Programmable ROM
પ્રોગ્રામેબલ રીડ-ઓનલી મેમરી (PROM) એ ડિજિટલ મેમરીનું એક સ્વરૂપ છે જ્યાં ઉપકરણના ઉત્પાદન પછી સામગ્રીને એકવાર બદલી શકાય છે. પછી ડેટા કાયમી હોય છે અને તેને બદલી શકાતો નથી. તે એક પ્રકારની રીડ-ઓનલી મેમરી (ROM) છે. PROM નો ઉપયોગ ડિજિટલ ઇલેક્ટ્રોનિક ઉપકરણોમાં કાયમી માહિતી સંગ્રહિત કરવા માટે થાય છે, સામાન્ય રીતે ફર્મવેર અથવા માઇક્રોકોડ જેવા નિમ્ન સ્તરના કાર્યક્રમો. પ્રમાણભૂત ROMથી મુખ્ય તફાવત એ છે કે ઉત્પાદન દરમિયાન ડેટાને ROMમાં લખવામાં આવે છે, જ્યારે PROM સાથે ડેટાને ઉત્પાદન પછી તેમાં પ્રોગ્રામ કરવામાં આવે છે. આમ, ROM નો ઉપયોગ માત્ર સારી રીતે ચકાસાયેલ માહિતી સાથે મોટા ઉત્પાદન માટે થાય છે. PROM નો ઉપયોગ ત્યાં થઈ શકે છે જ્યાં જરૂરી વોલ્યુમ ફેક્ટરી-પ્રોગ્રામ કરેલ ROM ને કિફાયતી ન બનાવે, અથવા સિસ્ટમના વિકાસ દરમિયાન કે જે આખરે મોટા પાયે ઉત્પાદિત સંસ્કરણમાં ROM માં રૂપાંતરિત થઈ શકે છે. PROM ખાલી બનાવવામાં આવે છે અને, ટેક્નોલોજીના આધારે, વેફર, અંતિમ પરીક્ષણ અથવા સિસ્ટમમાં પ્રોગ્રામ કરી શકાય છે. ખાલી PROM ચિપ્સને PROM પ્રોગ્રામર તરીકે ઓળખાતા ઉપકરણમાં પ્લગ કરીને પ્રોગ્રામ કરવામાં આવે છે. કંપનીઓ સ્ટોકમાં ખાલી PROM નો પુરવઠો રાખી શકે છે, અને મોટા જથ્થાની પ્રતિબદ્ધતાને ટાળવા માટે છેલ્લી ઘડીએ તેમને પ્રોગ્રામ કરી શકે છે. આ પ્રકારની સ્મૃતિઓનો ઉપયોગ માઇક્રોકન્ટ્રોલર્સ, વિડિયો ગેમ કન્સોલ, મોબાઇલ ફોન, રેડિયો-ફ્રિક્વન્સી આઇડેન્ટિફિકેશન (આર. એફ. આઈ. ડી.) ટેગ, ઇમ્પ્લાન્ટેબલ તબીબી ઉપકરણો, હાઇ-ડેફિનેશન મલ્ટીમીડિયા ઇન્ટરફેસ (એચ. ડી. એમ. આઈ.) અને અન્ય ઘણા ગ્રાહક અને ઓટોમોટિવ ઇલેક્ટ્રોનિક્સ ઉત્પાદનોમાં થાય છે. PROM ની શોધ 1956 માં વેન ત્સિંગ ચાઉ દ્વારા કરવામાં આવી હતી, જે ન્યૂયોર્કના ગાર્ડન સિટીમાં અમેરિકન બોશ આર્મા કોર્પોરેશનના આર્મા વિભાગ માટે કામ કરતા હતા. એટલાસ ઇ/એફ આઇસીબીએમના એરબોર્ન ડિજિટલ કમ્પ્યુટરમાં લક્ષ્ય સ્થિરાંકોને સંગ્રહિત કરવાની વધુ લવચીક અને સુરક્ષિત રીત સાથે આવવા માટે યુનાઇટેડ સ્ટેટ્સ એર ફોર્સની વિનંતી પર આ શોધની કલ્પના કરવામાં આવી હતી. પેટન્ટ અને સંકળાયેલ તકનીકને ઘણા વર્ષો સુધી ગુપ્તતા આદેશ હેઠળ રાખવામાં