P–n diode
लेख पी-एन जंक्शन या डायोड की तुलना में यह लेख पी-एन डायोड व्यवहार की अधिक विस्तृत व्याख्या प्रदान करता है। पी-एन डायोड पी-एन जंक्शन पर आधारित एक प्रकार का अर्धचालक डायोड है। डायोड केवल एक दिशा में धारा का संचालन करता है, और इसे पी-प्रकार की अर्धचालक परत को एन-प्रकार की अर्धचालक परत से जोड़कर बनाया जाता है। अर्धचालक डायोड के कई उपयोग हैं जिनमें प्रत्यावर्ती धारा से प्रत्यक्ष धारा में सुधार, रेडियो संकेतों का पता लगाने और प्रकाश का उत्सर्जन और पता लगाना शामिल है। संरचना यह आंकड़ा पी-एन अर्धचालक डायोड के लिए उपयोग की जाने वाली कई संभावित संरचनाओं में से दो को दर्शाता है, दोनों वोल्टेज को बढ़ाने के लिए अनुकूलित हैं जो उपकरण विपरीत पूर्वाग्रह में सामना कर सकते हैं। शीर्ष संरचना निकटवर्ती एन-परत के बगल में पी +-क्षेत्र की तेज वक्रता से बचने के लिए एक मेसा का उपयोग करती है। निचली संरचना में वोल्टेज को बड़ी दूरी तक फैलाने और विद्युत क्षेत्र को कम करने के लिए पी +-परत के नुकीले कोने के किनारे पर हल्के डोप वाले पी-गार्ड-रिंग का उपयोग किया जाता है। (एन + या एन-जैसे सुपरस्क्रिप्ट भारी या हल्के अशुद्धता डोपिंग स्तरों को संदर्भित करते हैं।) विद्युत व्यवहार आदर्श डायोड में फॉरवर्ड बायस ध्रुवीयता के लिए शून्य प्रतिरोध होता है, और रिवर्स वोल्टेज ध्रुवीयता के लिए अनंत प्रतिरोध (शून्य धारा का संचालन) होता है; यदि एक वैकल्पिक धारा परिपथ में जुड़ा हुआ है, तो अर्धचालक डायोड एक विद्युत सुधारक के रूप में कार्य करता है। अर्धचालक डायोड आदर्श नहीं है। जैसा कि चित्र में दिखाया गया है, जब तक एक गैर-शून्य घुटने वोल्टेज (या टर्न-ऑन, कट-इन, या थ्रेसहोल्ड वोल्टेज) तक नहीं पहुंच जाता है, तब तक डायोड महत्वपूर्ण रूप से संचालित नहीं होता है, जिसका मूल्य अर्धचालक (में सूचीबद्ध) पर निर्भर करता है। इस वोल्टेज के ऊपर धारा-वोल्टेज वक्र का ढलान अनंत नहीं है (प्रतिरोध पर शून्य नहीं है)। विपरीत दिशा में डायोड एक गैर-शून्य रिसाव धारा (आकृति में एक छोटे पैमाने द्वारा अतिरंजित) का संचालन करता है और ब्रेकडाउन वोल्टेज के नीचे पर्याप्त रूप से बड़े रिवर्स वोल्टेज पर अधिक नकारात्मक रिवर्स वोल्टेज के साथ धारा बहुत तेजी से बढ़ती है। जैसा कि चित्र में दिखाया गया है, चालू या बंद प्रतिरोध एक चयनित पूर्वाग्रह बिंदु पर वर्तमान-वोल्टेज विशेषता के पारस्परिक ढलान हैंः जहां प्रतिरोध है और पूर्वाग्रह पर डायोड वोल्टेज परिवर्तन के अनुरूप वर्तमान परिवर्तन है। "आकस्मिक" का अर्थ है कि पी-और एन-प्रकार का डोपिंग उस तल पर एक चरण कार्य असंतुलन प्रदर्शित करता है जहाँ वे एक दूसरे का सामना करते हैं। इसका उद्देश्य वर्तमान-वोल्टेज विशेषताओं को प्रदर्शित करने वाली आकृति में विभिन्न पूर्वाग्रह व्यवस्थाओं की व्याख्या करना है। ऑपरेशन को बैंड-झुकने वाले आरेखों का उपयोग करके वर्णित किया जाता है जो दिखाते हैं कि विभिन्न पूर्वाग्रह स्थितियों के तहत