Zhong Lin Wang
झोंग लिन वांग (; जन्म नवंबर 1961) एक चीनी-अमेरिकी भौतिक विज्ञानी, सामग्री वैज्ञानिक और इंजीनियर हैं जो नैनो प्रौद्योगिकी, ऊर्जा विज्ञान और इलेक्ट्रॉनिक्स में विशेषज्ञता रखते हैं। उन्होंने 1987 में एरिजोना स्टेट यूनिवर्सिटी से पीएचडी प्राप्त की। वे मैटेरियल्स साइंस एंड इंजीनियरिंग में हाईटावर चेयर हैं और जॉर्जिया इंस्टीट्यूट ऑफ टेक्नोलॉजी, यू. एस. में रीजेंट्स प्रोफेसर हैं। शिक्षा पीएच. डी. भौतिकी में, एरिजोना राज्य विश्वविद्यालय, 1987। बी. एस एप्लाइड फिजिक्स, एक्सडियन यूनिवर्सिटी, शियान, चीन, 1982 में। वे त्सुंग-दाओ ली द्वारा आयोजित सी. यू. एस. पी. ई. ए. कार्यक्रम के माध्यम से स्नातक विद्यालय के लिए अमेरिका आए थे। करियर वांग 1987 से 1988 तक स्टोनी ब्रुक विश्वविद्यालय में एक अतिथि व्याख्याता थे। अगले वर्ष कैम्ब्रिज विश्वविद्यालय में कैवेंडिश प्रयोगशाला में एक शोध साथी के रूप में काम करने के बाद, वांग 1990 से 1994 तक ओक रिज राष्ट्रीय प्रयोगशाला और राष्ट्रीय मानक और प्रौद्योगिकी संस्थान में एक शोध वैज्ञानिक के रूप में शामिल हुए। उन्हें 1995 में जॉर्जिया प्रौद्योगिकी संस्थान द्वारा एक सहयोगी प्रोफेसर के रूप में नियुक्त किया गया था; उन्हें 1999 में पूर्ण प्रोफेसर, 2004 में रीजेंट्स प्रोफेसर और 2010 में सामग्री विज्ञान और इंजीनियरिंग में हाईटावर चेयर के रूप में पदोन्नत किया गया था। वांग 2000 से 2015 तक जॉर्जिया टेक के नैनोस्ट्रक्चर कैरेक्टराइजेशन केंद्र के निदेशक थे। वह 2012 से बीजिंग इंस्टीट्यूट ऑफ नैनोएनर्जी एंड नैनोसिस्टम्स, चाइनीज एकेडमी ऑफ साइंसेज में संस्थापक निदेशक, निदेशक और मुख्य वैज्ञानिक हैं। नैनोजनरेटरों के विज्ञान और प्रौद्योगिकी वांग ने 2006 में पीजोइलेक्ट्रिक नैनोजनरेटरों का आविष्कार किया, जो ZnO नैनोवायर सरणियों द्वारा प्रदान की गई छोटी यांत्रिक ऊर्जा से बिजली पैदा करने के लिए था। तब से, नैनो-ऊर्जा और स्व-संचालित प्रणालियों के क्षेत्रों का जन्म हुआ, जिनके संवेदक नेटवर्क, मोबाइल इलेक्ट्रॉनिक्स और इंटरनेट ऑफ थिंग्स में महत्वपूर्ण अनुप्रयोग हैं। 2011 में वांग द्वारा ट्राइबोइलेक्ट्रिक नैनोजनरेटर (टी. ई. एन. जी.) के आविष्कार से पहले, यांत्रिक ऊर्जा संचयन मुख्य रूप से 1831 में फैराडे द्वारा आविष्कार किए गए विद्युत चुम्बकीय जनरेटर (ई. एम. जी.) पर निर्भर करता है। ई. एम. जी. उच्च आवृत्ति वाले यांत्रिक गतियों के लिए सबसे कुशल है, जैसे कि 10-60 एच. जेड. से अधिक, क्योंकि कम आवृत्ति पर ई. एम. जी. का उत्पादन अपेक्षाकृत कम होता है। उच्च आवृत्ति पर उच्च गुणवत्ता और विनियमित ऊर्जा हमारी आज की ऊर्जा प्रणाली के निर्माण में महत्वपूर्ण भूमिका निभाती है। हालाँकि, वितरित ऊर्जा