આવી હતી જ્યારે એટલાસ ઇ/એફ યુનાઇટેડ સ્ટેટ્સ આઇસીબીએમ દળની મુખ્ય કાર્યરત મિસાઇલ હતી. બર્ન શબ્દ, જે PROM પ્રોગ્રામિંગની પ્રક્રિયાનો ઉલ્લેખ કરે છે, તે પણ મૂળ પેટન્ટમાં છે, કારણ કે મૂળ અમલીકરણમાંનું એક શાબ્દિક રીતે ડાયોડના આંતરિક મૂંછને વર્તમાન ઓવરલોડ સાથે બાળી નાખવાનું હતું જેથી સર્કિટ વિરામ પેદા કરી શકાય. પ્રથમ PROM પ્રોગ્રામિંગ મશીનો પણ ચાઉના નિર્દેશન હેઠળ આર્મા ઇજનેરો દ્વારા વિકસાવવામાં આવ્યા હતા અને તે આર્માની ગાર્ડન સિટી લેબ અને એર ફોર્સ સ્ટ્રેટેજિક એર કમાન્ડ (SAC) મુખ્યાલયમાં સ્થિત હતા. વન ટાઇમ પ્રોગ્રામેબલ મેમરી (વન ટાઇમ પ્રોગ્રામેબલ) મેમરી એ એક ખાસ પ્રકારની બિન-અસ્થિર મેમરી (એન. વી. એમ.) છે જે ડેટાને મેમરીમાં માત્ર એક જ વાર લખવાની મંજૂરી આપે છે. એકવાર મેમરી પ્રોગ્રામ થઈ જાય પછી, તે શક્તિ ગુમાવવા પર તેનું મૂલ્ય જાળવી રાખે છે (એટલે કે, બિન-અસ્થિર છે). જ્યાં ડેટાનું વિશ્વસનીય અને પુનરાવર્તિત વાંચન જરૂરી હોય તેવી એપ્લિકેશનોમાં ઓ. ટી. પી. મેમરીનો ઉપયોગ થાય છે. ઉદાહરણોમાં બૂટ કોડ, એન્ક્રિપ્શન કી અને એનાલોગ, સેન્સર અથવા ડિસ્પ્લે સર્કિટરી માટે રૂપરેખાંકન પરિમાણોનો સમાવેશ થાય છે. ઓ. ટી. પી. એન. વી. એમ. ની લાક્ષણિકતા ઇ-ફ્યુઝ અથવા ઇ. ઇ. પી. આર. ઓ. એમ. જેવા અન્ય પ્રકારનાં એન. વી. એમ. પર ઓછી શક્તિ, નાના વિસ્તાર પદચિહ્ન મેમરી માળખું પ્રદાન કરીને દર્શાવવામાં આવે છે. જેમ કે ઓ. ટી. પી. મેમરી માઇક્રોપ્રોસેસર્સ અને ડિસ્પ્લે ડ્રાઇવરોથી લઈને પાવર મેનેજમેન્ટ આઇસી (પીએમઆઇસી) સુધીના ઉત્પાદનોમાં એપ્લિકેશન શોધે છે. વાણિજ્યિક રીતે ઉપલબ્ધ સેમિકન્ડક્ટર એન્ટીફ્યુઝ-આધારિત ઓ. ટી. પી. મેમરી એરે ઓછામાં ઓછા 1969 થી આસપાસ છે, જેમાં પ્રારંભિક એન્ટીફ્યુઝ બીટ સેલ્સ વાહક રેખાઓને પાર કરવા વચ્ચે કેપેસિટરને ફૂંકવા પર નિર્ભર છે. ટેક્સાસ ઇન્સ્ટ્રુમેન્ટ્સે 1979માં એમ. ઓ. એસ. ગેટ ઓક્સાઇડ બ્રેકડાઉન એન્ટીફ્યુઝ વિકસાવ્યું હતું. 