डायोड के अंदर स्थिति के साथ सबसे कम चालन बैंड ऊर्जा और उच्चतम संयोजकता बैंड ऊर्जा कैसे भिन्न होती है। अतिरिक्त चर्चा के लिए, लेख सेमीकंडक्टर और बैंड आरेख देखें। शून्य पूर्वाग्रह एक पी-एन डायोड के लिए एक बैंड झुकने वाले आरेख को दर्शाता है; यानी, चालन बैंड (ऊपरी रेखा) और संयोजकता बैंड (निचली रेखा) के लिए बैंड किनारों को पी-प्रकार की सामग्री (बाईं ओर) और एन-प्रकार की सामग्री (दाईं ओर) के बीच जंक्शन के दोनों तरफ स्थिति के एक कार्य के रूप में दिखाया गया है। जब एक ही अर्धचालक के पी-प्रकार और एन-प्रकार के क्षेत्र को एक साथ लाया जाता है और दो डायोड संपर्क शॉर्ट-सर्किट होते हैं, तो फर्मी अर्ध-अधिभोग स्तर (डैश क्षैतिज सीधी रेखा) एक स्थिर स्तर पर स्थित होता है। यह स्तर यह सुनिश्चित करता है कि जंक्शन के दोनों ओर क्षेत्र-मुक्त थोक में छेद और इलेक्ट्रॉन अधिभोग सही हैं। (इसलिए, उदाहरण के लिए, एक इलेक्ट्रॉन के लिए एन-साइड को छोड़ना और अधिभोग को समायोजित करने के लिए शॉर्ट सर्किट के माध्यम से पी-साइड की यात्रा करना आवश्यक नहीं है।) हालांकि, एक सपाट फर्मी स्तर के लिए पी-प्रकार की तरफ के बैंडों को एन-प्रकार की तरफ के संबंधित बैंडों की तुलना में अधिक ऊपर जाने की आवश्यकता होती है, जिससे बैंड के किनारों में एक कदम (या बाधा) बनता है, जिसे φB द्वारा लेबल किया जाता है। यह चरण पी-पक्ष पर इलेक्ट्रॉन घनत्व को एन-पक्ष की तुलना में छोटा बोल्ट्जमैन कारक होने के लिए मजबूर करता है, जो पी-क्षेत्र में कम इलेक्ट्रॉन घनत्व के अनुरूप है। प्रतीक तापीय वोल्टेज को दर्शाता है, जिसे टी = 290 केल्विन (कमरे के तापमान) पर, तापीय वोल्टेज लगभग 25 एमवी है। इसी तरह, एन-साइड पर छेद घनत्व एक बोल्ट्जमैन कारक है जो पी-साइड की तुलना में छोटा है। जंक्शन के पार अल्पसंख्यक वाहक घनत्व में यह पारस्परिक कमी वाहक घनत्व के पीएन-उत्पाद को संतुलन में डायोड के भीतर किसी भी स्थिति में होने के लिए मजबूर करती है। पी-साइड और एन-साइड पर थोक बहुसंख्यक वाहक घनत्व क्रमशः कहाँ और कहाँ हैं। बैंड किनारों में इस चरण के परिणामस्वरूप, जंक्शन के पास एक ह्रास क्षेत्र छेद और इलेक्ट्रॉन दोनों से समाप्त हो जाता है, जिससे लगभग कोई मोबाइल चार्ज नहीं होने के साथ एक इन्सुलेट क्षेत्र बनता है। हालाँकि, डोपेंट आयनों के कारण निश्चित, स्थिर आवेश होते हैं। अवक्षयण परत में मोबाइल चार्ज की लगभग अनुपस्थिति का मतलब है कि मौजूद मोबाइल चार्ज डोपेंट आयनों द्वारा योगदान किए गए स्थिर चार्ज को संतुलित करने के लिए अपर्याप्त हैंः स्वीकारक डोपेंट के कारण पी-प्रकार पक्ष पर एक नकारात्मक चार्ज और दाता डोपेंट के कारण एन-प्रकार पक्ष पर एक सकारात्मक चार्ज के रूप में। इस आवेश के कारण इस क्षेत्र में एक विद्युत क्षेत्र है, जैसा कि पॉइसन के समीकरण द्वारा निर्धारित किया जाता है। अवक्षयण क्षेत्र की चौड़ाई समायोजित हो जाती है ताकि पी-पक्ष पर नकारात्मक स्वीकारकर्ता आवेश एन-पक्ष पर सकारात्मक दाता