अधिक से अधिक महत्वपूर्ण हो जाती है, क्योंकि यह युग इंटरनेट ऑफ थिंग्स और आर्टिफिशियल इंटेलिजेंस की ओर बढ़ गया है। टी. ई. एन. जी. ने पर्यावरण से कम आवृत्ति वाली यांत्रिक ऊर्जा प्राप्त करने में ई. एम. जी. की तुलना में स्पष्ट लाभ दिखाया है। TENG पर आधारित ऊर्जा रूपांतरण दक्षता 50-85% तक पहुंच सकती है। अब तक प्राप्त अधिकतम उत्पादन शक्ति घनत्व 500 डब्ल्यू/एम2 तक है। टी. ई. एन. जी. कई प्रकार के स्रोतों से ऊर्जा प्राप्त कर सकते हैं, और पोर्टेबल इलेक्ट्रॉनिक्स, बायोमेडिसिन, पर्यावरण निगरानी और यहां तक कि बड़े पैमाने पर बिजली के लिए स्व-संचालित प्रणालियों में महत्वपूर्ण अनुप्रयोग हैं। संकर कोशिका। व्यवहार में, उपकरण के स्थायी संचालन को आमतौर पर केवल एक प्रकार की ऊर्जा की सफाई करके महसूस नहीं किया जा सकता है। वांग ने 2009 में दो या दो से अधिक विभिन्न प्रकार की ऊर्जा, जैसे कि सौर और यांत्रिक ऊर्जा की एक साथ कटाई के लिए संकर सेल की शुरुआत की। कई प्रकार की ऊर्जा के अलावा, संकर कोशिका में एक ही प्रकार की ऊर्जा प्राप्त करने के लिए दो अलग-अलग तरीकों का उपयोग करने का मामला भी शामिल है। पायरोइलेक्ट्रिक नैनोजनरेटर। ऊष्मीय-विद्युत प्रभाव एक भौतिक प्रभाव है जो बिजली उत्पन्न करने के लिए ऊष्मीय-विद्युत सामग्री के साथ तापमान ढाल को लागू करता है। और एक पीजोइलेक्ट्रिक सामग्री में, तापमान की समय भिन्नता भी शक्ति रूपांतरण के लिए ध्रुवीकरण का कारण बन सकती है, जो कि पायरोइलेक्ट्रिक प्रभाव है। 2012 में, पायरोइलेक्ट्रिक प्रभाव के आधार पर, वांग ने पायरोइलेक्ट्रिक नैनोजनरेटर का आविष्कार किया। नीली ऊर्जा। टी. ई. एन. जी. कम आवृत्ति पर जल तरंग ऊर्जा का संचयन करने में सक्षम साबित हुए हैं। हालांकि, पारंपरिक ई. एम. जी. तकनीक का उपयोग करना लगभग असंभव है। 2014 में, वांग ने नीली ऊर्जा के विचार का प्रस्ताव रखा, जिसमें बड़े पैमाने पर तरंग ऊर्जा संचयन के लिए पानी की सतह पर तैरते हुए TENG नेटवर्क बनाने के लिए लाखों TENG इकाइयों का उपयोग किया गया। यदि एक टीईएनजी इकाई 10 मेगावाट की बिजली पैदा कर सकती है, तो जॉर्जिया राज्य के आकार और पानी की 10 मीटर गहराई के बराबर क्षेत्र के लिए कुल बिजली सैद्धांतिक रूप से 16 टीडब्ल्यू होने का अनुमान है, जो दुनिया की ऊर्जा जरूरतों को पूरा कर सकती है। मैक्सवेल के विस्थापन धारा से नैनोजनरेटर का सिद्धांत। 