश-पदार्थ अंतःक्रिया (लेजर क्रिया और सूक्ष्म-गुहाओं सहित), इलेक्ट्रॉनों, छिद्रों और आयनों का परिवहन, इलेक्ट्रॉन-छिद्र जोड़े (एक्साइटॉन), उपकरणों का प्रसंस्करण (ट्रांजिस्टर, फोटो-इमेज, डिटेक्टर और सौर कोशिका) शामिल हैं। 1996 में टेस्लर अर्धचालक कार्बनिक अणु (बहुलक) पर आधारित "प्लास्टिक लेजर" पेश करने वाले पहले व्यक्ति थे। दो साल बाद उन्होंने पहले स्मार्ट-पिक्सेल का निर्माण शुरू किया, जिसने साबित किया कि पतली लचीली स्क्रीन संभव हैं। 2002 में उन्होंने दिखाया कि कार्बनिक एल. ई. डी. (ओ. एल. ई. डी.) को एक तरंग दैर्ध्य ("रंग") पर प्रकाश उत्सर्जित करने के लिए बनाया जा सकता है जो फाइबर-आधारित संचार (यानी 1.3 माइक्रोन पर) के लिए प्रासंगिक है। 2006 में, उन्होंने एक नई ट्रांजिस्टर संरचना के लिए एक पेटेंट प्रस्तुत किया जिसमें एक ऊर्ध्वाधर अभिविन्यास था जहां गेट, स्रोत, चैनल और नाली के ट्रांजिस्टर कार्यों को एक दूसरे के ऊपर रखा जाता है। सम्मान और पुरस्कार 1995 द रॉथ्सचाइल्ड पोस्ट डॉक्टरल फैलोशिप 1999 एलोन फैलोशिप 2009 रसायन विज्ञान के क्षेत्र में शीर्ष 1 प्रतिशत। - थॉमसन रॉयटर्स 2020 से आवश्यक विज्ञान संकेतक "संयुग्मित बहुलक लेजर, अवरक्त बहुलक एलईडी के पास, कार्बनिक अर्धचालक चार्ज परिवहन, और ऊर्ध्वाधर संरचना कार्बनिक क्षेत्र प्रभाव ट्रांजिस्टर उपकरणों के क्षेत्र में अग्रणी योगदान के लिए चीनी रासायनिक समाज के मानद साथी" 2020 रॉयल सोसाइटी ऑफ केमिस्ट्री के फेलो चयनित लेख एन. टेस्लर और जी. आइजेनस्टीन, क्वांटम वेल लेजर में वाहक इंजेक्शन और गेन डायनामिक्स पर, आईईईई जर्नल ऑफ क्वांटम इलेक्ट्रॉनिक्स, 1993,29,1586-1595। एन. टेस्लर, जी. जे. डेंटन और आर. एच. फ्रेंड, संयुग्मित-बहुलक सूक्ष्म गुहाओं से लासिंग, प्रकृति, 1996,382,695-697। जी. जे. डेंटन, एन. टेस्लर, एन. टी. हैरिसन और आर. एच. फ्रेंड, पॉली (पी-फेनिलीनविनिलीन) से उत्तेजित उत्सर्जन को प्रभावित करने वाले कारक, भौतिक समीक्षा पत्र, 1997,78,733-736। एच. सिरिंगहॉस, एन. टेस्लर और आर. एच. फ्रेंड, संयुग्मित पॉलिमर पर आधारित एकीकृत ऑप्टोइलेक्ट्रोनिक उपकरण, विज्ञान, 1998,280,1741-1744। एन. टेस्लर, एन. टी. हैरिसन और आर. एच. फ्रेंड, हाई पीक ब्राइटनेस पॉलिमर लाइट-एमिटिंग डायोड, एडवांस्ड मैटेरियल्स, 1998,10,6-4 +। वी. क्लीव, जी. याहियोग्लू, पी. ले बार्नी, आर. एच. फ्रेंड और एन. टेस्लर, हार्वेस्टिंग