आवेश को बिल्कुल संतुलित कर सके, इसलिए दोनों तरफ अवक्षयण क्षेत्र के बाहर कोई विद्युत क्षेत्र नहीं है। इस बैंड विन्यास में कोई वोल्टेज लागू नहीं किया जाता है और डायोड के माध्यम से कोई धारा प्रवाहित नहीं होती है। डायोड के माध्यम से धारा को मजबूर करने के लिए एक आगे का पूर्वाग्रह लागू किया जाना चाहिए, जैसा कि आगे वर्णित है। फॉरवर्ड बायस में, बैटरी का सकारात्मक टर्मिनल पी-प्रकार की सामग्री से जुड़ा होता है और नकारात्मक टर्मिनल एन-प्रकार की सामग्री से जुड़ा होता है ताकि छेद पी-प्रकार की सामग्री में और इलेक्ट्रॉनों को एन-प्रकार की सामग्री में इंजेक्ट किया जा सके। एन-प्रकार की सामग्री में इलेक्ट्रॉनों को उस तरफ बहुसंख्यक वाहक कहा जाता है, लेकिन जो इलेक्ट्रॉन इसे पी-प्रकार की तरफ बनाते हैं उन्हें अल्पसंख्यक वाहक कहा जाता है। वही वर्णनकर्ता छिद्रों पर लागू होते हैंः वे पी-प्रकार पक्ष पर बहुसंख्यक वाहक होते हैं, और एन-प्रकार पक्ष पर अल्पसंख्यक वाहक होते हैं। एक फॉरवर्ड बायस दो थोक अर्ध-अधिभोग स्तरों को लागू वोल्टेज की मात्रा से अलग करता है, जो पी-प्रकार के बल्क बैंड किनारों के पृथक्करण को एन-प्रकार के ऊर्जा के करीब होने के लिए कम करता है। जैसा कि आरेख में दिखाया गया है, बैंड किनारों में चरण को लागू वोल्टेज द्वारा कम किया जाता है (बैंड झुकने वाला आरेख वोल्ट की इकाइयों में बनाया जाता है, इसलिए कोई भी इलेक्ट्रॉन चार्ज ऊर्जा में परिवर्तित नहीं होता है।) फॉरवर्ड बायस के तहत, पी-साइड से एन-साइड में छेद का एक प्रसार प्रवाह (जो एक सांद्रता प्रवणता द्वारा संचालित एक धारा है), और एन-साइड से पी-साइड तक विपरीत दिशा में इलेक्ट्रॉनों का प्रवाह होता है। इस स्थानांतरण को चलाने वाले ढाल को निम्नानुसार स्थापित किया गया हैः इंटरफेस से दूर थोक में, अल्पसंख्यक वाहकों की बहुसंख्यक वाहकों की तुलना में बहुत कम सांद्रता होती है, उदाहरण के लिए, पी-साइड पर इलेक्ट्रॉन घनत्व (जहां वे अल्पसंख्यक वाहक हैं) एन-साइड की तुलना में कम कारक है (जहां वे बहुसंख्यक वाहक हैं)। दूसरी ओर, इंटरफेस के पास, वोल्टेज का अनुप्रयोग बैंड किनारों में चरण को कम कर देता है और थोक मूल्यों से ऊपर एक बोल्ट्ज़मैन कारक द्वारा अल्पसंख्यक वाहक घनत्व को बढ़ाता है। जंक्शन के भीतर, पी. एन.-उत्पाद को संतुलन मूल्य से ऊपर बढ़ा दिया जाता हैः प्रसार को चलाने वाला ढाल तब बाधा पर बड़े अतिरिक्त अल्पसंख्यक वाहक घनत्व और थोक में कम घनत्व के बीच का अंतर होता है, और वह ढाल अंतरफलक से थोक में अल्पसंख्यक वाहक के प्रसार को संचालित करता है। इंजेक्टेड अल्पसंख्यक वाहकों की संख्या कम हो जाती है क्योंकि वे पुनर्संयोजन तंत्र द्वारा थोक में यात्रा करते हैं जो थोक मूल्यों की ओर अतिरिक्त सांद्रता को चलाते हैं। पुनर्संयोजन एक बहुसंख्यक वाहक के साथ सीधे मुठभेड़ से हो सकता है, दोनों वाहक को नष्ट कर सकता है, या एक पुनर्संयोजन-उत्पादन केंद्र के माध्यम से, एक दोष जो बारी-बारी