1861 में, मैक्सवेल ने मैक्सवेल के विस्थापन धारा के रूप में ε≤E/≤t शब्द का प्रस्ताव रखा, जिससे विद्युत चुम्बकीय तरंगों का एकीकरण हुआ। विद्युत चुम्बकीय तरंग वायरलेस संचार, रडार और बाद में सूचना प्रौद्योगिकी की नींव रखती है। जब सतह का ध्रुवीकरण मौजूद होता है, तब वांग ने मैक्सवेल के विस्थापन धारा में दूसरा पद ष्णू पी एस/ष्णू टी जोड़ा, जो गैर-विद्युत क्षेत्र से संबंधित प्रभावों जैसे पीजोइलेक्ट्रिक और ट्राइबोइलेक्ट्रिक प्रभावों द्वारा शुरू किए गए ध्रुवीकरण का प्रतिनिधित्व करता है। यह दिखाया गया है कि ई. एम. जी. चुंबकीय क्षेत्र बी के समय भिन्नता पर आधारित है, जबकि नैनोजनरेटर सतह ध्रुवीकरण क्षेत्र पी. एस. के समय भिन्नता पर निर्भर करता है। हाल ही में, वांग ने आवेशित माध्यम को स्थानांतरित करने के लिए मैक्सवेल के समीकरणों का पूरी तरह से विस्तार किया, और समीकरणों के सामान्य समाधान पेश किए। यह प्रगति उड़ने वाली वस्तुओं के बीच संचार के लिए महत्वपूर्ण हो सकती है। संपर्क-विद्युतीकरण की उत्पत्ति। दशकों से, वैज्ञानिक आवेश पहचान और संपर्क-विद्युतीकरण (सी. ई., या ट्राइबोइलेक्ट्रिफिकेशन) के तंत्र के बारे में बहस कर रहे हैं, अगर यह इलेक्ट्रॉन, आयन और/या सामग्री प्रजातियों के हस्तांतरण के कारण है। हाल ही में, वांग ने निष्कर्ष निकाला कि ठोस-ठोस जोड़े के बीच सीई के लिए इलेक्ट्रॉन हस्तांतरण प्रमुख तंत्र है। वांग ने सीई के लिए एक सामान्य मॉडल का प्रस्ताव रखा, और खुलासा किया कि परमाणुओं/अणुओं के बीच इलेक्ट्रॉन संक्रमण प्रतिकारक क्षेत्र में दो परमाणुओं/अणुओं के बीच एक मजबूत इलेक्ट्रॉन क्लाउड ओवरलैप (या तरंग कार्य ओवरलैप) द्वारा प्रेरित होता है, क्योंकि अंतर-परमाणु संभावित बाधा को कम किया जा सकता है। संपर्क/घर्षण बल इलेक्ट्रॉन बादल (या भौतिकी में तरंग कार्य, रसायन विज्ञान में बंधन) के अतिव्याप्त को बढ़ा सकता है। इस मॉडल को आगे तरल-ठोस, तरल-तरल और यहां तक कि गैस-तरल के मामलों में भी विस्तारित किया जा सकता है। फिर, तरल और ठोस के बीच विद्युत दोहरी परत के निर्माण प्रक्रिया को प्रकट करने के लिए एक संकर परत मॉडल प्रस्तावित किया गया है। इंटरफेस इलेक्ट्रॉन हस्तांतरण और संक्रमण के कारण फोटॉन उत्सर्जन देखा गया है, जिसके परिणामस्वरूप संपर्क-विद्युतीकरण प्रेरित उत्सर्जन स्पेक्ट्रोस्कोपी (सी. ई. आई. आई. एस.) का जन्म हुआ है। इसके अलावा, तरल और ठोस सतहों के बीच इलेक्ट्रॉन हस्तांतरण का उपयोग उत्प्रेरण के लिए किया जा सकता है, जिसके परिणामस्वरूप संपर्क-विद्युत उत्प्रेरण (सी. ई. सी.) का एक नया क्षेत्र बनता है। नए युग और उच्च एन्ट्रापी ऊर्जा के लिए ऊर्जा। जब हम इंटरनेट ऑफ थिंग्स, सेंसर नेटवर्क, बिग डेटा, रोबोटिक्स और आर्टिफिशियल इंटेलिजेंस के नए युग में प्रवेश करते हैं, तो अरबों छोटे, मोबाइल और वितरित ऊर्जा स्रोतों की बहुत आवश्यकता होती है। बैटरियों के प्रमुख नुकसानों के कारण "आत्म-शक्ति" को समझना अनिवार्य है। वांग ने 2017 में वितरित ऊर्जा स्रोतों को प्रसिद्ध नई ऊर्जा से अलग करने के लिए "नए युग के लिए ऊर्जा" के विचार का