Sense amplifier
आधुनिक कंप्यूटर मेमोरी में, एक सेंस एम्पलीफायर उन तत्वों में से एक है जो एक अर्धचालक मेमोरी चिप (एकीकृत सर्किट) पर सर्किटरी बनाते हैं; यह शब्द स्वयं चुंबकीय कोर मेमोरी के युग का है। एक सेंस एम्पलीफायर रीड सर्किटरी का हिस्सा है जिसका उपयोग तब किया जाता है जब डेटा को मेमोरी से पढ़ा जाता है; इसकी भूमिका एक बिटलाइन से कम शक्ति संकेतों को महसूस करना है जो एक मेमोरी सेल में संग्रहीत डेटा बिट (1 या 0) का प्रतिनिधित्व करता है, और छोटे वोल्टेज स्विंग को पहचानने योग्य तर्क स्तरों तक बढ़ाता है ताकि डेटा को मेमोरी के बाहर तर्क द्वारा ठीक से व्याख्या की जा सके। आधुनिक इन्द्रिय-प्रवर्धक परिपथों में दो से छह (आमतौर पर चार) ट्रांजिस्टर होते हैं, जबकि मूल स्मृति के लिए प्रारंभिक इन्द्रिय प्रवर्धकों में कभी-कभी 13 ट्रांजिस्टर होते हैं। स्मृति कोशिकाओं के प्रत्येक स्तंभ के लिए एक इन्द्रिय प्रवर्धक होता है, इसलिए आमतौर पर एक आधुनिक स्मृति चिप पर सैकड़ों या हजारों समान इन्द्रिय प्रवर्धक होते हैं। इस प्रकार, सेंस एम्पलीफायर कंप्यूटर के मेमोरी सबसिस्टम में कुछ शेष एनालॉग सर्किटों में से एक हैं। संबंधित मेमोरी से डेटा रीड और रिफ्रेश ऑपरेशन के दौरान बुनियादी संरचना सेंस एम्पलीफायर की आवश्यकता होती है। मेमोरी चिप ऑपरेशन अर्धचालक मेमोरी चिप में डेटा को छोटे परिपथों में संग्रहीत किया जाता है जिन्हें मेमोरी सेल कहा जाता है। सेंस एम्पलीफायर मुख्य रूप से वाष्पशील स्मृति कोशिकाओं में लागू किए जाते हैं। स्मृति कोशिकाएँ या तो एस. आर. ए. एम. या डी. आर. ए. एम. कोशिकाएँ होती हैं जो चिप पर पंक्तियों और स्तंभों में रखी जाती हैं। प्रत्येक पंक्ति पंक्ति में प्रत्येक कक्ष से जुड़ी होती है। पंक्तियों के साथ चलने वाली रेखाओं को वर्डलाइन कहा जाता है जो उस पर वोल्टेज लगाकर सक्रिय होती हैं। कॉलम के साथ चलने वाली रेखाओं को बिट-लाइन कहा जाता है और ऐसी दो पूरक बिटलाइन सरणी के किनारे पर एक सेंस एम्पलीफायर से जुड़ी होती हैं। सेंस एम्पलीफायरों की संख्या चिप पर "बिटलाइन" की होती है। प्रत्येक सेल एक विशेष वर्डलाइन और बिटलाइन के प्रतिच्छेदन पर स्थित है, जिसका उपयोग इसे "संबोधित" करने के लिए किया जा सकता है। कक्षों में डेटा को उन्हीं बिट-लाइनों द्वारा पढ़ा या लिखा जाता है जो पंक्तियों और स्तंभों के शीर्ष पर चलती हैं। एस. आर. ए. एम. ऑपरेशन किसी विशेष मेमोरी सेल से थोड़ा पढ़ने के लिए, सेल की पंक्ति के साथ वर्डलाइन को चालू किया जाता है, जिससे पंक्ति में सभी सेल सक्रिय हो जाते हैं। सेल से संग्रहीत मूल्य (लॉजिक 0 या 1) फिर इससे जुड़ी बिट-लाइनों में आता है। दो पूरक बिट-लाइनों के अंत में सेंस एम्पलीफायर छोटे वोल्टेज को सामान्य तर्क स्तर तक बढ़ाता है। वांछित सेल से बिट को फिर सेल के सेंस एम्पलीफायर से एक बफर में बांध दिया जाता है, और आउटपुट बस पर डाल दिया जाता है। डी. आर. ए. एम. ऑपरेशन डी. आर. ए. एम. में सेंस एम्पलीफायर ऑपरेशन काफी हद तक एस. आर. ए. एम. के समान है, लेकिन यह एक अतिरिक्त कार्य करता है। डी. आर. ए. एम. चिप में डेटा को स्मृति कोशिकाओं में छोटे संधारित्रों में विद्युत आवेश के रूप में संग्रहीत किया जाता है। रीड ऑपरेशन एक सेल में चार्ज को कम कर देता है, डेटा को नष्ट कर देता है, इसलिए डेटा को पढ़ने के बाद सेंस एम्पलीफायर को तुरंत कैपेसिटर को रिचार्ज करते हुए एक वोल्टेज लागू करके इसे सेल में वापस लिखना चाहिए। इसे मेमोरी रिफ्रेश कहा जाता है। डिजाइन उद्देश्य अपने डिजाइन के हिस्से के रूप में, इन्द्रिय प्रवर्धकों का उद्देश्य न्यूनतम इन्द्रिय विलंब, प्रवर्धन का आवश्यक स्तर, न्यूनतम बिजली की खपत, प्रतिबंधित लेआउट क्षेत्रों में फिट होना और उच्च विश्वसनीयता और सहिष्णुता है। डिफरेंशियल एम्पलीफायर शंट (इलेक्ट्रिकल) संदर्भ भी देखें बाहरी लिंक करंट शंट मॉनिटरिंग उत्पाद करंट सेंसिंग अवलोकन एसआरएएम अनुप्रयोगों के लिए हाई-स्पीड सेंस एम्पलीफायर डीआरएएम पंक्ति बफर में डेटा कैशिंग मेमोरी सेमीकंडक्टर तकनीक