1982માં ડ્યુઅલ-ગેટ-ઓક્સાઇડ ટુ-ટ્રાન્ઝિસ્ટર (2ટી) એમ. ઓ. એસ. એન્ટીફ્યુઝની રજૂઆત કરવામાં આવી હતી. પ્રારંભિક ઓક્સાઇડ બ્રેકડાઉન તકનીકોએ વિવિધ સ્કેલિંગ, પ્રોગ્રામિંગ, કદ અને ઉત્પાદન સમસ્યાઓનું પ્રદર્શન કર્યું હતું જેણે આ તકનીકો પર આધારિત મેમરી ઉપકરણોના વોલ્યુમ ઉત્પાદનને અટકાવ્યું હતું. વન-ટાઇમ પ્રોગ્રામેબલ મેમરી ઉપકરણનું બીજું સ્વરૂપ અલ્ટ્રાવાયોલેટ-ઇરેઝેબલ પ્રોગ્રામેબલ રીડ-ઓનલી મેમરી (યુવી-ઇ. પી. આર. ઓ. એમ.) જેવી જ સેમિકન્ડક્ટર ચિપનો ઉપયોગ કરે છે, પરંતુ તૈયાર ઉપકરણને મોંઘા સિરામિક પેકેજને બદલે અપારદર્શક પેકેજમાં મૂકવામાં આવે છે. આ ઉપકરણો યુવી ઇ. પી. આર. ઓ. એમ. ભાગો જેવી જ પદ્ધતિઓ સાથે પ્રોગ્રામ કરવામાં આવે છે પરંતુ ઓછા ખર્ચાળ હોય છે. એમ્બેડેડ નિયંત્રકો ફિલ્ડ-ઇરેઝેબલ અને વન-ટાઇમ બંને શૈલીઓમાં ઉપલબ્ધ હોઈ શકે છે, જે ફેક્ટરી-પ્રોગ્રામ કરેલ માસ્ક ROM ચિપ્સના ખર્ચ અને લીડ ટાઇમ વિના વોલ્યુમ ઉત્પાદનમાં ખર્ચ બચતની મંજૂરી આપે છે. એન્ટીફ્યુઝ-આધારિત PROM દાયકાઓથી ઉપલબ્ધ હોવા છતાં, તે 2001 સુધી પ્રમાણભૂત CMOSમાં ઉપલબ્ધ નહોતું, જ્યારે કિલોપાસ ટેક્નોલોજી ઇન્કે પ્રમાણભૂત CMOS પ્રક્રિયાનો ઉપયોગ કરીને 1T, 2T અને 3.5T એન્ટીફ્યુઝ બિટ સેલ તકનીકોની પેટન્ટ કરી હતી, જે તર્ક CMOS ચિપ્સમાં PROMના એકીકરણને સક્ષમ કરે છે. પ્રમાણભૂત CMOSમાં અમલમાં મૂકી શકાય તેવી પ્રથમ પ્રક્રિયા નોડ એન્ટીફ્યુઝ 0.18 યુ. એમ. છે. ગેટ ઓક્સાઇડનું ભંગાણ જંકશન ભંગાણ કરતાં ઓછું હોવાથી, એન્ટીફ્યુઝ પ્રોગ્રામિંગ તત્વ બનાવવા માટે વિશેષ પ્રસરણ પગલાંની જરૂર નહોતી. 2005માં, સિડેન્સ દ્વારા સ્પ્લિટ ચેનલ એન્ટીફ્યુઝ ઉપકરણ રજૂ કરવામાં આવ્યું હતું. આ વિભાજીત ચેનલ બીટ કોષ જાડા (IO) અને પાતળા (દ્વાર) ઓક્સાઇડ ઉપકરણોને એક સામાન્ય પોલીસીલીકોન દ્વાર સાથે એક ટ્રાન્ઝિસ્ટર (1T) માં જોડે છે. એક લાક્ષણિક PROM તમામ બિટ્સને "1" તરીકે વાંચીને આવે છે. પ્રોગ્રામિંગ દરમિયાન ફ્યુઝ બીટને બાળવાથી ફ્યુઝને "ફૂંકવાથી" બીટને "0" તરીકે વાંચવામાં આવે છે, જે એક ઉલટાવી ન શકાય તેવી પ્રક્રિયા છે. જો નવો ડેટા "1" ને "0" સાથે બદલે તો કેટલાક ઉપકરણોને "પુનઃપ્રોગ્રામ" કરી શકાય છે. કેટલાક CPU સૂચના સમૂહો (દા. ત. 6502) એ '00' ના ઓપરેશન કોડ સાથે વિરામ (બીઆરકે) સૂચનાને વ્યાખ્યાયિત કરીને આનો લાભ લીધો. એવા કિસ્સાઓમાં કે જ્યાં ખોટી સૂચના હતી, તેને બીઆરકેમાં "પુનઃપ્રોગ્રામ" કરી શકાય છે, જેના કારણે સીપીયુ નિયંત્રણને પેચમાં સ્થાનાંતરિત કરી