प्रस्ताव रखा। हाल ही में, वांग ने इंटरनेट ऑफ थिंग्स के युग के लिए ऊर्जा वितरण और उपयोग के एन्ट्रापी सिद्धांत का अध्ययन किया। बिजली संयंत्रों से संचारित "क्रमबद्ध" ऊर्जा का उपयोग निश्चित स्थलों और "अव्यवस्थित" वितरित बिजली अनुप्रयोगों के लिए "क्रमबद्ध" अनुप्रयोगों को हल करने के लिए किया जाता है, जबकि पर्यावरण से प्राप्त "अव्यवस्थित" ऊर्जा मुख्य रूप से वितरित अनुप्रयोगों को हल करने के लिए होती है। तीसरी पीढ़ी के अर्धचालकों के पीज़ोट्रॉनिक्स और पीज़ो-फ़ोट्रॉनिक्स पीज़ोट्रॉनिक प्रभाव और पीज़ोट्रॉनिक्स। गैर-सेंट्रोसिमेट्रिक क्रिस्टल संरचना वाली सामग्री पर दबाव डालते समय, आयन ध्रुवीकरण के कारण एक पीजोइलेक्ट्रिक क्षमता (पीजोपोटेंशियल) का उत्पादन किया जा सकता है। एक ZnO नैनोवायर के लिए, नैनोवायर और उसके धातु संपर्क के बीच स्कॉटकी बाधा की ऊंचाई को बनाए गए आंतरिक क्षेत्र द्वारा प्रभावी ढंग से ट्यून किया जा सकता है। ताकि इंटरफेस में चार्ज वाहक परिवहन प्रक्रिया को प्रभावी ढंग से ट्यून और गेट किया जा सके। इस तरह की घटना को पीज़ोट्रोनिक प्रभाव कहा जाता है, जिसकी खोज वांग ने 2007 में की थी। पीज़ोट्रोनिक प्रभाव को लागू करके, पीज़ोइलेक्ट्रिक फील्ड इफेक्ट ट्रांजिस्टर, पीज़ोइलेक्ट्रिक डायोड और स्ट्रेन गेटेड लॉजिक ऑपरेशन विकसित किए गए हैं। पीज़ोट्रॉनिक्स का क्षेत्र उस इलेक्ट्रॉनिक्स का प्रतिनिधित्व करता है जिसमें पीज़ोपोटेंशियल एक गेट वोल्टेज के रूप में कार्य करता है। पीजोट्रॉनिक्स के आधार पर, पारंपरिक सी. एम. ओ. एस. ट्रांजिस्टर के डिजाइन को अनिवार्य रूप से बदला जा सकता है। सबसे पहले, पीज़ोट्रोनिक ट्रांजिस्टर में कोई गेट इलेक्ट्रोड नहीं हो सकता है। दूसरा, एक आंतरिक पीजोपोटेंशियल लागू किए गए गेट वोल्टेज को विस्थापित करता है, और लागू किए गए तनाव का उपयोग गेट वोल्टेज के बजाय उपकरण को नियंत्रित करने के लिए किया जाता है। तीसरा, नाली (स्रोत)-नैनोवायर इंटरफेस पर संपर्क चैनल की चौड़ाई के बजाय चार्ज वाहक परिवहन को नियंत्रित करता है। हाल ही में, 2डी सामग्री में पीज़ोट्रोनिक प्रभाव का भी प्रदर्शन किया गया था। पीजोट्रॉनिक्स के मानव-कंप्यूटर इंटरफेस, स्मार्ट एमईएमएस, नैनोरोबोटिक्स और सेंसर में महत्वपूर्ण और व्यापक अनुप्रयोग हो सकते हैं। पीजो-फोटोग्राफिक प्रभाव और पीजो-फोटोट्रॉनिक्स। एक स्ट्रेन को लागू करते समय, इंटरफेस ध्रुवीकरण शुल्क द्वारा बनाई गई पीजोपोटेंशियल स्थानीय बैंड संरचना को बहुत अधिक ट्यून कर सकती है और एक पीएन जंक्शन पर चार्ज कमी क्षेत्र को स्थानांतरित कर सकती है। जंक्शन पर आवेश वाहक के पृथक्करण या पुनर्संयोजन को फोटॉन द्वारा उत्तेजित रूप से प्रभावी ढंग से बढ़ाया जा सकता है। इस तरह की घटना को