से छेद और इलेक्ट्रॉनों को फंसाता है, पुनर्संयोजन में सहायता करता है। अल्पसंख्यक वाहक का जीवनकाल सीमित होता है, और यह जीवनकाल बदले में सीमित करता है कि वे बहुसंख्यक वाहक पक्ष से अल्पसंख्यक वाहक पक्ष, तथाकथित प्रसार लंबाई में कितनी दूर तक फैल सकते हैं। प्रकाश उत्सर्जक डायोड में, इलेक्ट्रॉनों और छेदों के पुनर्संयोजन के साथ संयोजकता और चालन बैंड के बीच ऊर्जा अंतराल से संबंधित तरंग दैर्ध्य के प्रकाश का उत्सर्जन होता है, इसलिए डायोड आगे की धारा के एक हिस्से को प्रकाश में परिवर्तित करता है। फॉरवर्ड बायस के तहत, छेद और इलेक्ट्रॉनों के लिए अर्ध-अधिभोग रेखाएं पूरे उपकरण में सपाट नहीं रह सकती हैं क्योंकि वे संतुलन में होती हैं, लेकिन अर्ध-फर्मी स्तर बन जाती हैं जो स्थिति के अनुसार भिन्न होती हैं। जैसा कि चित्र में दिखाया गया है, इलेक्ट्रॉन अर्ध-फर्मी स्तर स्थिति के साथ बदल जाता है, एन-बल्क में अर्ध-अधिभोग संतुलन फर्मी स्तर से, पी-बल्क में गहरे छेद के लिए अर्ध-अधिभोग संतुलन स्तर तक। छेद अर्ध-फर्मी स्तर उल्टा करता है। दो अर्ध-फर्मी स्तर थोक सामग्री में गहराई को छोड़कर मेल नहीं खाते हैं। यह आंकड़ा दर्शाता है कि बहुसंख्यक वाहक घनत्व अपनी संबंधित थोक सामग्री में बहुसंख्यक वाहक घनत्व स्तरों से गिरकर बाधा के शीर्ष पर एक छोटे कारक के स्तर तक गिर जाता है, जो संतुलन मूल्य से आगे के डायोड पूर्वाग्रह की मात्रा से कम हो जाता है क्योंकि यह बाधा विपरीत रूप से डोप की गई सामग्री में स्थित है, बाधा स्थिति में इंजेक्ट किए गए वाहक अब अल्पसंख्यक वाहक हैं। जैसे-जैसे पुनर्संयोजन पकड़ लेता है, अल्पसंख्यक वाहक घनत्व थोक अल्पसंख्यक वाहकों के लिए अपने संतुलन मूल्यों की गहराई के साथ गिरते हैं, जो इंजेक्शन से पहले बहुसंख्यक वाहकों के रूप में उनकी थोक घनत्व से छोटा कारक है। इस बिंदु पर अर्ध-फर्मी स्तर थोक फर्मी स्तर की स्थिति में फिर से शामिल हो जाते हैं। बैंड किनारों में कम कदम का मतलब यह भी है कि आगे की ओर झुकाव के तहत ह्रास क्षेत्र संकीर्ण हो जाता है क्योंकि इसमें पी-साइड से छेद और एन-साइड से इलेक्ट्रॉनों को धकेल दिया जाता है। सरल पी-एन डायोड में वाहक घनत्व में घातीय वृद्धि के कारण फॉरवर्ड बायस वोल्टेज के साथ फॉरवर्ड करंट तेजी से बढ़ता है, इसलिए लागू वोल्टेज के बहुत छोटे मूल्यों पर हमेशा कुछ करंट होता है। हालाँकि, यदि कोई किसी विशेष वर्तमान स्तर में रुचि रखता है, तो उस वर्तमान स्तर तक पहुँचने से पहले उसे "नी" वोल्टेज की आवश्यकता होगी (सिलिकॉन डायोड के लिए ~ 0.7 वी, अन्य पर सूचीबद्ध)। घुटने के ऊपर, धारा तेजी से बढ़ती रहती है। कुछ विशेष डायोड, जैसे कि कुछ वैराक्टर, को जानबूझकर आगे की दिशा में कुछ घुटने के वोल्टेज तक कम धारा स्तर को बनाए रखने के लिए डिज़ाइन किया गया है। रिवर्स बायस में छेद के लिए अधिभोग स्तर फिर से थोक पी-प्रकार अर्धचालक के स्तर पर रहता है जबकि इलेक्ट्रॉनों के लिए अधिभोग स्तर थोक एन-प्रकार के लिए