Cis effect
अकार्बनिक रसायन विज्ञान में, सी. आई. एस. प्रभाव को सी. ओ. लिगेंडों के लेबिलाइजेशन (या अस्थिरता) के रूप में परिभाषित किया जाता है जो अन्य लिगेंडों के लिए सी. आई. एस. होते हैं। सी. ओ. ऑर्गेनोमेटेलिक रसायन विज्ञान में एक प्रसिद्ध मजबूत पाई-स्वीकार करने वाला लिगैंड है जो स्टेरिक और इलेक्ट्रॉनिक प्रभावों के कारण लिगैंड के निकट होने पर सी. आई. एस. स्थिति में अस्थिर हो जाएगा। सी. आई. एस. प्रभाव के लिए अक्सर अध्ययन की जाने वाली प्रणाली एक ऑक्टाहेड्रल कॉम्प्लेक्स है जहाँ एक्स एक लिगैंड है जो एक सी. ओ. लिगैंड सी. आई. एस. को लेबिलाइज़ करेगा। ट्रांस प्रभाव के विपरीत, जो अक्सर 4-समन्वित वर्ग समतलीय परिसरों में देखा जाता है, सीआईएस प्रभाव 6-समन्वित ऑक्टाहेड्रल संक्रमण धातु परिसरों में देखा जाता है। यह निर्धारित किया गया है कि कमजोर सिग्मा दाता और गैर-पाई स्वीकार करने वाले लिगेंडों में सबसे मजबूत सिस-स्थिरीकरण प्रभाव प्रतीत होते हैं। इसलिए, सी. आई. एस. प्रभाव में ट्रांस-प्रभाव की विपरीत प्रवृत्ति होती है, जो प्रभावी रूप से उन लिगेंडों को लेबिलाइज़ करता है जो मजबूत पाई स्वीकार करने और सिग्मा दान करने वाले लिगेंडों में ट्रांस होते हैं। धातु कार्बोनिल परिसर समूह 6 और समूह 7 संक्रमण धातु परिसरों में इलेक्ट्रॉन की गिनती को सी. ओ. सिस से लिगैंड एक्स के पृथक्करण के संबंध में सबसे प्रमुख पाया गया है। सी. ओ. एक तटस्थ लिगैंड है जो परिसर को 2 इलेक्ट्रॉन दान करता है, और इसलिए इसमें आयनिक या कैटेनिक गुणों का अभाव है जो परिसर की इलेक्ट्रॉन गिनती को प्रभावित करेगा। जिन संक्रमण धातु परिसरों में सूत्र होता है, उनके लिए समूह 6 धातुओं (एम0, जहां धातु की ऑक्सीकरण स्थिति शून्य होती है) को तटस्थ लिगैंड एक्स के साथ जोड़ा जाता है, और समूह 7 धातुओं (एम +, जहां धातु की ऑक्सीकरण स्थिति + 1 होती है), युग्मित आयनिक लिगैंड, बहुत स्थिर 18 इलेक्ट्रॉन परिसरों का निर्माण करेंगे। संक्रमण धातु परिसरों में 9 संयोजकता कक्षीय होते हैं, और 18 इलेक्ट्रॉन बदले में इन संयोजकता कोशों को भर देंगे, जिससे एक बहुत ही स्थिर परिसर बन जाएगा, जो 18-इलेक्ट्रॉन नियम को संतुष्ट करता है। 18 ई-कॉम्प्लेक्स के सिस-स्थिरीकरण से पता चलता है कि सिस स्थिति में लिगैंड एक्स का पृथक्करण एक वर्गाकार पिरामिडल संक्रमण अवस्था बनाता है, जो कॉम्प्लेक्स की ऊर्जा को कम करता है, जिससे प्रतिक्रिया की दर बढ़ जाती है। नीचे दी गई योजना सीआईएस में एक सीओ लिगैंड के पृथक्करण मार्ग और एक्स में ट्रांस स्थिति को दर्शाती है, जिसके बाद लिगैंड वाई का जुड़ाव होता है। यह एक विघटनकारी तंत्र का एक उदाहरण है, जहां एक 18 ई-कॉम्प्लेक्स एक सी. ओ. लिगैंड खो देता है, जिससे एक 16 ई-मध्यवर्ती बन जाता है, और 18 ई-का एक अंतिम कॉम्प्लेक्स सी. ओ. के स्थान पर आने वाले लिगैंड को डालने से उत्पन्न होता है। यह तंत्र कार्बनिक रसायन विज्ञान में एस. एन. 1 तंत्र से मिलता-जुलता