पीजो-फोटोनिक प्रभाव कहा जाता है, जिसे 2009 में वांग द्वारा खोजा गया था, जिसमें ऑप्टोइलेक्ट्रोनिक प्रक्रियाओं को बनाए गए पीजोपोटेंशियल द्वारा ट्यून और नियंत्रित किया जाता है। इस प्रभाव का उपयोग करके, व्यक्तिगत-नैनोवायर एल. ई. डी. पर आधारित दबाव/बल संवेदक सरणियों को गढ़ा गया है, जो उच्च रिज़ॉल्यूशन और घनत्व पर तनाव को मैप कर सकते हैं और एल. ई. डी. की दक्षता को बहुत बढ़ा सकते हैं। इस तरह के प्रभाव ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के प्रदर्शन में सुधार के लिए महत्वपूर्ण अनुप्रयोग पा सकते हैं। पीजोफोटोनिक प्रभाव। वैंग ने सैद्धांतिक रूप से 2008 में पीजोइलेक्ट्रिक-प्रेरित फोटॉन-उत्सर्जन प्रभाव (पीजोफोटोनिक प्रभाव) की भविष्यवाणी की थी। फोटो उत्सर्जन हो सकता है, जो पीजोइलेक्ट्रिक क्षमता के अस्तित्व के तहत रिक्त स्थान/सतह राज्यों से वापस वैलेंस बैंड में फंसे हुए आवेशों की गिरावट के परिणामस्वरूप हो सकता है। इस तरह के प्रभाव को उनके बाद के काम में प्रयोगात्मक रूप से देखा और सत्यापित किया गया है। ट्राइबोट्रॉनिक्स। अर्धचालक उपकरण में वाहक परिवहन को नियंत्रित करने के लिए पीजोइलेक्ट्रिक क्षमता का उपयोग करने के समान, ट्राइबोइलेक्ट्रिक क्षमता का उपयोग एफईटी उपकरण के गेट वोल्टेज के रूप में भी किया जा सकता है। ट्राइबोट्रॉनिक्स का क्षेत्र उस इलेक्ट्रॉनिक्स का प्रतिनिधित्व करता है जिसमें ट्राइबोइलेक्ट्रिक एक गेट वोल्टेज के रूप में कार्य करता है। अब तक, विभिन्न प्रकार के ट्राइबोट्रोनिक कार्यात्मक उपकरण, जैसे कि ट्राइबोट्रोनिक स्पर्श स्विच, मेमोरी, हाइड्रोजन सेंसर और फोटोट्रांसिस्टर बनाए गए हैं। विकास और समझ ZnO नैनोस्ट्रक्चर नैनोबेल्ट एक नए प्रकार की 1D नैनोस्ट्रक्चर है जो विभिन्न अर्धचालक ऑक्साइडों द्वारा बनाई गई है जिसमें विभिन्न धनायन और क्रिस्टलोग्राफिक संरचनाएँ हैं। वांग ने 2001 में ऑक्साइड नैनोबेल्ट की खोज की। जेडएनओ एक प्रकार की सामग्री बन गई है जिसका महत्व सी नैनोवायर और कार्बन नैनोट्यूब के बराबर है। टी. ई. एम. में इन-सीटू नैनो माप कार्बन नैनोट्यूब के लिए भौतिक गुणों के लक्षण वर्णन, जो नमूने की शुद्धता और नैनोट्यूब आकार वितरण से प्रभावित होते हैं, आमतौर पर स्कैनिंग प्रोब माइक्रोस्कोपी द्वारा किए जाते हैं। 1999 में, यांत्रिक, विद्युत और क्षेत्र उत्सर्जन सहित व्यक्तिगत नैनोट्यूब के गुणों को मापने के लिए संचरण इलेक्ट्रॉन सूक्ष्मदर्शी (टी. ई. एम.) के आधार पर वांग और सहकर्मियों द्वारा अनूठी तकनीकों की एक श्रृंखला विकसित की गई थी। इन-सीटू टी. ई. एम. तकनीक का उपयोग करके, कोई भी सीधे परमाणु-रिज़ॉल्यूशन पर सामग्री के क्रिस्टल और सतह संरचनाओं का निरीक्षण कर सकता है, और नैनोस्केल गुण माप भी