इसका अनुसरण करता है। इस मामले में, पी-प्रकार के बल्क बैंड किनारों को एन-प्रकार के बल्क के सापेक्ष रिवर्स बायस द्वारा उठाया जाता है, इसलिए दो बल्क ऑक्यूपेंसी स्तरों को लागू वोल्टेज द्वारा निर्धारित ऊर्जा द्वारा फिर से अलग किया जाता है। जैसा कि आरेख में दिखाया गया है, इस व्यवहार का मतलब है कि पट्टी के किनारों में कदम को बढ़ा दिया जाता है और कमी क्षेत्र चौड़ा हो जाता है क्योंकि इससे पी-साइड पर छेद और एन-साइड पर इलेक्ट्रॉन खींचे जाते हैं। जब रिवर्स बायस लागू किया जाता है, तो अवक्षय क्षेत्र में विद्युत क्षेत्र बढ़ जाता है, जो शून्य बायस मामले की तुलना में इलेक्ट्रॉनों और छेदों को और दूर खींचता है। इस प्रकार, कोई भी धारा जो बहती है, वह इस क्षेत्र में उत्पादन-संयोजन दोषों के कारण ह्रास क्षेत्र के अंदर वाहक उत्पादन की बहुत कमजोर प्रक्रिया के कारण होती है। वह बहुत छोटी धारा रिवर्स बायस के तहत रिसाव धारा का स्रोत है। फोटोडायोड में, आपतित प्रकाश द्वारा ह्रास क्षेत्र में छेद और इलेक्ट्रॉनों के निर्माण का उपयोग करके रिवर्स करंट पेश किया जाता है, इस प्रकार आपतित प्रकाश के एक हिस्से को विद्युत प्रवाह में परिवर्तित किया जाता है। जब रिवर्स बायस बहुत बड़ा हो जाता है, ब्रेकडाउन वोल्टेज तक पहुंच जाता है, तो अवक्षय क्षेत्र में उत्पादन प्रक्रिया तेज हो जाती है जिससे हिमस्खलन की स्थिति हो जाती है जो भागने का कारण बन सकती है और डायोड को नष्ट कर सकती है। डायोड नियम आदर्श पी-एन डायोड का डी. सी. धारा-वोल्टेज व्यवहार शॉकली डायोड समीकरण द्वारा नियंत्रित होता हैः डायोड में डी. सी. वोल्टेज कहाँ है। यह विपरीत संतृप्ति धारा है, वह धारा जो तब बहती है जब डायोड विपरीत पक्षपाती होता है (यानी, बड़ा और नकारात्मक होता है)। आदर्श डायोड नियम द्वारा भविष्यवाणी की तुलना में वृद्धि की धीमी दर को मॉडल करने के लिए पेश किया गया एक आदर्श कारक है। T = 290 केल्विन पर लगभग 25 mV का तापीय वोल्टेज है। यह समीकरण गैर-आदर्श व्यवहार को मॉडल नहीं करता है जैसे कि अतिरिक्त विपरीत रिसाव या टूटने की घटना। इस समीकरण का उपयोग करते हुए, प्रतिरोध पर डायोड कम प्रतिरोध प्रदर्शित कर रहा है। नोटः अंतर या समय-परिवर्तनशील डायोड धारा और वोल्टेज को संदर्भित करने के लिए, छोटे अक्षर का उपयोग किया जाता है। एक पी-एन डायोड के एन और पी पक्षों के बीच की ह्रास परत एक अवरोधक क्षेत्र के रूप में कार्य करती है जो दो डायोड संपर्कों को अलग करती है। इस प्रकार, रिवर्स बायस में डायोड एक ह्रास-परत कैपेसिटेंस प्रदर्शित करता है, जिसे कभी-कभी अधिक अस्पष्ट रूप से जंक्शन कैपेसिटेंस कहा जाता है, जो संपर्कों के बीच एक अस्तरक स्पेसर के साथ एक समानांतर प्लेट कैपेसिटर के अनुरूप होता है। रिवर्स बायस में अपचयन परत की चौड़ाई को बढ़ते हुए रिवर्स बायस के साथ चौड़ा किया जाता है और तदनुसार कैपेसिटेंस कम हो जाती है। इस प्रकार, जंक्शन एक वोल्टेज-नियंत्रित संधारित्र के रूप में कार्य