Everspin Technologies
एवरस्पिन टेक्नोलॉजीज एक सार्वजनिक अर्धचालक कंपनी है जिसका मुख्यालय चांडलर, एरिजोना, संयुक्त राज्य अमेरिका में है। यह अलग मैग्नेटोरेसिस्टिव रैम या मैग्नेटोरेसिस्टिव रैंडम-एक्सेस मेमोरी (एमआरएएम) उत्पादों का विकास और निर्माण करता है, जिसमें टॉगल एमआरएएम और स्पिन-ट्रांसफर टॉर्क एमआरएएम (एसटीटी-एमआरएएम) उत्पाद परिवार शामिल हैं। यह एम्बेडेड एम. आर. ए. एम. (ई. एम. आर. ए. एम.) अनुप्रयोगों, चुंबकीय संवेदक अनुप्रयोगों में उपयोग के लिए अपनी तकनीक का लाइसेंस भी देता है और साथ ही ई. एम. आर. ए. एम. के लिए बैकएंड फाउंड्री सेवाओं का प्रदर्शन करता है। एम. आर. ए. एम. में स्थिर यादृच्छिक-अभिगम स्मृति (एस. आर. ए. एम.) के करीब प्रदर्शन विशेषताएँ होती हैं, जबकि गैर-वाष्पशील स्मृति की दृढ़ता भी होती है, जिसका अर्थ है कि यदि प्रणाली से बिजली हटा दी जाती है तो यह अपने आवेश या डेटा को नहीं खोएगा। यह विशेषता एमआरएएम को बड़ी संख्या में अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त बनाती है जहां दृढ़ता, प्रदर्शन, सहनशक्ति और विश्वसनीयता महत्वपूर्ण हैं। एम. आर. ए. एम. का मार्ग 1984 में शुरू हुआ जब अल्बर्ट फर्ट और पीटर ग्रुनबर्ग ने जी. एम. आर. प्रभाव की खोज की। बारह साल बाद, 1996 में, स्पिन-हस्तांतरण टोक़ प्रस्तावित किया गया है, जिससे एक चुंबकीय सुरंग जंक्शन या स्पिन वाल्व को स्पिन-ध्रुवीकृत धारा के साथ संशोधित किया जा सकता है। इस बिंदु पर, मोटोरोला ने अपना एम. आर. ए. एम. अनुसंधान शुरू किया, जिसके कारण 1998 में उनका पहला एम. टी. जे. हुआ। एक साल बाद, 1999 में, मोटोरोला ने एक 256के. बी. एम. आर. ए. एम. परीक्षण चिप विकसित की जिसने एम. आर. ए. एम. प्रौद्योगिकी के उत्पादन पर काम शुरू करने में सक्षम बनाया, जिसके बाद 2002 में मोटोरोला को टॉगल के लिए एक पेटेंट दिया गया। उद्योग का पहला एम. आर. ए. एम. (4एम. बी.) उत्पाद 2006 में व्यावसायिक रूप से उपलब्ध हुआ। प्रारंभिक एम. आर. ए. एम. का अधिकांश काम मोटोरोला द्वारा किया गया था, जिसने 2004 में अपने अर्धचालक व्यवसाय को बंद कर दिया, 2008 में फ्रीस्केल अर्धचालक का निर्माण किया, जिसने अंततः एम. आर. ए. एम. व्यवसाय को एवरस्पिन टेक्नोलॉजीज के रूप में शुरू किया। 2008 में, एवरस्पिन ने अपने एम. आर. ए. एम. उत्पाद परिवार के लिए बी. जी. ए. पैकेजों की घोषणा की जो 256के. बी. से 4एम. बी. तक घनत्व का समर्थन करेंगे। अगले वर्ष, 2009 में, एवरस्पिन ने अपनी पहली पीढ़ी के एस. पी. आई. एम. आर. ए. एम. उत्पाद परिवार को जारी किया और ग्लोबलफाउंड्रीज़ के संयोजन में पहले एम्बेडेड एम. आर. ए. एम. नमूनों को भेजना शुरू किया। 