શકે છે. આ યોગ્ય સૂચનાનો અમલ કરશે અને બી. આર. કે. પછી સૂચના પર પાછા ફરશે. બીટ સેલને ગેટ અને સબસ્ટ્રેટ વચ્ચેના ઓક્સાઇડને તોડવા માટે પાતળા ઓક્સાઇડ ટ્રાન્ઝિસ્ટર (2 એનએમ જાડા ઓક્સાઇડ માટે લગભગ 6 વી, અથવા 30 એમવી/સે. મી.) ના ગેટ અને સબસ્ટ્રેટની સામાન્ય કામગીરી દરમિયાન ન આવતી ઉચ્ચ-વોલ્ટેજ પલ્સ લાગુ કરીને પ્રોગ્રામ કરવામાં આવે છે. ટ્રાન્ઝિસ્ટરનાં દ્વાર પરનો સકારાત્મક વોલ્ટેજ દ્વારની નીચે સબસ્ટ્રેટમાં વ્યુત્ક્રમ ચેનલ બનાવે છે, જેના કારણે ટનેલિંગ પ્રવાહ ઓક્સાઇડમાંથી વહે છે. પ્રવાહ ઓક્સાઇડમાં વધારાના ફાંસો પેદા કરે છે, જે ઓક્સાઇડ દ્વારા પ્રવાહમાં વધારો કરે છે અને આખરે ઓક્સાઇડને પીગળી જાય છે અને દ્વારથી સબસ્ટ્રેટ સુધી વાહક ચેનલ બનાવે છે. વાહક ચેનલ રચવા માટે જરૂરી પ્રવાહ લગભગ 100μA/100nm છે અને ભંગાણ લગભગ 100μs અથવા તેનાથી ઓછું થાય છે. આ પણ જુઓ ઇન્ટેલ HEX સંદર્ભો 1977 ઇન્ટેલ મેમરી ડિઝાઇન હેન્ડબુક-archive.org ઇન્ટેલ PROM ડેટાશીટ્સ-intel-vintage.info યુ. એસ. પેટન્ટ ઓફિસ અથવા ગૂગલ વ્યૂ કિલોપાસ ટેક્નોલોજી પેટન્ટ પર યુએસ "સ્વિચ મેટ્રિક્સ" પેટન્ટ #3028659 જુઓ યુએસ "હાઇ ડેન્સિટી સેમિકન્ડક્ટર મેમરી સેલ અને મેમરી એરે સિંગલ ટ્રાન્ઝિસ્ટરનો ઉપયોગ કરીને અને વેરિયેબલ ગેટ ઓક્સાઇડ બ્રેકડાઉન ધરાવે છે" યુએસ પેટન્ટ ઓફિસ પર પેટન્ટ #6940751 અથવા ગૂગલ વ્યૂ સિડેન્સ યુએસ "સ્પ્લિટ ચેનલ એન્ટિફ્યુઝ એરે આર્કિટેક્ચર" પેટન્ટ #7402855 યુએસ પેટન્ટ ઓફિસ પર અથવા ગૂગલ વ્યૂ યુએસ "મેથડ ઓફ મેન્યુફેક્ચરિંગ સેમિકન્ડક્ટર ઇન્ટિગ્રેટેડ સર્કિટ્સ" પેટન્ટ #3634929 યુએસ પેટન્ટ ઓફિસ અથવા ગૂગલ CHO પર (2008). "ન્યૂ નોન-વોલેટાઇલ મેમરી સ્ટ્રક્ચર્સ ફોર એફ. પી. જી. એ. આર્કિટેક્ચર" ફાયદા અને ગેરફાયદા કોષ્ટક માટે, જુઓ રામમૂર્તિ, જીઃ "ડેટાક્વેસ્ટ ઇનસાઇટઃ નોનવોલેટાઇલ મેમરી આઇ. પી. માર્કેટ, વર્લ્ડવાઇડ, <આઇ. ડી. 1>", પાનું 10. ગાર્ટનર, 2009 EPROM EEPROM બાહ્ય કડીઓ પણ જુઓ 1970 ના દાયકાની PROM ચિપની અંદર જોવું જે માઇક્રોસ્કોપિક ફ્યુઝમાં ડેટા સંગ્રહિત કરે છે-256x4 MMI 5300 PROM નોન-વોલેટાઇલ મેમરી કમ્પ્યુટર મેમરી 1956 માં અમેરિકન શોધમાં કમ્પ્યુટર-સંબંધિત પરિચયોનું મૃત્યુ દર્શાવે છે.