करता है। एक सरलीकृत एक-आयामी मॉडल में, जंक्शन कैपेसिटेंस हैः उपकरण क्षेत्र के साथ, सापेक्ष अर्धचालक परावैद्युत पारगम्यता, विद्युत स्थिरांक, और ह्रास चौड़ाई (उस क्षेत्र की मोटाई जहां मोबाइल वाहक घनत्व नगण्य है)। फॉरवर्ड बायस में, उपरोक्त डिप्लीशन-लेयर कैपेसिटेंस के अलावा, माइनॉरिटी कैरियर चार्ज इंजेक्शन और प्रसार होता है। एक प्रसार धारिता मौजूद है जो अल्पसंख्यक वाहक आवेश में परिवर्तन को व्यक्त करती है जो आगे के पूर्वाग्रह में परिवर्तन के साथ होती है। संग्रहीत अल्पांश वाहक आवेश के संदर्भ में, डायोड धारा हैः अल्पांश वाहक के प्रसार से जुड़ा आवेश कहाँ है, और पारगमन समय है, अल्पांश आवेश के लिए इंजेक्शन क्षेत्र को पारगमन करने में लगने वाला समय, आमतौर पर 0.1-100 NS। इस आधार पर, प्रसार कैपेसिटेंस की गणना इस प्रकार की जाती हैः आम तौर पर, फॉरवर्ड बायस में सामान्य वर्तमान स्तरों के लिए, यह कैपेसिटेंस कमी-परत कैपेसिटेंस से कहीं अधिक है। क्षणिक प्रतिक्रिया डायोड एक अत्यधिक गैर-रैखिक उपकरण है, लेकिन छोटे-संकेत भिन्नताओं के लिए इसकी प्रतिक्रिया का विश्लेषण एक चयनित शांत डीसी पूर्वाग्रह बिंदु (या क्यू-बिंदु) के आधार पर एक छोटे-संकेत परिपथ का उपयोग करके किया जा सकता है, जिसके बारे में संकेत को भिन्न होने की कल्पना की जाती है। धारा और प्रतिरोध के साथ नॉर्टन स्रोत द्वारा संचालित एक डायोड के लिए समतुल्य परिपथ दिखाया गया है। आउटपुट नोड पर किरचॉफ के वर्तमान नियम का उपयोग करनाः डायोड प्रसार कैपेसिटेंस के साथ, डायोड जंक्शन कैपेसिटेंस (अवक्षयण परत कैपेसिटेंस) और डायोड प्रतिरोध को चालू या बंद करना, सभी उस क्यू-बिंदु पर। इस परिपथ द्वारा प्रदान किया गया आउटपुट वोल्टेज तब हैः जहाँ।। समानांतर प्रतिरोध को इंगित करता है। यह अनुप्रतिरोधक प्रवर्धक एक कोने की आवृत्ति या कटऑफ आवृत्ति को दर्शाता हैः और आवृत्तियों के लिए लाभ आवृत्ति के साथ लुढ़क जाता है क्योंकि संधारित्र अवरोधक को शॉर्ट-सर्किट करते हैं, जैसा कि डायोड को चालू करने के मामले में होता है, और डायोड प्रतिरोध और धारिता के लिए ऊपर पाए गए भाव प्रदान करते हैंः जो कोने की आवृत्ति को डायोड पारगमन समय से संबंधित करता है। रिवर्स बायस में संचालित डायोड के लिए, शून्य है और कोने की आवृत्ति शब्द को अक्सर कटऑफ आवृत्ति द्वारा प्रतिस्थापित किया जाता है। किसी भी स्थिति में, विपरीत पूर्वाग्रह में डायोड प्रतिरोध काफी बड़ा हो जाता है, हालांकि अनंत नहीं जैसा कि आदर्श डायोड नियम से पता चलता है, और यह धारणा कि यह चालक के नॉर्टन प्रतिरोध से कम है, सही नहीं हो सकती है। जंक्शन कैपेसिटेंस छोटी होती है और रिवर्स बायस पर निर्भर करती है कटऑफ फ्रीक्वेंसी तब होती हैः और रिवर्स बायस के साथ बदलती रहती है क्योंकि डायोड रिवर्स बायस बढ़ने के साथ मोबाइल वाहकों से कम इंसुलेटिंग क्षेत्र की चौड़ाई बढ़ जाती है, जिससे कैपेसिटेंस कम हो जाती है। पी-आई-एन डायोड नोट्स डायोड अर्धचालक उपकरण भी देखें।