है, और समन्वय यौगिकों पर भी लागू होता है। चित्र 1. परिसरों के प्रतिस्थापन में मध्यस्थता करता है। यदि लिगेंड एक्स और वाई कॉम्प्लेक्स के लिए तटस्थ दाता हैंः एम = समूह 6 धातु (एम = 0) एम = समूह 7 धातु (एम = + 1) सी. ओ. सिस-स्थिरीकरण पर लिगेंड का प्रभाव लिगेंडों का क्रम जिसमें सिस-स्थिरीकरण प्रभाव होते हैं वे इस प्रकार हैंः सी. ओ., ए. यू. पी. पी. एच. 3, एच-, एस. एन. पी. एच. 3, जी. ई. पी. एच. 3, <पी. (ओ) पी. एच. 3 <पी. पी. एच. 3 <आई-<सी. एच. एस. ओ. 2-, एन. सी. 5. एच. 5 <सी. एच. 3. ओ. <बी. आर.-, एन. सी. ओ.-<सी. एल.-<एन. ओ. ओ. 3-एनायनिक लिगेंड जैसे एफ-, सी. एल.-, ओ. एच.-और एस. एच.-के कॉम्प्लेक्स में विशेष रूप से मजबूत सी. ओ. लेबिलाइज़िंग प्रभाव होते हैं। ऐसा इसलिए है क्योंकि ये लिगेंड पी-पाई एकल जोड़ी दाता कक्षीय से इलेक्ट्रॉन दान द्वारा 16 ई-मध्यवर्ती को स्थिर कर देंगे। अन्य सल्फर युक्त लिगेंड, विशेष रूप से थियोबेनजोएट, विशेष रूप से उपयोगी सी. ओ. सिस-स्थिरीकरण लिगेंड के अन्य उदाहरण हैं, जिन्हें मध्यवर्ती के स्थिरीकरण द्वारा समझाया जा सकता है जिसके परिणामस्वरूप सी. ओ. पृथक्करण होता है। इसका श्रेय थियोबेन्जोएट और धातु से ऑक्सीजन की आंशिक अंतःक्रिया को दिया जा सकता है, जो संक्रमण धातु परिसरों में लिगैंड पृथक्करण के दौरान होने वाले विलायक प्रभावों को समाप्त कर सकता है। ध्यान दें कि सबसे मजबूत लेबिलाइज़िंग प्रभाव लिगेंड से आते हैं जो कमजोर सिग्मा दाता होते हैं जिनके पास लगभग कोई पाई-स्वीकार करने वाला व्यवहार नहीं होता है। सी. आई. एस. प्रभाव को संक्रमण अवस्था को स्थिर करने में लिगैंड एक्स की भूमिका के लिए जिम्मेदार ठहराया जा सकता है। यह भी निर्धारित किया गया है कि लेबिलाइज़िंग एक्स लिगेंड वास्तव में एम-सीओ बॉन्ड ट्रांस को एक्स में मजबूत करते हैं, जो कि लिगेंड एक्स के कमजोर पाई-स्वीकार करने और/या सिग्मा दान करने के व्यवहार के कारण होने की परिकल्पना की जाती है। मजबूत सिग्मा दान/पाई-ग्रहण की यह कमी सी. ओ. (एक मजबूत पाई-ग्रहणकर्ता) को लिगैंड एक्स में इलेक्ट्रॉन घनत्व को अपनी ओर खींचने की अनुमति देगी, जिससे एम-सी. ओ. बंधन मजबूत होगा। इस घटना को आगे ट्रांस प्रभाव पर व्यापक अध्ययनों के साक्ष्य द्वारा समर्थित किया जाता है, जो बदले में दर्शाता है कि कैसे लिगैंड जो वास्तव में मजबूत सिग्मा दाता और पाई-रिसेप्टर हैं, उनके लिए एम-एल बॉन्ड ट्रांस को कमजोर करते हैं। चूँकि सीआईएस और ट्रांस प्रभावों में आम तौर पर विपरीत रुझान प्रतीत होते हैं, इलेक्ट्रॉनिक तर्क दोनों घटनाओं का समर्थन करता है। सी. ओ. के सी. आई. एस. लेबिलाइज़ेशन के लिए आगे के साक्ष्य का श्रेय डी. एक्स. आई., डी. आई. जेड. और डी. एक्स. जेड. ऑर्बिटल्स के लिए प्रतिस्पर्धा में सी. ओ. लिगेंडों को दिया जा सकता है। यह तर्क विशेष रूप से तब सही होता है जब एक्स एक हैलोजन होता है। संदर्भ कार्बनिक धातु रसायन कार्बोनिल संकुल रासायनिक बंधन गुण