2010 तक, एवरस्पिन ने उत्पादन बढ़ाना शुरू कर दिया था और अपने पहले दस लाख एम. आर. ए. एम. बेच दिए थे। उसी वर्ष उद्योग के पहले एम्बेडेड एम. आर. ए. एम. पर योग्यता पूरी हो गई थी और 16 एम. बी. घनत्व जारी किए गए थे। उत्पादन में तेजी के साथ, एवरस्पिन ने 2011 तक अपने चालीस लाखवें स्टैंड-अलोन एमआरएएम और अपने बीस लाखवें एम्बेडेड एमआरएएम को भेज दिया। 64एम. बी. एस. टी.-एम. आर. ए. एम., जिसका उत्पादन 90 एन. एम. प्रक्रिया पर किया गया था, 2012 में हुआ था। 2014 में एवरस्पिन ने 40 एनएम और 28 एनएम नोड प्रक्रियाओं का उपयोग करते हुए 300 मिमी वेफर्स पर इन-प्लेन और लंबवत एमटीजे एसटी-एमआरएएम के उत्पादन के लिए ग्लोबलफाउंड्रीज के साथ भागीदारी की। 2016 तक, एवरस्पिन ने घोषणा की थी कि वह उद्योग के पहले 256 एमबी एसटी-एमआरएएम के नमूने ग्राहकों को भेज रहा है, ग्लोबलफाउंड्रीज ने एवरस्पिन के साथ मिलकर 22 एनएम एम्बेडेड एमआरएएम की घोषणा की, और एवरस्पिन वर्ष के अंत में 7 अक्टूबर को एक आई. पी. ओ. में सार्वजनिक हुआ। 2017 में, एवरस्पिन ने अपने एस. टी.-एम. आर. ए. एम. उत्पादों में डी. डी. आर. 3 और डी. डी. आर. 4 संगतता लाकर एम. आर. ए. एम. से एफ. पी. जी. ए. के लिए समर्थन का विस्तार किया, जिससे यह ज़िलिंक्स के अल्ट्रा स्केल एफ. पी. जी. ए. स्मृति नियंत्रक के साथ संगत हो गया। 1 सितंबर, 2017 को, केविन कॉनली को एवरस्पिन सीईओ और अध्यक्ष नामित किया गया था। कॉनली सैनडिस्क के पूर्व सीटीओ थे और कंपनी के लिए उद्यम भंडारण विशेषज्ञता लाते हैं। 2018 में, एवरस्पिन ने अपने 256Mb STT-MRAM के उत्पादन की मात्रा को बढ़ाया और दिसंबर में 1Gb STT-MRAM के अपने पहले ग्राहक नमूने भेजे। 2019 में, एवरस्पिन ने जून में अपने 1जीबी एसटीटी-एमआरएएम का पूर्व-उत्पादन शुरू किया और सिस्टम डिजाइनरों को अपने डिजाइनों में 1जीबी एसटी-डीडीआर4 उत्पाद को लागू करने में सक्षम बनाने के लिए डिजाइन-इन पारिस्थितिकी तंत्र के विस्तार की घोषणा की। प्रौद्योगिकी एम. आर. ए. एम. तेज और स्थायी गैर-वाष्पशील स्मृति प्रदान करने के लिए इलेक्ट्रॉन स्पिन के चुंबकत्व का उपयोग करता है। एमआरएएम चुंबकीय सामग्री में जानकारी संग्रहीत करता है जो फ्लैश की गैर-अस्थिरता के साथ रैम की गति प्रदान करने के लिए सिलिकॉन सर्किटरी के साथ एकीकृत है। चैंडलर, एरिजोना में मुख्यालय, एवरस्पिन अपने चुंबकीय बैक-एंड-ऑफ-लाइन वेफर प्रसंस्करण के लिए एक विनिर्माण लाइन का मालिक है और उसका संचालन करता है, जिसमें फाउंड्री से मानक सीएमओएस वेफर्स का उपयोग किया जाता है। एवरस्पिन के वर्तमान एमआरएएम