कर सकता है। वांग ने एक नैनोबेलेन्स तकनीक और नैनोमैकेनिक्स के प्रति एक दृष्टिकोण का प्रदर्शन किया। इलेक्ट्रॉन विवर्तन और इमेजिंग में अस्थिर प्रकीर्णन के सिद्धांत वांग ने इलेक्ट्रॉन विवर्तन और इमेजिंग में अस्थिर प्रकीर्णन को समझने के लिए कुछ शोध किए। उन्होंने इलेक्ट्रॉन विवर्तन और इमेजिंग (प्लेनम प्रेस, 1995) में लोचदार और अस्थिर प्रकीर्णन पर एक पाठ्यपुस्तक प्रकाशित की। स्कैनिंग संचरण इलेक्ट्रॉन सूक्ष्मदर्शी (एसटीईएम) में, उच्च-कोण कुंडलाकार डार्क-फील्ड (एचएएडीएफ) (जिसे जेड-कंट्रास्ट के रूप में जाना जाता है) में थर्मल डिफ्यूज स्कैटरिंग (टीडीएस) का प्रभुत्व होता है, जिसे वांग द्वारा प्रकट किया जाता है। और एच. ए. ए. डी. एफ. की छवि अनुकरण में टी. डी. एस. को शामिल करने के लिए गतिशील सिद्धांत प्रस्तावित किया गया था। सम्मान और मान्यता वैश्विक ऊर्जा पुरस्कार, 2023 सेल्सियस व्याख्यान पुरस्कार विजेता, 2020, स्वीडन अल्बर्ट आइंस्टीन विश्व विज्ञान पुरस्कार, विश्व सांस्कृतिक परिषद (2019) 2019 डायल्स-प्लैंक व्याख्यान पुरस्कार 2018 ई. एन. आई. पुरस्कार इन एनर्जी फ्रंटियर्स अमेरिकन केमिकल सोसायटी द्वारा प्रदान किया गया। प्रकाशन सबसे विपुल लेखक (2017) ग्लोबल नैनोएनर्जी पुरस्कार (2017), द नैनोस्मेट सोसाइटी, यूके (2017) विशिष्ट अनुसंधान पुरस्कार, पैन वेन युआन फाउंडेशन (2017) अनुसंधान नवाचार में उत्कृष्ट उपलब्धि पुरस्कार, जॉर्जिया टेक (2016) (यूएस) साउथईस्टर्न यूनिवर्सिटीज रिसर्च एसोसिएशन से विशिष्ट वैज्ञानिक पुरस्कार (2016) थॉमसन-रॉयटर्स साइटेशन लॉरेट इन फिजिक्स (2015) विशिष्ट प्रोफेसर पुरस्कार (जॉर्जिया टेक में सर्वोच्च संकाय सम्मान) (2014) नैनोस्मेट पुरस्कार (यूनाइटेड किंगडम) (2014) चीन अंतर्राष्ट्रीय विज्ञान और प्रौद्योगिकी सहयोग पुरस्कार (2014) विश्व प्रौद्योगिकी पुरस्कार (सामग्री) (2014) अमेरिकी भौतिक समाज से नई सामग्री के लिए जेम्स सी. मैकग्रोडी पुरस्कार (2014) एसीएस नैनो व्याख्यान विज्ञान और प्रौद्योगिकी में विशिष्ट उपलब्धि के लिए ली पुरस्कार (2001) उत्कृष्ट अनुसंधान लेखक पुरस्कार, जॉर्जिया टेक (2000) बर्टन पदक, माइक्रोस्कोपी सोसाइटी ऑफ अमेरिका (1999) संदर्भ बाहरी लिंक वांग के शोध समूह की वेबसाइट http://www.mse.gatech.edu/people/zhong-lin-wang 1961 जन्म जीवित लोग चीनी नैनोटेक्नोलॉजिस्ट चीनी प्रवासी संयुक्त राज्य अमेरिका के लिए वैज्ञानिक शानक्सी ज़िडियन विश्वविद्यालय के पूर्व छात्र एरिज़ोना स्टेट यूनिवर्सिटी के पूर्व छात्र जॉर्जिया टेक संकाय अमेरिकी सामग्री वैज्ञानिक इंजीनियर शानक्सी अल्बर्ट आइंस्टीन विश्व विज्ञान पुरस्कार विजेता चीनी विज्ञान अकादमी के विदेशी सदस्य अमेरिकी भौतिक समाज के अध्येता