सिंगलेट एंड ट्रिपलेट एनर्जी इन पॉलिमर एल. ई. डी., एडवांस्ड मैटेरियल्स, 1999,11,285-288। एन. टेस्लर, अर्धचालक कार्बनिक पदार्थों पर आधारित लेजर, उन्नत सामग्री, 1999,11,363-370। वाई. रॉयचमैन और एन. टेस्लर, अव्यवस्थित अर्धचालकों के लिए सामान्यीकृत आइंस्टीन संबंध-उपकरण प्रदर्शन के लिए प्रभाव, अनुप्रयुक्त भौतिकी पत्र, 2002,80,1948-1950। एन. टेस्लर, वी. मेदवेदेव, एम. काजेस, एस. एच. कान और यू. बानिन, कुशल निकट-अवरक्त बहुलक नैनोक्रिस्टल प्रकाश उत्सर्जक डायोड, विज्ञान, 2002,295,1506-1508। एम. सोरेनी-हरारी, एन. याकोबी-ग्रॉस, डी. स्टेनर, ए. अहरोनी, यू. बानिन, ओ. मिलो और एन. टेस्लर, सतह हेरफेर के माध्यम से नैनोक्रिस्टल क्वांटम डॉट्स में ऊर्जावान स्तरों की ट्यूनिंग, नैनो अक्षर, 2008,8,678-684। एन. टेस्लर, वाई. प्रीज़ेंट, एन. रैप्पापोर्ट और वाई. रॉयचमैन, अव्यवस्थित जैविक सामग्रियों में चार्ज ट्रांसपोर्ट और पतले-फिल्म उपकरणों के लिए इसकी प्रासंगिकताः एक ट्यूटोरियल समीक्षा, उन्नत सामग्री, 2009,21,2741-2761। ओ. सोलोमेश और अन्य, "ग्राउंड-स्टेट इंटरैक्शन एंड इलेक्ट्रिकल डोपिंग ऑफ फ्लोरिनटेड सी-60 इन कंजुगेटेड पॉलिमर", एडवांस्ड मैटेरियल्स, वॉल्यूम। 21, नहीं। 44, 0935-9648, पीपी। 4456-+, 2009 एच. शेखर, ओ. सोलोमेश, डी. लिराज़ और एन. टेस्लर, लो डार्क लीकेज करंट इन ऑर्गेनिक प्लेनर हेटेरोजक्शन फोटोडायोड्स, एप्लाइड फिजिक्स लेटर्स, 2017,111। एच. शेखर, ए. फेनिग्स्टीन, टी. लेइटनर, बी. लवी, डी. वेंगर और एन. टेस्लर, "सी. एम. ओ. एस.-इंटीग्रेशन एंड कैरेक्टराइजेशन पर छोटे अणु कार्बनिक फोटोडायोड का हाइब्रिड इमेज सेंसर", विज्ञान प्रतिनिधि, वॉल्यूम। 10, नहीं। 1, पृ. 7594,2020. बाहरी लिंक निर टेस्लर की प्रयोगशाला, ऑर्गेनिक मैटेरियल्स एंड डिवाइसेस लैब, टेक्नीयन निर टेस्लर की प्रयोगशाला यूट्यूब चैनल, यूट्यूब निर टेस्लर, गूगल स्कॉलर निर टेस्लर, गूगल पेटेंट साक्षात्कार निर टेस्लर के साथ, sciencewatch.com साक्षात्कार निर टेस्लर के साथ, फोर्ब्स साक्षात्कार निर टेस्लर के साथ, वायनेट (हिब्रू में) संदर्भ 1962 जन्म जीवित लोग टेक्नीयन के शैक्षणिक कर्मचारी-इज़राइल इंस्टीट्यूट ऑफ टेक्नोलॉजी टेक्नीयन-इज़राइल इंस्टीट्यूट ऑफ टेक्नोलॉजी के पूर्व छात्र रॉयल सोसाइटी ऑफ केमिस्ट्री के अध्येता इजरायली इलेक्ट्रिकल इंजीनियर हिब्रू रियाली स्कूल के पूर्व छात्र वेः नीयर टेस्लर