उत्पाद 180-एनएम, 130-एनएम, 40-एनएम और 28-एनएम प्रक्रिया प्रौद्योगिकी नोड्स और उद्योग मानक पैकेजों पर आधारित हैं। उत्पाद टॉगल एम. आर. ए. एम. टॉगल एम. आर. ए. एम. स्मृति इलेक्ट्रॉन स्पिन के चुंबकत्व का उपयोग करती है, जिससे अस्थिरता या खराब होने के बिना डेटा का भंडारण संभव हो जाता है। टॉगल एमआरएएम एक टिकाऊ, उच्च घनत्व स्मृति प्रदान करने के लिए एक एकल ट्रांजिस्टर और एक एकल एमटीजे सेल का उपयोग करता है। टॉगल एम. आर. ए. एम. की गैर-अस्थिरता के कारण, इस स्मृति में रखे गए डेटा 20 वर्षों के लिए तापमान (-40 से 150 से) पर सुलभ हैं। एम. टी. जे. एक निश्चित चुंबकीय परत, एक पतली अस्तरक सुरंग बाधा और एक मुक्त चुंबकीय परत से बना है। जब स्पिन टोगल के एम. टी. जे. पर एक पूर्वाग्रह लागू किया जाता है, तो इलेक्ट्रॉन जो परावैद्युत अवरोध के पार चुंबकीय परतों "सुरंग" द्वारा ध्रुवीकृत होते हैं। एम. टी. जे. उपकरण में कम प्रतिरोध होता है जब मुक्त परत का चुंबकीय क्षण निश्चित परत के समानांतर होता है और एक उच्च प्रतिरोध होता है जब मुक्त परत क्षण निश्चित परत क्षण के विरोधी समानांतर होता है। उत्पादन घनत्वों में 128के. बी. से 16एम. बी. शामिल हैं; जो समानांतर और एस. पी. आई. इंटरफेस में उपलब्ध हैं; डी. एफ. एन., एस. ओ. आई. सी., बी. जी. ए., और टी. एस. ओ. पी. 2 पैकेज स्पिन-ट्रांसफर टॉर्क एम. आर. ए. एम. स्पिन-ट्रांसफर टॉर्क एक प्रकार की एम. आर. ए. एम. मेमोरी (एस. टी. टी.-एम. आर. ए. एम.) है जिसे एक लंबवत एम. टी. जे. के साथ बनाया गया है जो स्पिन-ट्रांसफर टॉर्क गुण (ध्रुवीकरण धारा के साथ इलेक्ट्रॉनों के स्पिन के हेरफेर) का उपयोग करता है ताकि मुक्त परत की चुंबकीय स्थिति को प्रोग्राम करने, या लिखने, मेमोरी सरणी में बिट्स में हेरफेर किया जा सके। उच्च लंबवत चुंबकीय अनिसोट्रोपी के साथ एवरस्पिन के लंबवत एम. टी. जे. स्टैक डिजाइन लंबे डेटा प्रतिधारण, छोटे कोशिका आकार, उच्च घनत्व, उच्च सहनशक्ति और कम शक्ति लाते हैं। एस. टी. टी.-एम. आर. ए. एम. में टॉगल एम. आर. ए. एम. की तुलना में कम स्विचिंग ऊर्जा होती है, और यह उच्च घनत्व तक पहुंच सकती है। एवरस्पिन के एस. टी. टी.-एम. आर. ए. एम. उत्पाद डी. डी. आर. 3 और डी. डी. आर. 4 (एम. आर. ए. एम. प्रौद्योगिकी के लिए आवश्यक कुछ संशोधनों के साथ) के लिए जे. ई. डी. ई. सी. मानक इंटरफेस के साथ संगत हैं। इस मोड में, डी. डी. आर. 3 उत्पाद एक स्थायी (गैर-वाष्पशील) डी. आर. ए. एम. की तरह काम कर सकता है और इसे ताज़ा करने की आवश्यकता नहीं होती है, जबकि डी. डी. आर. 4 उत्पाद में निष्क्रिय स्थिति में स्व-ताज़ा मोड होता है। 