Dopant activation
ડોપન્ટ સક્રિયકરણ એ સેમિકન્ડક્ટર યજમાનમાં અશુદ્ધ પ્રજાતિઓમાંથી ઇચ્છિત ઇલેક્ટ્રોનિક યોગદાન મેળવવાની પ્રક્રિયા છે. આ શબ્દ ઘણીવાર ડોપન્ટ્સના આયન પ્રત્યારોપણ પછી થર્મલ ઊર્જાના ઉપયોગ સુધી મર્યાદિત છે. સૌથી સામાન્ય ઔદ્યોગિક ઉદાહરણમાં, ફોસ્ફરસ, આર્સેનિક અને બોરોન જેવા ડોપન્ટ્સના આયન પ્રત્યારોપણ પછી સિલિકોન પર ઝડપી થર્મલ પ્રક્રિયા લાગુ કરવામાં આવે છે. ઊંચા તાપમાન (1200 ડિગ્રી સેલ્સિયસ) પર પેદા થતી ખાલી જગ્યાઓ આ પ્રજાતિઓની અંતરાલીયથી સંસ્થાકીય જાળીની જગ્યાઓ પર અવરજવરને સરળ બનાવે છે જ્યારે પ્રત્યારોપણ પ્રક્રિયાથી અમોર્ફિઝેશન નુકસાન ફરીથી સ્ફટિકીકરણ કરે છે. પ્રમાણમાં ઝડપી પ્રક્રિયા, અનિચ્છનીય રાસાયણિક પ્રસારને ઘટાડવા માટે ટોચનું તાપમાન ઘણીવાર એક સેકન્ડથી ઓછા સમય માટે જાળવવામાં આવે છે. સંદર્ભો સેમિકન્ડક્ટર ગુણધર્મો