1 जीबी घनत्व वाले डी. डी. आर. 4 संगत एस. टी. टी.-एम. आर. ए. एम. उपकरणों ने अगस्त 2017 की शुरुआत में ग्राहकों के लिए शुरुआती नमूने लेना शुरू कर दिया। जून 2019 में, 1जीबी एसटीटी-एमआरएएम ने प्रायोगिक उत्पादन में प्रवेश किया। एन. वी. एन. आई. टी. आर. ओ. भंडारण त्वरक एवरस्पिन ने भंडारण आवश्यकताओं को पूरा करने के लिए एन. वी. एन. आई. टी. आर. ओ. उत्पाद विकसित किए हैं जो आमतौर पर एन. वी. एम. ई. उत्पादों द्वारा प्रदान किए जा रहे हैं। दो अलग-अलग रूप कारक हैं, एच. एच. एच. एल. (पी. सी. आई. ई. जेन3 x8), और यू. 2। ये उपकरण आज 1 जीबी तक डेटा संग्रहीत कर सकते हैं, जिसमें अधिक क्षमताओं की योजना बनाई गई है क्योंकि समय के साथ एमआरएएम घनत्व बढ़ जाता है। एन. वी. एन. आई. टी. आर. ओ. उत्पाद एन. वी. एम. ई. 1.1 और ब्लॉक भंडारण आवश्यकताओं दोनों को संभाल सकते हैं। चूंकि ये उत्पाद एम. आर. ए. एम. पर बनाए गए हैं, इसलिए उन्हें उड़ान में डेटा की सुरक्षा के लिए विशिष्ट चुंबकीय भंडारण उत्पादों के बैटरी बैकअप की आवश्यकता नहीं होती है। एवरस्पिन ने आधिकारिक तौर पर अगस्त 2017 में 256 एमबी एसटी-एमआरएएम (1जीबी और 2जीबी क्षमता) पर आधारित एनवीएनआईटीआरओ का पहला संस्करण लॉन्च किया। भविष्य के संस्करण आगामी 1जी. बी. एस. टी.-एम. आर. ए. एम. घनत्वों पर आधारित होंगे जिन्होंने हाल ही में ग्राहकों के लिए नमूने लेना शुरू किया है। स्मार्ट मॉड्यूलर टेक्नोलॉजीज ने एन. वी. एन. आई. टी. आर. ओ. प्रौद्योगिकी भागीदार के रूप में हस्ताक्षर किए हैं और अपने ब्रांड नाम के तहत एन. वी. एन. आई. टी. आर. ओ. भंडारण त्वरक बेचेगी। एम्बेडेड एम. आर. ए. एम. एवरस्पिन ने एम. आर. ए. एम. को मानक सी. एम. ओ. एस. प्रौद्योगिकी में एकीकृत करने के लिए ग्लोबलफाउंड्रीज़ के साथ भागीदारी की है, जिससे इसे सी. एम. ओ. एस. तर्क डिजाइनों में एकीकृत, गैर-विनाशकारी रूप से किया जा सके। एम्बेडेड एम. आर. ए. एम. किसी भी सी. एम. ओ. एस. डिजाइन में एम्बेडेड फ्लैश, डी. आर. ए. एम. या एस. आर. ए. एम. को बदल सकता है, जो गैर-अस्थिरता के साथ स्मृति की समान क्षमता प्रदान करता है। एम्बेडेड एमआरएएम को 65 एनएम, 40 एनएम, 28 एनएम में एकीकृत किया जा सकता है और अब ग्लोबलफाउंड्रीज़ 22एफडीएक्स प्रक्रिया में जो 22 एनएम है और पूरी तरह से समाप्त सिलिकॉन-ऑन-इंसुलेटर (एफडी-एसओआई) का उपयोग करता है। संदर्भ बाहरी लिंक एवरस्पिन आधिकारिक वेबसाइट संयुक्त राज्य अमेरिका की सेमीकंडक्टर कंपनियां 2008 में स्थापित अमेरिकी कंपनियां नैस्डैक 2016 प्रारंभिक सार्वजनिक पेशकश कंपनियों में सूचीबद्ध हैं जो चांडलर, एरिज़ोना में स्थित हैं।